JPH07202104A - 半導体装置用icリードフレームとその製造方法 - Google Patents

半導体装置用icリードフレームとその製造方法

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JPH07202104A
JPH07202104A JP40694A JP40694A JPH07202104A JP H07202104 A JPH07202104 A JP H07202104A JP 40694 A JP40694 A JP 40694A JP 40694 A JP40694 A JP 40694A JP H07202104 A JPH07202104 A JP H07202104A
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JP
Japan
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lead
tip
angle
lead frame
inner lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP40694A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsukasa Tokunaga
司 徳永
Takeshi Furuya
剛 古屋
Ayahiro Fujiwara
理弘 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication of JPH07202104A publication Critical patent/JPH07202104A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 インナーリード先端鋭角部に発生する横バリ
を低減し、インナーリード先端での短絡を防止したリー
ドフレーム及びその製造方法を提案する。 【構成】 先端部が平面形状で4個の辺から成り、かつ
先端コーナー部が平面形状で76°以上の角度を有する
インナーリードを具備する半導体装置用ICリードフレ
ーム、および隣接インナーリードの先端を互いに接続さ
せた状態のリードパターンをエッチングして加工し、そ
の後インナーリード先端部をプレス加工により切断して
形成する半導体装置用ICリードフレームの製造方法に
おいて、エッチング工程でインナーリード先端コーナー
部が前記の角度になるようにする製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用ICリー
ドフレームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の高密度化及び高集積化に伴
い、リードピン数は増加するものの、パッケージは従来
通りか、もしくは小型化の傾向にある。そのため、同一
面積内において半導体装置用ICリードフレームのイン
ナーリードの本数が増加し、当然ながらインナーリード
の幅及び隣接するインナーリードとの間隔は狭くなる。
【0003】こういったリードフレームの内、ピン数の
多いものは図5に示すように、ダイパッド2の四隅を4
本の吊りリード4で固定し、インナーリード3がダイパ
ッド2の四辺に配置されたパターン形状のものが多く、
これら半導体装置用ICリードフレームは、プレス加工
及びエッチング加工によって形成されるのが一般的であ
る。特にピン数が200ピン以上のものについてはエッ
チング加工によるものがほとんどであり、エッチングに
よる形成方法においてもインナーリードの変形を低減す
る目的から、吊りリード4付近のダイパッド2の近傍の
拡大図である図3のa図にも示すように、まず隣接する
インナーリード3の先端を互いに接続させた状態のパタ
ーンをエッチングで加工し、その後インナーリード先端
部をプレス加工により形成する方法が提案されている。
【0004】しかし、これらプレス加工においては各種
材料の硬度の違いやプレス金型の摩耗、あるいはインナ
ーリード先端端面形状等の違いによって、発生箇所やそ
の大きさに違いがあるものの、バリが発生する。図3の
a図に示すようなパターン形状でのインナーリード先端
が接続された箇所を打ち抜く場合、半導体集積回路を搭
載するダイパッド2を固定している吊りリード4に近い
インナーリードの先端部は、プレス加工の打ち抜き切断
線7(以下、カットラインと称する)に対しインナーリ
ードが直角に形成されていない場合が多く、図3のb図
に示すようにインナーリード先端コーナー部が鋭角と鈍
角になる。こういったリード先端の鋭角部9には図4の
a図及びb図に示すような横側に突起する横バリ8が発
生する傾向がある。
【0005】前記に述べたようなピン数の多いリードフ
レームにおいては、リード先端が狭間隔であるため、前
記のようなプレス加工により発生した横バリが存在する
と、隣接するリードとの短絡を引き起こすと共に、搬送
の際にこれらバリが脱落し他のリードフレームに傷等を
発生させる原因ともなる。これらバリは、リード間隔が
狭い場合には、その除去は困難であり、また、こういっ
たインナーリード先端部形状の形成は、リードフレーム
製造において、めっき工程やテーピング工程を経由した
後、行われる場合が多く、これらバリの除去を機械的方
法及び化学的方法で行うのも困難であった。なお、テー
ピング工程とは、リード間隔のばらつきやリードの変形
を低減するためにインナーリード部に専用の絶縁性テー
プ5を貼りつけを行う工程である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、以
上のような課題を解決するためになされたものであり、
これらインナーリード先端鋭角部に発生していた横バリ
を低減し、ICリードフレームにおけるインナーリード
先端の短絡等を防止することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
用ICリードフレームは、前記目的を達成するために、
先端部が平面形状で4個の辺から成り、かつ先端コーナ
ー部が平面形状で76°以上の角度を有するインナーリ
ードを具備する点に特徴がある。
【0008】又、本発明による半導体装置用ICリード
フレームの製造方法は、隣接するインナーリードの先端
を互いに接続させた状態のリードパターンをエッチング
加工し、その後インナーリード先端部をプレス加工によ
り切断して形成する半導体装置用ICリードフレームの
製造方法において、該エッチング工程でインナーリード
先端コーナー部が平面形状で76°以上の角度となるよ
うにプレス加工により切断可能にリードパターンを形成
する点に特徴がある。
【0009】
【作用】発明者は詳細に調査を行った結果、インナーリ
ード形成の際に発生する横バリ8が、図3のb図に示す
ようなインナーリード先端コーナー部がカットライン7
に対し、76°未満の鋭角部9を有する際にインナーリ
ード先端部で短絡する状態で多く発生する傾向があるこ
とを見出した。そこで、図2に示すように、インナーリ
ード先端部となる箇所をカットラインに対し76°以
上、特に直角に近い角度にパターン形成し、接続部6の
打ち抜きにおいて鋭角となっていた箇所を直角に近い角
度にすることにより(最初から76°以上の場合はその
ままのパターンで)、横バリ8を極力少なくすると共
に、リード先端部の形状を前記のような形状にすること
により、隣接するリードの先端部の間隔が広がる為、横
バリが発生した場合にもインナーリード先端部の短絡を
防止することのできるリード先端部の形成を可能として
いる。
【0010】しかし、後記の実施例のように、エッチン
グ法によるインナーリード形成の場合、本願に係る形状
がリード先端部に形成されるようエッチングマスクのパ
ターンを作製するが、リード幅が非常に細い場合など
は、マスク作製の際の角度及びその位置、あるいはエッ
チングの程度によって図2のb図の斜線部分まで侵食さ
れて無くなったり、設計値とは異なった角度に形成され
ることもある。その為エッチングの際のエッチング量等
により、角度及び位置は、エッチングマスクを作製する
際に調整を行うと良い。
【0011】
【実施例】以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説
明する。本実施例においては、図5に示すようなダイパ
ッド2の四辺にインナーリード3が形成されたピン数2
08ピンの銅合金材料のリードフレームをエッチング加
工法においてパターン形成を行った。このリードフレー
ムにおいてはリード先端ピッチ:0.22mm、リード先
端幅:0.11mm、隣接するリード間隔:0.11mm
である。
【0012】本実施例に使用したリードフレームのパタ
ーン形状においては、ダイパッド2の一辺に対しインナ
ーリード3が52本有するが、本実施例においては、特
に打ち抜き後に先端コーナー部が鋭角部9となり横バリ
の発生の多い、吊りリード4側から13本目までのイン
ナーリードに対して、本願に係る先端部形状のものを作
製した。
【0013】図2のa図に本発明のリードフレーム形状
における吊りリード4付近のダイパッド2近傍の拡大図
を示している。同図からも明らかなように、ダイパッド
2と対峙するインナーリード3の先端を、また隣接する
インナーリード先端と接続部6によってわずかに接続す
るようにリードパターンを形成し、本願に係る形状をリ
ード先端部が形成される箇所に設けた。このように形成
されたリードフレームは、めっき工程やテーピング工程
に送られた後、最後にリードフレームの接続部6を打ち
抜き、各インナーリード3の先端部を互いに切り離し、
インナーリード先端部の形成を行った。
【0014】図1のa図及びb図は、図2における接続
部6が打ち抜かれた後のパッド近傍の拡大図である。図
1のインナーリード3の先端部において、図2のb図の
ようにカットライン7に対し鋭角部9を有していた箇所
が、鈍角形成部10の如く直角に近い角度となった。実
施部において、実施前はほぼ全域に発生していた横バリ
が1〜2本程度に減少し、また横バリの大きさにおいて
も実施前が約15μmほどだったものが、本発明により
3〜4μm程度に低減された。
【0015】
【発明の効果】本発明により、打ち抜きによってリード
先端部の鋭角部が形成されず、インナーリード先端鋭角
部に発生する傾向のあった横バリを低減することが可能
となった。また、横バリが発生した場合においても微小
であり、直角あるいは鈍角に形成した部位に生じるの
で、各リード先端部の側面側に突出しない。したがっ
て、横バリによって発生していた、隣接するリード間の
短絡といった製品不良の低減を図ることが可能となっ
た。
【図面の簡単な説明】
【図1】a図は本発明に係わる図5のリードフレームの
実施例を示すダイパッド近傍の吊りリード付近の拡大要
部平面図であり、b図はa図で丸く囲ったインナーリー
ド先端部の拡大図である。
【図2】a図は本発明に係わる製造途中のリードフレー
ムにおけるパッド近傍の吊りリード付近の拡大図であ
り、b図はa図で丸く囲った部分で、プレス加工で切断
した後はインナーリード先端部となる部分の拡大図であ
る。
【図3】a図は製造途中の従来のリードフレーム形状に
おけるパッド近傍の吊りリード付近の拡大図であり、b
図はa図で丸く囲った部分で、プレス加工で切断した後
はインナーリード先端部となる部分の拡大図である。
【図4】a図は従来のリード先端形状の形成の際の打ち
抜き時に発生する横バリの発生箇所の概略図を示し、b
図はa図で丸く囲った部分のバリの発生状況を示す図で
ある。
【図5】半導体装置用ICリードフレームの概略図であ
る。
【符号の説明】
1 リードフレーム 2 ダイパッド 3 インナーリード 4 吊りリード 5 絶縁性テープ 6 接続部 7 打ち抜き切断線(カットライン) 8 横バリ 9 リード先端鋭角部 10 鈍角形成部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 先端部が平面形状で4個の辺から成り、
    かつ先端コーナー部が平面形状で76°以上の角度を有
    するインナーリードを具備することを特徴とする半導体
    装置用ICリードフレーム。
  2. 【請求項2】 隣接するインナーリードの先端を互いに
    接続させた状態のリードパターンをエッチングして加工
    し、その後インナーリード先端部をプレス加工により切
    断して形成する半導体装置用ICリードフレームの製造
    方法において、該エッチング工程でインナーリード先端
    コーナー部が平面形状で76°以上の角度となるように
    プレス加工により切断可能にリードパターンを形成する
    ことを特徴とする半導体装置用ICリードフレームの製
    造方法。
JP40694A 1994-01-07 1994-01-07 半導体装置用icリードフレームとその製造方法 Pending JPH07202104A (ja)

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JP40694A JPH07202104A (ja) 1994-01-07 1994-01-07 半導体装置用icリードフレームとその製造方法

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JP40694A JPH07202104A (ja) 1994-01-07 1994-01-07 半導体装置用icリードフレームとその製造方法

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ID=11472927

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JP40694A Pending JPH07202104A (ja) 1994-01-07 1994-01-07 半導体装置用icリードフレームとその製造方法

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JP (1) JPH07202104A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8039932B2 (en) 2007-08-15 2011-10-18 Panasonic Corporation Lead frame, semiconductor device, method of manufacturing the lead frame, and method of manufacturing the semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8039932B2 (en) 2007-08-15 2011-10-18 Panasonic Corporation Lead frame, semiconductor device, method of manufacturing the lead frame, and method of manufacturing the semiconductor device

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