JPS60202954A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60202954A JPS60202954A JP6137384A JP6137384A JPS60202954A JP S60202954 A JPS60202954 A JP S60202954A JP 6137384 A JP6137384 A JP 6137384A JP 6137384 A JP6137384 A JP 6137384A JP S60202954 A JPS60202954 A JP S60202954A
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- Japan
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- pattern
- connection
- film
- photosensitive resin
- aluminum
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にその製
造工程などにおける接続用配線パターンの形成方法に―
するものである。
造工程などにおける接続用配線パターンの形成方法に―
するものである。
従来、接続用配線パターンの形成方法としては、第１図
＜８）〜（ｊ）に示すものがあった。第１図において、
１は基板、２および４は接続すべき２つの領域であり、
例えば２は不純物拡散領域であり、４は多結晶シリコン
パターンである。３は絶縁膜、５は絶縁層、６は感光性
樹脂膜、６ａ、６ｂは前記感光性樹脂膜６に形成された
開口部、７は接続用配線パターンである接続用導電性物
質、８は感光性樹脂パターンである。
＜８）〜（ｊ）に示すものがあった。第１図において、
１は基板、２および４は接続すべき２つの領域であり、
例えば２は不純物拡散領域であり、４は多結晶シリコン
パターンである。３は絶縁膜、５は絶縁層、６は感光性
樹脂膜、６ａ、６ｂは前記感光性樹脂膜６に形成された
開口部、７は接続用配線パターンである接続用導電性物
質、８は感光性樹脂パターンである。
次に形成方法について説明する。第１図（ａ）に示すよ
うに、基板１中に形成された不純物拡散領域２０表面と
、基板１上に絶縁膜３を介して形成された導電性＊＊、
例えば多結晶シリコンパターン４の表面とを接続する場
合には、ます、第１図（ｂ） Ｋ示すように全面に絶縁
ノー５、例えば酸化シリコン膜層な形成する。この場合
、最近では後の工程での配線形成における断線、短節防
止のために、絶縁層５の表面が平坦罠なるように形成さ
れている。絶縁層５を形成後マスク材として、例えば感
光性樹脂膜６を塗布し、通常の写真製版工程を経て不純
物拡散領域２上、および多結晶シリコンパターン４上に
相当する部分のみの感光性樹脂膜６を第１図（Ｃ）のよ
うに除去して開口部６ａおよび６ｂを形成する。しかる
後に、感光性樹脂膜６のパターンをマスクとして、例え
ば反応性イオンの直進性を利用した反応性イオンエツチ
ングなどのエツチング法を用いて絶縁ノー５である酸化
シリコン膜をエツチングし、その後感光性樹脂膜６を除
去すると、第１図（ｄ）に示すように、絶縁層５に開口
部５ａおよび５ｂが形成される。次に第１凶（ｅ）に示
すように、例えばスパッタ法により全面に接続用導電性
物質７、例えばアルミニウム膜を形成し、その後、ｍ１
図（ｆ）に示すように、通常の写真製版工程により感光
性樹脂パターン８のマスクパターンを形成し、それをマ
スクとして反応性イオンエツチング法などのエツチング
法を用いてアルミニウム膜をエツチングし、感光性樹脂
パターン８を除去すると、第１図（ｇ）に示すように、
所望の不純物拡散領域２と多結晶シリコンパターン４の
みを接続する配線パターンが形成できる。
うに、基板１中に形成された不純物拡散領域２０表面と
、基板１上に絶縁膜３を介して形成された導電性＊＊、
例えば多結晶シリコンパターン４の表面とを接続する場
合には、ます、第１図（ｂ） Ｋ示すように全面に絶縁
ノー５、例えば酸化シリコン膜層な形成する。この場合
、最近では後の工程での配線形成における断線、短節防
止のために、絶縁層５の表面が平坦罠なるように形成さ
れている。絶縁層５を形成後マスク材として、例えば感
光性樹脂膜６を塗布し、通常の写真製版工程を経て不純
物拡散領域２上、および多結晶シリコンパターン４上に
相当する部分のみの感光性樹脂膜６を第１図（Ｃ）のよ
うに除去して開口部６ａおよび６ｂを形成する。しかる
後に、感光性樹脂膜６のパターンをマスクとして、例え
ば反応性イオンの直進性を利用した反応性イオンエツチ
ングなどのエツチング法を用いて絶縁ノー５である酸化
シリコン膜をエツチングし、その後感光性樹脂膜６を除
去すると、第１図（ｄ）に示すように、絶縁層５に開口
部５ａおよび５ｂが形成される。次に第１凶（ｅ）に示
すように、例えばスパッタ法により全面に接続用導電性
物質７、例えばアルミニウム膜を形成し、その後、ｍ１
図（ｆ）に示すように、通常の写真製版工程により感光
性樹脂パターン８のマスクパターンを形成し、それをマ
スクとして反応性イオンエツチング法などのエツチング
法を用いてアルミニウム膜をエツチングし、感光性樹脂
パターン８を除去すると、第１図（ｇ）に示すように、
所望の不純物拡散領域２と多結晶シリコンパターン４の
みを接続する配線パターンが形成できる。
従来の接続法は以上のような工程を経ているが、第１図
（Ｃ）から（ｄ）に至る工程においては、絶縁層５の厚
さが不純物拡散領域２上では多結晶シリコンパターン４
上に比べて厚くなる（ ｄ＋ ＞ ｄ２）。
（Ｃ）から（ｄ）に至る工程においては、絶縁層５の厚
さが不純物拡散領域２上では多結晶シリコンパターン４
上に比べて厚くなる（ ｄ＋ ＞ ｄ２）。
そのため、第１図（ｈ）に示したように、多結晶シリコ
ンパターン４上で開口部５ｂが形成終了しても不純物拡
散領域２上では未完成な開口部５３′となることがある
。そこで、さらにエツチングを続けて不純物拡散領域２
上で開口部５ａの形成を終了させると、多結晶シリコン
パターン４上の開口部ｓ ｂ／では多結晶シリコン表面
もエツチングされてしまうことがある。その状況を第１
図（ｉ）に示す。これは、特に反応性イオンエツチング
においては材料間のエツチングの選択性か小さいためで
ある。また、このような開口部５ａ＋５ｂ’の形成の終
了までの時間の長短は、開口部５ａ、５ｂ’の大きさの
大小となって表れることもあり、後のバターニングのマ
ージンを小さくする恐れがある。
ンパターン４上で開口部５ｂが形成終了しても不純物拡
散領域２上では未完成な開口部５３′となることがある
。そこで、さらにエツチングを続けて不純物拡散領域２
上で開口部５ａの形成を終了させると、多結晶シリコン
パターン４上の開口部ｓ ｂ／では多結晶シリコン表面
もエツチングされてしまうことがある。その状況を第１
図（ｉ）に示す。これは、特に反応性イオンエツチング
においては材料間のエツチングの選択性か小さいためで
ある。また、このような開口部５ａ＋５ｂ’の形成の終
了までの時間の長短は、開口部５ａ、５ｂ’の大きさの
大小となって表れることもあり、後のバターニングのマ
ージンを小さくする恐れがある。
また、エツチングが最通条件の下で行われ、第１ｍ（ｄ
）Ｋ示したように、はぼ同じ大きさで、不純物拡散領域
２．多結晶シリコンパターン４上の絶縁層５下の層の表
面を削る異なる開口部５８′。
）Ｋ示したように、はぼ同じ大きさで、不純物拡散領域
２．多結晶シリコンパターン４上の絶縁層５下の層の表
面を削る異なる開口部５８′。
５ ｂ’が形成された場合においても、その後の接続用
導電性物質１であるアルミニウム膜の形成時に１深い方
の開口部５ａにおいてアルミニウム膜の形成が不十分と
なり、第１図（ｊ）に示すように空洞９を生じる恐れも
ある。特に、開口ｉ５ａ、５ｂの大きさが２μｍ以下の
ような微細なものである場合に予想される。
導電性物質１であるアルミニウム膜の形成時に１深い方
の開口部５ａにおいてアルミニウム膜の形成が不十分と
なり、第１図（ｊ）に示すように空洞９を生じる恐れも
ある。特に、開口ｉ５ａ、５ｂの大きさが２μｍ以下の
ような微細なものである場合に予想される。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、下方にある接続すべき領域に予
め導電性物質のパターンを形成しておくことにより、接
続を確実にしようとするものである。以下、この発明の
一実施例を図面について説明する。
ためになされたもので、下方にある接続すべき領域に予
め導電性物質のパターンを形成しておくことにより、接
続を確実にしようとするものである。以下、この発明の
一実施例を図面について説明する。
第２図（ａ）〜＜ｆ）はこの発明の一実施例を示す工程
図で、１ｉ１４１図と同一符号は同じものを示し、１０
は全面に形成された導電性ｖＩＪ質層である。
図で、１ｉ１４１図と同一符号は同じものを示し、１０
は全面に形成された導電性ｖＩＪ質層である。
まず、第２図（ａ）に示すように、基板１中に形成され
た不純物拡散領域２０表面と、基板１上に絶縁膜３を介
して形成された導電性物質、例えば多結晶シリコンパタ
ーン４０表面とを接続する場合には、まず全面に導電性
物質層１０、例えばアルミニウム層を形成する。ここに
おいて、膜厚は多結晶シリコンパターン４とｅ＃＃、膜
３の膜厚の和に近いことが望ましい。しかる後に、第２
図（ｂ）Ｋ示すよ５に、感光性樹脂を全面に塗布した後
、通常の写真製版工程を経て不純物拡散領域２上で後に
接続用開口部となる部分にのみ感光性樹脂パターン１１
を形成する。その後、感光性樹脂パターン１１をマスク
とし【アルミニウム層のエツチングを行い、感光性樹脂
パターン１１を除去すると第２図（Ｃ）に示すようにア
ルミニウムパターン１０′が形成される。次に第１図の
場合と同様にして、全面に絶縁層５、例えば酸化シリコ
ン膜層な平坦に形成する。その状況を第２図（ｄ）に示
す。
た不純物拡散領域２０表面と、基板１上に絶縁膜３を介
して形成された導電性物質、例えば多結晶シリコンパタ
ーン４０表面とを接続する場合には、まず全面に導電性
物質層１０、例えばアルミニウム層を形成する。ここに
おいて、膜厚は多結晶シリコンパターン４とｅ＃＃、膜
３の膜厚の和に近いことが望ましい。しかる後に、第２
図（ｂ）Ｋ示すよ５に、感光性樹脂を全面に塗布した後
、通常の写真製版工程を経て不純物拡散領域２上で後に
接続用開口部となる部分にのみ感光性樹脂パターン１１
を形成する。その後、感光性樹脂パターン１１をマスク
とし【アルミニウム層のエツチングを行い、感光性樹脂
パターン１１を除去すると第２図（Ｃ）に示すようにア
ルミニウムパターン１０′が形成される。次に第１図の
場合と同様にして、全面に絶縁層５、例えば酸化シリコ
ン膜層な平坦に形成する。その状況を第２図（ｄ）に示
す。
ここにおいて、多結晶シリコンパターン４上の酸化シリ
コン膜ノーの膜厚ｄｔと、アルミニウムパターン１０上
の酸化シリコン膜ノーの膜厚ｄ、はほぼ同じとなる。そ
の後、第１図の場合と同様に、感光性樹脂膜を塗布し通
常の写真製版を経てエツチングを行うと、第２図（ｅ）
に示すように、はぼ同じ深さの開口部５ａ’およびｓ
ｂｌが形成される。その後、例えばスパッタ法により全
面に接続用導電性物質１、例えばアルミニウム膜を形成
し、その後、通常の写真製版工程およびエツチング工程
を経ると第２図（ｆ）に示すように接続用導電性物質１
の配線パターンが得られ、所望の不純物拡散領域２と多
結晶シリコンパターン４のみを接続することができる。
コン膜ノーの膜厚ｄｔと、アルミニウムパターン１０上
の酸化シリコン膜ノーの膜厚ｄ、はほぼ同じとなる。そ
の後、第１図の場合と同様に、感光性樹脂膜を塗布し通
常の写真製版を経てエツチングを行うと、第２図（ｅ）
に示すように、はぼ同じ深さの開口部５ａ’およびｓ
ｂｌが形成される。その後、例えばスパッタ法により全
面に接続用導電性物質１、例えばアルミニウム膜を形成
し、その後、通常の写真製版工程およびエツチング工程
を経ると第２図（ｆ）に示すように接続用導電性物質１
の配線パターンが得られ、所望の不純物拡散領域２と多
結晶シリコンパターン４のみを接続することができる。
なお、上記実施例では、導’ｒ’ｆｌ性物質層１０の材
料としてアルミニウムを用いた場合を示したが、導電性
物質であれば何でもよく、多結晶シリコンあるいはアル
ミニウム合金膜などの金属であってもよい。また、上記
実施例では、２つの領域である不純物拡散領域と多結晶
シリコンパターンとを接続する場合について説明したが
、これらの領域に限定されるものでなく、複数の領域が
導電性物質からなり、接続用の開口部深さが異なる場合
であればどのような構成であっても適用できる。
料としてアルミニウムを用いた場合を示したが、導電性
物質であれば何でもよく、多結晶シリコンあるいはアル
ミニウム合金膜などの金属であってもよい。また、上記
実施例では、２つの領域である不純物拡散領域と多結晶
シリコンパターンとを接続する場合について説明したが
、これらの領域に限定されるものでなく、複数の領域が
導電性物質からなり、接続用の開口部深さが異なる場合
であればどのような構成であっても適用できる。
以上説明したように、この発明は、接続すべき複数の領
域の表面に段差がある場合、段差の低い方の領域に予め
導電性物質からなるパターンを形成して段差の高い方の
領域とほぼ同じ高さとした後、接続用配線パターンを形
成するようにしたので、エツチング条件および膜形成条
件に圧右されることなく、罹災に所望の接続を行うこと
ができる効果がある。
域の表面に段差がある場合、段差の低い方の領域に予め
導電性物質からなるパターンを形成して段差の高い方の
領域とほぼ同じ高さとした後、接続用配線パターンを形
成するようにしたので、エツチング条件および膜形成条
件に圧右されることなく、罹災に所望の接続を行うこと
ができる効果がある。
第１図（ａ）〜（Ｄは従来の平坦化された絶縁膜層にお
ける接続用配縁パターンの形成方法を示す工程図、第２
図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一夾施例による接続用配
線パターンの形成方法を示す工程図である。 図中、１は基板、２は不純物拡散領域、３は絶縁膜、４
は多結晶シリコンパターン、５は絶縁層、５ａ、５ｂｔ
５ａ’、５ｂ’は開口部、７は接続用導電性物質、１
０は導電性物質層、１０′はアルミニウムパターン、１
１は感光性樹脂パターンである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名ン 第１図 第１図 第１図 第２図 第２図
ける接続用配縁パターンの形成方法を示す工程図、第２
図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一夾施例による接続用配
線パターンの形成方法を示す工程図である。 図中、１は基板、２は不純物拡散領域、３は絶縁膜、４
は多結晶シリコンパターン、５は絶縁層、５ａ、５ｂｔ
５ａ’、５ｂ’は開口部、７は接続用導電性物質、１
０は導電性物質層、１０′はアルミニウムパターン、１
１は感光性樹脂パターンである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名ン 第１図 第１図 第１図 第２図 第２図
Claims (1)
- 基板中または基板上に形成された段差のある複数の領域
をそれぞれ配線パターンによつ−ｃｍ続する半導体装置
の製造方法において、前記段差の低い領域の表面の接続
部に相当する部分に予め導電性物質層のパターンを形成
して段差の高い領域とほぼ同じ扁さの接続用の領域を形
成する工程と、前記各領域に接続用配線パターンを形成
する工程とを宮むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137384A JPS60202954A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137384A JPS60202954A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202954A true JPS60202954A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13169306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6137384A Pending JPS60202954A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411346A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106153A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP6137384A patent/JPS60202954A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106153A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6411346A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
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