JP2008071870A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低誘電率絶縁膜を含む積層膜をレーザ加工するにあたって、積層膜内部からの膜剥がれを抑制し、半導体素子の製造歩留りや品質の向上を図る。
【解決手段】低誘電率絶縁膜を含む積層膜を有する複数の素子領域と、これら素子領域間を区画するように設けられたダイシング領域とを備える半導体ウェーハを、ダイシング領域に沿って切断して半導体素子を製造する。ピークエネルギーY(W)と単位照射長さあたりの照射時間X(ns/μm)とがY≦53.3Ln(X)+576の条件を満足するレーザ光をダイシング領域に沿って照射して積層膜を切断する。
【選択図】図7
【解決手段】低誘電率絶縁膜を含む積層膜を有する複数の素子領域と、これら素子領域間を区画するように設けられたダイシング領域とを備える半導体ウェーハを、ダイシング領域に沿って切断して半導体素子を製造する。ピークエネルギーY(W)と単位照射長さあたりの照射時間X(ns/μm)とがY≦53.3Ln(X)+576の条件を満足するレーザ光をダイシング領域に沿って照射して積層膜を切断する。
【選択図】図7
Description
本発明は半導体素子の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程は、半導体ウェーハを格子状のダイシングラインで複数の素子領域に区画し、これら各素子領域に集積回路を形成する工程と、半導体ウェーハをダイシングラインに沿って切断し、各素子領域を半導体素子(半導体チップ)として個片化する工程と、これら半導体素子を個々にパッケージングする工程とに大別される。半導体ウェーハの切断工程には、一般的にダイヤモンドブレード等を用いて半導体ウェーハを機械的に切削して切断するブレードダイシングが適用されている。
近年、半導体素子のファインピッチ化や高速化に対応するために、配線の低抵抗化を実現するCu配線と配線間容量を低減する低誘電率の絶縁膜(Low−k膜)の適用が進められている。低誘電率絶縁膜の構成材料としては、例えばフッ素がドープされた酸化ケイ素(SiOF)、炭素がドープされた酸化ケイ素(SiOC)、有機シリカ、これらの多孔質体等が使用されている。このようなLow−k膜を層間絶縁膜として用いた半導体ウェーハをブレードダイシングで切断した場合、Low−k膜の脆さや密着力の低さ等に起因して、膜剥がれやクラック等が生じやすいという問題がある。
そこで、Low−k膜を有する半導体ウェーハのブレードダイシングに先立って、各素子領域を区画するダイシングラインに沿ってレーザ光を照射し、Low−k膜を切断したり、またLow−k膜だけでなく半導体ウェーハもレーザ光で切断することが提案されている(例えば特許文献1,2参照)。レーザ光を用いたダイシングはLow−k膜の切断に対して有効であるものの、半導体ウェーハ上にはLow−k膜に加えて、SiOx膜、SiNx膜等を含む積層膜(多層膜)が形成されているため、各膜のレーザ光による加工度合いの差に基づく膜剥がれが問題となっている。
すなわち、Low−k膜、SiOx膜、SiNx膜等を含む積層膜をレーザ光で加工する場合、各膜の光の吸収率が異なることから、レーザ光による加工に差が生じる。例えば、各膜の単層膜に同一条件のレーザ光を照射して加工しても、レーザ光に沿ってライン状に加工される膜と部分的に加工が進む膜とがある。このような複数種の膜を有する積層膜にレーザ光を照射してダイシング加工を行う場合、例えば上層側に加工されにくい膜が配置されていると、積層膜内部の加工されやすい膜がレーザ光で先に昇華反応(アブレーション)を起こし、内部爆発により上層側の膜を剥がれさせる結果となる。
上記したように、積層膜をレーザダイシングする場合には、上層側の膜が加工される前に積層膜内部の膜がアブレーションを起こし、内部で上昇した蒸気圧で上層側の膜を破壊しつつ膜加工が進展していると考えられる。このような過程を経るレーザダイシングでは、膜自体の強度や界面の密着強度によっては膜剥がれが層間内部まで進展する結果となる。Low−k膜は上述したように膜強度や密着強度が低いため、積層膜の膜毎の光学特性の違いに基づく積層膜内部からの膜剥がれを生じさせる原因となる。
特開2005-074485号公報
特開2005-252196号公報
本発明の目的は、レーザ加工時の積層膜内部からの膜剥がれを抑制し、製造歩留りや素子品質の向上を図ることを可能にした半導体素子の製造方法を提供することにある。
本発明の一態様に係る半導体素子の製造方法は、低誘電率絶縁膜を含む積層膜を有する複数の素子領域と、前記複数の素子領域間を区画するように設けられたダイシング領域とを備える半導体ウェーハを、前記ダイシング領域に沿って切断して半導体素子を製造する方法において、前記ダイシング領域に沿って、レーザ光のピークエネルギーY(W)と単位照射長さあたりの照射時間X(ns/μm)とが、
Y≦53.3Ln(X)+576
の式を満足する条件下でレーザ光を照射し、少なくとも前記低誘電率絶縁膜を切断する工程を具備することを特徴としている。
Y≦53.3Ln(X)+576
の式を満足する条件下でレーザ光を照射し、少なくとも前記低誘電率絶縁膜を切断する工程を具備することを特徴としている。
本発明の態様に係る半導体素子の製造方法によれば、レーザ光のピークエネルギーYと単位照射長さあたりの照射時間Xとの関係に基づいて積層膜内部からの膜剥がれを抑制したレーザ加工を実現することができる。これによって、低誘電率絶縁膜を含む積層膜を有する半導体素子の製造歩留りや品質等を向上させることが可能となる。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、それらの図面は図解のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に限定されるものではない。
本発明の第1の実施形態による半導体素子の製造工程について、図1ないし図3を参照して説明する。図1は半導体ウェーハの構成を模式的に示す平面図、図2(a)、(b)は図1に示す半導体ウェーハの要部(四角で囲んだ領域Z)を拡大して示す平面図および断面図、図3は図1に示す半導体ウェーハの表面側に形成される積層膜の一例を示す断面図である。図1および図2に示す半導体ウェーハ1は、複数の素子領域2、2…と、これら素子領域2間を区画するように格子状に設けられたダイシング領域(ダイシングライン)3、3…とを具備している。なお、図1における符号4はリングフレームである。
素子領域2はチップリング5で囲われており、このチップリング5内にトランジスタ等の素子構造体、各種回路や配線等が形成されて半導体素子を構成している。素子領域2は図2および図3に示すように、Si基板6等の半導体基板の表面側に形成された積層膜7を有している。積層膜7は多層配線膜や保護膜等を構成するものであり、多層配線膜の層間絶縁膜等として低誘電率絶縁膜(Low−k膜)を有している。ダイシング領域3も断面構造的には素子領域2と同様であり、Si基板6と積層膜7とを有している。
積層膜7は例えば図3に示すように、Si基板6上に順に形成されたローカル層8、中間層9、セミグローバル層10、グローバル層11、パッシベーション層12を有している。中間層9は低誘電率絶縁膜13、TEOS膜等のSiOx膜14、SiCN膜15を4層構造とした膜構造を有している。中間層9は図示を省略したCu配線を有しており、低誘電率絶縁膜13はCu配線の層間絶縁膜として機能するものである。ローカル層8、セミグローバル層10、グローバル層11、パッシベーション層12は、TEOS膜等のSiOx膜14、フッ素ドープシリカガラス(FSG)膜16、ノンドープシリカガラス(NSG)膜17、SiNx膜18、SiH4を用いたSi膜19等で構成されている。
低誘電率絶縁膜13には、例えば誘電率のk値が3.3以下の低誘電率材料が用いられる。低誘電率絶縁膜13としては、フッ素がドープされた酸化ケイ素膜(SiOF膜)、炭素がドープされた酸化ケイ素膜(SiOC膜)、有機シリカ(organic-silica)膜、HSQ(hydrogen silsesquioxane)膜、MSQ膜(methyl silsesquioxane膜)、BCB(benzocyclobutene)膜、PAE(polyarylether)膜、PTFE(polytetrafluoroethylene)膜、さらにはこれらの多孔質膜等が例示される。このような低誘電率絶縁膜13はそれら同士や他の材料に対する密着強度が低い。
上述したような積層膜7を有する半導体ウェーハ1をダイシング加工するにあたっては、まずダイシング領域3の積層膜7にレーザ光を照射し、積層膜7の一部を除去加工して溝(レーザ加工溝)20を形成する。レーザ加工溝20は少なくとも低誘電率絶縁膜13を切断するように形成される。具体的には、素子領域(アクティブエリア)2の外側に相当する部分(ダイシング領域3)に対してチップリング5の外周に沿ってレーザ光を照射し、積層膜7を切断するレーザ加工溝20を形成する。レーザ加工溝20は各素子領域2の外周全体を囲うように形成される。
レーザ加工溝20はSi基板6が露出する深さ、例えば1μm以上の深さまで加工することが好ましい。すなわち、レーザ加工溝20は底面がSi基板6で構成されていることが好ましい。これによって、レーザ加工溝20で積層膜7をより完全に切断することができる。このようなレーザ加工溝20を再現性よく形成する上で、レーザ光はSi基板6の一部まで加工するように照射することが好ましい。また、レーザ加工溝20の幅はSi基板6上で3μm以上とすることが好ましい。レーザ加工溝20の幅が狭すぎると、低誘電率絶縁膜13を含む積層膜7の切断状態が不完全になるおそれがある。
この実施形態で使用したレーザ装置の加工部位の構成を図4に示す。レーザ発振器21はQスイッチによるパルス発振器(発振周波数:50〜200kHz,パルス幅:10〜400ns)であり、355nmの波長を使用した。これは波長による光学的加工性と加工に必要なパワーレベルと発振器としての量産実績等を考慮して選定している。レーザ発振器21より照射されたレーザ光22は数枚の屈折ミラー23を通り、加工点近傍にてアッテネータ24で加工に必要なパワーに制御され、最後に集光レンズ25で集光されて半導体ウェーハ1に照射される。集光レンズ25で集光されたレーザビーム26の加工径は加工部位の最上層で加工幅5〜30μm程度である。
上述したレーザ加工溝20の形成工程(レーザダイシング工程)において、レーザ加工時の膜剥がれ、特に積層膜7の内部からの膜剥がれを防止のためにはレーザ光の照射条件を最適化することが重要となる。ここで、レーザ加工におけるプロセスパラメータを考えた場合、レーザ光が加工物に与えるパルスエネルギーを分解すると、ピークパワー(w)と照射時間であるパルス幅(ns)に分割される。積層膜7にレーザ光を照射して加工するにあたっては、これら2つの加工パラメータが重要となる。
レーザ光のパルスエネルギーが同一の場合、パルス幅が短いものはピークパワーが高くなる。これは短時間に高いパワーでエネルギーを与えることによって、アブレーションによる加工が促進されることを意味する。逆に、パルス幅が長いものは時間をかけて低いパワーでエネルギーを与えることによって、熱による加工が行われることを意味する。従来のレーザ加工は主としてアブレーションにより行われている。前述したように、積層膜7の上層側にレーザ光で加工されにくい膜が配置されていると、内部の加工されやすい膜がレーザ光で先にアブレーションを起こし、内部爆発により上層側の膜を剥がれさせる結果となる。内部爆発に基づいて膜加工が進展する場合、低誘電率絶縁膜13のような膜強度や密着強度が低い膜が存在していると積層膜7の内部から膜剥がれが生じやすくなる。
図5および図6は積層膜7を構成する各膜の単層膜としての加工性を示している。ここでは、積層膜7を構成する各膜に同一のレーザ加工条件(パルスエネルギー:6μJ、パルス幅:355ns、1.0μm/Pulse)でレーザ光を照射した。図5AはSiNx膜の加工状態、図5BはPAr系低誘電率絶縁膜(SiLK)の加工状態、図5CはSiOC系低誘電率絶縁膜(BD)の加工状態、図6AはTEOS膜の加工状態、図6BはFSG膜の加工状態を示している。これらの図から明らかなように、同一のレーザ加工条件で加工しているにもかかわらず、レーザ光に沿ってライン状に加工される膜と部分的に加工が進む膜とがある。部分的に加工される膜では下地のSi基板も加工されることが分かった。
図3に示した積層膜7において、低誘電率絶縁膜13やSiNx膜18はレーザ光で加工されやすいのに対して、TEOS膜14やFSG膜16等のSiOx系膜はレーザ光で加工されにくい膜である。Si基板6上に形成される積層膜7は、一般的にパッシベーション層12等として上層側にSiOx系膜(TEOS膜14やFSG膜16等)が存在している。このため、積層膜7の内部の膜が先にアブレーションを起こしやすい条件下でレーザ光を照射すると、上述したように膜強度や密着強度が低い低誘電率絶縁膜13に起因して積層膜7の内部から膜剥がれが生じやすくなる。
そこで、この実施形態ではレーザ光のピークエネルギーYと単位照射長さあたりの照射時間Xとに基づいて、積層膜7の内部の膜が先にアブレーションを起こしにくい条件下でレーザ光を照射している。具体的には、レーザ光のピークエネルギーY(W)と単位照射長さあたりの照射時間X(ns/μm)とが、下記の(1)式を満足する条件下でレーザ光を照射して、積層膜7の一部を除去加工してレーザ加工溝20を形成する。
Y≦53.3Ln(X)+576 …(1)
Y≦53.3Ln(X)+576 …(1)
図7にレーザ光による加工条件の事例を示す。横軸はレーザ光の単位長さ当たりの照射時間X(ns/μm)、縦軸はレーザ光の1パルスあたりのピークエネルギー(ピークパワー)Y(W)である。レーザ光のピークパワーYの値が[53.3Ln(X)+576]のライン(上部ライン)より上側の領域に達すると、照射時間Xに対するピークパワーYが大きくなりすぎて、積層膜7の内部の膜が先にアブレーションを起こしやすくなる。このため、内部爆発が生じて積層膜7の内部から膜剥がれが発生しやすくなる。
例えば、点Aの条件(ピークパワーY:1000W,照射時間X:4ns/μm)で加工した場合の結果を図8に示す。加工ライン近傍に膜内部からの剥れが加工ラインに沿って発生し、局部的に上層の膜が大きく剥れていることが分かる。このときの積層膜7の内部の状態を図9に示す。積層膜7の膜剥がれが層間内部まで進展していることが分かる。レーザ光の照射条件を図7の上部ラインより上側の領域に設定した場合には、いずれも点Aの条件と同様に、膜内部からの剥れが加工ラインに沿って発生し、局部的に上層の膜が大きく剥れる結果となった。
これに対して、点Bの条件(ピークパワーY:700W,照射時間X:30ns/μm)で加工した場合の結果を図10に、また点Cの条件(ピークパワーY:55W,照射時間X:190ns/μm)で加工した場合の結果を図11に示す。図10および図11では図8に示したような加工ラインに沿った膜内部からの剥れは生じておらず、良好にレーザ加工が行われていることが分かる。これはピークパワーYを下げて照射時間Xを長くしているため、主として熱による加工が生じているためである。これによって、積層膜7の内部の膜が先にアブレーションすることに起因する内部爆発が抑制されるため、積層膜7全体を良好にレーザ加工することが可能となる。
レーザ光の照射条件は、積層膜7の内部でのアブレーションに基づく膜剥がれを抑制するために(1)式の条件を満足させる。ただし、(1)式の条件内でレーザ光のピークパワーYを下げた際に、照射時間Xが短すぎると熱による加工が十分に進展しないため、積層膜7の加工効率が低下する。具体的には、レーザ光による加工がSi基板6まで到達せず、積層膜7の切断が不十分になるおそれがある。このため、レーザ光は(1)式の条件に加えて、下記の(2)式を満足する条件下で照射することが好ましい。
Y≧-60.3Ln(X)+352 …(2)
Y≧-60.3Ln(X)+352 …(2)
すなわち、レーザ光の照射条件を図7の上部ラインと[-60.3Ln(X)+352]のライン(下部ライン)とに挟まれた領域内に設定することによって、積層膜7の内部でのアブレーションに基づく膜剥がれを抑制した上で、レーザ光を照射して形成した加工溝20をSi基板6まで確実に到達させ、積層膜7をより再現性よく切断することが可能となる。上述した点Cの条件は図7の上部ラインと下部ラインとに挟まれた領域内にレーザ光のピークパワーYと照射時間Xを設定したものである。
一方、点Dの条件(ピークパワーY:55W,照射時間X:95ns/μm)のように、ピークパワーYの低下に対する照射時間Xの増加が不十分の場合には、加工ラインは滑らかであったものの、レーザ加工溝20がSi基板6まで到達せず、積層膜7の切断状態が不十分であることが確認された。これではブレードダイシング前に低誘電率絶縁膜13を含む積層膜7をレーザ加工溝20で切断して膜剥がれやクラック等を抑制するという効果を十分に得ることができない。従って、レーザ光の照射条件は図7の上部ラインと下部ラインとに挟まれた領域内に設定することが好ましいことが分かる。
さらに、図10と図11を比較したとき、図10では最上層膜の加工ラインに若干の凹凸が見られる。これはピークパワーYが比較的高いために、内部でのアブレーションが多少生じているためと考えられる。図7において、ピークパワーYが比較的高い条件を選択した場合には、点Bと同様な結果となった。これに対して、ピークパワーYをさらに下げて照射時間Xを長くした点Cの条件によれば、図11から明らかなように、より滑らかなライン加工とすることができる。図7において、ピークパワーYが比較的低い条件を選択した場合には、点Cと同様な結果となった。
このような点から、レーザ光のピークパワーYは実用的には20〜400Wの範囲とすることが好ましい。レーザ光のピークパワーYを400W以下とすることによって、熱による加工が起こりやすくなるため、加工ラインをより滑らかにすることができる。ただし、レーザ光のピークパワーYが20W未満になると加工効率が低下し、照射時間Xを長くしても十分に積層膜7を加工できないおそれがある。また後述するように、ピークパワーYの低下に合せて照射時間Xを長くしすぎると、熱による膜の溶融と発泡が生じやすくなり、これにより積層膜7の品質や信頼性の低下を招くことになる。
また、レーザ光の照射時間Xに関しては、実用的には2〜400ns/μmの範囲とすることが好ましい。レーザ光の照射時間Xが2ns/μm未満であると、積層膜7の加工効率を高めるためにピークパワーYを上げる必要が生じ、これにより膜内部でのアブレーションが起こりやすくなる。さらに、図11に示したような滑らかなライン加工を得るためには、レーザ光の照射時間Xは20ns/μm以上とすることが好ましい。一方、レーザ光の照射時間Xが400ns/μmを超えると、熱による膜の溶融と発泡が生じやすくなる。
図12に点Eの条件(ピークパワーY:55W,照射時間X:500ns/μm)で加工した場合の積層膜7の内部状態を示す。図12から明らかなように、積層膜7の内部に熱による膜の溶融と発泡が見られ、また膜界面に剥れが進展していることが分かる。このように、加工時の熱影響が大きくなりすぎると膜剥れや膜へのダメージが生じやすくなる。このため、レーザ光の照射時間Xは400ns/μm以下とすることが好ましい。なお、点Cの条件でレーザ加工した際のSi基板6への熱影響をTEMで観察した結果を図13に示す。Si基板6への熱影響は僅かに4μm程度であることが分かる。
さらに、図13に個々の膜に対するレーザエネルギーと加工幅との関係を示す。横軸はパルスエネルギー(μJ)、縦軸はレーザによる加工幅である。膜によって加工幅の変化に差が見られる。これは膜固有の光学特性の違いや加工時に発生する熱による加工性から生じると考えられる。低いパルスエネルギーと高いパルスエネルギーとでほとんど変化のないSiNx膜やPAr系低誘電率絶縁膜(SiLK)等はレーザ加工性が高いと言える。一方、TEOS膜、FSG膜等のSiOx膜はパルスエネルギーにより加工幅が変化しており、レーザ加工性が劣っている。この結果から種々の膜を良好に加工する上で、レーザ光のパルスエネルギーは3μJ以上とすることが好ましいことが分かる。
上述したように、レーザ光のピークエネルギーYと単位照射長さあたりの照射時間Xとを、図7の[53.3Ln(X)+576]の上部ラインと[-60.3Ln(X)+352]の下部ラインに挟まれた領域内の条件に設定し、このようなレーザ光をダイシング領域3に沿って照射することによって、積層膜7の内部からの膜剥がれ等を抑制しつつ、積層膜7を再現性よくかつ効率的に切断することができる。従って、低誘電率絶縁膜13を含む積層膜7の切断工程の歩留りを高めることができると共に、積層膜7の切断工程に起因する半導体素子の品質や信頼性の低下等を抑制することが可能となる。
この後、ブレードを用いてダイシング領域3に沿って半導体ウェーハ1を切断する。具体的には、レーザ加工溝20のさらに外側の領域に相当する部分(ダイシング領域3の中央部)をダイヤモンドブレード等で切断し、各素子領域2をそれぞれ個片化して半導体素子を作製する。図中21はブレードによる切断部を示している。ブレード加工は、ブレードによるSi基板6からのチッピングを抑制するために、例えば粒径が#2000番手のブレードを用いて、加工速度10〜60mm/s、スピンドル回転数30〜50krpmの条件で実施することが好ましい。このようなレーザ加工とブレード加工とを適用することによって、信頼性や品質に優れる半導体素子(2)を歩留りよく作製することが可能となる。
次に、本発明の第2の実施形態について、図15を参照して説明する。図15(a)、(b)は半導体ウェーハの要部(図1の四角で囲んだ領域Zに相当)を拡大して示す平面図および断面図である。なお、半導体ウェーハの各部の構成は第1の実施形態と同様とされている。第2の実施形態においては、レーザ加工溝20を素子領域(アクティブエリア)2の外側のダイシング領域3の中央付近に形成する。この後、レーザ加工溝20に沿ってブレード加工し、半導体ウェーハ1を切断して半導体素子を作製する。これによって、レーザ加工に要する工数を低減することができる。なお、レーザ加工の詳細条件は前述した第1の実施形態と同様である。
このように、レーザ加工溝20に沿ってブレード加工する場合には、レーザ加工溝20とブレードによるカット端とが重ならないようにする必要がある。第1の実施形態に比べて、素子領域(アクティブエリア)2側のレーザ加工溝20の端部とブレード加工で形成したチップ端部の位置とが近接するため、ブレードによるチッピング等の加工ダメージの影響が懸念される。このため、レーザ加工端とチップ端との距離は少なくとも5〜10μm程度にすることが好ましい。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、各種構造を有する半導体素子の製造方法、また各種工程を有する半導体素子の製造方法に適用することができる。そのような半導体素子の製造方法についても、本発明に含まれるものである。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1…半導体ウェーハ、2…素子領域、3…ダイシング領域、5…チップリング、6…Si基板、7…積層膜、13…低誘電率絶縁膜、20…レーザ加工溝、21…ブレードによる切断部。
Claims (5)
- 低誘電率絶縁膜を含む積層膜を有する複数の素子領域と、前記複数の素子領域間を区画するように設けられたダイシング領域とを備える半導体ウェーハを、前記ダイシング領域に沿って切断して半導体素子を製造する方法において、
前記ダイシング領域に沿って、レーザ光のピークエネルギーY(W)と単位照射長さあたりの照射時間X(ns/μm)とが、
Y≦53.3Ln(X)+576
の式を満足する条件下でレーザ光を照射し、少なくとも前記低誘電率絶縁膜を切断する工程を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項1記載の半導体素子の製造方法において、
前記レーザ光を、前記ピークエネルギーYと前記単位照射長さあたりの照射時間Xとが
Y≧-60.3Ln(X)+352
の式を満足する条件下で照射することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項1または請求項2記載の半導体素子の製造方法において、
前記レーザ光の前記単位照射長さあたりの照射時間Xを2ns/μm以上400ns/μm以下の範囲とすることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体素子の製造方法において、
前記レーザ光の前記ピークエネルギーYを20W以上400W以下の範囲とすることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の半導体素子の製造方法において、
さらに、ブレードを用いて前記ダイシング領域に沿って前記半導体ウェーハを切断し、前記複数の素子領域をそれぞれ個片化して半導体素子を作製する工程を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
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