JPS63254756A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、デュアルインラインパッケージ（以下ＤＩ
Ｐと表示する）の集積回路のリードフレームで、インタ
ーデシテート（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅ）構造のも
のの製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

ＤＩＰの集積回路のリードフレームは、基板材の有効利
用という観点から、インターデジディト構造と呼ばれる
。外部リードが隣りの部分の外部リードと互いに入シ込
んだ構造が採られることが多い。

しかし、従来のスタンピング加工あるいはエツチング加
工では、形成できるパターン間の最小間隔幅はリードフ
レーム材の板厚の８割程度が限度である。

例えば、板厚が０．２５　ｗｓの場合は、最小間隔幅は
約０．２ｍ、板厚が０．１５ｆｉの場合は、最小間隔幅
は約０．１２ｍが限度である。

２、５４　ヒツチＤＩＰ　１４ピンの集積回路のリード
フレームのようにリードピッチが比較的広いものは、従
来のスタンピング加工あるいはエツチング加工のみによ
る方法でも、上記制限の影響を受けることなく、インタ
ーデシテート構造を採ることができるが、１．７７８ピ
ツチ　ＤＩＰ　２２ピンの集積回路のようにピッチの狭
いもののリードフレームは従来の方法では、インターデ
シテート構造ヲ採ることが難しく、２２ピンでインター
デシテート構造を採る場合は、ピッチ寸法の共通性を保
つことができなくカリ、幅寸法の異なるものとなり、こ
の寸法に適合するモールド金型、トリム／フォーミング
装置々どが、新たに必要となシ、コストの増大を招く。

第２図に示す構造を採ると、ピッチ寸法の共通性を保つ
ことができるが、図に示すように、外部リードが短くカ
リ、基板への半田付は時に、当該半導体装置を外部リー
ドで固定するのが難しく、作業性が悪くなる。

図において、１はグイアイランド、２は内部リード、３
はダム／Ｊ−１４は外部リード、５はガイド穴である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上のように、ＤＩＰ用のリードフレームは、ピッチが
狭くなると、従来の方法では、インターデジディト構造
を採ることができないという問題ががあった。

この発明は上記の問題を解消するためになされたもので
、インターデシテート構造でピッチの狭いものの製造方
法を提供すること全目的とする。

〔問題点を解決するｍめの手段〕

この発明の製造方法は、スタンピング加工あるいはエツ
チング加工によって、外部リード部分金除く全ての部分
が最終形状のパターンからなり、外部リード部分が相対
するダムバーに跨がり中心線で切断するとそれぞれのダ
ムバーに連結する外部リードに分離できる中間形状のツ
ヤターンからなるフレームを形成し、上記外部リード部
分の中間形状のパターンの切断を切断幅を小さくできる
レーザビーム加工によって行なうこととし几ものである
。

〔発明の実施例〕

以下、第１図によってこの発明の方法について説明する
。

図において、１，２．３．５は第２図の同一符号が示す
部分と同一の部分を示し、４ａは相対するダムバー３に
跨がシ破線で示す部分で切断するとそれぞれのダムバー
３に連結する外部リードに分離するパターンである。

スタンピング加工あるいはエツチング加工によって、図
に示すよう力、外部リード部分を除くグイアイランド１
、内部リード２、ダムバー３、ガイド穴５力とが最終形
状のパターンからなり、外部リード部分が相対するダイ
パー３に連結する２個の外部リードが一体と彦っ九パタ
ーン４ａからなるフレームを形成し、ガイド穴５を位置
決めの基準とし、レーザビーム加工によって、ノぐター
ン４ａの破線での切断を行ない、個々の外部リードに分
離する。

レーザビーム加工は、−板ずつ行々ってもよいし、重ね
合わせて複数板を同時に行なうこともできる。

レーザビーム加工は０．０５〜０．１震幅の間隔で切断
できるために、上記方法によって、１．７７８ピツチＤ
ＩＰ　２２ピンの集積回路のリードフレームにインター
デシテート構造を採ることができる。

上記方法は、レーザビーム加工する部分子、限定し九の
で、熱歪みなどによるフレームの変形が少々い。

また、ピッチ寸法の共通性を保つことができ、フレーム
幅が同じに力るために、従来のフレーム製作工程に組み
込むことができるとともに、？ンダー、モールド用の設
備を変更する必要がない。

〔発明の効果〕

上記説明のとおり、この発明によれば、ＤＩＰ用のリー
ドフレームについて、ピッチの狭い場合もピッチ寸法の
共通性を保った状態で、インターデシテート構造を採る
ことが可能とカシ、従来、何らかの欠陥をもつ状態でし
か実現できなかったピッチの狭いものの基板材の有効利
用が可能とカシ、実用上の効果大である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の方法を示すためのフレームの一例を
示す平面図、第２図は従来の一方法によるＤＩＰ用のピ
ッチの狭いリードフレームの一例を示す平面図である。 １・・・グイアイランド、２・・・内部リード、３・・
・ダムバー、４ａ・・・外部リード部分のパターン、５
・・・ガイ　ド穴 々お図中同一符号は同一の部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. デュアルインラインパッケージ用でインターデシテート
   構造のリードフレームの製造方法で、スタンピング加工
   あるいはエッチング加工によって外部リード部分を除く
   全ての部分が最終形状のパターンからなり外部リード部
   分が相対するダムバーに跨がり中心線で切断するとそれ
   ぞれのダムバーに連結する外部リードに分離できる中間
   形状のパターンからなるフレームを形成し、上記外部リ
   ード部分の中間形状のパターンの切断をレーザビーム加
   工によって行なうリードフレームの製造方法。