JPH0346977B2 - - Google Patents
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- JPH0346977B2 JPH0346977B2 JP56192178A JP19217881A JPH0346977B2 JP H0346977 B2 JPH0346977 B2 JP H0346977B2 JP 56192178 A JP56192178 A JP 56192178A JP 19217881 A JP19217881 A JP 19217881A JP H0346977 B2 JPH0346977 B2 JP H0346977B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、より
詳しくは、多層に半導体素子を積層する半導体装
置の製造方法に関する。
詳しくは、多層に半導体素子を積層する半導体装
置の製造方法に関する。
近時、半導体装置の高密度、高集積、高機能化
を実現する方法として、半導体素子を同一基板上
に積層することにより、達成しようとする試みが
成されている。この場合、積層される半導体素子
間の充分な分離を行なう為には、分離絶縁膜は厚
い方が望ましく、そのため、微細な開口部を介し
て積層された素子相互の接続を行なう加工技術が
重要な問題となる。
を実現する方法として、半導体素子を同一基板上
に積層することにより、達成しようとする試みが
成されている。この場合、積層される半導体素子
間の充分な分離を行なう為には、分離絶縁膜は厚
い方が望ましく、そのため、微細な開口部を介し
て積層された素子相互の接続を行なう加工技術が
重要な問題となる。
高集積化を達成する目的で充分に小さな開口部
を寸法精度良く形成する為にはレジストパターン
の形成が困難であるのみならず、加工精度のよい
ドライエツチング法を施こすと、断面の切りたつ
た形状となる。その結果、スパツタ法あるいは
CVD法などにより被着した接続導体材料は、開
口部側面部に対する被着が均一に行なわれないた
め、オーバーハングあるいは急峻な垂直に近い形
状を生じたり、段切れと呼ばれる現象が生じたり
する。そのため、この方法においては、開口部の
微細化および微細配線の形成が困難である。また
素子を形成した半導体基板表面の凹凸は、この上
に積層される半導体膜の微細加工に著しい困難さ
を与える。すなわち、表面の凹凸は、積層する膜
の均一性、平坦性を損い、例えばレジストパター
ンの解像性を悪くする。さらにこの凹凸は、半導
体素子を積層して行くに従がつて大きくなり、本
来目的とする高集積化、高密度化が加工の困難さ
から達成されない。この表面の凹凸は、開口部の
形成により生じ、その加工技術にはよらない。す
なわち従来法においてはこの高低差は必ず生じる
ものである。さらに重大な問題は、分離絶縁膜に
ドライエツチング法によつて基板拡散層に対する
コンタクト孔を開けた場合に、拡散層表面がダメ
ージを受けることである。これは、拡散層がます
ます浅くなる高密度LSIにおいて信頼性を劣化さ
せる大きい問題になる。
を寸法精度良く形成する為にはレジストパターン
の形成が困難であるのみならず、加工精度のよい
ドライエツチング法を施こすと、断面の切りたつ
た形状となる。その結果、スパツタ法あるいは
CVD法などにより被着した接続導体材料は、開
口部側面部に対する被着が均一に行なわれないた
め、オーバーハングあるいは急峻な垂直に近い形
状を生じたり、段切れと呼ばれる現象が生じたり
する。そのため、この方法においては、開口部の
微細化および微細配線の形成が困難である。また
素子を形成した半導体基板表面の凹凸は、この上
に積層される半導体膜の微細加工に著しい困難さ
を与える。すなわち、表面の凹凸は、積層する膜
の均一性、平坦性を損い、例えばレジストパター
ンの解像性を悪くする。さらにこの凹凸は、半導
体素子を積層して行くに従がつて大きくなり、本
来目的とする高集積化、高密度化が加工の困難さ
から達成されない。この表面の凹凸は、開口部の
形成により生じ、その加工技術にはよらない。す
なわち従来法においてはこの高低差は必ず生じる
ものである。さらに重大な問題は、分離絶縁膜に
ドライエツチング法によつて基板拡散層に対する
コンタクト孔を開けた場合に、拡散層表面がダメ
ージを受けることである。これは、拡散層がます
ます浅くなる高密度LSIにおいて信頼性を劣化さ
せる大きい問題になる。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、その
目的とするところは、積層される半導体素子相互
間の接続部を改良して従来法の間題点をすべて解
決し、高密度かつ高集積で高機能を実現し高い歩
留りを有する半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
目的とするところは、積層される半導体素子相互
間の接続部を改良して従来法の間題点をすべて解
決し、高密度かつ高集積で高機能を実現し高い歩
留りを有する半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
本発明においては、素子領域が形成された半導
体基板上に分離絶縁膜を設けるに先だつて、接続
を行なう所望の素子領域に接続部材を選択的に残
置させ、次いで上記接続部材で覆われていない領
域に分離絶縁膜を設け、この分離絶縁膜上に半導
体素子形成を行なう半導体膜を上記接続部材にコ
ンタクトさせて形成する。さらに本発明の目的
は、半導体膜を積層してパターニングした後、そ
の基板表面を高低差の少ない平坦面とする加工を
施すことにより、より完全に達成される。これは
半導体膜をパターニングした後、全面に絶縁膜を
被着し、その上にスピンコート法により表面が略
平坦になるように有機物膜を塗布し、これらの有
機物膜と絶縁膜を両者のエツチング速度が等しい
エツチング条件で均一エツチングすることにより
実現できる。
体基板上に分離絶縁膜を設けるに先だつて、接続
を行なう所望の素子領域に接続部材を選択的に残
置させ、次いで上記接続部材で覆われていない領
域に分離絶縁膜を設け、この分離絶縁膜上に半導
体素子形成を行なう半導体膜を上記接続部材にコ
ンタクトさせて形成する。さらに本発明の目的
は、半導体膜を積層してパターニングした後、そ
の基板表面を高低差の少ない平坦面とする加工を
施すことにより、より完全に達成される。これは
半導体膜をパターニングした後、全面に絶縁膜を
被着し、その上にスピンコート法により表面が略
平坦になるように有機物膜を塗布し、これらの有
機物膜と絶縁膜を両者のエツチング速度が等しい
エツチング条件で均一エツチングすることにより
実現できる。
本発明によれば、分離絶縁膜の形成に先だつて
接合部材が残置され次いで分離絶縁膜が設けられ
る。したがつて分離絶縁膜にコンタクト孔をドラ
イエツチング法を用いて基板拡散層上に開口する
という従来法で問題となる基板拡散層表面のダメ
ージがなくなり、信頼性の高い半導体装置が得ら
れる。また、微細開口を形成する技術的困難さが
解消される。つまり、微細開口を形成する為のレ
ジストパターンに比べて、微細残しパターンを形
成する為のレジストパターン形成の方が容易であ
り、また微細開口部に接続部材を充当する困難さ
が解決される。さらに微細開口を形成して導体配
線で上下を接続する方法を採らず、選択的に残置
させた接続部材に直接コンタクトさせて半導体膜
を積層し、またその後も表面を平坦化する処理を
施すことにより、素子の積層に伴う凹凸を小さく
でき、従つてレジストパターンの解像性も高く維
持できる結果、微細パターンで高密度、高集積度
の半導体装置が得られる。
接合部材が残置され次いで分離絶縁膜が設けられ
る。したがつて分離絶縁膜にコンタクト孔をドラ
イエツチング法を用いて基板拡散層上に開口する
という従来法で問題となる基板拡散層表面のダメ
ージがなくなり、信頼性の高い半導体装置が得ら
れる。また、微細開口を形成する技術的困難さが
解消される。つまり、微細開口を形成する為のレ
ジストパターンに比べて、微細残しパターンを形
成する為のレジストパターン形成の方が容易であ
り、また微細開口部に接続部材を充当する困難さ
が解決される。さらに微細開口を形成して導体配
線で上下を接続する方法を採らず、選択的に残置
させた接続部材に直接コンタクトさせて半導体膜
を積層し、またその後も表面を平坦化する処理を
施すことにより、素子の積層に伴う凹凸を小さく
でき、従つてレジストパターンの解像性も高く維
持できる結果、微細パターンで高密度、高集積度
の半導体装置が得られる。
第１図ａ〜ｋは本発明の一実施例の製造工程を
示す図である。まず、所望の素子形成が行われた
単結晶シリコン基板１１上に所望域に開口したレ
ジストパターン１３を形成する(a)。１２，１２1，
１２2は素子領域の拡散層を示している。レジス
トには例えば東京応化(株)製OFPR−800ポジレジ
ストを用い、クロルベンゼンで表面を処理して、
このレジストパターン１３を、次のリフトオフプ
ロセスに適する逆テーパ形状に整形されたパター
ンとする。次いで全面に接続部材となるポリシリ
コン膜１４を約1μｍの厚さにスパツタ蒸着する
(b)。そして、希有機アルカリ水溶液にてレジスト
パターン１３の側壁部の薄いポリシリコン膜１４
を除去し、次いで、有機溶剤を用いるリフトオフ
法によりレジストパターン１３を除去すると同時
にレジスト上のポリシリコン膜を除去し、選択的
にポリシリコン膜１４1，１４2を残置させる(c)。
次に全面にスパツタ法により分離絶縁膜としてシ
リコン酸化膜１５1を約1μｍの厚さに積層する(d)。
次に平坦部で約1μｍの厚さになるように有機物
膜としてポリｔ−ブチルメタクリレートを塗布
し、次いで210℃で熱処理してポリメタクリル酸
無水物膜１６に変性させる(e)。さらに積層してポ
ジ型ホトレジストOFPR−800（東京応化製）を設
けエツチング処理の不用な領域をレジストパター
ン１７により覆い、CF4ガスとH2ガスの混合ガス
を用いるリアクテイブイオンエツチング処理を施
す。この時、ポリメタクリル酸無水物膜１６とシ
リコン酸化膜１５1はほぼ等しい速度でエツチン
グされ、ポリシリコン膜１４が露出した状態を得
る(f)。そしてレジストを除去して高低差がなく、
ポリシリコン膜１４の周囲を酸化膜１５1で埋め
た平坦面を得る(g)。次に全面にポリシリコンを
CVD法により約7000Åの厚さに形成し、次いで
レジストパターンを形成して、リアクテイブイオ
ンエツチング法により素子領域に必要な部分にの
みポリシリコン膜１８，１８1，１８2を残す(h)。
これによりポリシリコン膜１８はその必要な領域
が接続部材たるポリシリコン膜１４を介して下地
の拡散層１２とコンタクトすることになる。次に
全面に分離絶縁膜としてシリコン酸化膜１５2を
被着し、さらにスピンコート法によりノボラツク
樹脂とポリメチルメタクリレートの混合物のエチ
ルセルソルブアセテート溶液を塗布してシリコン
酸化膜と同等のドライエツチング速度を有する有
機物膜１９の形成を行ない、これをCF4ガスとO2
ガスの混合ガスによるプラズマ状態にさらして表
面を硬化させたのち、ポジ型フオトレジストによ
り、十分に広い為に有機物膜が薄くなつている領
域を覆うレジストパターン２０を形成する(j)。そ
して全面をCF4とH2を用いるリアクテイブイオン
エツチング法により有機物膜１９とシリコン酸化
膜１５2に対して等しいエツチング速度でポリシ
リコン膜１８の面が露出する状態まで加工して、
高低差なく多結晶シリコン膜１８の周囲を酸化膜
１５2で埋めた平坦面を得る(k)。この後さらに表
面層を薄く除去したのち、ポリシリコン膜１８領
域をレーザーアニーリング処理して結晶化を行
い、素子形成が可能な領域を得てここに所望の素
子を形成する。
示す図である。まず、所望の素子形成が行われた
単結晶シリコン基板１１上に所望域に開口したレ
ジストパターン１３を形成する(a)。１２，１２1，
１２2は素子領域の拡散層を示している。レジス
トには例えば東京応化(株)製OFPR−800ポジレジ
ストを用い、クロルベンゼンで表面を処理して、
このレジストパターン１３を、次のリフトオフプ
ロセスに適する逆テーパ形状に整形されたパター
ンとする。次いで全面に接続部材となるポリシリ
コン膜１４を約1μｍの厚さにスパツタ蒸着する
(b)。そして、希有機アルカリ水溶液にてレジスト
パターン１３の側壁部の薄いポリシリコン膜１４
を除去し、次いで、有機溶剤を用いるリフトオフ
法によりレジストパターン１３を除去すると同時
にレジスト上のポリシリコン膜を除去し、選択的
にポリシリコン膜１４1，１４2を残置させる(c)。
次に全面にスパツタ法により分離絶縁膜としてシ
リコン酸化膜１５1を約1μｍの厚さに積層する(d)。
次に平坦部で約1μｍの厚さになるように有機物
膜としてポリｔ−ブチルメタクリレートを塗布
し、次いで210℃で熱処理してポリメタクリル酸
無水物膜１６に変性させる(e)。さらに積層してポ
ジ型ホトレジストOFPR−800（東京応化製）を設
けエツチング処理の不用な領域をレジストパター
ン１７により覆い、CF4ガスとH2ガスの混合ガス
を用いるリアクテイブイオンエツチング処理を施
す。この時、ポリメタクリル酸無水物膜１６とシ
リコン酸化膜１５1はほぼ等しい速度でエツチン
グされ、ポリシリコン膜１４が露出した状態を得
る(f)。そしてレジストを除去して高低差がなく、
ポリシリコン膜１４の周囲を酸化膜１５1で埋め
た平坦面を得る(g)。次に全面にポリシリコンを
CVD法により約7000Åの厚さに形成し、次いで
レジストパターンを形成して、リアクテイブイオ
ンエツチング法により素子領域に必要な部分にの
みポリシリコン膜１８，１８1，１８2を残す(h)。
これによりポリシリコン膜１８はその必要な領域
が接続部材たるポリシリコン膜１４を介して下地
の拡散層１２とコンタクトすることになる。次に
全面に分離絶縁膜としてシリコン酸化膜１５2を
被着し、さらにスピンコート法によりノボラツク
樹脂とポリメチルメタクリレートの混合物のエチ
ルセルソルブアセテート溶液を塗布してシリコン
酸化膜と同等のドライエツチング速度を有する有
機物膜１９の形成を行ない、これをCF4ガスとO2
ガスの混合ガスによるプラズマ状態にさらして表
面を硬化させたのち、ポジ型フオトレジストによ
り、十分に広い為に有機物膜が薄くなつている領
域を覆うレジストパターン２０を形成する(j)。そ
して全面をCF4とH2を用いるリアクテイブイオン
エツチング法により有機物膜１９とシリコン酸化
膜１５2に対して等しいエツチング速度でポリシ
リコン膜１８の面が露出する状態まで加工して、
高低差なく多結晶シリコン膜１８の周囲を酸化膜
１５2で埋めた平坦面を得る(k)。この後さらに表
面層を薄く除去したのち、ポリシリコン膜１８領
域をレーザーアニーリング処理して結晶化を行
い、素子形成が可能な領域を得てここに所望の素
子を形成する。
本実施例によれば、半導体素子を積層したとき
に微細開口を形成して積層された素子間を接続す
る加工の困難さから解放され、半導体素子の積層
が容易になる。ちなみに、基板上にポリシリコン
を用いたMOSFETを集積する構造について比較
するため、従来工程によるものと本実施例の工程
によるものをそれぞれ第２図と第３図に示す。こ
れらの図において、２１，３１が単結晶シリコン
基板、２２，３２は素子領域の拡散層、２３，２
３1，２３2，３３，３３1，３３2は分離絶縁膜と
してのシリコン酸化膜、２４，３４はポリシリコ
ン膜によるMOSFETをそれぞれ示している。第
２図の従来工程によるものでは、MOSFET２４
と基板上の拡散層２２との接続を酸化膜２３に形
成したコンタクトホールを介して導体膜配線２５
により行つている。これに対し、本実施例の工程
による第３図では、MOSFET３４の端子領域は
酸化膜３３に埋込まれた形のポリシリコン膜３５
によつて基板上の拡散層３２とコンタクトしてい
る。両者を比較すると、第２図では各層での表面
の凹凸が大きく、レジストパターン形成の解像性
が悪く、またドライエツチングプロセスで微細加
工を行うと配線２５の段切れなどを生じ易い。こ
れに対し第３図では表面の平坦性に優れており、
レジストパターンの形成が容易であり、この上に
更に素子を積層する場合にも有利である。また微
細なコンタクトホールの加工工程を必要としない
から、積層される素子間の接続も確実に行われる
ことがわかる。
に微細開口を形成して積層された素子間を接続す
る加工の困難さから解放され、半導体素子の積層
が容易になる。ちなみに、基板上にポリシリコン
を用いたMOSFETを集積する構造について比較
するため、従来工程によるものと本実施例の工程
によるものをそれぞれ第２図と第３図に示す。こ
れらの図において、２１，３１が単結晶シリコン
基板、２２，３２は素子領域の拡散層、２３，２
３1，２３2，３３，３３1，３３2は分離絶縁膜と
してのシリコン酸化膜、２４，３４はポリシリコ
ン膜によるMOSFETをそれぞれ示している。第
２図の従来工程によるものでは、MOSFET２４
と基板上の拡散層２２との接続を酸化膜２３に形
成したコンタクトホールを介して導体膜配線２５
により行つている。これに対し、本実施例の工程
による第３図では、MOSFET３４の端子領域は
酸化膜３３に埋込まれた形のポリシリコン膜３５
によつて基板上の拡散層３２とコンタクトしてい
る。両者を比較すると、第２図では各層での表面
の凹凸が大きく、レジストパターン形成の解像性
が悪く、またドライエツチングプロセスで微細加
工を行うと配線２５の段切れなどを生じ易い。こ
れに対し第３図では表面の平坦性に優れており、
レジストパターンの形成が容易であり、この上に
更に素子を積層する場合にも有利である。また微
細なコンタクトホールの加工工程を必要としない
から、積層される素子間の接続も確実に行われる
ことがわかる。
本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、分離絶縁膜を平坦に埋込むために用
いる有機物膜は、スピンコート法により平滑な面
が形成される性質と被加工絶縁膜とほぼ等しいエ
ツチング速度を有する性質を共有する材料である
ならば本発明を実施するになんら障害はない。こ
の場合、被加工絶縁膜より大なるエツチング速度
を有する有機物と、被加工絶縁膜より小なるエツ
チング速度を有する有機物との混合物を調整して
用いても良い。例えば、ポリスチレン、ポリアク
リロニトリル、、ポリビニルカルバゾールなどの
中から選ばれた材料と、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリブチルメタクリレート、ポリスルフオ
ン、ポリイソブテンなどから選ばれた材料の組み
合せが考えられる。さらに、有機物膜としては、
エツチング速度を分離絶縁膜材料のエツチング速
度と同等に調整したホトレジストを用い、所望領
域へ露光を施こすことにより所望領域の膜厚を調
整し、スピンコート法により設けられた膜形状以
上にエツチング後の基板形状が望む形状となるよ
うはかることもよい。また積層する半導体膜はエ
ピタキシヤル成長法で形成してもよく、そのと
き、事前にコンタクト部の接続部材であるポリシ
リコン膜を例えばパレスレーザー照射を行なう等
の手段により結晶性を改善してもよい。あるい
は、コンタクト部のポリシリコン膜が露出した第
１図ｇの状態でパルスレーザー等によりこれの結
晶性を改善し、さらに積層してポリシリコン膜を
設けパターン状に残置したのち、これをパルスレ
ーザー等により処理して結晶性の改善を行なつて
もよい。また、接続部材として選択的に残置する
材料は、シリコンに限定されるものではなく、高
融点金属、シリコン合金あるいはシリサイドであ
つてもよい。高融点金属をコンタクト部に残置
し、それと接してポリシリコンを設けて素子形成
を行なう場合等においては、両者の接続部界面を
シリサイド化してもよい。
く、例えば、分離絶縁膜を平坦に埋込むために用
いる有機物膜は、スピンコート法により平滑な面
が形成される性質と被加工絶縁膜とほぼ等しいエ
ツチング速度を有する性質を共有する材料である
ならば本発明を実施するになんら障害はない。こ
の場合、被加工絶縁膜より大なるエツチング速度
を有する有機物と、被加工絶縁膜より小なるエツ
チング速度を有する有機物との混合物を調整して
用いても良い。例えば、ポリスチレン、ポリアク
リロニトリル、、ポリビニルカルバゾールなどの
中から選ばれた材料と、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリブチルメタクリレート、ポリスルフオ
ン、ポリイソブテンなどから選ばれた材料の組み
合せが考えられる。さらに、有機物膜としては、
エツチング速度を分離絶縁膜材料のエツチング速
度と同等に調整したホトレジストを用い、所望領
域へ露光を施こすことにより所望領域の膜厚を調
整し、スピンコート法により設けられた膜形状以
上にエツチング後の基板形状が望む形状となるよ
うはかることもよい。また積層する半導体膜はエ
ピタキシヤル成長法で形成してもよく、そのと
き、事前にコンタクト部の接続部材であるポリシ
リコン膜を例えばパレスレーザー照射を行なう等
の手段により結晶性を改善してもよい。あるい
は、コンタクト部のポリシリコン膜が露出した第
１図ｇの状態でパルスレーザー等によりこれの結
晶性を改善し、さらに積層してポリシリコン膜を
設けパターン状に残置したのち、これをパルスレ
ーザー等により処理して結晶性の改善を行なつて
もよい。また、接続部材として選択的に残置する
材料は、シリコンに限定されるものではなく、高
融点金属、シリコン合金あるいはシリサイドであ
つてもよい。高融点金属をコンタクト部に残置
し、それと接してポリシリコンを設けて素子形成
を行なう場合等においては、両者の接続部界面を
シリサイド化してもよい。
第１図ａ〜ｋは本発明の一実施例の製造工程を
示す図、第２図は従来工程によりポリシリコン
MOSFETを基板上に集積した構造を示す図、第
３図は第２図に対応する構造を本実施例の工程に
より実現した構造を示す図である。 １１……単結晶シリコン基板、１２1，１２2…
…拡散層、１３……レジストパターン、１４……
ポリシリコン膜（接続部材）、１５1，１５2……
シリコン酸化膜（分離絶縁膜）、１６……ポリメ
タクリル酸無水物膜、１７……レジストパター
ン、１８1，１８2……ポリシリコン膜、１９……
有機物膜、２０……レジストパターン。
示す図、第２図は従来工程によりポリシリコン
MOSFETを基板上に集積した構造を示す図、第
３図は第２図に対応する構造を本実施例の工程に
より実現した構造を示す図である。 １１……単結晶シリコン基板、１２1，１２2…
…拡散層、１３……レジストパターン、１４……
ポリシリコン膜（接続部材）、１５1，１５2……
シリコン酸化膜（分離絶縁膜）、１６……ポリメ
タクリル酸無水物膜、１７……レジストパター
ン、１８1，１８2……ポリシリコン膜、１９……
有機物膜、２０……レジストパターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板に拡散層を含む素子を形成する工
程と、 前記拡散層表面の接続部に、前記基板に接触す
る分離絶縁膜の形成に先立つて接続部材を選択的
に形成する工程と、 前記基板上の前記接続部材の周囲に分離絶縁膜
を形成する工程と、 前記分離絶縁膜上に前記接続部材を介して前記
拡散層に電気的に接続される半導体膜を形成する
工程と、 前記半導体膜に所望の素子を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 ２ 前記接部材を選択的に形成する工程は、その
接続部材を被着する前にレジストパターンを形成
しておき、その後全面に接続部材膜を被着してレ
ジストパターンを除去することにより不要な部分
の接続部材膜をリフトオフするものである特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 ３ 前記接続部材の周囲に分離絶縁膜を形成する
工程は、全面に分離絶縁膜を被着してその上にス
ピンコート法により表面が平坦になるように有機
物膜を塗布し、これら有機物膜と分離絶縁膜を両
者のエツチング速度がほゞ等しいエツチング条件
で選択的に形成された接続部材が露出するまで均
一エツチングするものである特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19217881A JPS5893270A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19217881A JPS5893270A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893270A JPS5893270A (ja) | 1983-06-02 |
| JPH0346977B2 true JPH0346977B2 (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=16286971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19217881A Granted JPS5893270A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893270A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189264A (ja) * | 1984-03-08 | 1985-09-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS6231176A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Sharp Corp | 積層型半導体装置 |
| JPS62145774A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置 |
| JPH084126B2 (ja) * | 1987-09-19 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4746832B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2011-08-10 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | パターン形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249772A (en) * | 1975-10-18 | 1977-04-21 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19217881A patent/JPS5893270A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249772A (en) * | 1975-10-18 | 1977-04-21 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5893270A (ja) | 1983-06-02 |
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