JPS63128739A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS63128739A JPS63128739A JP27712886A JP27712886A JPS63128739A JP S63128739 A JPS63128739 A JP S63128739A JP 27712886 A JP27712886 A JP 27712886A JP 27712886 A JP27712886 A JP 27712886A JP S63128739 A JPS63128739 A JP S63128739A
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- lead frame
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- edge
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- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置用リードフレームの製
造方法に関し、特にリードフレームのエッヂの形状に関
する。
造方法に関し、特にリードフレームのエッヂの形状に関
する。
従来、この梅の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
の製造は、金属板からフォトエツチングまたはプレスで
リードフレーム原形体（以下パターンという）を作成し
、次に半導体素子搭載部及びポンディング部に銀または
金等の電気めっきが施こされる。
の製造は、金属板からフォトエツチングまたはプレスで
リードフレーム原形体（以下パターンという）を作成し
、次に半導体素子搭載部及びポンディング部に銀または
金等の電気めっきが施こされる。
樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの半導体素子
搭載部に半導体素子を取付け、ワイヤボンディングを行
なりたのち、トランスファー成形法によシ直接樹脂成形
が行なわれている。
搭載部に半導体素子を取付け、ワイヤボンディングを行
なりたのち、トランスファー成形法によシ直接樹脂成形
が行なわれている。
リードフレームは、前述したように、金属板からフォト
エツチングまたはプレスで製造するのであるが、エツチ
ングおよびプレスによシリードフレームのエッヂはそれ
ぞれ異りた形を呈する。すなわち、第３図は、フォトエ
ツチングによシ製作されたリードフレームのエッヂを示
す断面図であり、リードフレームのエッヂ５ａは非常に
鋭くなっている。第４図は、プレスにより製作されたリ
ードフレームのエッヂを示す断面図であり、上側のエッ
チにまるみをおびているが、下側の破断面のエッヂには
金属バＩＪ ５ ｂが生じてしまう。このように、フォ
トエツチング及びプレスの倒れにしても、リードフレー
ムのエッヂは鋭い形をしたものとなる。
エツチングまたはプレスで製造するのであるが、エツチ
ングおよびプレスによシリードフレームのエッヂはそれ
ぞれ異りた形を呈する。すなわち、第３図は、フォトエ
ツチングによシ製作されたリードフレームのエッヂを示
す断面図であり、リードフレームのエッヂ５ａは非常に
鋭くなっている。第４図は、プレスにより製作されたリ
ードフレームのエッヂを示す断面図であり、上側のエッ
チにまるみをおびているが、下側の破断面のエッヂには
金属バＩＪ ５ ｂが生じてしまう。このように、フォ
トエツチング及びプレスの倒れにしても、リードフレー
ムのエッヂは鋭い形をしたものとなる。
上述した従来のリードフレームは、エツチングで製作さ
れたにしろプレスで製作されたにしろ、エッヂが鋭いた
めに樹脂封止以後の加熱工程やペーパーフェイズや赤外
線リフロー等によシ実際にプリント基板に実装する時に
、半導体素子搭載部から樹脂にクラックが発生する場合
があった。
れたにしろプレスで製作されたにしろ、エッヂが鋭いた
めに樹脂封止以後の加熱工程やペーパーフェイズや赤外
線リフロー等によシ実際にプリント基板に実装する時に
、半導体素子搭載部から樹脂にクラックが発生する場合
があった。
第５図は樹脂にクラックが発生したようすを示す断面図
である。クラックは、リードフレームの半導体素子搭載
部１１の下のエッヂから発生したりまた上のエッヂから
発生したシ、内部リード１２へ進行するもの８ａもあれ
は、パッケージの下側に進行していくクラック８ｂもあ
る。特に、封止樹脂１４が水分ｔ−０，２％以上吸って
いる場合は、クラックの発生頻度が高く、またパッケー
ジの外まで進行していく場合が多い。
である。クラックは、リードフレームの半導体素子搭載
部１１の下のエッヂから発生したりまた上のエッヂから
発生したシ、内部リード１２へ進行するもの８ａもあれ
は、パッケージの下側に進行していくクラック８ｂもあ
る。特に、封止樹脂１４が水分ｔ−０，２％以上吸って
いる場合は、クラックの発生頻度が高く、またパッケー
ジの外まで進行していく場合が多い。
このように樹脂封止以降の加熱工程や実装時にクラック
が発生した場合、水分が半導体素子１３に容易に到達す
るので、半導体索子１３のポンディングパッドや、内部
配線１２が電気化学的腐食を起こし、半導体装置のリー
ク不良やオープン不良を引き起こす欠点があった。
が発生した場合、水分が半導体素子１３に容易に到達す
るので、半導体索子１３のポンディングパッドや、内部
配線１２が電気化学的腐食を起こし、半導体装置のリー
ク不良やオープン不良を引き起こす欠点があった。
本発明のリードフレームの製造方法は、リードフレーム
の原形体（パターンという）を形成する前にあらかじめ
エッチになる部分をポンチでつぶしておくことでエッチ
に面とりを施こしておいて、リードフレームのエッヂが
鋭い形状とならないようにしている。
の原形体（パターンという）を形成する前にあらかじめ
エッチになる部分をポンチでつぶしておくことでエッチ
に面とりを施こしておいて、リードフレームのエッヂが
鋭い形状とならないようにしている。
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第１図ｆａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例に係るリード
フレームのパターン（めっき前の原形体）をエツチング
で製作する工程を示す断面図である。まず第１図１ａＪ
のように、原材料の金属板１の製作するリードフレーム
のエッチに当る部分にポンチ３を位置合せする。つぎに
同図（ｂＪのように、ポンチ３の打撃によシノッチ２を
形成し、さらにレジスト４を塗布し、感光後、ノツチ２
の部分のレジストを除去する。つぎに、金属板１のレジ
ストが除去されて露出した部分を化学エツチングにょｌ
）俗解除去し、第１図（Ｃ１に示すように、不要部分を
切離し、さらに、残ったレジストを除去してリードフレ
ームパターン５を得る。
フレームのパターン（めっき前の原形体）をエツチング
で製作する工程を示す断面図である。まず第１図１ａＪ
のように、原材料の金属板１の製作するリードフレーム
のエッチに当る部分にポンチ３を位置合せする。つぎに
同図（ｂＪのように、ポンチ３の打撃によシノッチ２を
形成し、さらにレジスト４を塗布し、感光後、ノツチ２
の部分のレジストを除去する。つぎに、金属板１のレジ
ストが除去されて露出した部分を化学エツチングにょｌ
）俗解除去し、第１図（Ｃ１に示すように、不要部分を
切離し、さらに、残ったレジストを除去してリードフレ
ームパターン５を得る。
本方法によれば、ポンチ先端の形状およびノツチの深さ
を調整することで、リードフレームのエッヂ形状を、鋭
さをなくした所望の丸みを帯びたものにすることができ
る。
を調整することで、リードフレームのエッヂ形状を、鋭
さをなくした所望の丸みを帯びたものにすることができ
る。
第２図１ａｌ〜（Ｃ）は本発明の他の実り例に係るリー
ドフレームのパターンをプレスで製作する工程を示す部
分断面図である。まず第２図（ａ）のように、原材料の
金属板１の製作するリードフレームのエッヂに当る部分
にポンチ３の位置合せをする。つぎに、同図（ｂＪのよ
うにポンチ３の打撃によシノッ ・チ２を形成し、さ
らにノツチ部分に、プレス機械のダイ６とプレスポンチ
７を位置合せし、プレスポンチ７の下降によシ、第２図
ｔｃ）のようにノツチ部分で金属板１の不要部分を切断
し、面取シのされたエッチをもつリードフレームパター
ン５が製作できる。
ドフレームのパターンをプレスで製作する工程を示す部
分断面図である。まず第２図（ａ）のように、原材料の
金属板１の製作するリードフレームのエッヂに当る部分
にポンチ３の位置合せをする。つぎに、同図（ｂＪのよ
うにポンチ３の打撃によシノッ ・チ２を形成し、さ
らにノツチ部分に、プレス機械のダイ６とプレスポンチ
７を位置合せし、プレスポンチ７の下降によシ、第２図
ｔｃ）のようにノツチ部分で金属板１の不要部分を切断
し、面取シのされたエッチをもつリードフレームパター
ン５が製作できる。
以上説明したように本発明は、リードフレームのパター
ンをプレスまたはエツチングで形成する前に、あらかじ
めリードフレームのエッヂに相当する部分にポンチで所
定の形状にノツチを入れることでリードフレームのエッ
ヂ形状が鋭くなることが防止できる。
ンをプレスまたはエツチングで形成する前に、あらかじ
めリードフレームのエッヂに相当する部分にポンチで所
定の形状にノツチを入れることでリードフレームのエッ
ヂ形状が鋭くなることが防止できる。
したがって、本発明のリードフレームを用いた樹脂封止
型半導体装置の樹脂封止以降の加熱工程やペーパーフェ
イズや赤外ＭＩＪフロー等の実装時においても、樹脂ク
ラックが発生せず高信頼性が期待できる。
型半導体装置の樹脂封止以降の加熱工程やペーパーフェ
イズや赤外ＭＩＪフロー等の実装時においても、樹脂ク
ラックが発生せず高信頼性が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明の−実り例に係るリード
フレームパターンをエツチングで製作する工程を説明す
るだめの断面図、第２図１ａｌ〜（Ｃ）は本発明の他の
実施例に係るリードフレームパターンをプレスで製作す
る工程を説明するための断面図、第３図と第４図はそれ
ぞれフォトエツチングおよびプレスによシ製作されたリ
ードフレームのエッチを示す断面図、第５図は一般の樹
脂封止型半導体装置を示す断面図である。 １・・・・・・金属板、２・・・・・・ノツチ、３・・
・・・・ポンチ、４・・・・・・レジスト、５・・・・
・・リードフレームパターン（原形体）、６・・・・・
・ダイ、７・・・・・・プレスポンチ、１１・・・・・
・リードフレーム半導体素子搭載部、１２・・・・・・
内部リード、１３・・・・・・半導体素子、１４・・・
・・・封止樹脂。 ８ｚ図
フレームパターンをエツチングで製作する工程を説明す
るだめの断面図、第２図１ａｌ〜（Ｃ）は本発明の他の
実施例に係るリードフレームパターンをプレスで製作す
る工程を説明するための断面図、第３図と第４図はそれ
ぞれフォトエツチングおよびプレスによシ製作されたリ
ードフレームのエッチを示す断面図、第５図は一般の樹
脂封止型半導体装置を示す断面図である。 １・・・・・・金属板、２・・・・・・ノツチ、３・・
・・・・ポンチ、４・・・・・・レジスト、５・・・・
・・リードフレームパターン（原形体）、６・・・・・
・ダイ、７・・・・・・プレスポンチ、１１・・・・・
・リードフレーム半導体素子搭載部、１２・・・・・・
内部リード、１３・・・・・・半導体素子、１４・・・
・・・封止樹脂。 ８ｚ図
Claims (1)
- エッチングまたはプレスにより金属板からリードフレ
ームパターンを作製することを含むリードフレームの製
造方法において、前記エッチングまたはプレス前に、前
記リードフレームのエッヂに相当する部分にポンチでノ
ッチを入れることを特徴とするリードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27712886A JPS63128739A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27712886A JPS63128739A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128739A true JPS63128739A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17579181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27712886A Pending JPS63128739A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128739A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230144A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method of producing lead frame |
| KR100548014B1 (ko) * | 1999-01-25 | 2006-02-01 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 제조방법 |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27712886A patent/JPS63128739A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230144A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method of producing lead frame |
| KR100548014B1 (ko) * | 1999-01-25 | 2006-02-01 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 제조방법 |
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