JPH06179088A - 金属板の加工方法およびリードフレームの製造方法 - Google Patents
金属板の加工方法およびリードフレームの製造方法Info
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- JPH06179088A JPH06179088A JP4352732A JP35273292A JPH06179088A JP H06179088 A JPH06179088 A JP H06179088A JP 4352732 A JP4352732 A JP 4352732A JP 35273292 A JP35273292 A JP 35273292A JP H06179088 A JPH06179088 A JP H06179088A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- metal plate
- etching
- processing
- lead frame
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- Laser Beam Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ファインなパターンの抜き形状を形成でき
る。 【構成】 金属板にエッチング加工のための保護マスク
としてのレジストパターン１８、２０を形成する。該レ
ジストパターン１８、２０を残したまま、抜きパターン
となる部分の少なくともファインな抜きパターンとなる
部位にレーザー加工により溝２２を形成する。次いで全
体をエッチング加工して所要の抜きパターンに形成す
る。
る。 【構成】 金属板にエッチング加工のための保護マスク
としてのレジストパターン１８、２０を形成する。該レ
ジストパターン１８、２０を残したまま、抜きパターン
となる部分の少なくともファインな抜きパターンとなる
部位にレーザー加工により溝２２を形成する。次いで全
体をエッチング加工して所要の抜きパターンに形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属板の加工方法および
リードフレームの製造方法に関する。
リードフレームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用のリードフレームは一般的
にプレス加工あるいはエッチング加工によって形成され
る。
にプレス加工あるいはエッチング加工によって形成され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
が益々高密度化するにしたがい、この半導体素子を搭載
するリードフレームもそれに応じて多ピン化が余儀なく
され、これによりインナーリード先端のパターンが極め
て細密（ファイン）化している。現状では、材厚０．１
５ｍｍのもので、インナーリード先端のリードピッチが
１５０μｍ程度のものまで要求されている。しかしなが
らエッチング加工あるいはプレス加工のいずれもその抜
き幅は材厚の７０％程度であり、加工限界がある。材厚
０．１５ｍｍのものでは、インナーリード先端のリード
ピッチは２００μｍから２２０μｍが限界である。ボン
ディングエリアを確保するためにはリード幅が０．１ｍ
ｍ程度要求されるが、無理にリードピッチを２００μｍ
以下のものを製造すると、加工バラツキ等により、リー
ド幅が十分確保できず、ボンディングに支障を来す。し
たがって２００μｍ以下のリードピッチを得ようとする
場合には、材厚を薄いものにせざるをえない。しかしな
がら材厚を薄くすると強度が確保できず、半導体素子搭
載時、ワイヤボンディング時等のハンドリング時に変形
を来すという問題点がある。
が益々高密度化するにしたがい、この半導体素子を搭載
するリードフレームもそれに応じて多ピン化が余儀なく
され、これによりインナーリード先端のパターンが極め
て細密（ファイン）化している。現状では、材厚０．１
５ｍｍのもので、インナーリード先端のリードピッチが
１５０μｍ程度のものまで要求されている。しかしなが
らエッチング加工あるいはプレス加工のいずれもその抜
き幅は材厚の７０％程度であり、加工限界がある。材厚
０．１５ｍｍのものでは、インナーリード先端のリード
ピッチは２００μｍから２２０μｍが限界である。ボン
ディングエリアを確保するためにはリード幅が０．１ｍ
ｍ程度要求されるが、無理にリードピッチを２００μｍ
以下のものを製造すると、加工バラツキ等により、リー
ド幅が十分確保できず、ボンディングに支障を来す。し
たがって２００μｍ以下のリードピッチを得ようとする
場合には、材厚を薄いものにせざるをえない。しかしな
がら材厚を薄くすると強度が確保できず、半導体素子搭
載時、ワイヤボンディング時等のハンドリング時に変形
を来すという問題点がある。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、必要な
強度を確保するため、所要の厚さの金属板を用いて、し
かもファインなパターンの抜き形状を形成できる金属板
の加工方法およびリードフレームの製造方法を提供する
にある。
なされたものであり、その目的とするところは、必要な
強度を確保するため、所要の厚さの金属板を用いて、し
かもファインなパターンの抜き形状を形成できる金属板
の加工方法およびリードフレームの製造方法を提供する
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、金属板をエッチ
ング加工、もしくはプレス加工して所定の抜きパターン
を形成する金属板の加工方法において、抜きパターンの
うちファインな抜きパターン部分をレーザー加工して形
成することを特徴としている。また、金属板をエッチン
グ加工して所定の抜きパターンを形成する金属板の加工
方法において、抜きパターンのうちファインな抜きパタ
ーンであって、前記エッチング加工によって未加工とな
っている部分をレーザー加工して抜きパターンに形成す
ることを特徴としている。さらに、金属板をエッチング
加工して所定の抜きパターンを形成する金属板の加工方
法において、エッチング加工のための保護マスクとして
のレジストパターンを形成した後、該レジストパターン
を残したまま、抜きパターンとなる部分の少なくともフ
ァインな抜きパターンとなる部位にレーザー加工により
溝を形成し、次いで全体をエッチング加工して所要の抜
きパターンに形成することを特徴としている。上記にお
いて、金属板の表裏両面にレーザー加工により溝を形成
すると好適である。上記の各加工方法は導体装置用のリ
ードフレームの製造に用いて好適である。
するため次の構成を備える。すなわち、金属板をエッチ
ング加工、もしくはプレス加工して所定の抜きパターン
を形成する金属板の加工方法において、抜きパターンの
うちファインな抜きパターン部分をレーザー加工して形
成することを特徴としている。また、金属板をエッチン
グ加工して所定の抜きパターンを形成する金属板の加工
方法において、抜きパターンのうちファインな抜きパタ
ーンであって、前記エッチング加工によって未加工とな
っている部分をレーザー加工して抜きパターンに形成す
ることを特徴としている。さらに、金属板をエッチング
加工して所定の抜きパターンを形成する金属板の加工方
法において、エッチング加工のための保護マスクとして
のレジストパターンを形成した後、該レジストパターン
を残したまま、抜きパターンとなる部分の少なくともフ
ァインな抜きパターンとなる部位にレーザー加工により
溝を形成し、次いで全体をエッチング加工して所要の抜
きパターンに形成することを特徴としている。上記にお
いて、金属板の表裏両面にレーザー加工により溝を形成
すると好適である。上記の各加工方法は導体装置用のリ
ードフレームの製造に用いて好適である。
【０００６】
【作用】図５に示す実施例の作用を説明する。本実施例
では、エッチングを行う前に、まずエッチングレートの
低い部分に該当し、かつ金属板表面側の抜きパターンの
部位にレーザー加工処理を行い、当該部分に溝２２を形
成する。しかる後に金属板全体をエッチング加工して、
所要の抜きパターンに形成するのである。このようにす
ることで、幅広と幅狭な部分の抜きパターン部のエッチ
ングをほとんど同時に終了させることができる。またあ
らかじめ幅狭な部分にレーザー加工による溝２２を形成
するので、当該部分の幅を狭くしてもエッチングを早く
進行させることができ、したがってリードピッチを小さ
く設定できる。
では、エッチングを行う前に、まずエッチングレートの
低い部分に該当し、かつ金属板表面側の抜きパターンの
部位にレーザー加工処理を行い、当該部分に溝２２を形
成する。しかる後に金属板全体をエッチング加工して、
所要の抜きパターンに形成するのである。このようにす
ることで、幅広と幅狭な部分の抜きパターン部のエッチ
ングをほとんど同時に終了させることができる。またあ
らかじめ幅狭な部分にレーザー加工による溝２２を形成
するので、当該部分の幅を狭くしてもエッチングを早く
進行させることができ、したがってリードピッチを小さ
く設定できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。以下では半導体装置用のリード
フレームの製造方法を例として説明する。 実施例１ 本実施例ではまず、リードパターンが混むインナーリー
ド先端部を除く部位の加工を通常のごとくプレス加工も
しくはエッチング加工によって形成する。図１の例はク
ワッドタイプのリードフレームの例を示す。クワッドタ
イプのリードフレームでは、半導体素子が搭載されるス
テージ１０を四方からインナーリード１２が囲む形状を
なす。１４はステージサポートバーである。プレス加工
もしくはエッチング加工では、ステージサポートバー１
４で区画される４群のインナーリード１２の各群毎のイ
ンナーリード１２先端が連結片１６でつながった形状に
抜き加工する。すなわちプレス加工もしくはエッチング
加工では、抜きパターンが広く、容易に抜き形成でき
る、アウターリード（図示せず）、インナーリード１２
の一部、ステージ１０、ステージサポートバー１４、連
結片１６等を形成する加工を行うのである。この加工に
続いて、インナーリード１２の先端を形成する加工を行
う。このインナーリード１２先端部はステージ１０に接
近していることから、リード間隔が混み、最も密になっ
ている部分である。このインナーリード先端の加工は本
実施例ではＹＡＧレーザーのレーザー光により溶断して
行うようにした。溶断部位は図の破線で示すごとく、プ
レス加工等による抜きパターンに連続して連結片１６を
短冊状に抜くのである。図で２点鎖線はインナーリード
１２の先端位置である。上記のようにしてリードフレー
ムパターンを形成して後、リードフレームに必要なめっ
きを施し、さらにインナーリード１２先端近傍にインナ
ーリードのばらつきを防止するための絶縁テープ片（図
示せず）を固着した後、連結片１６を２点鎖線部分で切
断してリードフレームに完成される。レーザービームを
ビーム径１００〜３０μｍのものを使用することによっ
て、材厚０．１５ｍｍの４２材（鉄−ニッケル合金）を
用いて、リード幅を０．１ｍｍ、リードピッチが１５０
〜１８０μｍ程度のファインなパターンのリードフレー
ムを容易にかつ精度よく形成できるようになった。また
本実施例では、インナーリード先端のリード間隔部分を
レーザーにより溶断するようにしたので、インナーリー
ド１２の断面形状が略矩形となり、表裏面の幅が同じに
なるから、ワイヤボンディングを安定して行える。
づいて詳細に説明する。以下では半導体装置用のリード
フレームの製造方法を例として説明する。 実施例１ 本実施例ではまず、リードパターンが混むインナーリー
ド先端部を除く部位の加工を通常のごとくプレス加工も
しくはエッチング加工によって形成する。図１の例はク
ワッドタイプのリードフレームの例を示す。クワッドタ
イプのリードフレームでは、半導体素子が搭載されるス
テージ１０を四方からインナーリード１２が囲む形状を
なす。１４はステージサポートバーである。プレス加工
もしくはエッチング加工では、ステージサポートバー１
４で区画される４群のインナーリード１２の各群毎のイ
ンナーリード１２先端が連結片１６でつながった形状に
抜き加工する。すなわちプレス加工もしくはエッチング
加工では、抜きパターンが広く、容易に抜き形成でき
る、アウターリード（図示せず）、インナーリード１２
の一部、ステージ１０、ステージサポートバー１４、連
結片１６等を形成する加工を行うのである。この加工に
続いて、インナーリード１２の先端を形成する加工を行
う。このインナーリード１２先端部はステージ１０に接
近していることから、リード間隔が混み、最も密になっ
ている部分である。このインナーリード先端の加工は本
実施例ではＹＡＧレーザーのレーザー光により溶断して
行うようにした。溶断部位は図の破線で示すごとく、プ
レス加工等による抜きパターンに連続して連結片１６を
短冊状に抜くのである。図で２点鎖線はインナーリード
１２の先端位置である。上記のようにしてリードフレー
ムパターンを形成して後、リードフレームに必要なめっ
きを施し、さらにインナーリード１２先端近傍にインナ
ーリードのばらつきを防止するための絶縁テープ片（図
示せず）を固着した後、連結片１６を２点鎖線部分で切
断してリードフレームに完成される。レーザービームを
ビーム径１００〜３０μｍのものを使用することによっ
て、材厚０．１５ｍｍの４２材（鉄−ニッケル合金）を
用いて、リード幅を０．１ｍｍ、リードピッチが１５０
〜１８０μｍ程度のファインなパターンのリードフレー
ムを容易にかつ精度よく形成できるようになった。また
本実施例では、インナーリード先端のリード間隔部分を
レーザーにより溶断するようにしたので、インナーリー
ド１２の断面形状が略矩形となり、表裏面の幅が同じに
なるから、ワイヤボンディングを安定して行える。
【０００８】図２は第２の実施例を示す。本実施例では
まずリードフレームの加工を通常のごとくエッチング加
工して行う。図２において、１８はリードフレームの表
面側（ボンディング側）に形成したエッチング用のレジ
ストパターン、２０は裏面側に形成したレジストパター
ンである。この実施例では表面側のレジストパターン１
８による抜きパターンよりも裏面側のレジストパターン
２０による抜きパターンの方が幅広になるようにしてい
る。このようにすることで、ファインなパターン部分で
のエッチングレートを少しでも向上できる。上記のよう
にしてエッチングしても、特にリードピッチを小さくし
た場合には当該部分のエッチングが幅広部分のエッチン
グよりも進行が遅く、エッチング残り（未加工）部分
（図の斜線部）が生じる。本実施例ではこの未加工部分
をレーザー加工により抜き落とすようにした。レーザー
加工による抜き落とし加工には、時間を要するが、上記
のようにあらかじめエッチング加工してあるので未加工
部分は薄く、短時間にレーザー加工処理が行え、かつフ
ァインなパターンの加工が可能となった。図３は表裏の
レジストパターン１８、２０による抜きパターンの幅を
同じにしたものである。このようにすることで、未加工
部分の厚さは多少増してレーザー処理の時間が多くかか
るが、形成されたインナーリード１２の表裏面の幅が同
じになり、ワイヤボンディングを安定して行うことがで
きる。図４の実線部分がエッチング加工による部分を示
し、破線部分がレーザー加工による部分を示す。１６は
連結片で、２点鎖線部分がインナーリード１２を分離す
る切断線である。
まずリードフレームの加工を通常のごとくエッチング加
工して行う。図２において、１８はリードフレームの表
面側（ボンディング側）に形成したエッチング用のレジ
ストパターン、２０は裏面側に形成したレジストパター
ンである。この実施例では表面側のレジストパターン１
８による抜きパターンよりも裏面側のレジストパターン
２０による抜きパターンの方が幅広になるようにしてい
る。このようにすることで、ファインなパターン部分で
のエッチングレートを少しでも向上できる。上記のよう
にしてエッチングしても、特にリードピッチを小さくし
た場合には当該部分のエッチングが幅広部分のエッチン
グよりも進行が遅く、エッチング残り（未加工）部分
（図の斜線部）が生じる。本実施例ではこの未加工部分
をレーザー加工により抜き落とすようにした。レーザー
加工による抜き落とし加工には、時間を要するが、上記
のようにあらかじめエッチング加工してあるので未加工
部分は薄く、短時間にレーザー加工処理が行え、かつフ
ァインなパターンの加工が可能となった。図３は表裏の
レジストパターン１８、２０による抜きパターンの幅を
同じにしたものである。このようにすることで、未加工
部分の厚さは多少増してレーザー処理の時間が多くかか
るが、形成されたインナーリード１２の表裏面の幅が同
じになり、ワイヤボンディングを安定して行うことがで
きる。図４の実線部分がエッチング加工による部分を示
し、破線部分がレーザー加工による部分を示す。１６は
連結片で、２点鎖線部分がインナーリード１２を分離す
る切断線である。
【０００９】図５は第３の実施例を示す。１８、２０は
第２の実施例と同じく、金属板の表裏に形成したレジス
トパターンである。本実施例では、エッチングを行う前
に、まずエッチングレートの低い部分に該当し、かつ金
属板表面側の抜きパターンの部位にレーザー加工処理を
行い、当該部分に溝２２を形成する。しかる後に金属板
全体をエッチング加工して、所要の抜きパターンに形成
するのである。このようにすることで、幅広と幅狭な部
分の抜きパターン部のエッチングをほとんど同時に終了
させることができる。またあらかじめ幅狭な部分にレー
ザー加工による溝２２を形成するので、当該部分の幅を
狭くしてもエッチングを早く進行させることができ、し
たがってリードピッチを小さく設定できる。図６は露光
後、現像処理を行わないで抜きパターン部にレジストを
残したままでレーザー加工処理を行って溝２２を形成
し、しかる後に現像処理、エッチング加工を行うように
した例を示す。
第２の実施例と同じく、金属板の表裏に形成したレジス
トパターンである。本実施例では、エッチングを行う前
に、まずエッチングレートの低い部分に該当し、かつ金
属板表面側の抜きパターンの部位にレーザー加工処理を
行い、当該部分に溝２２を形成する。しかる後に金属板
全体をエッチング加工して、所要の抜きパターンに形成
するのである。このようにすることで、幅広と幅狭な部
分の抜きパターン部のエッチングをほとんど同時に終了
させることができる。またあらかじめ幅狭な部分にレー
ザー加工による溝２２を形成するので、当該部分の幅を
狭くしてもエッチングを早く進行させることができ、し
たがってリードピッチを小さく設定できる。図６は露光
後、現像処理を行わないで抜きパターン部にレジストを
残したままでレーザー加工処理を行って溝２２を形成
し、しかる後に現像処理、エッチング加工を行うように
した例を示す。
【００１０】図７は第４の実施例を示す。本実施例で
は、レジストパターン１８、２０による抜きパターン部
の表裏両面からレーザー加工して当該部位に溝２２、２
４を形成し、しかる後に全体をエッチング加工するよう
にしている。本実施例では、表裏から溝２２、２４を形
成するようにしてエッチング加工をするので、エッチン
グが容易となり、よりファインなパターンの形成が可能
となる。
は、レジストパターン１８、２０による抜きパターン部
の表裏両面からレーザー加工して当該部位に溝２２、２
４を形成し、しかる後に全体をエッチング加工するよう
にしている。本実施例では、表裏から溝２２、２４を形
成するようにしてエッチング加工をするので、エッチン
グが容易となり、よりファインなパターンの形成が可能
となる。
【００１１】上記ではリードフレームの製造方法を例に
あげて説明したが、本発明はリードフレームにのみ限定
されるものではなく、一般的な金属板をファインなパタ
ーンに抜き加工する場合に広く応用できることはもちろ
んである。
あげて説明したが、本発明はリードフレームにのみ限定
されるものではなく、一般的な金属板をファインなパタ
ーンに抜き加工する場合に広く応用できることはもちろ
んである。
【００１２】
【発明の効果】本発明に係る金属板の加工方法およびリ
ードフレームの製造方法によれば、よりファインなパタ
ーンの抜き加工が可能となるという著効を奏する。
ードフレームの製造方法によれば、よりファインなパタ
ーンの抜き加工が可能となるという著効を奏する。
【図１】第１の実施例を示した部分平面図である。
【図２】第２の実施例を示した断面図である。
【図３】第２の実施例のさらに他の例を示した断面図で
ある。
ある。
【図４】第２の実施例の部分平面図である。
【図５】第３の実施例を示した断面図である。
【図６】第３の実施例のさらに他の例を示した断面図で
ある。
ある。
【図７】第４の実施例を示した断面図である。
１０ ステージ １２ インナーリード １４ ステージサポートバー １６ 連結片 １８ レジスト ２０ レジスト ２２ 溝 ２４ 溝
Claims (5)
- 【請求項１】 金属板をエッチング加工、もしくはプレ
ス加工して所定の抜きパターンを形成する金属板の加工
方法において、 抜きパターンのうちファインな抜きパターン部分をレー
ザー加工して形成することを特徴とする金属板の加工方
法。 - 【請求項２】 金属板をエッチング加工して所定の抜き
パターンを形成する金属板の加工方法において、 抜きパターンのうちファインな抜きパターンであって、
前記エッチング加工によって未加工となっている部分を
レーザー加工して抜きパターンに形成することを特徴と
する金属板の加工方法。 - 【請求項３】 金属板をエッチング加工して所定の抜き
パターンを形成する金属板の加工方法において、 エッチング加工のための保護マスクとしてのレジストパ
ターンを形成した後、該レジストパターンを残したま
ま、抜きパターンとなる部分の少なくともファインな抜
きパターンとなる部位にレーザー加工により溝を形成
し、 次いで全体をエッチング加工して所要の抜きパターンに
形成することを特徴とする金属板のエッチング加工方
法。 - 【請求項４】 金属板の表裏両面にレーザー加工により
溝を形成することを特徴とする請求項３記載の金属板の
エッチング加工方法。 - 【請求項５】 半導体装置用のリードフレームの抜きパ
ターンを請求項１、２、３または４記載の方法により形
成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352732A JPH06179088A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 金属板の加工方法およびリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4352732A JPH06179088A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 金属板の加工方法およびリードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06179088A true JPH06179088A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18426060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4352732A Pending JPH06179088A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 金属板の加工方法およびリードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06179088A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0646962A4 (en) * | 1993-04-14 | 1995-09-20 | Hitachi Construction Machinery | METAL FILM PROCESSING METHOD AND LEAD FRAME PROCESSING METHOD, AND LEAD FRAME AND SEMICONDUCTOR ARRAY MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT. |
| KR101041001B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2011-06-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 다열형 리드프레임 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2012503877A (ja) * | 2008-09-25 | 2012-02-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 多列リードフレーム及び半導体チップパッケージ並びにその製造方法 |
| KR20160055456A (ko) * | 2014-11-10 | 2016-05-18 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| KR101674499B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2016-11-10 | 에이피시스템 주식회사 | 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크 |
| WO2017026741A1 (ko) * | 2015-08-10 | 2017-02-16 | 에이피시스템 주식회사 | 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크 |
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-
1992
- 1992-12-10 JP JP4352732A patent/JPH06179088A/ja active Pending
Cited By (11)
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| KR20160055456A (ko) * | 2014-11-10 | 2016-05-18 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
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