JP2019110272A - 素子チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
に関する。
(1)準備工程
第1主面および第2主面を備える半導体層と、半導体層の第1主面側に形成された配線層と、を備える基板を準備する。
第1主面側からレーザ光を照射して、分割領域に半導体層が露出する開口を形成する。レーザグルービング工程は、分割領域の幅方向Aにおける第1端部に沿って、第1のレーザ光を照射する第1照射工程と、第1端部に対向する第2端部に沿って、第2のレーザ光を照射する第2照射工程と、を備える。第1のレーザ光および第2のレーザ光は、いずれも非対称プロファイルを有する。
本実施形態では、図3に示すように、第1のレーザ光L1の照射領域WL1と第2のレーザ光L2の照射領域WL2との少なくとも一部が、分割領域の中心付近で重複する。この場合にも、第1のレーザ光L1の第2端部T2側のビーム端部強度E12、および、第2のレーザ光L2の第1端部T1側のビーム端部強度E21は十分に小さいため、半導体層の表面の損傷は抑制され得る。
本実施形態では、図5に示すように、照射領域WL1と照射領域WL2とが重複しない。照射領域WL1の幅Wに対する割合は、例えば、30%以上、50%未満であり、照射領域WL2の幅Wに対する割合は、例えば、30%以上、50%未満である。
レーザグルービングに使用するレーザ光は、例えば、図6に示すような光学系を用いて得ることができる。図6の光学系は、レーザ発振器301と、ズームエキスパンダ302と、ベンドミラー304と、DOE305と、集光レンズ306とを備える。レーザ発振器301から出力された全方向においてガウシアン分布を有するレーザ光Lは、コリメート機能を有するズームエキスパンダ302に入射する。ズームエキスパンダ302は、レーザ光Lのビーム径を調整する。
備える複数の素子チップ10xに分割される。個片化工程の終了後、支持部材22に支持された複数の素子チップ10xは、ピックアップ工程に送られる。ピックアップ工程では、複数の素子チップ10xは、それぞれ支持部材22から剥離される。
10x:素子チップ
11:半導体層
11A:第1主面
11B:第2主面
12:回路層
13:樹脂層
20:搬送キャリア
21:フレーム
21a:ノッチ
21b:コーナーカット
22:支持部材
22a:粘着面
22b:非粘着面
200:プラズマ処理装置
203:真空チャンバ
203a:ガス導入口
203b:排気口
208:誘電体部材
209:アンテナ
210A:第1高周波電源
210B:第2高周波電源
211:ステージ
212:プロセスガス源
213:アッシングガス源
214:減圧機構
215:電極層
216:金属層
217:基台
218:外周部
219:ESC電極
220:高周波電極部
221:昇降ロッド
222:支持部
223A、223B:昇降機構
224:カバー
224W:窓部
225:冷媒循環装置
226:直流電源
227:冷媒流路
228:制御装置
229:外周リング
301:レーザ発振器
302:ズームエキスパンダ
304:ベンドミラー
305:DOE
306:集光レンズ
Rx:素子領域
Ry:分割領域
Ro:開口
S:樹脂玉
Claims (5)
- 第1主面および第2主面を備える半導体層と、前記半導体層の前記第1主面側に形成された配線層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域と、を備える基板を準備する工程と、
前記分割領域における前記配線層に、前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に前記半導体層が露出する開口を形成するレーザグルービング工程と、
前記開口に露出する前記半導体層をプラズマにより前記第2主面に達するまでエッチングして、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割する個片化工程と、を備え、
前記レーザグルービング工程は、
前記分割領域の幅方向Aにおける第1端部に沿って、第1のレーザ光を照射する第1照射工程と、前記第1端部に対向する第2端部に沿って、第2のレーザ光を照射する第2照射工程と、を備え、
前記第1のレーザ光の前記幅方向Aにおける照射領域は、前記分割領域の前記幅方向Aにおける長さよりも小さく、
前記第1のレーザ光の前記第1端部における端部強度E11は、前記第2端部側の端部強度E12よりも大きく、
前記第2のレーザ光の前記幅方向Aにおける照射領域は、前記分割領域の前記幅方向Aにおける前記長さよりも小さく、
前記第2のレーザ光の前記第2端部における端部強度E22は、前記第1端部側の端部強度E21よりも大きい、素子チップの製造方法。 - 前記第1のレーザ光の前記幅方向Aにおける強度は、前記第1端部側から前記第2端部側に向かって小さくなる、請求項1に記載の素子チップの製造方法。
- 前記第2のレーザ光の前記幅方向Aにおける強度は、前記第2端部側から前記第1端部側に向かって小さくなる、請求項1または2に記載の素子チップの製造方法。
- 前記第1のレーザ光の前記幅方向Aにおける強度分布と、前記第2のレーザ光の前記幅方向Aにおける強度分布とは、前記分割領域の前記幅方向Aにおける中心線に対して線対称である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
- 前記レーザグルービング工程は、前記分割領域の前記第1端部および前記第2端部以外の領域に第3のレーザ光を照射する第3照射工程をさらに備え、
前記第3のレーザ光の前記幅方向Aにおける照射領域は、前記分割領域の前記幅方向Aにおける前記長さよりも小さく、
前記第3のレーザ光の前記幅方向Aにおける強度分布は、ガウシアン分布またはトップハット分布である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の素子チップの製造方法。
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