JP2002203902A - 最適化された金属ヒューズの処理工程 - Google Patents
最適化された金属ヒューズの処理工程Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 36
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 最適化された金属ヒューズの処理工程が提供
される。 【解決手段】 頂部相互接続体１０２の上に薄い（厚さ
が約６０００オングストロームの）酸化物を用いた金属
ヒューズ処理工程が提供される。酸化物１０８が検査の
ためにプローブ・パッド１０６の上から除去されるが、
しかしヒューズ１０４の上からは除去されない。ヒュー
ズ１０４の上側コーナにおいて酸化物１０８が薄いため
に、酸化物１０８はレーザ・パルス１１４の照射の期間
中にヒューズ１０４の上でひび割れを起こす。その後、
湿式エッチングを用いて露出したヒューズ１０４が溶解
される。
される。 【解決手段】 頂部相互接続体１０２の上に薄い（厚さ
が約６０００オングストロームの）酸化物を用いた金属
ヒューズ処理工程が提供される。酸化物１０８が検査の
ためにプローブ・パッド１０６の上から除去されるが、
しかしヒューズ１０４の上からは除去されない。ヒュー
ズ１０４の上側コーナにおいて酸化物１０８が薄いため
に、酸化物１０８はレーザ・パルス１１４の照射の期間
中にヒューズ１０４の上でひび割れを起こす。その後、
湿式エッチングを用いて露出したヒューズ１０４が溶解
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全体的に言えば、
半導体処理工程の分野に関する。さらに詳細に言えば、
本発明は金属ヒューズの処理工程に関する。
半導体処理工程の分野に関する。さらに詳細に言えば、
本発明は金属ヒューズの処理工程に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】集積回路によっては、
歩留まりを高めるために、選択することができるまた別
の相互接続路が作成される。例えばＳＲＡＭ回路では、
最終の相互接続レベルが作成された後、デバイスの機能
度が計測される。欠陥のある相互接続路は切断され、そ
してそれに代わるまた別の相互接続路によって置き換え
られる。欠陥のある相互接続路を切断することは、ヒュ
ーズを「破断」することによって行われる。この処理工
程の期間中、除去することが必要であるヒューズに大き
なパワーのレーザが照射される。その結果、大きなパワ
ーのレーザ・パルスによってヒューズの大部分が蒸発す
る。その後、湿式エッチングを行うことによって、破断
されたヒューズ接続線路の残っているすべてのヒューズ
材料と破断工程の期間中にヒューズ材料から表面の上に
再沈着したものとが除去される。
歩留まりを高めるために、選択することができるまた別
の相互接続路が作成される。例えばＳＲＡＭ回路では、
最終の相互接続レベルが作成された後、デバイスの機能
度が計測される。欠陥のある相互接続路は切断され、そ
してそれに代わるまた別の相互接続路によって置き換え
られる。欠陥のある相互接続路を切断することは、ヒュ
ーズを「破断」することによって行われる。この処理工
程の期間中、除去することが必要であるヒューズに大き
なパワーのレーザが照射される。その結果、大きなパワ
ーのレーザ・パルスによってヒューズの大部分が蒸発す
る。その後、湿式エッチングを行うことによって、破断
されたヒューズ接続線路の残っているすべてのヒューズ
材料と破断工程の期間中にヒューズ材料から表面の上に
再沈着したものとが除去される。
【０００３】図１Ａ〜図１Ｄは、１つの先行技術による
ヒューズ処理工程を示した図である。頂部金属相互接続
体層を用いて、ヒューズ３０のようなヒューズとプロー
ブ・パッド４０のようなプローブ・パッドとの両方が作
成される。頂部金属相互接続体は、上側にＴｉＮの障壁
層４４を備えたアルミニウムで構成される。高密度プラ
ズマ（ＨＤＰ（high density plasma））処理工程を用
いて、厚さが８０００オングストロームの酸化物５２が
沈着される。図１Ａに示されているように、レジストの
パターン体５４が作成されて、ヒューズとプローブ・パ
ッドとの両方の上の酸化物５２の領域が露出される。図
１Ｂに示されているように、１回のエッチングを行うこ
とによって、ヒューズ３０とプローブ・パッド４０とが
露出される。酸化物とＴｉＮとの両方をエッチングする
エッチング化学作用が用いられる。ウエハにわたって必
要なすべての面積領域が清浄化されことが確実に得るの
に必要なエッチングおよび過剰エッチングの結果、ヒュ
ーズ接続体３０が分解する。
ヒューズ処理工程を示した図である。頂部金属相互接続
体層を用いて、ヒューズ３０のようなヒューズとプロー
ブ・パッド４０のようなプローブ・パッドとの両方が作
成される。頂部金属相互接続体は、上側にＴｉＮの障壁
層４４を備えたアルミニウムで構成される。高密度プラ
ズマ（ＨＤＰ（high density plasma））処理工程を用
いて、厚さが８０００オングストロームの酸化物５２が
沈着される。図１Ａに示されているように、レジストの
パターン体５４が作成されて、ヒューズとプローブ・パ
ッドとの両方の上の酸化物５２の領域が露出される。図
１Ｂに示されているように、１回のエッチングを行うこ
とによって、ヒューズ３０とプローブ・パッド４０とが
露出される。酸化物とＴｉＮとの両方をエッチングする
エッチング化学作用が用いられる。ウエハにわたって必
要なすべての面積領域が清浄化されことが確実に得るの
に必要なエッチングおよび過剰エッチングの結果、ヒュ
ーズ接続体３０が分解する。
【０００４】その後、欠陥のある回路を固定するのにど
のヒューズ接続体を破断するべきであるかを決定するた
めに、この回路が探査される。
のヒューズ接続体を破断するべきであるかを決定するた
めに、この回路が探査される。
【０００５】次に、図１Ｃに示されているように、厚さ
が３０００オングストロームの整合した酸化物層５６が
この構造体の上に沈着される。層５６は露出したヒュー
ズ３０を完全に被覆し、およびプローブ・パッド４０の
露出したアルミニウムに対して保護を提供する。その
後、除去することが必要であるヒューズに向けて、レー
ザ・パルスの照射が行われる。図１Ｄに示されているよ
うに、ヒューズ３０はその最も弱い点においてひび割れ
するまたは破壊する。次に、湿式エッチングが行われ
て、破壊されたヒューズおよび屑の残っているすべての
残骸が洗い流され、および整合した酸化物の中のひび割
れを通してなお取り付いている可能性のあるヒューズ接
続体を溶解される。
が３０００オングストロームの整合した酸化物層５６が
この構造体の上に沈着される。層５６は露出したヒュー
ズ３０を完全に被覆し、およびプローブ・パッド４０の
露出したアルミニウムに対して保護を提供する。その
後、除去することが必要であるヒューズに向けて、レー
ザ・パルスの照射が行われる。図１Ｄに示されているよ
うに、ヒューズ３０はその最も弱い点においてひび割れ
するまたは破壊する。次に、湿式エッチングが行われ
て、破壊されたヒューズおよび屑の残っているすべての
残骸が洗い流され、および整合した酸化物の中のひび割
れを通してなお取り付いている可能性のあるヒューズ接
続体を溶解される。
【０００６】不幸なことに、正しくひび割れしないで破
断したヒューズは、なお必要である隣接するヒューズに
危険を及ぼすことがある。その結果、この処理工程は劣
化したヒューズをもたらすことがあり、またはヒューズ
を失うことさえある。
断したヒューズは、なお必要である隣接するヒューズに
危険を及ぼすことがある。その結果、この処理工程は劣
化したヒューズをもたらすことがあり、またはヒューズ
を失うことさえある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明により、頂部相互
接続体の上にさらに薄い（例えば、厚さ６０００オング
ストロームの）酸化物を用いた金属ヒューズ処理工程が
得られる。ヒューズの上側コーナでは酸化物が薄いため
に、レーザ・パルスの照射の期間中にこの酸化物はヒュ
ーズの上でひび割れを生ずる。その後、湿式エッチング
が行われて、露出したヒューズが溶解される。
接続体の上にさらに薄い（例えば、厚さ６０００オング
ストロームの）酸化物を用いた金属ヒューズ処理工程が
得られる。ヒューズの上側コーナでは酸化物が薄いため
に、レーザ・パルスの照射の期間中にこの酸化物はヒュ
ーズの上でひび割れを生ずる。その後、湿式エッチング
が行われて、露出したヒューズが溶解される。
【０００８】本発明の１つの利点は、ヒューズの過剰エ
ッチングを避けることによって、歩留まりが改良された
金属ヒューズ処理工程が得られることである。
ッチングを避けることによって、歩留まりが改良された
金属ヒューズ処理工程が得られることである。
【０００９】添付図面を参照しての下記説明により、当
業者はこの利点およびその他の利点を容易に理解するこ
とができるであろう。
業者はこの利点およびその他の利点を容易に理解するこ
とができるであろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】アルミニウムの頂部相互接続体の
ための結合ヒューズ・エッチおよびプローブ・パッド開
口のための結合処理工程に関連して本発明を説明する。
当業者には容易に分かるように、本発明は他のヒューズ
処理工程に応用することができる。
ための結合ヒューズ・エッチおよびプローブ・パッド開
口のための結合処理工程に関連して本発明を説明する。
当業者には容易に分かるように、本発明は他のヒューズ
処理工程に応用することができる。
【００１１】本発明は、頂部相互接続体の上に薄い酸化
物を用いる。薄い酸化物が原因となって、ヒューズの上
側コーナに弱い点ができることがある。これらの弱い点
は、レーザ・パルスが加えられた時にひび割れを起こ
し、そして破壊することがある。その時、ヒューズは全
面的にまたはひび割れを通してのいずれかで湿式エッチ
ングにさらされ、それによりヒューズが除去される。こ
の処理工程を用いる時、最小デザイン・ルール・スペー
シングが用いられる時でも、隣接するヒューズを危険に
さらすことなくヒューズを除去することができる。
物を用いる。薄い酸化物が原因となって、ヒューズの上
側コーナに弱い点ができることがある。これらの弱い点
は、レーザ・パルスが加えられた時にひび割れを起こ
し、そして破壊することがある。その時、ヒューズは全
面的にまたはひび割れを通してのいずれかで湿式エッチ
ングにさらされ、それによりヒューズが除去される。こ
の処理工程を用いる時、最小デザイン・ルール・スペー
シングが用いられる時でも、隣接するヒューズを危険に
さらすことなくヒューズを除去することができる。
【００１２】図２Ａ〜図２Ｄは、本発明の１つの実施例
に従うヒューズ・エッチングおよびプローブ・パッド開
口処理工程を示した図である。半導体ボディ１００に
は、頂部金属相互接続体１０２を通して処理が行われ
る。半導体ボディ１００は、トランジスタや分離構造体
およびその中におよび／またはその上に作成されたコン
デンサのような他の素子を備えたシリコン基板であるの
が典型的な場合である。多重の金属相互接続体層は、典
型的には、基板の上に作成される。金属相互接続体１０
２は最も上の相互接続体層である。金属相互接続体１０
２は、適切な上側障壁層と適切な下側障壁層とを備えた
アルミニウムのような金属で構成される。適切な障壁体
の例としてはＴｉ、ＴｉＮ、ＴｉとＴｉＮとの組み合わ
せ、およびＴａＮが含まれる。好ましい実施例では、金
属相互接続体１０２はＴｉＮの上側障壁層を備えたアル
ミニウムで構成される。
に従うヒューズ・エッチングおよびプローブ・パッド開
口処理工程を示した図である。半導体ボディ１００に
は、頂部金属相互接続体１０２を通して処理が行われ
る。半導体ボディ１００は、トランジスタや分離構造体
およびその中におよび／またはその上に作成されたコン
デンサのような他の素子を備えたシリコン基板であるの
が典型的な場合である。多重の金属相互接続体層は、典
型的には、基板の上に作成される。金属相互接続体１０
２は最も上の相互接続体層である。金属相互接続体１０
２は、適切な上側障壁層と適切な下側障壁層とを備えた
アルミニウムのような金属で構成される。適切な障壁体
の例としてはＴｉ、ＴｉＮ、ＴｉとＴｉＮとの組み合わ
せ、およびＴａＮが含まれる。好ましい実施例では、金
属相互接続体１０２はＴｉＮの上側障壁層を備えたアル
ミニウムで構成される。
【００１３】金属相互接続体１０２を用いて、種々のヒ
ューズ１０４およびプローブ・パッド１０６を作成する
ことができる。ヒューズは、歩留まりを高くするために
用いられる。例えば、ＳＲＡＭ回路では、最終の相互接
続のレベルが作成された後、デバイスの機能度が計測さ
れる。この機能度を決定するために、プローブ・パッド
１０６を用いてデバイスと通信を行う。欠陥のある相互
接続路は、ヒューズを破断（除去）することによって切
断される。この欠陥のある相互接続路はそれに代わるま
た別の相互接続路でもって後で置き換えられる。
ューズ１０４およびプローブ・パッド１０６を作成する
ことができる。ヒューズは、歩留まりを高くするために
用いられる。例えば、ＳＲＡＭ回路では、最終の相互接
続のレベルが作成された後、デバイスの機能度が計測さ
れる。この機能度を決定するために、プローブ・パッド
１０６を用いてデバイスと通信を行う。欠陥のある相互
接続路は、ヒューズを破断（除去）することによって切
断される。この欠陥のある相互接続路はそれに代わるま
た別の相互接続路でもって後で置き換えられる。
【００１４】ヒューズのまた別の利用は、個別のダイを
識別することである。欠陥のある経路をなくするのでは
なくダイＩＤを作成するために、選定されたヒューズが
破断される。ダイＩＤは個別のダイを追跡しそして後で
識別するために用いられる。破断されたこれらのヒュー
ズは、それに代わるまた別の相互接続路でもって後で置
き換えられない。
識別することである。欠陥のある経路をなくするのでは
なくダイＩＤを作成するために、選定されたヒューズが
破断される。ダイＩＤは個別のダイを追跡しそして後で
識別するために用いられる。破断されたこれらのヒュー
ズは、それに代わるまた別の相互接続路でもって後で置
き換えられない。
【００１５】頂部相互接続体１０２の上に酸化物層１０
８が作成される。酸化物層１０８は、ヒューズ１０４の
コーナがわずかに被覆されるまたはわずかに露出される
ような厚さに沈着される。ヒューズのコーナの上の酸化
物１０８の厚さは、０オングストロームないし１５００
オングストロームの範囲内にある。１つの例として、厚
さが５４００オングストローム（１２５オングストロー
ムＴｉ＋５０００オングストロームＡｌＣｕ＋２７５オ
ングストロームＴｉＮ）の頂部相互接続体に対して、厚
さが６０００オングストロームの酸化物層１０８を用い
ることができる。同じ高さの相互接続体に対して先行技
術では、約８０００オングストロームのもっと厚い酸化
物が用いられていた。
８が作成される。酸化物層１０８は、ヒューズ１０４の
コーナがわずかに被覆されるまたはわずかに露出される
ような厚さに沈着される。ヒューズのコーナの上の酸化
物１０８の厚さは、０オングストロームないし１５００
オングストロームの範囲内にある。１つの例として、厚
さが５４００オングストローム（１２５オングストロー
ムＴｉ＋５０００オングストロームＡｌＣｕ＋２７５オ
ングストロームＴｉＮ）の頂部相互接続体に対して、厚
さが６０００オングストロームの酸化物層１０８を用い
ることができる。同じ高さの相互接続体に対して先行技
術では、約８０００オングストロームのもっと厚い酸化
物が用いられていた。
【００１６】好ましい実施例では、酸化物層１０８を作
成するためにＨＤＰ処理工程が用いられる。ＨＤＰ処理
工程は、ヒューズ１０６の上に「頂部帽子」部分を作成
する効果を有する。この「頂部帽子」は、ＨＤＰ処理工
程の同時の沈着成分とエッチング成分との結果として作
成される。ＨＤＰ処理工程を用いることにより、ヒュー
ズの中央の上よりもコーナにおいて薄い材料が作成され
るという利点が付加して得られる。コーナにおけるこの
薄い材料によって従来の弱点が得られ、したがってレー
ザ・パルスの期間中に破壊される点をその属性からさら
によく予測することができる。
成するためにＨＤＰ処理工程が用いられる。ＨＤＰ処理
工程は、ヒューズ１０６の上に「頂部帽子」部分を作成
する効果を有する。この「頂部帽子」は、ＨＤＰ処理工
程の同時の沈着成分とエッチング成分との結果として作
成される。ＨＤＰ処理工程を用いることにより、ヒュー
ズの中央の上よりもコーナにおいて薄い材料が作成され
るという利点が付加して得られる。コーナにおけるこの
薄い材料によって従来の弱点が得られ、したがってレー
ザ・パルスの期間中に破壊される点をその属性からさら
によく予測することができる。
【００１７】図２Ａに示されているように、酸化物層１
０８の上にパターン体１１０が作成される。パターン体
１１０は、フォトレジストのパターン体であるのが典型
的な場合である。パターン体１１０は、プローブ・パッ
ド１０６が配置されている場所を除いた酸化物層１０８
を被覆する。ヒューズ１０４はパターン体１１０によっ
て被覆される。このことは、プローブ・パッドとヒュー
ズとの両方が露出される先行技術の場合と異なる。
０８の上にパターン体１１０が作成される。パターン体
１１０は、フォトレジストのパターン体であるのが典型
的な場合である。パターン体１１０は、プローブ・パッ
ド１０６が配置されている場所を除いた酸化物層１０８
を被覆する。ヒューズ１０４はパターン体１１０によっ
て被覆される。このことは、プローブ・パッドとヒュー
ズとの両方が露出される先行技術の場合と異なる。
【００１８】図２Ｂに示されているように、パターン体
１１０を用いて、プローブ・パッド１０６の上の酸化物
層１０８の露出した部分が除去される。好ましい実施例
では、酸化物とＴｉＮとの両方をエッチングすることが
できるエッチング化学作用が用いられる。このエッチン
グは酸化物１０８を清浄化し、そして図２Ｃに示されて
いるように、頂部相互接続体１０２の上側障壁体をまた
除去するまでエッチングが継続される。酸化物と上側障
壁層材料とにエッチングを行うための適切なエッチング
剤またはエッチング剤の適切な組合わせは、当業者には
よく知られている。その後、パターン体１１０が除去さ
れる。
１１０を用いて、プローブ・パッド１０６の上の酸化物
層１０８の露出した部分が除去される。好ましい実施例
では、酸化物とＴｉＮとの両方をエッチングすることが
できるエッチング化学作用が用いられる。このエッチン
グは酸化物１０８を清浄化し、そして図２Ｃに示されて
いるように、頂部相互接続体１０２の上側障壁体をまた
除去するまでエッチングが継続される。酸化物と上側障
壁層材料とにエッチングを行うための適切なエッチング
剤またはエッチング剤の適切な組合わせは、当業者には
よく知られている。その後、パターン体１１０が除去さ
れる。
【００１９】この時点において、デバイスの機能度を決
定するためにプローブ・パッド１０６を用いてデバイス
を探査することが行われる。欠陥路の位置が定められ、
そしてそれに付随するヒューズ１０４が識別される。こ
れらの付随するヒューズ１０４は、「破断」または除去
されるヒューズである。
定するためにプローブ・パッド１０６を用いてデバイス
を探査することが行われる。欠陥路の位置が定められ、
そしてそれに付随するヒューズ１０４が識別される。こ
れらの付随するヒューズ１０４は、「破断」または除去
されるヒューズである。
【００２０】本発明のまた別の実施例では、ＨＤＰ酸化
物沈着段階の前に、ウエハを探査することにより、どの
ヒューズを破断すべきであるかを決定する。このことに
より、このパターン作成段階およびエッチング段階を省
略することができる。１つのマスキング段階を省略する
ことができることにより、コストの節約が得られる。こ
れは好ましい実施例ではない。それは、露出された金属
を用いて探査を行うことは、その探査工程によって生ず
る粒子のために歩留まりが低下することが分かっている
からである。
物沈着段階の前に、ウエハを探査することにより、どの
ヒューズを破断すべきであるかを決定する。このことに
より、このパターン作成段階およびエッチング段階を省
略することができる。１つのマスキング段階を省略する
ことができることにより、コストの節約が得られる。こ
れは好ましい実施例ではない。それは、露出された金属
を用いて探査を行うことは、その探査工程によって生ず
る粒子のために歩留まりが低下することが分かっている
からである。
【００２１】図２Ｄに示されているように、整合した酸
化物層１１２がこの構造体の上に沈着される。整合した
酸化物層１１２は、プローブ・パッドをヒューズ・エッ
チング処理工程から保護するために用いられる。除去さ
れることが予定されていないヒューズはまた、整合した
酸化物１１２によって保護される。ヒューズのコーナが
酸化物１０８によって露出される時、このことは重要で
ある。整合した酸化物層１１２に対して用いることがで
きる厚さは、約８００オングストロームないし１２００
オングストロームである。プラズマで増強されたテトラ
エチルオキシシラン（ＰＥＴＥＯＳ）処理工程を用い
て、整合した酸化物層１１２を配置することができる。
化物層１１２がこの構造体の上に沈着される。整合した
酸化物層１１２は、プローブ・パッドをヒューズ・エッ
チング処理工程から保護するために用いられる。除去さ
れることが予定されていないヒューズはまた、整合した
酸化物１１２によって保護される。ヒューズのコーナが
酸化物１０８によって露出される時、このことは重要で
ある。整合した酸化物層１１２に対して用いることがで
きる厚さは、約８００オングストロームないし１２００
オングストロームである。プラズマで増強されたテトラ
エチルオキシシラン（ＰＥＴＥＯＳ）処理工程を用い
て、整合した酸化物層１１２を配置することができる。
【００２２】整合した酸化物層１１２が沈着された後、
除去されるべきヒューズ１０４に対してレーザ・パルス
１１４が照射される。レーザ・パルス１１４の照射のた
めに、最も弱い点においてひび割れが生ずる。酸化物層
１０８を作成するためにＨＤＰ処理工程が用いられる
時、この最も弱い点は上側コーナであるのが典型的な場
合である。典型的には上側コーナのひび割れが原因とな
って、図２Ｅに示されているように、ヒューズ１０４の
上の酸化物層１０８および１１２の部分が破壊される。
除去されるべきヒューズ１０４に対してレーザ・パルス
１１４が照射される。レーザ・パルス１１４の照射のた
めに、最も弱い点においてひび割れが生ずる。酸化物層
１０８を作成するためにＨＤＰ処理工程が用いられる
時、この最も弱い点は上側コーナであるのが典型的な場
合である。典型的には上側コーナのひび割れが原因とな
って、図２Ｅに示されているように、ヒューズ１０４の
上の酸化物層１０８および１１２の部分が破壊される。
【００２３】それとは対照的に、先行技術の処理工程が
原因となって、厚い酸化物を通してヒューズの下側コー
ナにひび割れが生じる。先行技術の処理工程を用いた場
合、隣接するヒューズにまで広がった大きなひび割れが
生ずることがあり、その結果隣接するヒューズが失われ
ることがある。本発明の処理工程を用いた場合、破断し
たヒューズ位置のまわりにだけ小さなひび割れが生ずる
ことが分かっている。したがって、隣接するヒューズを
危険にさらすことなく、ヒューズに対して最小デザイン
・ルール・スペーシングに従いながら本発明の処理工程
を用いることができる。
原因となって、厚い酸化物を通してヒューズの下側コー
ナにひび割れが生じる。先行技術の処理工程を用いた場
合、隣接するヒューズにまで広がった大きなひび割れが
生ずることがあり、その結果隣接するヒューズが失われ
ることがある。本発明の処理工程を用いた場合、破断し
たヒューズ位置のまわりにだけ小さなひび割れが生ずる
ことが分かっている。したがって、隣接するヒューズを
危険にさらすことなく、ヒューズに対して最小デザイン
・ルール・スペーシングに従いながら本発明の処理工程
を用いることができる。
【００２４】次に、露出したヒューズを溶解しそして残
骸を洗い流すために、湿式エッチングが用いられる。た
とえ酸化物層１０８および１１２の部分が破壊されなく
てもヒューズの上に十分なひび割れが作成され、湿式エ
ッチングによりヒューズを溶解することができる。この
ための適切な湿式エッチングの化学作用は、当業者には
周知である。例えば、９０秒間のサーフ（Surf）＋６６
０秒間のＳＣ１＋１５秒間のＨＦのエッチング化学作用
を用いることができる。
骸を洗い流すために、湿式エッチングが用いられる。た
とえ酸化物層１０８および１１２の部分が破壊されなく
てもヒューズの上に十分なひび割れが作成され、湿式エ
ッチングによりヒューズを溶解することができる。この
ための適切な湿式エッチングの化学作用は、当業者には
周知である。例えば、９０秒間のサーフ（Surf）＋６６
０秒間のＳＣ１＋１５秒間のＨＦのエッチング化学作用
を用いることができる。
【００２５】この後、また別の相互接続路と保護被覆体
とパッケージングとを作成するために、処理工程が継続
される。
とパッケージングとを作成するために、処理工程が継続
される。
【００２６】本発明が例示された実施例を参照して説明
されたが、この説明は本発明の範囲がこれらの実施例と
その説明に限定されることを意味するものではない。例
示された実施例を種々に変更した実施例および種々に組
合わせた実施例および本発明のその他の実施例が可能で
あることは、前記説明を参照すれば当業者には容易に分
かるであろう。したがって、本発明はこのような変更実
施例またはその他の実施例をすべて包含するものと理解
しなければならない。
されたが、この説明は本発明の範囲がこれらの実施例と
その説明に限定されることを意味するものではない。例
示された実施例を種々に変更した実施例および種々に組
合わせた実施例および本発明のその他の実施例が可能で
あることは、前記説明を参照すれば当業者には容易に分
かるであろう。したがって、本発明はこのような変更実
施例またはその他の実施例をすべて包含するものと理解
しなければならない。
【００２７】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） 複数個のヒューズと複数個のプローブ・パッド
とを備えた金属相互接続体層を半導体ボディの上に作成
する段階と、複数個の前記ヒューズのコーナの上に厚さ
が０オングストロームないし１５００オングストローム
の範囲内にある第１酸化物層を前記金属相互接続体層の
上に沈着する段階と、前記第１酸化物層と複数個の前記
プローブ・パッドとの上に第２酸化物層を整合して沈着
する段階と、少なくとも前記第２酸化物層の中にひび割
れを作成するために複数個の前記ヒューズの選定された
部分組に向けてレーザ・パルスを照射する段階と、ヒュ
ーズの選定された前記部分組を除去するために湿式エッ
チングを行う段階と、を有する集積回路を製造する方
法。 （２） 第１項記載の方法において、前記ヒューズのお
のおのの中央におけるよりも前記ヒューズのおのおのの
前記コーナにおいて前記第１酸化物層が薄いような高密
度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物沈着を前記第１酸化物層の
沈着の前記段階が有する方法。 （３） 第１項記載の方法において、複数個の前記ヒュ
ーズを被覆しおよび複数個の前記プローブ・パッドの上
の前記第１酸化物層の部分を露出するパターンを前記第
１酸化物層の上に作成する段階と、前記第２酸化物を整
合して沈着する前記段階の前に前記第１酸化物層の前記
露出された部分を除去する段階と、をさらに有する方
法。 （４） 第３項記載の方法において、前記第１酸化物層
の前記露出された部分を除去する前記段階がまた前記プ
ローブ・パッドの上の前記頂部相互接続体の上側障壁層
を除去する方法。 （５） 第１項記載の方法において、ヒューズの選定さ
れた前記部分組の上の前記第１酸化物層および前記第２
酸化物層の一部分がレーザ・パルスを照射する前記段階
の期間中に破壊される方法。 （６） 第１項記載の方法において、前記第１酸化物層
が約前記金属層の厚さプラス５００オングストロームの
厚さを有する方法。 （７） 第１項記載の方法において、前記第２整合酸化
物層が約８００オングストロームないし１２００オング
ストロームの厚さを有する方法。 （８） 第１項記載の方法において、前記ひび割れが前
記第１酸化物層の中にまた作成される方法。
る。 （１） 複数個のヒューズと複数個のプローブ・パッド
とを備えた金属相互接続体層を半導体ボディの上に作成
する段階と、複数個の前記ヒューズのコーナの上に厚さ
が０オングストロームないし１５００オングストローム
の範囲内にある第１酸化物層を前記金属相互接続体層の
上に沈着する段階と、前記第１酸化物層と複数個の前記
プローブ・パッドとの上に第２酸化物層を整合して沈着
する段階と、少なくとも前記第２酸化物層の中にひび割
れを作成するために複数個の前記ヒューズの選定された
部分組に向けてレーザ・パルスを照射する段階と、ヒュ
ーズの選定された前記部分組を除去するために湿式エッ
チングを行う段階と、を有する集積回路を製造する方
法。 （２） 第１項記載の方法において、前記ヒューズのお
のおのの中央におけるよりも前記ヒューズのおのおのの
前記コーナにおいて前記第１酸化物層が薄いような高密
度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物沈着を前記第１酸化物層の
沈着の前記段階が有する方法。 （３） 第１項記載の方法において、複数個の前記ヒュ
ーズを被覆しおよび複数個の前記プローブ・パッドの上
の前記第１酸化物層の部分を露出するパターンを前記第
１酸化物層の上に作成する段階と、前記第２酸化物を整
合して沈着する前記段階の前に前記第１酸化物層の前記
露出された部分を除去する段階と、をさらに有する方
法。 （４） 第３項記載の方法において、前記第１酸化物層
の前記露出された部分を除去する前記段階がまた前記プ
ローブ・パッドの上の前記頂部相互接続体の上側障壁層
を除去する方法。 （５） 第１項記載の方法において、ヒューズの選定さ
れた前記部分組の上の前記第１酸化物層および前記第２
酸化物層の一部分がレーザ・パルスを照射する前記段階
の期間中に破壊される方法。 （６） 第１項記載の方法において、前記第１酸化物層
が約前記金属層の厚さプラス５００オングストロームの
厚さを有する方法。 （７） 第１項記載の方法において、前記第２整合酸化
物層が約８００オングストロームないし１２００オング
ストロームの厚さを有する方法。 （８） 第１項記載の方法において、前記ひび割れが前
記第１酸化物層の中にまた作成される方法。
【００２８】（９） 複数個のヒューズと複数個のプロ
ーブ・パッドとを備えた金属相互接続体層を半導体ボデ
ィの表面の上に作成する段階と、前記半導体ボディの前
記表面の上に約６０００オングストロームの厚さを有す
る第１酸化物層を前記金属相互接続体層と前記半導体ボ
ディの前記表面との上に高密度プラズマ（ＨＤＰ）処理
工程を用いて沈着する段階と、複数個の前記ヒューズを
被覆しおよび複数個の前記プローブ・パッドの上の前記
第１酸化物層の一部分を露出するパターンを前記第１酸
化物層の上に作成する段階と、前記第１酸化物層の前記
露出された部分を除去する段階と、前記第１酸化物層と
複数個の前記プローブ・パッドとの上に第２酸化物層を
整合して沈着する段階と、少なくとも前記第２酸化物層
の中にひび割れを作成するために複数個の前記ヒューズ
の選定された部分組に向けてレーザ・パルスを照射する
段階と、ヒューズの選定された前記部分組を除去するた
めに湿式エッチングを行う段階と、を有する集積回路を
製造する方法。 （１０） 第８項記載の方法において、前記第１酸化物
層が複数個のヒューズのコーナを露出する方法。 （１１） 第８項記載の方法において、前記第１酸化物
層の前記露出された部分を除去する前記段階がまた前記
プローブ・パッドの上の前記頂部相互接続体の上側障壁
層を除去する方法。 （１２） 第８項記載の方法において、ヒューズの選定
された前記部分組の上の前記第１酸化物層および前記第
２酸化物層の一部分がレーザ・パルスを照射する前記段
階の期間中に破壊される方法。 （１３） 第８項記載の方法において、前記第２酸化物
層が約１０００オングストロームの厚さを有する方法。
ーブ・パッドとを備えた金属相互接続体層を半導体ボデ
ィの表面の上に作成する段階と、前記半導体ボディの前
記表面の上に約６０００オングストロームの厚さを有す
る第１酸化物層を前記金属相互接続体層と前記半導体ボ
ディの前記表面との上に高密度プラズマ（ＨＤＰ）処理
工程を用いて沈着する段階と、複数個の前記ヒューズを
被覆しおよび複数個の前記プローブ・パッドの上の前記
第１酸化物層の一部分を露出するパターンを前記第１酸
化物層の上に作成する段階と、前記第１酸化物層の前記
露出された部分を除去する段階と、前記第１酸化物層と
複数個の前記プローブ・パッドとの上に第２酸化物層を
整合して沈着する段階と、少なくとも前記第２酸化物層
の中にひび割れを作成するために複数個の前記ヒューズ
の選定された部分組に向けてレーザ・パルスを照射する
段階と、ヒューズの選定された前記部分組を除去するた
めに湿式エッチングを行う段階と、を有する集積回路を
製造する方法。 （１０） 第８項記載の方法において、前記第１酸化物
層が複数個のヒューズのコーナを露出する方法。 （１１） 第８項記載の方法において、前記第１酸化物
層の前記露出された部分を除去する前記段階がまた前記
プローブ・パッドの上の前記頂部相互接続体の上側障壁
層を除去する方法。 （１２） 第８項記載の方法において、ヒューズの選定
された前記部分組の上の前記第１酸化物層および前記第
２酸化物層の一部分がレーザ・パルスを照射する前記段
階の期間中に破壊される方法。 （１３） 第８項記載の方法において、前記第２酸化物
層が約１０００オングストロームの厚さを有する方法。
【００２９】（１４） 頂部相互接続体１０２の上に薄
い（厚さが約６０００オングストロームの）酸化物を用
いた金属ヒューズ処理工程が提供される。酸化物１０８
が検査のためにプローブ・パッド１０６の上から除去さ
れるが、しかしヒューズ１０４の上からは除去されな
い。ヒューズ１０４の上側コーナにおいて酸化物１０８
が薄いために、酸化物１０８はレーザ・パルス１１４の
照射の期間中にヒューズ１０４の上でひび割れを起こ
す。その後、湿式エッチングを用いて露出したヒューズ
１０４が溶解される。
い（厚さが約６０００オングストロームの）酸化物を用
いた金属ヒューズ処理工程が提供される。酸化物１０８
が検査のためにプローブ・パッド１０６の上から除去さ
れるが、しかしヒューズ１０４の上からは除去されな
い。ヒューズ１０４の上側コーナにおいて酸化物１０８
が薄いために、酸化物１０８はレーザ・パルス１１４の
照射の期間中にヒューズ１０４の上でひび割れを起こ
す。その後、湿式エッチングを用いて露出したヒューズ
１０４が溶解される。
【図１】先行技術に従うヒューズ処理工程の種々の段階
の横断面図であって、Ａは初期の段階の図、ＢはＡの次
の段階の図、ＣはＢの次の段階の図、ＤはＣの次の段階
の図。
の横断面図であって、Ａは初期の段階の図、ＢはＡの次
の段階の図、ＣはＢの次の段階の図、ＤはＣの次の段階
の図。
【図２】本発明に従うヒューズ処理工程の種々の段階の
横断面図であって、Ａは初期の段階の図、ＢはＡの次の
段階の図、ＣはＢの次の段階の図、ＤはＣの次の段階の
図、ＥはＤの次の段階の図。
横断面図であって、Ａは初期の段階の図、ＢはＡの次の
段階の図、ＣはＢの次の段階の図、ＤはＣの次の段階の
図、ＥはＤの次の段階の図。
１００ 半導体ボディ １０２ 金属相互接続体層 １０４ ヒューズ １０６ プローブ・パッド １０８ 第１酸化物層 １１２ 第２酸化物層、整合した酸化物層 １１４ レーザ・パルス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アブハ シングー アメリカ合衆国 テキサス、ガーランド、 ルックアウト ドライヴ 2709、アパー トメント 5212 (72)発明者 トアン トラン アメリカ合衆国 テキサス、ロウレット、 レイクウェイ ドライヴ 2905 (72)発明者 ハワード ティグラール アメリカ合衆国 テキサス、アレン、 イ ンペリアル ドライヴ 1421 Ｆターム(参考） 5F064 BB13 DD42 FF02 FF27 FF34 FF42 GG03
Claims (1)
- 【請求項１】 複数個のヒューズと複数個のプローブ・
パッドとを備えた金属相互接続体層を半導体ボディの上
に作成する段階と、 複数個の前記ヒューズのコーナの上に厚さが０オングス
トロームないし１５００オングストロームの範囲内にあ
る第１酸化物層を前記金属相互接続体層の上に沈着する
段階と、 前記第１酸化物層と複数個の前記プローブ・パッドとの
上に第２酸化物層を整合して沈着する段階と、 少なくとも前記第２酸化物層の中にひび割れを作成する
ために複数個の前記ヒューズの選定された部分組に向け
てレーザ・パルスを照射する段階と、 ヒューズの選定された前記部分組を除去するために湿式
エッチングを行う段階と、を有する集積回路を製造する
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US25032400P | 2000-11-30 | 2000-11-30 | |
| US250324 | 2000-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002203902A true JP2002203902A (ja) | 2002-07-19 |
| JP4118044B2 JP4118044B2 (ja) | 2008-07-16 |
Family
ID=22947265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001364479A Expired - Fee Related JP4118044B2 (ja) | 2000-11-30 | 2001-11-29 | 最適化された金属ヒューズの処理工程 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6687973B2 (ja) |
| EP (1) | EP1211723B1 (ja) |
| JP (1) | JP4118044B2 (ja) |
| AT (1) | ATE442666T1 (ja) |
| DE (1) | DE60139850D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7335537B2 (en) | 2003-04-04 | 2008-02-26 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements |
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|---|---|---|---|---|
| JP2004055876A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US6835642B2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method of forming a metal fuse on semiconductor devices |
| US20050285222A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Kong-Beng Thei | New fuse structure |
| DE102006046790B4 (de) | 2006-10-02 | 2014-01-02 | Infineon Technologies Ag | Integriertes Bauelement und Verfahren zum Trennen einer elektrisch leitfähigen Verbindung |
| US20100117190A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-13 | Harry Chuang | Fuse structure for intergrated circuit devices |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TW299897U (en) * | 1993-11-05 | 1997-03-01 | Semiconductor Energy Lab | A semiconductor integrated circuit |
| US5521116A (en) * | 1995-04-24 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Sidewall formation process for a top lead fuse |
| US5747868A (en) * | 1995-06-26 | 1998-05-05 | Alliance Semiconductor Corporation | Laser fusible link structure for semiconductor devices |
| US6100118A (en) * | 1998-06-11 | 2000-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fabrication of metal fuse design for redundancy technology having a guard ring |
| US6261873B1 (en) * | 1999-04-29 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Pedestal fuse |
| US6214681B1 (en) * | 2000-01-26 | 2001-04-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for forming polysilicon/germanium thin films without germanium outgassing |
| JP3851752B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-11-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-11-21 AT AT01000649T patent/ATE442666T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-11-21 DE DE60139850T patent/DE60139850D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-21 EP EP01000649A patent/EP1211723B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-29 JP JP2001364479A patent/JP4118044B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-30 US US09/997,980 patent/US6687973B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7335537B2 (en) | 2003-04-04 | 2008-02-26 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device including bonding pad and fuse elements |
| US7423301B2 (en) | 2003-04-04 | 2008-09-09 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device including fuse elements and bonding pad |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1211723A3 (en) | 2006-04-05 |
| EP1211723B1 (en) | 2009-09-09 |
| US20020062549A1 (en) | 2002-05-30 |
| US6687973B2 (en) | 2004-02-10 |
| EP1211723A2 (en) | 2002-06-05 |
| DE60139850D1 (de) | 2009-10-22 |
| JP4118044B2 (ja) | 2008-07-16 |
| ATE442666T1 (de) | 2009-09-15 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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