JP2012186287A - ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とを含む。
【選択図】図5
Description
一方、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態で、ウエーハの表面側からストリートの内部にレーザー光線を集光させて変質層を形成する方法を実施することにより、上述した問題は回避されるが、レーザー光線の照射領域としてウエーハの厚みに対して20〜30%の幅が必要であり、例えば400μmの厚みを有する微小電気機械システム(MEMS)が形成されたウエーハにおいては、100μm前後のストリート幅が必要となり、ウエーハの設計上の制約が大きく生産性が悪いという問題がある。
なお、ウエーハの表面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着した状態で、ウエーハの裏面側からストリートの内部にレーザー光線を集光させて変質層を形成する方法を採用すれば、上記問題を解消することはできるが、マイクロホーン、加速度センサー、圧力センサー等の微小電気機械システム(MEMS)ならなるデバイスが形成されたウエーハにおいては、デバイスの表面をダイシングテープに貼着すると粘着剤が微小電気機械システム(MEMS)に付着してデバイスが損傷するという問題がある。
ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、
ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持する保持部を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハおよび該ダイシングテープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該集光器とを相対的に移動する移動手段とを具備し、
該チャックテーブルの該保持部は、透明部材によって形成されており、
該レーザー光線照射手段の該集光器は、該チャックテーブルの該ウエーハ保持部の下側から該ウエーハ保持部および該ダイシングテープを通してウエーハにレーザー光線を照射するように構成されている、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
また、本発明によるレーザー加工装置は、環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持する保持部を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハおよびダイシングテープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、チャックテーブルと該集光器とを相対的に移動する移動手段とを具備し、チャックテーブルの保持部は透明部材によって形成されており、レーザー光線照射手段の集光器はチャックテーブルのウエーハ保持部の下側からウエーハ保持部およびダイシングテープを通してウエーハにレーザー光線を照射するように構成されているので、上記ウエーハのレーザー加工方法を実施することができ、上述した作用効果が得られる。
図1に示されたレーザー加工装置1は、静止基台2と、第1の可動基台3と、第2の可動基台4と、第3の可動基台5を具備している。この静止基台2の手前側の側面には、矢印Yで示す方向(Y軸方向)に沿って平行に延びる一対の案内レール21、21が設けられている。
変質層形成工程を実施するには、先ず図4に示すようにレーザー加工装置1のチャックテーブル6上に環状のフレーム11にダイシングテープ12を介して支持されたウエーハ10を載置する。このとき、ウエーハ10をダイシングテープ12を介してウエーハ保持部62上に載置するとともに、環状のフレーム11をチャックテーブル6を構成する環状のフレーム保持部61上に載置し、環状のフレーム11に設けられた2個の係合凹部111a、111bをフレーム保持部61の上面611に立設された2本の位置決めピン613a、613bと係合せしめる。この結果、環状のフレーム11にダイシングテープ12を介して支持されたウエーハ10は、チャックテーブル6の所定の位置に位置付けられたことになる。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル6上に環状のフレーム11およびウエーハ10がダイシングテープ12を介して吸引保持される(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル6上に保持されたウエーハ10は、表面10aが上側となる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
平均出力 :1.2W
繰り返し周波数 :80kHz
パルス幅 :120ns
集光スポット径 :φ2μm
送り速度 :100mm/秒
2:静止基台
3:第1の可動基台
30:第1の移動手段
4:第2の可動基台
40:集光点位置調整手段
5:第3の可動基台
50:第2の移動手段
6:チャックテーブル
60:支持部材
61:環状のフレーム保持部
62:円形状のウエーハ保持部
7:レーザー光線照射手段
72:集光器
8:撮像手段
9:テープ拡張装置
91:フレーム保持手段
92:テープ拡張手段
93:ピックアップコレット
10:ウエーハ
11:環状のフレーム
12:ダイシングテープ
Claims (2)
- 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部に、ストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、
ダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をダイシングテープ側からウエーハの内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。 - 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの内部にストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成するためのレーザー加工装置であって、
環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着されたウエーハを保持するウエーハ保持部を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハおよび該ダイシングテープに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該集光器とを相対的に移動する移動手段とを具備し、
該チャックテーブルの該ウエーハ保持部は、透明部材によって形成されており、
該レーザー光線照射手段の該集光器は、該チャックテーブルの該ウエーハ保持部の下側から該ウエーハ保持部および該ダイシングテープを通してウエーハにレーザー光線を照射するように構成されている、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014165338A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法 |
JP2014229702A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2016040836A (ja) * | 2015-10-22 | 2016-03-24 | 株式会社東京精密 | レーザダイシング装置及び方法 |
JP2018063407A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせ基板の加工方法 |
CN108031987A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-15 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 玻璃切割扩张装置及其方法 |
JP2019004035A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-01-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN112518147A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-03-19 | 山东帝诺亚舸船舶制造有限公司 | 一种用于激光切割机的自动下料机构 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103400779B (zh) * | 2013-07-09 | 2014-09-03 | 程君 | 一种半导体显示面板的制造方法 |
KR20150130835A (ko) * | 2014-05-14 | 2015-11-24 | 주식회사 이오테크닉스 | 금속층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
JP6491017B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2019-03-27 | 株式会社ディスコ | 被加工物の搬送トレー |
JP6649308B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-02-19 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2019125688A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 株式会社ディスコ | 被加工物のレーザー加工方法 |
CN108857241B (zh) * | 2018-09-28 | 2024-03-26 | 湖南合盾工程刀具有限公司 | 一种等离子附熔堆焊刀圈加工用夹具 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53114669A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Toshiba Corp | Cutting method for semiconductor wafer |
JPH03132056A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法 |
JP2002192367A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
US20040214408A1 (en) * | 2001-10-31 | 2004-10-28 | Haruo Wakayama | Method for forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device |
JP2005109045A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング方法 |
JP2007123404A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法 |
JP2010029927A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2011139042A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Lintec Corp | ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
JP2012124468A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びに、ウェーハ処理方法 |
JP2012160659A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法 |
-
2011
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2012
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53114669A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Toshiba Corp | Cutting method for semiconductor wafer |
JPH03132056A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体ウエハのダイシング方法 |
JP2002192367A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
US20040214408A1 (en) * | 2001-10-31 | 2004-10-28 | Haruo Wakayama | Method for forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device |
JP2005109045A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング方法 |
JP2007123404A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法 |
JP2010029927A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2011139042A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Lintec Corp | ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
JP2012124468A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びに、ウェーハ処理方法 |
JP2012160659A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014165338A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工方法 |
JP2014229702A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2016040836A (ja) * | 2015-10-22 | 2016-03-24 | 株式会社東京精密 | レーザダイシング装置及び方法 |
JP2018063407A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせ基板の加工方法 |
JP2019004035A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-01-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN108031987A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-15 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 玻璃切割扩张装置及其方法 |
CN112518147A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-03-19 | 山东帝诺亚舸船舶制造有限公司 | 一种用于激光切割机的自动下料机构 |
CN112518147B (zh) * | 2020-12-25 | 2022-04-22 | 山东帝诺亚舸船舶制造有限公司 | 一种用于激光切割机的自动下料机构 |
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---|---|
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