JP2005074485A - レーザ加工装置、加工マスク、レーザ加工方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 加工対象物20の一端から一端に対向する他端に向かう走査方向に加工対象物20を移動する移動機構9と、レーザ光を、レーザ光の光軸方向に直交する面で走査方向に対して非対称な形状の加工レーザ光に変換する光形状変換部4と、光形状変換部4より出射された加工レーザ光を加工対象物20に照射する照射光学系6とを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の実施の形態に係るレーザ加工装置は、図1に示すように、保持機構8上に配置された加工対象物20の一端から対向する他端に向かう走査方向に加工対象物20を移動する移動機構9と、加工用光源2からのレーザ光の光軸方向に直交する面で移動機構9の走査方向に対応する方向に対して非対称な形状の開口部を有する加工マスクが設置され、非対称な形状に変換されたレーザ光を出力する光学系を含む光形状変換部4と、光形状変換部4からハーフミラー5を介して入射したレーザ光を透明窓7より加工対象物20に照射する照射光学系6とを備えている。移動機構9は、架台10に設置されている。
本発明の第2の実施の形態に係る加工マスク21fは、図11に示すように、遮光部22に対向する2つのスリット27e、27fを有する改質加工部29と、矩形状の領域加工部26fとの開口部を有している。スリット27e及び27fの長手方向は走査方向に沿い、領域加工部26fに対して走査方向の前方部に対向して配置されている。スリット27e、27fは走査方向に直交する方向の領域加工部26fの幅より外側で、領域加工部26fを通過するレーザ光によるアブレーションで発生する層間絶縁膜のクラック及びストレス部に相当する位置に配置される。
本発明の第3の実施の形態では、図1のレーザ加工装置を用いて、層間絶縁膜だけでなく、Si等の半導体基板(加工対象物)20のダイシング加工を行う。第1及び第2の実施の形態では、レーザ加工方法で上層の層間絶縁膜を除去した後、ブレードを用いて半導体基板20のダイシングを行い半導体装置をチップに分離する方式が可能である。しかし、ブレードを用いて半導体基板20のダイシングを行うと、半導体基板20に損傷やクラックが生成する。半導体基板20の損傷やクラックは、半導体装置のチップ強度の低下をもたらす。したがって、チップの薄型化に伴い、損傷やクラックの生成のない加工技術が望まれる。
本発明の第4の実施の形態に係るレーザ加工方法では、半導体基板20が第3の実施の形態で加工した厚さより厚い場合について説明する。100μmより厚い半導体基板20を第3の実施の形態と同様の照射フルエンスで加工する場合、走査速度と溝加工部の長さを、加工する溝深さに合わせて調整しても、実現できる加工溝に深さには限界がある。例えば、半導体基板20の厚さを600μmとする。加工マスクは図18のものと溝加工部の長さ以外は同様とする。第3の実施の形態の結果から、溝加工部の長さを1800μmと3倍とし、走査速度を25mm/sと半分にする。上記した照射条件は、第3の実施の形態の場合の6倍のレーザ光照射量であり、600μm厚さのレーザ加工には十分なレーザ光照射量である。しかし、図23に示すように、ダイシング溝39は約200μmの深さで、半導体基板20の裏面までは達しない。図1のレーザ加工装置の焦点深度は実測値で200μmであり、加工限界深さは焦点深度により制限されている。したがって、加工マスク21mでダイシング溝が加工できるのは、厚さが200μm以下の半導体基板20である。第4の実施の形態では、レーザ加工装置の焦点深度より厚い半導体基板20にダイシング溝を形成する加工マスク及びレーザ加工方法について説明する。
本発明の第4の実施の形態の変形例では、第3の実施の形態で説明した加工マスク21mを用いて、レーザ加工装置の焦点深度より厚い半導体基板20にダイシング溝を形成する照射光学系6及びレーザ加工方法を説明する。
本発明の第5の実施の形態では、半導体発光素子が形成されたGaP、GaN等の半導体基板やサファイア基板にダイシング溝を形成するレーザ加工について説明する。加工領域に水等の液体13を供給しつつレーザ加工を行う液体中レーザ加工方法、あるいは、1ps以下のパルス幅のレーザ照射により加工する超短パルスレーザ加工方法では、加工対象物20に損傷やクラックを生成すること無く加工することが可能である。
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかとなろう。
3 加工制御系
4 光形状変換部
5、15 ハーフミラー
6 照射光学系
7 透明窓
8 保持機構
9 移動機構
10 架台
11 液体供給装置
12 ノズル
13 液体
14 観察用光源
16 補正光学系
17 観察系
20 加工対象物(半導体基板)
21、21a〜21o 加工マスク
22 遮光部
22a 垂直遮光部
22b 傾斜遮光部
23、23a スリット部
24、24a、28 中間透光部
25、25a〜25c 領域透光部
26、26a〜26h 領域加工部
27a〜27f スリット
29 改質加工部
30 減光部材
32、32a、32b 溝加工レーザ部
32c 第1の溝加工レーザ部
32d 第2の溝加工レーザ部
32e 第3の溝加工レーザ部
33 細溝加工レーザ部
34 改質加工レーザ部
34a 第1の減光レーザ部
34b 第2の減光レーザ部
35、35a〜35d 領域加工レーザ部
36、36a〜36e 加工レーザ光
37 細ダイシング領域
38、38a〜38c ダイシング領域
39、39a、39b、59 ダイシング溝
41 第1の絶縁膜
42 第2の絶縁膜
43 第3の絶縁膜
44 第1の拡散防止膜
44a 第1の改質拡散防止膜
45 第2の拡散防止膜
45a 第2の改質拡散防止膜
46、46a 絶縁膜
50 ダイシングテープ
51 第1のクラック
52 第2のクラック
56a 第1の透光部
56b 第2の透光部
56c 第3の透光部
59a 第1のダイシング溝
59b 第2のダイシング溝
59c 第3のダイシング溝
60 対物レンズ
66、66a、66b 溝加工部
70、70a、70b 半導体チップ
Claims (25)
- 加工対象物の一端から前記一端に対向する他端に向かう走査方向に前記加工対象物を移動する移動機構と、
レーザ光を、前記レーザ光の光軸方向に直交する面で前記走査方向に対して非対称な形状の加工レーザ光に変換する光形状変換部と、
前記光形状変換部より出射された前記加工レーザ光を前記加工対象物に照射する照射光学系
とを備えることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記光形状変換部が、前記加工レーザ光の一部を減光する減光部材を有することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
- 前記光形状変換部が前記光軸方向に対して傾斜した加工マスクを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ加工装置。
- 前記照射光学系が、前記走査方向に対して焦点位置が傾斜した対物レンズを有することを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ加工装置。
- 前記加工対象物の加工表面に液体を供給する液体供給装置を更に備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- 加工対象物に対してレーザ光を、前記レーザ光の光軸方向に直交する面で走査させて前記加工対象物を加工するレーザ加工における前記レーザ光の形状を変換する加工マスクであって、
垂直遮光部及び前記垂直遮光部に対して傾斜した傾斜遮光部を有する遮光部と、
前記垂直遮光部に開口されて配置された第1の加工部と、
前記第1の加工部に接続して一方向に延在するように、前記傾斜遮光部に開口されて配置された第2の加工部
とを備えることを特徴とする加工マスク。 - 前記第1の加工部が、前記一方向に対して非対称な形状を有することを特徴とする請求項6に記載の加工マスク。
- 光源から出力されたレーザ光を一方向に対して非対称な形状に変換した加工レーザ光を加工対象物に投影する工程と、
前記加工対象物の表面で前記一方向に対応する走査方向に前記加工レーザ光を前記加工対象物に対して走査させる工程
とを含むことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記加工対象物は半導体基板であり、投影結像位置が前記走査方向に沿って前記半導体基板の表面から裏面へと傾斜している前記加工レーザ光により、ダイシング溝が前記半導体基板に形成されることを特徴とする請求項8に記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物は半導体基板であり、前記走査方向の前方部の矩形状の第1の溝加工レーザ部と、前記第1の溝加工レーザ部の前記走査方向に直交する辺の両端から前記走査方向に延在する台形状の第2の溝加工レーザ部と、前記第2の溝加工レーザ部の台形の後端部と同一幅で前記走査方向に延在する矩形状の第3の溝加工レーザ部とを有する加工レーザ光により、ダイシング溝が前記半導体基板に形成されることを特徴とする請求項8又は9に記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物は表面に絶縁膜が堆積された半導体基板であり、前記加工レーザ光は前記走査方向の前方部及び後方部に、前記絶縁膜を除去してダイシング領域を形成する領域加工レーザ部と前記半導体基板にダイシング溝を形成する溝加工レーザ部とを含むことを特徴とする請求項8に記載のレーザ加工方法。
- 半導体基板の表面に絶縁膜を堆積する工程と、
光源から出力されたレーザ光を一方向に対して非対称な形状に変換した加工レーザ光を前記半導体基板に投影する工程と、
前記半導体基板の表面で前記一方向に対応する走査方向に前記加工レーザ光を前記半導体基板に対して走査させ、前記絶縁膜を除去して前記走査方向にダイシング領域を形成する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、配線を有する複数の層間絶縁膜であり、前記複数の層間絶縁膜の間に前記配線に含まれる金属の拡散を防止する拡散防止膜を有することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜が、低誘電率絶縁膜であることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記拡散防止膜が、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、及びシリコンカーバイドナイトライドのいずれかであることを特徴とする請求項13又は14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を除去する前記加工レーザ光は、前記走査方向の前方部及び後方部に前記ダイシング領域より細い幅の細ダイシング領域を形成する細溝加工レーザ部及び前記細溝加工レーザ部で形成される前記細ダイシング領域を拡げて前記ダイシング領域を形成する領域加工レーザ部を含むことを特徴とする請求項12〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を除去する前記加工レーザ光は、前記ダイシング領域を形成する領域レーザ加工部、及び前記領域加工レーザ部に対して前記走査方向の前方部に前記走査方向に直交する方向で前記ダイシング領域の外側の前記拡散防止膜を改質する改質加工レーザ部を含むことを特徴とする請求項12〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記改質加工レーザ部は、前記領域加工レーザ部に比べ減光されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記加工レーザ光は、前記走査方向に沿って前記領域加工レーザ部の後方に延在する溝加工レーザ部を更に含み、前記溝加工レーザ部により前記半導体基板における前記ダイシング領域内の一部にダイシング溝を加工する工程を更に含むことを特徴とする請求項16又は17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダイシング溝が、パルス幅が1ピコ秒以下の加工レーザ光により形成されることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記加工レーザ光が投影される前記半導体基板表面に液体が供給されることを特徴とする請求項12〜19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板表面に堆積された複数の層間絶縁膜と、
前記複数の層間絶縁膜の間に堆積され、チップ周縁近傍で改質された領域を有する拡散防止膜
とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記拡散防止膜が、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、及びシリコンカーバイドナイトライドのいずれかであることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置。
- 前記改質された領域がアモルファスシリコン及びアモルファスカーボンの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項22又は23に記載の半導体装置。
- 前記層間絶縁膜が低誘電率絶縁膜であることを特徴とする請求項22〜24のいずれか1項に記載の半導体装置。
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