JP2003037085A - レーザ照射を用いた基板切断方法および装置 - Google Patents
レーザ照射を用いた基板切断方法および装置Info
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- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ照射を用いた基板切断方法および装置
に関する。 【解決手段】 レーザ光は、基板上で走査される。この
レーザ光は、基板の第１の層を除去する。その後、この
レーザ光は、新たに露出した第２の層上に再焦点合わせ
され、さらなる通過が行われる。この工程は、分離が完
了するまで繰り返される。この方法および装置は、集積
回路パッケージのシンギュレーションに特に好適であ
る。
に関する。 【解決手段】 レーザ光は、基板上で走査される。この
レーザ光は、基板の第１の層を除去する。その後、この
レーザ光は、新たに露出した第２の層上に再焦点合わせ
され、さらなる通過が行われる。この工程は、分離が完
了するまで繰り返される。この方法および装置は、集積
回路パッケージのシンギュレーションに特に好適であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ照射を用い
た基板切断方法および装置に関する。特に、基板保持集
積回路部品と共に使用するための方法および装置に関す
る。本発明は、レーザ照射を用いた集積回路部品のシン
ギュレーション（分断）（singulation）に特に適用さ
れる。
た基板切断方法および装置に関する。特に、基板保持集
積回路部品と共に使用するための方法および装置に関す
る。本発明は、レーザ照射を用いた集積回路部品のシン
ギュレーション（分断）（singulation）に特に適用さ
れる。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハまたは集積回路（ＩＣ）
装置は、一般に多数の個別の層から構成されている。こ
れらの層は、金属回路、誘電体、ウエハダイス、ボンデ
ィングワイヤおよびモールド化合物材料のいくつか、ま
たは全てが配設されているプリント回路基板（ＰＣＢ）
パッケージを備えてもよい。一般に、多数の個々の集積
回路装置は、１個のパッケージ上に形成されており、個
々の集積回路装置の境界を定めるようにマーキングされ
ている。従って、各集積回路装置を分離するようにパッ
ケージをシンギュレートすることが必要である。
装置は、一般に多数の個別の層から構成されている。こ
れらの層は、金属回路、誘電体、ウエハダイス、ボンデ
ィングワイヤおよびモールド化合物材料のいくつか、ま
たは全てが配設されているプリント回路基板（ＰＣＢ）
パッケージを備えてもよい。一般に、多数の個々の集積
回路装置は、１個のパッケージ上に形成されており、個
々の集積回路装置の境界を定めるようにマーキングされ
ている。従って、各集積回路装置を分離するようにパッ
ケージをシンギュレートすることが必要である。
【０００３】周知のシンギュレーション技術として、機
械ソーイングが挙げられる。リー（Lee）他の「チップ
スケールパッケージおよびその製造方法」と題する米国
特許第６１４０７０８号は、個々の装置がダイアモンド
ソーを用いたカプセル充填されたパッケージからシンギ
ュレートされる製造工程を開示している。この従来技術
には、多くの欠点がある。ソーは、均一性および平坦さ
についての厳しい基準に合わせて製造しなければならな
い。ソーイング工程中に、ソーイング残渣を掃除し、発
生した熱を放散させるために、水も必要となる。さら
に、磨耗度が高いことにより、頻繁にソーを取り替える
必要があり、そのために機器のコストが増大するという
欠点もある。さらに、ソーの最小切断幅は、集積回路装
置製作の密度に制限を加える。しかも、機械的ソーイン
グ工程によって、特に、より薄い集積回路装置に関し
て、亀裂を生じる可能性がある。さらに、金属基板は、
コストがかからないため、最近、人気を博している。一
般に、基板は、ニッケル層がコーティングされた銅板基
部を有する。しかし、金属基板は金属残渣を生じ、これ
がさらに大きな問題となる。金属残渣は、ソーブレード
に付着する傾向があり、集積回路装置とソーブレード自
体の両方に損傷を与える。
械ソーイングが挙げられる。リー（Lee）他の「チップ
スケールパッケージおよびその製造方法」と題する米国
特許第６１４０７０８号は、個々の装置がダイアモンド
ソーを用いたカプセル充填されたパッケージからシンギ
ュレートされる製造工程を開示している。この従来技術
には、多くの欠点がある。ソーは、均一性および平坦さ
についての厳しい基準に合わせて製造しなければならな
い。ソーイング工程中に、ソーイング残渣を掃除し、発
生した熱を放散させるために、水も必要となる。さら
に、磨耗度が高いことにより、頻繁にソーを取り替える
必要があり、そのために機器のコストが増大するという
欠点もある。さらに、ソーの最小切断幅は、集積回路装
置製作の密度に制限を加える。しかも、機械的ソーイン
グ工程によって、特に、より薄い集積回路装置に関し
て、亀裂を生じる可能性がある。さらに、金属基板は、
コストがかからないため、最近、人気を博している。一
般に、基板は、ニッケル層がコーティングされた銅板基
部を有する。しかし、金属基板は金属残渣を生じ、これ
がさらに大きな問題となる。金属残渣は、ソーブレード
に付着する傾向があり、集積回路装置とソーブレード自
体の両方に損傷を与える。
【０００４】集積回路装置のシンギュレーションのため
のさらに他の技術として、レーザシンギュレーションが
挙げられる。WO01/10177(XSIL Technology limited）
は、レーザを用いた集積回路装置のシンギュレーション
のための方法および装置を開示している。レーザエネル
ギは、回転するか、または横方向に移動自在なミラーを
用いて集積回路パッケージに亘って走査される。この方
法にも欠点がある。この技術を用いて達成される切断速
度は、４．２ｍｍ／秒および８．３ｍｍ／秒と言われ
る。さらに、この技術を用いて切断するのに適するパッ
ケージの厚さは、レーザ光の焦点深度によって制限され
ている。従って、この技術は、多くの産業上の適用に好
適なわけではではない。
のさらに他の技術として、レーザシンギュレーションが
挙げられる。WO01/10177(XSIL Technology limited）
は、レーザを用いた集積回路装置のシンギュレーション
のための方法および装置を開示している。レーザエネル
ギは、回転するか、または横方向に移動自在なミラーを
用いて集積回路パッケージに亘って走査される。この方
法にも欠点がある。この技術を用いて達成される切断速
度は、４．２ｍｍ／秒および８．３ｍｍ／秒と言われ
る。さらに、この技術を用いて切断するのに適するパッ
ケージの厚さは、レーザ光の焦点深度によって制限され
ている。従って、この技術は、多くの産業上の適用に好
適なわけではではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、上記欠点を回
避する改良された方法および装置が必要となる。特に、
適当な切断速度を提供し、より厚い基板と共に用いるの
に好適なダイアモンドホイールソーダイシングの問題
（例えば、ソーブレードのコスト、磨耗頻度、大きい最
小切断幅、亀裂、残渣を除去し熱を放散するための水の
必要性）を回避するレーザ照射を用いた基板切断方法お
よび装置が必要となる。
避する改良された方法および装置が必要となる。特に、
適当な切断速度を提供し、より厚い基板と共に用いるの
に好適なダイアモンドホイールソーダイシングの問題
（例えば、ソーブレードのコスト、磨耗頻度、大きい最
小切断幅、亀裂、残渣を除去し熱を放散するための水の
必要性）を回避するレーザ照射を用いた基板切断方法お
よび装置が必要となる。
【０００６】本発明の目的は、上記必要条件を満たすこ
とである。
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明により、 ａ） 基板上にレーザ焦点が位置するように、前記基板
上の点にレーザエネルギを焦点合わせする工程と、 ｂ） 前記点が前記基板上の第１の経路に沿うように、
前記レーザ焦点と前記基板との間で相対横方向移動を行
う工程であって、前記基板の第１の層が、前記基板の第
２の層を露出するように前記第１の経路に沿って除去さ
れる工程と、 ｃ） 前記レーザ焦点が前記第２の層に位置するよう
に、前記第２の層にレーザエネルギを再焦点合わせする
工程と、 ｄ） 前記点が前記基板上の前記第１の経路に実質的に
沿うように、前記レーザ焦点と前記基板との間で相対横
方向移動を行う工程とを備え、これによって、前記基板
の第２の層が前記第１の経路に沿って除去されることを
特徴とする基板切断方法が提供される。
に、本発明により、 ａ） 基板上にレーザ焦点が位置するように、前記基板
上の点にレーザエネルギを焦点合わせする工程と、 ｂ） 前記点が前記基板上の第１の経路に沿うように、
前記レーザ焦点と前記基板との間で相対横方向移動を行
う工程であって、前記基板の第１の層が、前記基板の第
２の層を露出するように前記第１の経路に沿って除去さ
れる工程と、 ｃ） 前記レーザ焦点が前記第２の層に位置するよう
に、前記第２の層にレーザエネルギを再焦点合わせする
工程と、 ｄ） 前記点が前記基板上の前記第１の経路に実質的に
沿うように、前記レーザ焦点と前記基板との間で相対横
方向移動を行う工程とを備え、これによって、前記基板
の第２の層が前記第１の経路に沿って除去されることを
特徴とする基板切断方法が提供される。
【０００８】好ましくは、前記工程ｃ）およびｄ）が繰
り返され、前記基板の全ての層が前記第１の経路に沿っ
て除去されるまで、前記基板のさらに他の層が各繰り返
しによって除去される。好ましくは、使用する前記レー
ザエネルギが、紫外線から可視域までの波長を有する。
さらに好ましくは、使用する前記レーザエネルギが、５
００ｎｍを超える波長、特に５３２ｎｍの波長を有す
る。
り返され、前記基板の全ての層が前記第１の経路に沿っ
て除去されるまで、前記基板のさらに他の層が各繰り返
しによって除去される。好ましくは、使用する前記レー
ザエネルギが、紫外線から可視域までの波長を有する。
さらに好ましくは、使用する前記レーザエネルギが、５
００ｎｍを超える波長、特に５３２ｎｍの波長を有す
る。
【０００９】好ましくは、流体が切断領域に向けて流れ
る。特に好ましくは、前記流体が空気である。一実施の
形態では、前記基板に複数個の集積回路装置が形成さ
れ、前記方法が様々な装置をシンギュレートするために
使用される。さらに他の局面では、本発明は、上記方法
を実施するための装置を提供する。
る。特に好ましくは、前記流体が空気である。一実施の
形態では、前記基板に複数個の集積回路装置が形成さ
れ、前記方法が様々な装置をシンギュレートするために
使用される。さらに他の局面では、本発明は、上記方法
を実施するための装置を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明をより良く理解するため
に、また、どのように実施するかをより明確に示すため
に、例えば、本発明の様々な実施の形態を概略的に示す
添付図面を参照する。これらの図面は、一定の縮尺で描
かれているとは限らない。図１Ａおよび図１Ｂに示した
ように、本発明の一実施例によるレーザ切断装置は、レ
ーザ光（１２）を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザ（１０）
と、ビームエクスパンダ（１５）と、反射鏡（２０）
と、Ｚステージ（６０）と、Ｚステージ（６０）に装着
されたレンズ（３０）とを備える。レーザ光（１２）
は、ビームエクスパンダ（１５）を通過し、反射鏡（２
０）により、レンズ（３０）を介して、Ｘ−Ｙステージ
（５０）に保持されたパッケージ（４０）上に反射す
る。
に、また、どのように実施するかをより明確に示すため
に、例えば、本発明の様々な実施の形態を概略的に示す
添付図面を参照する。これらの図面は、一定の縮尺で描
かれているとは限らない。図１Ａおよび図１Ｂに示した
ように、本発明の一実施例によるレーザ切断装置は、レ
ーザ光（１２）を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザ（１０）
と、ビームエクスパンダ（１５）と、反射鏡（２０）
と、Ｚステージ（６０）と、Ｚステージ（６０）に装着
されたレンズ（３０）とを備える。レーザ光（１２）
は、ビームエクスパンダ（１５）を通過し、反射鏡（２
０）により、レンズ（３０）を介して、Ｘ−Ｙステージ
（５０）に保持されたパッケージ（４０）上に反射す
る。
【００１１】パッケージ（４０）には、多数の集積回路
装置が作製されており、図２Ａまたは図３Ａに示すよう
な形態であってもよい。空気吹き付けノズル（８０）を
有する同軸空気吹き付けシステムが、切断領域上に空気
を吹き付けるために配設されている。Ｘ−Ｙステージ
（５０）の移動を好適に制御することにより、パッケー
ジ（４０）とレーザ光（１２）との間の相対移動が行わ
れる。
装置が作製されており、図２Ａまたは図３Ａに示すよう
な形態であってもよい。空気吹き付けノズル（８０）を
有する同軸空気吹き付けシステムが、切断領域上に空気
を吹き付けるために配設されている。Ｘ−Ｙステージ
（５０）の移動を好適に制御することにより、パッケー
ジ（４０）とレーザ光（１２）との間の相対移動が行わ
れる。
【００１２】この移動は、好適にプログラミングされた
コンピュータ（７０）によって制御することも可能であ
る。コンピュータ（７０）は、レーザ（１０）およびＺ
ステージ（６０）も制御する。レーザパラメータ、Ｘ−
ＹステージパラメータおよびＺステージパラメータを含
む適当な処理パラメータが選択できるように、好適なソ
フトウェアが備えられている。
コンピュータ（７０）によって制御することも可能であ
る。コンピュータ（７０）は、レーザ（１０）およびＺ
ステージ（６０）も制御する。レーザパラメータ、Ｘ−
ＹステージパラメータおよびＺステージパラメータを含
む適当な処理パラメータが選択できるように、好適なソ
フトウェアが備えられている。
【００１３】切断工程の開始時、圧縮空気源が起動さ
れ、ノズル（８０）からパッケージ（４０）の表面に空
気が吹き付けられる。パッケージの最上面には、レーザ
光（１２）が焦点合わせされる。コンピュータ（７０）
を制御して、Ｘ−Ｙステージがパッケージ（４０）を移
動させ、それによってレーザ光が切断軌跡（４７）に沿
って移動する。あるいは、好適な相対横方向移動を行う
ためのいずれかの好適な手段を採用することも可能であ
る。
れ、ノズル（８０）からパッケージ（４０）の表面に空
気が吹き付けられる。パッケージの最上面には、レーザ
光（１２）が焦点合わせされる。コンピュータ（７０）
を制御して、Ｘ−Ｙステージがパッケージ（４０）を移
動させ、それによってレーザ光が切断軌跡（４７）に沿
って移動する。あるいは、好適な相対横方向移動を行う
ためのいずれかの好適な手段を採用することも可能であ
る。
【００１４】パッケージの第１の層（４２）は、レーザ
光（１２）によって掃引除去され、第２の層（４４）が
露出され、第１の切り溝（１４７）が形成される。レー
ザ光がパッケージの端部に一旦走査されると、現在露出
している第２の層（４４）にレーザ光が再焦点合わせさ
れる。これは、Ｚステージ（６０）を用いてレンズ（３
０）を移動させることにより行われるが、他のいずれか
好適な再焦点合わせ手段と同様に、好適な相対垂直移動
を行うための手段を採用することも可能である。
光（１２）によって掃引除去され、第２の層（４４）が
露出され、第１の切り溝（１４７）が形成される。レー
ザ光がパッケージの端部に一旦走査されると、現在露出
している第２の層（４４）にレーザ光が再焦点合わせさ
れる。これは、Ｚステージ（６０）を用いてレンズ（３
０）を移動させることにより行われるが、他のいずれか
好適な再焦点合わせ手段と同様に、好適な相対垂直移動
を行うための手段を採用することも可能である。
【００１５】このように、レーザ光学系のリアルタイム
な時間調整が提供される。再焦点合わせ工程に続いて、
切断軌跡に沿ってレーザ光が通過して戻る。この通過中
に第２の層（４４）は、切断経路に沿って除去され、第
２の切り溝（２４７）を形成する。従って、第１および
第２の切り溝（１４７、２４７）によって、経路（４
７）に沿ってパッケージを分離する。
な時間調整が提供される。再焦点合わせ工程に続いて、
切断軌跡に沿ってレーザ光が通過して戻る。この通過中
に第２の層（４４）は、切断経路に沿って除去され、第
２の切り溝（２４７）を形成する。従って、第１および
第２の切り溝（１４７、２４７）によって、経路（４
７）に沿ってパッケージを分離する。
【００１６】本実施例では、パッケージ（４０）の深さ
全体を切断するために２回の通過で十分であるが、より
厚いパッケージには、より多くの通過が必要となる可能
性がある。図１Ｂは、図示の矢印方向（図１Ｂの右から
左）の第２の通過を完了する工程において、第１の通過
を既に行った基板を示している。走査方向は、Ｘ軸もし
くはＹ軸、またはこの２つの組み合わせに沿ってもよ
い。従って、各レーザ走査は、パッケージから１個の材
料層を除去する。この走査に続いて、Ｚステージを用い
て焦点レンズがステップ的に下降され、レーザ光を次の
層上に再度焦点合わせする。従って、焦点は、集積回路
パッケージの作業層上に常に維持される。レンズのステ
ッピング距離は、集積回路パッケージの厚さを走査回数
で割って計算することができる。
全体を切断するために２回の通過で十分であるが、より
厚いパッケージには、より多くの通過が必要となる可能
性がある。図１Ｂは、図示の矢印方向（図１Ｂの右から
左）の第２の通過を完了する工程において、第１の通過
を既に行った基板を示している。走査方向は、Ｘ軸もし
くはＹ軸、またはこの２つの組み合わせに沿ってもよ
い。従って、各レーザ走査は、パッケージから１個の材
料層を除去する。この走査に続いて、Ｚステージを用い
て焦点レンズがステップ的に下降され、レーザ光を次の
層上に再度焦点合わせする。従って、焦点は、集積回路
パッケージの作業層上に常に維持される。レンズのステ
ッピング距離は、集積回路パッケージの厚さを走査回数
で割って計算することができる。
【００１７】他の動作方法として、第１の通過が完了す
ると、レーザ焦点をその最初の位置に移動させることが
挙げられる。この復帰段階において、（例えばシャッタ
を用いて）レーザを停止することも可能である。このよ
うに、パッケージは、復帰段階において冷却する機会が
ある。切断工程の際、ノズル（８０）によって供給され
る圧縮空気を用いて、パッケージ材料を除去することに
よって生成された残渣を一掃し、熱を放散する。空気の
流れの方向は、レーザ入射方向と同一であるのが好まし
い。この残渣除去特性によって、切断溝が残渣を一掃し
て残存し、次の走査段階に備える。
ると、レーザ焦点をその最初の位置に移動させることが
挙げられる。この復帰段階において、（例えばシャッタ
を用いて）レーザを停止することも可能である。このよ
うに、パッケージは、復帰段階において冷却する機会が
ある。切断工程の際、ノズル（８０）によって供給され
る圧縮空気を用いて、パッケージ材料を除去することに
よって生成された残渣を一掃し、熱を放散する。空気の
流れの方向は、レーザ入射方向と同一であるのが好まし
い。この残渣除去特性によって、切断溝が残渣を一掃し
て残存し、次の走査段階に備える。
【００１８】上記工程は、パッケージ（４０）を別個の
集積回路装置にシンギュレートするようにＸおよびＹ方
向に繰り返される。切断速度は、以下の式で表される。
集積回路装置にシンギュレートするようにＸおよびＹ方
向に繰り返される。切断速度は、以下の式で表される。
【００１９】
【数１】
【００２０】Ｖｓ： 切断速度、
Ｐ ： 工程で用いるレーザパワー、
Ｗ ： 切断幅、
Ｈ ： パッケージの厚さ、
ｋ ： レーザ走査速度（ｖ）、レーザ波長（λ）、レ
ーザ光の発散（θ）、空気吹き付け圧力（ｐ）およびレ
ーザ光の焦点合わせ（ｆ）に従属する比例係数。
ーザ光の発散（θ）、空気吹き付け圧力（ｐ）およびレ
ーザ光の焦点合わせ（ｆ）に従属する比例係数。
【００２１】切断速度ＶｓがレーザパワーＰに比例し、
切断幅（Ｗ）およびパッケージの厚さ（Ｈ）に反比例す
ることが分かる。比例係数ｋの値は、装置の構成によっ
て変化する。特に、レーザ波長（λ）は、切断される材
料によって選択することが可能である。例えば、銅の場
合、望ましい波長は紫外線バンド内にあり、金属を切断
する際にはより効率的である。さらに、あまり発熱しな
いで高ピークパワーを提供するものとして、パルスレー
ザ照射が用いられる。空気吹き付け圧力（ｐ）は、残渣
が完全に除去される閾値を有する。焦点合わせ係数
（ｆ）は入射強度を決定し、異なる切断幅には異なるビ
ームサイズが必要となる。
切断幅（Ｗ）およびパッケージの厚さ（Ｈ）に反比例す
ることが分かる。比例係数ｋの値は、装置の構成によっ
て変化する。特に、レーザ波長（λ）は、切断される材
料によって選択することが可能である。例えば、銅の場
合、望ましい波長は紫外線バンド内にあり、金属を切断
する際にはより効率的である。さらに、あまり発熱しな
いで高ピークパワーを提供するものとして、パルスレー
ザ照射が用いられる。空気吹き付け圧力（ｐ）は、残渣
が完全に除去される閾値を有する。焦点合わせ係数
（ｆ）は入射強度を決定し、異なる切断幅には異なるビ
ームサイズが必要となる。
【００２２】図５は、本発明による平坦な切断縁を示
す。図６は、本発明による集積回路パッケージから分離
された複数個の集積回路装置を示す。本発明によれば、
シンギュレーションの速度および切断縁の品質は、機械
的ソーシンギュレーションによって得られるものに匹敵
する。
す。図６は、本発明による集積回路パッケージから分離
された複数個の集積回路装置を示す。本発明によれば、
シンギュレーションの速度および切断縁の品質は、機械
的ソーシンギュレーションによって得られるものに匹敵
する。
【００２３】
【発明の効果】低速単一走査より高速多重走査を用いる
のが好ましい。なぜなら、ビーム・照射時間が短縮され
ることによって、発熱が低減するためである。この特
徴、および上記の他の様々な放熱特性によって、蓄熱が
回避され、過熱による損傷を防止することができる。
のが好ましい。なぜなら、ビーム・照射時間が短縮され
ることによって、発熱が低減するためである。この特
徴、および上記の他の様々な放熱特性によって、蓄熱が
回避され、過熱による損傷を防止することができる。
【図１】 １Ａは本発明による装置の実施の形態を示
し、１Ｂはパッケージを切断するために使用する本発明
の一部拡大図である。
し、１Ｂはパッケージを切断するために使用する本発明
の一部拡大図である。
【図２】 ２Ａは本発明による切断に好適な多数の集積
回路装置を保持する第１の型の未切断パッケージを示
し、２Ｂは２Ａのパッケージから分離した集積回路装置
を示す。
回路装置を保持する第１の型の未切断パッケージを示
し、２Ｂは２Ａのパッケージから分離した集積回路装置
を示す。
【図３】 ３Ａは本発明による切断に好適な集積回路装
置を保持する第２の型の未切断パッケージを示し、３Ｂ
は３Ａのパッケージから分離した集積回路装置を示す。
置を保持する第２の型の未切断パッケージを示し、３Ｂ
は３Ａのパッケージから分離した集積回路装置を示す。
【図４】 レーザ出力パワーと切断速度との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】 集積回路パッケージの切断縁部を示す顕微鏡
写真である。
写真である。
【図６】 本発明による集積回路装置を切断した状態の
集積回路パッケージのサンプルを示す写真である。
集積回路パッケージのサンプルを示す写真である。
１０ Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
１２ レーザビーム
１５ ビームエクスパンダ
２０ 反射鏡
３０ レンズ
４０ パッケージ
４２ 第１の層
４４ 第２の層
４７ 切断軌跡
５０ Ｘ−Ｙステージ
６０ Ｚステージ
７０ コンピュータ
８０ 空気吹き付けノズル
１４７ 第１の切り溝
２４７ 第２の切り溝
フロントページの続き
(72)発明者 アン チェングウ
シンガポール 650113 ブキット バトッ
ク ウエスト アヴェニュー ６ ＃05−
176 ビーエルケイ 113
(72)発明者 ホング ミングハイ
シンガポール 680288 チョア チュー
カング アヴェニュー ３ ＃05−292
ビーエルケイ 288
(72)発明者 ル ヤングフェング
シンガポール 604287 ジュロング イー
スト ストリート 21 ＃08−310 ビー
エルケイ 287ディー
Ｆターム(参考） 4E068 AE00 CA04 CA11 CG01 CJ01
DA10
Claims (16)
- 【請求項１】 ａ） 基板上にレーザ焦点が位置するよ
うに、前記基板上の点にレーザエネルギを焦点合わせす
る工程と、 ｂ） 前記点が前記基板上の第１の経路に沿うように、
前記レーザ焦点と前記基板との間で相対横方向移動を行
う工程であって、前記基板の第１の層が、前記基板の第
２の層を露出するように前記第１の経路に沿って除去さ
れる工程と、 ｃ） 前記レーザ焦点が前記第２の層に位置するよう
に、前記第２の層にレーザエネルギを再焦点合わせする
工程と、 ｄ） 前記点が前記基板上の前記第１の経路に実質的に
沿うように、前記レーザ焦点と前記基板との間で相対横
方向移動を行う工程とを備え、これにより、前記基板の
第２の層が前記第１の経路に沿って除去されることを特
徴とする基板切断方法。 - 【請求項２】 前記工程ｃ）およびｄ）が繰り返され、
前記基板の全ての層が前記第１の経路に沿って除去され
るまで、前記基板のさらに他の層が各繰り返し操作によ
って除去されることを特徴とする請求項１に記載の基板
切断方法。 - 【請求項３】 使用する前記レーザエネルギが、紫外線
から可視域までの波長を有することを特徴とする請求項
１から２のいずれかに記載の基板切断方法。 - 【請求項４】 使用する前記レーザエネルギが、５００
ｎｍを超える波長を有することを特徴とする請求項３に
記載の基板切断方法。 - 【請求項５】 使用する前記レーザエネルギが、５３２
ｎｍの波長を有することを特徴とする請求項４に記載の
基板切断方法。 - 【請求項６】 流体が切断領域に向けて流れることを特
徴とする請求項１から５のいずれかに記載の基板切断方
法。 - 【請求項７】 前記流体が空気であることを特徴とする
請求項６に記載の基板切断方法。 - 【請求項８】 前記基板に複数個の集積回路装置が形成
され、様々な前記集積回路装置をシンギュレートするた
めに使用することを特徴とする請求項１から７のいずれ
かに記載の基板切断方法。 - 【請求項９】 ａ） レーザビーム源と、 ｂ） 基板上にレーザ焦点を配設するように、前記基板
上の特定の点に前記レーザビームを焦点合わせするため
の焦点合わせ手段と、 ｃ） 前記点が前記基板上の第１の経路に沿うように、
前記レーザ焦点と前記基板との間で相対横方向移動を行
うための相対運動発生手段とを備え、前記基板の第１の
層が、前記基板の第２の層を露出するように前記第１の
経路に沿って除去され、 前記第２の層にレーザビームを再焦点合わせするため
に、再焦点合わせ手段が配設され、前記基板の第２の層
を前記経路に沿って除去するように、前記レーザ焦点と
前記基板との相対運動が前記第１の経路に沿って行われ
ることを特徴とする基板切断装置。 - 【請求項１０】 前記焦点合わせ手段がレンズ構造を備
え、前記再焦点合わせ手段が、前記レンズ構造と前記基
板との相対垂直移動を行うための手段を備えることを特
徴とする請求項９に記載の基板切断装置。 - 【請求項１１】 前記レーザビーム波長が、紫外線から
可視域までであることを特徴とする請求項９から１０の
いずれかに記載の基板切断装置。 - 【請求項１２】 前記レーザビーム波長が５００ｎｍを
超えることを特徴とする請求項１１に記載の基板切断装
置。 - 【請求項１３】 前記レーザビーム波長が５３２ｎｍで
あることを特徴とする請求項１２に記載の基板切断装
置。 - 【請求項１４】 流体の流れを切断領域に向けるための
手段を備えることを特徴とする請求項９から１３のいず
れかに記載の基板切断装置。 - 【請求項１５】 前記流体が空気であることを特徴とす
る請求項１４に記載の基板切断装置。 - 【請求項１６】 前記基板に複数個の集積回路装置が形
成され、様々な前記集積回路装置をシンギュレートする
ために使用することを特徴とする請求項９から１５のい
ずれかに記載の基板切断装置。
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