JP2016076524A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエーハ11に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置づけてウエーハの裏面から改質層を形成し、ウエーハに外力を付与して改質層を分割起点に分割するとき、改質層形成においてウエーハに照射されるパルスレーザービームの中心から加工送り方向下流側外周に至る部分にパルスレーザービームの一部77を欠落させてパルスレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置づける。
【選択図】図6
Description
波長 :1342nm
平均出力 :0.5W
繰り返し周波数 :100kHz
スポット径 :φ2.5μm
送り速度 :300mm/s
11 シリコンウエーハ
13a 第1の分割予定ライン
13b 第2の分割予定ライン
15 デバイス
19 改質層
21 デバイスチップ
23 クラック
28 チャックテーブル
34 レーザービーム照射ユニット
35 レーザービーム発生ユニット
37 集光器
39 撮像ユニット
62 レーザー発振器
64 繰り返し周波数設定手段
70 マスク
70a 遮光部分
70b 透明部分
74 集光レンズ
75 ビーム断面積
75a パワーの強い部分
75b パワーの弱い部分
75b´ パワーの弱い漏れ光
80 分割装置
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
Claims (1)
- 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームを照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザービーム照射手段と、該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を備えたレーザー加工装置によって表面に複数のデバイスが複数の分割予定ラインによって区画されて形成されたシリコンからなるウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置づけてウエーハの裏面から該分割予定ラインに対応する領域にパルスレーザービームを照射するとともに該保持手段と該レーザービーム照射手段とを相対的に加工送りして、ウエーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップ実施後、ウエーハに外力を付与して該改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備え、
該改質層形成ステップにおいて、ウエーハに照射されるパルスレーザービームの中心から加工送り方向下流側外周に至る部分にパルスレーザービームの一部を欠落させて、パルスレーザービームの集光点をウエーハの内部に位置づけることを特徴とするウエーハの加工方法。
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