JP2014146810A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハ2の表面側からストリート22に沿って照射しレーザー加工溝240を形成して膜24をストリートに沿って分断する膜分断工程と、基板の裏面を研削しウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部にストリートに沿って変質層210を形成するとともに、該変質層からウエーハの表面に形成された該レーザー加工溝に達するクラック211を発生させる変質層形成工程と、ウエーハに外力を付与しウエーハをストリートに沿って破断するウエーハ破断工程とを含む。
【選択図】図15
Description
該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し、該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と、
該膜分断工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し、該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成するとともに、該変質層からウエーハの表面に形成された該レーザー加工溝に達するクラックを発生させる変質層形成工程と、
該変質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
第1の実施形態においては、先ずウエーハ2を構成する基板21の表面21aに被覆された高分子化合物膜24に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート22に沿って高分子化合物膜24に照射してレーザー加工溝を形成し、高分子化合物膜24をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する。この膜分断工程は、図3に示すレーザー加工装置3を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り機構によって図3において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り機構によって図3において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
膜分断工程は、先ず上述した図3に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上にウエーハ2の裏面21b側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ2をチャックテーブル31上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル31に保持されたウエーハ2は、表面21aが上側となる。
レーザー光線の光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :355nm
平均出力 :1W
パルス幅 :40ns
繰り返し周波数 :50kHz
集光スポット径 :φ5μm
加工送り速度 :100mm/秒
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4レーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
平均出力 :1W
パルス幅 :40ns
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
第2の実施形態においても、先ず高分子化合物膜24に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート22に沿って高分子化合物膜24に照射してレーザー加工溝を形成し、高分子化合物膜24をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する。この膜分断工程は、上記第1の実施形態における膜分断工程と同様に実施する。
21:基板
210:変質層
211:クラック
22:ストリート
23:デバイス
24:高分子化合物膜
240:レーザー加工溝
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
4:保護テープ
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削砥石
53:研削手段
6:テープ拡張装置
61:フレーム保持手段
62:テープ拡張手段
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (2)
- 基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを、該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し、該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と、
該膜分断工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し、ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施されたウエーハの該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し、該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成するとともに、該変質層からウエーハの表面に形成された該レーザー加工溝に達するクラックを発生させる変質層形成工程と、
該変質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該ウエーハ破断工程は、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与する、請求項1記載のウエーハの分割方法。
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