JP7216683B2 - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

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Description

本発明は基板処理装置及び方法に関り、さらに詳細には基板に液を供給し、レーザーを照射して基板を処理する方法及び装置に係る。
半導体素子、平板ディスプレイ素子等のような集積回路素子の製造は基板上にレーザービームを照射して基板上に膜を除去する工程を含む。しかし、レーザービーム照射過程ではパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生する問題がある。半導体素子が高密度、高集積化、高性能化されることによって回路パターンの微細化が急速に進行されることによって、基板表面に残留するパーティクル等の汚染物質は素子の特性と生産収率に大きな影響を及ぼす。
このため、レーザーを利用して基板を処理する時、図１のようにパーティクルを除去するために粉塵を吸入する吸引装置５が使用される。
しかし、基板Ｗ上にレーザーＬが照射されて基板Ｗの表面の薄膜Ｔを除去する過程で基板Ｗ上のパーティクルＰは基板Ｗから分離されて吸引装置５に吸引されるが、一部のパーティクル又はサイズが小さい微細な粒子は吸引装置５に吸引されなく、再び基板Ｗ上に吸着される。
また、図２のように基板Ｗの表面に液が吐出される途中に基板Ｗ上にレーザーＬが照射される場合、基板Ｗ上の液膜に屈曲が継続的に発生するので、基板Ｗ上の液膜の表面が平坦でなくなる。このような液膜の表面にレーザーＬが照射される場合、レーザーＬはその方向が屈折され、これによって基板Ｗ上の望む位置にレーザーＬが照射されない。
また、レーザーＬは基板Ｗの上部で基板Ｗに垂直になる方向に照射されるので、基板Ｗの上部にレーザーＬの照射経路を提供するための空間が要求され、これによって基板処理装置の処理空間の体積が大きくなる。
日本国特許公開第２０１９－５０６７３０号公報
本発明の目的はレーザーを利用して基板を効率的に処理することができる基板処理方法及び装置を提供することにある。
また、本発明の目的は基板にレーザーを照射する基板を処理する過程で基板に不純物が付着されることを最小化する基板処理方法及び装置を提供することにある。
また、本発明の目的は液層が提供された基板にレーザーを照射する時、レーザーが基板の上の望む領域に正確に到達するようにする基板処理装置及び方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、内部に処理空間を有するハウジングと、ハウジング内で基板を支持する支持ユニットと、支持ユニットに支持された基板に液を供給する液供給ユニットと、基板の縁領域にレーザーを照射するレーザー照射ユニットと、液供給ユニットとレーザー照射ユニットを制御する制御器と、を含み、レーザー照射ユニットは、基板上に供給された液の表面と接するように液の上部に提供可能なプレートと、プレートを透過して支持ユニットに支持された基板の縁領域上にレーザーを照射するレーザー照射部材と、を含むことができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面が支持ユニットに置かれる基板に平行に提供されることができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面がラウンドになるように提供されることができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面が凸に提供されることができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面が支持ユニットに置かれる基板の半径方向に沿って傾くように提供されることができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面が支持ユニットに置かれる基板の中心に向かう方向に上向傾くように提供されることができる。
一実施形態によれば、レーザー照射部材は支持ユニットに置かれる基板に垂直になる方向にレーザーを照射できるように提供されることができる。
一実施形態によれば、レーザー照射部材は支持ユニットに置かれる基板の側部で基板に平行である方向にレーザーをプレートに照射できるように提供されることができる。
一実施形態によれば、レーザー照射部材は、光源と、光源で照射された光の経路を変更するミラーを有する光路変更部材と、を含み、光路変更部材はミラーを移動させるミラー駆動器をさらに含むことができる。
一実施形態によれば、制御器はミラー駆動器を制御してレーザーを照射する間に基板上にレーザーの照射位置が変更されるようにミラーの位置を変更することができる。
一実施形態によれば、レーザー照射部材はプレートを移動させるプレート駆動器をさらに含み、制御器はレーザーの照射位置が変更される間にレーザーがプレートの特定位置に照射されるようにレーザーの照射位置に対応してプレートの位置が変更されるようにプレート駆動器を制御することができる。
一実施形態によれば、制御器はレーザーがプレートに照射されるレーザーの照射位置が支持ユニットに置かれる基板の半径方向に沿って変更されるようにレーザー照射部材を制御することができる。
一実施形態によれば、制御器はレーザーがプレートに照射されるレーザーの照射位置が上下方向に沿って変更されるようにレーザー照射部材を制御することができる。
一実施形態によれば、制御器は液が供給され、プレートが液に接触された状態でレーザーを照射するように液供給ユニットとレーザー照射ユニットを制御することができる。
また、基板を処理する装置は、内部に処理空間を有するハウジングと、ハウジング内で基板を支持する支持ユニットと、支持ユニットに支持された基板に液を供給する液供給ユニットと、基板にレーザーを照射するレーザー照射ユニットと、を含み、レーザー照射ユニットは、基板上に供給された液の表面と接するように液の上部に提供可能なプレートと、プレートを透過して支持ユニットに支持された基板上にレーザーを照射するレーザー照射部材と、を含むことができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面が支持ユニットに置かれる基板に平行に提供されることができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面が凸に提供されることができる。
一実施形態によれば、プレートはその上面が支持ユニットに置かれる基板の中心に向かう方向に上向傾くように提供されることができる。
一実施形態によれば、レーザー照射部材は、光源と、光源で照射された光の経路を変更するミラーを有する光路変更部材と、を含み、光路変更部材はミラーを移動させるミラー駆動器をさらに含むことができる。
一実施形態によれば、液供給ユニットとレーザー照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、制御器はミラー駆動器を制御してレーザーを照射する間に基板上にレーザーの照射位置が変更されるようにミラーの位置を変更することができる。
また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、基板上に液を供給して基板上に液膜を形成し、基板にレーザーを照射して基板を処理し、基板上に形成された液膜にプレートを接触させてレーザーがプレートを透過して基板を処理することができる。
一実施形態によれば、基板の処理はレーザーを利用して基板の上の薄膜を除去する処理である。
一実施形態によれば、基板の上の薄膜は基板の縁領域に提供された薄膜である。
一実施形態によれば、プレートの上面を支持ユニットに置かれる基板と平行に提供してレーザーを基板に垂直になる方向にプレートに照射することができる。
一実施形態によれば、プレートの上面を基板の半径方向に沿って基板の中心に向かって傾くように提供し、レーザーを基板の外側でプレートの傾斜面に照射することができる。
一実施形態によれば、基板の上の設定位置にレーザーが照射されるようにプレートの上面を凸に提供し、レーザーを膨らんでいる部分に照射することができる。
一実施形態によれば、工程進行の中にプレートの位置は固定され、レーザーの照射位置は基板の半径方向に沿って変更されることができる。
一実施形態によれば、工程進行の中にプレートの位置は固定され、プレートに照射されるレーザーの照射位置は上下方向に沿って変更されることができる。
一実施形態によれば、レーザーの照射位置は基板の半径方向に沿って変更され、レーザーがプレート上の同一地点に照射されるようにレーザーの照射位置の変更と共にプレートの位置が変更されることができる。
本発明の一実施形態によれば、レーザーを利用して基板の上の膜質を効率的に除去することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板にレーザーを照射して基板を処理する時、レーザーを基板の上の特定領域に正確に照射することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板にレーザーを照射して基板を照射する時、基板の上の特定領域にレーザーを集中して照射することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板にレーザーを照射して基板を処理する時、上下方向に基板処理空間の幅を減らすことができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
レーザーを照射して基板を処理する一般的な過程を概略的に示す図面である。 基板上に液膜が形成された状態でレーザーを照射する場合、発生される問題点を概略的に示す図面である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を示す平面図である。 図３の基板処理装置でレーザーを照射して基板を処理するチャンバーを概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係って膜除去工程で基板上にレーザーを照射する過程を示す。 本発明の一実施形態に係って膜除去工程で基板上にレーザーを照射する過程を示す。 本発明の一実施形態に係って膜除去工程で基板上にレーザーを照射する過程を示す。 本発明の一実施形態に係って膜除去工程で基板上にレーザーを照射する過程を示す。 本発明の一実施形態に係って膜除去工程で基板上にレーザーを照射する過程を示す。 本発明の一実施形態に係って膜除去工程で基板上にレーザーを照射する過程を示す。 本発明の他の実施形態を示す。 本発明の他の実施形態を示す。 本発明の他の実施形態を示す。 本発明の他の実施形態を示す。
下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面全体に亘って同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
以下、図３乃至図１４を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
図３を参照すれば、基板処理装置１０はインデックスモジュール１００と工程処理モジュール２００を有する。インデックスモジュール１００はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を有する。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００が配列された方向を第１の方向１２とし、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４がとし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面と垂直である方向を第３方向１６とする。
ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が安着される。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２００の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３０には基板がＷを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。キャリヤー１３０として前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。
工程処理モジュール２００はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、そして工程チャンバー３００を有する。移送チャンバー２４０はその横方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバー２４０の両側には各々工程チャンバー３００が配置される。移送チャンバー２４０の一側及び他側で工程チャンバー３００は移送チャンバー２４０を基準に対称されるように提供される。移送チャンバー２４０の一側には複数の工程チャンバー３００が提供される。工程チャンバー３００の中で一部は移送チャンバー２４０の横方向に沿って配置される。また、工程チャンバー３００の中で一部は互いに積層されるように配置される。
即ち、移送チャンバー２４０の一側には工程チャンバー３００がＡＸＢの配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバー３００の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバー３００の数である。移送チャンバー２４０の一側に工程チャンバー３００が４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー３００は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー３００の数は増加するか、或いは減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー３００は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、工程チャンバー３００は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。
バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と対向する面及び移送チャンバー２４０と対向する面が開放される。
移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその横方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、本体１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは本体１４４ｂに結合され、本体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２００からキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０から工程処理モジュール２００に基板Ｗを搬送する時に使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。
移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー３００との間に、そして工程チャンバー３００の間に基板Ｗを搬送する。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその横方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、本体２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。本体２４４ｂはベース２４４ａに結合される。本体２４４ｂはベース２４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体２４４ｂはベース２４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは本体２４４ｂに結合され、これは本体２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。
工程チャンバー３００は基板Ｗに対して液処理する工程を遂行する。工程チャンバー３００は遂行する工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに各々の工程チャンバー３００は同一な構造を有することができる。選択的に工程チャンバー３００は複数個のグループに区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー３００は互いに同一な構造に提供され、互いに異なるグループに属する工程チャンバー３００は互いに異なるように提供されることができる。
本実施形態には基板処理工程が基板Ｗの縁領域で薄膜Ｔを除去する膜除去工程であることを例として説明する。しかし、これと異なりに基板処理工程は膜除去工程の以外に他の種類の工程であり得る。
図４は図３の工程チャンバーを概略的に示す断面図である。図４を参照すれば、工程チャンバー３００はハウジング３１０、支持ユニット３２０、液供給ユニット３３０、レーザー照射ユニット３４０、及び制御器４００を含む。
ハウジング３１０は内部に処理空間を提供する。支持ユニット３２０は処理空間で基板Ｗを支持する。支持ユニット３２０は工程進行の中で基板Ｗを支持及び回転させる。支持ユニット３２０は支持板３２２そして回転軸３２４を有する。支持板３２２は大体に円形の板形状に提供されることができる。支持板３２２は上面が底面より大きい直径を有することができる。支持板３２２の上面及び底面をつなぐ側面は中心軸に近くなるほど、下方に傾いた方向に向かうことができる。支持板３２２の上面は基板Ｗが安着される案着面として提供される。安着面は基板Ｗより小さい面積を有する。一例によれば、安着面の直径は基板Ｗの半径より小さいことができる。安着面は基板Ｗの中心領域を支持する。
回転軸３２４はその長さ方向が上下方向に向かう筒形状を有するように提供される。回転軸３２４は支持板３２２の底面に結合される。駆動器３２６は回転軸３２４に回転力を伝達する。回転軸３２４は駆動器３２６から提供された回転力によって中心軸を中心に回転可能である。支持板３２２は回転軸３２４と共に回転可能である。回転軸３２４は駆動器によってその回転速度が調節されて基板Ｗの回転速度を調節可能である。例えば、駆動器はモーターである。しかし、駆動器はモーターであることに限定されることではなく、回転軸３２４に回転力を提供する公知の装置等に多様に変形されることができる。
液供給ユニット３３０は基板Ｗに処理液を供給する。液供給ユニット３３０は基板Ｗ上に液を供給する。液はアルカリ系ケミカルである。これと異なりに液は水であってもよい。
レーザー照射ユニット３４０は支持ユニット３２０に支持された基板ＷにレーザーＬを照射することができる。レーザー照射ユニット３４０は基板Ｗ上の縁領域にレーザーＬを照射するように提供される。レーザー照射ユニット３４０から照射されたレーザーＬは基板Ｗ上の縁領域に提供された膜質を除去することができる。
レーザーＬが照射される時、プレート３４２は液供給ユニット３３０によって基板Ｗ上に供給された液の表面と接するように液膜上の上部に提供されることができる。プレート３４２は駆動器（図示せず）によって接液位置と待機位置との間に移動されることができる。接液位置は基板ＷにレーザーＬが照射される時、レーザーＬの照射経路上で液の表面と接する位置である。待機位置は基板Ｗが支持板３２２に置かれるか、或いは支持板３２２から持ち上げられる時、基板Ｗと干渉されない位置である。
プレート３４２は回転移動又は直線移動によって接液位置と待機位置との間に移動されることができる。プレート３４２はレーザーＬが透過されることができる材質で提供される。例えば、プレート３４２の材質は石英（Ｑｕａｒｔｚ）である。レーザー照射部材３４５から照射されたレーザーＬはプレート３４２を透過して基板Ｗの縁領域上に照射される。
レーザー照射部材３４５は光源３４４と光路変更部材を含む。光路変更部材は１つ又は複数のミラー３４６を含む。光路変更部材は光がプレート３４２を透過した後、基板Ｗ上に照射されるように光源３４４から照射された光の経路を変更する。ミラー３４６はミラー駆動器（図示せず）を通じて望む位置に移動されることができる。
制御器４００は液供給ユニット３３０とレーザー照射ユニット３４０を制御する。例えば、制御器４００は基板Ｗ上に照射されるレーザーＬの照射位置及び時期、そして液が供給される時期を制御することができる。一例によれば、基板Ｗ上に照射されるレーザーＬの照射位置はミラー３４６の位置を移動させて変更することができる。
プレート３４２はその上面が支持ユニット３２０に置かれる基板Ｗに平行に提供されることができる。この時、レーザー照射部材３４５は支持ユニット３２０に置かれる基板Ｗに垂直になる方向にレーザーＬを照射することができる。
図５乃至図１０を参照して本発明の基板処理方法に対して説明する。一実施形態で、基板の処理は基板Ｗ上に形成された薄膜Ｔを除去する工程である。図５を参照すれば、先ず支持ユニット３２０に基板Ｗが置かれる。その後、基板Ｗに形成された薄膜Ｔの上に待機位置に置いたプレート３４２が接液位置に移動される。
図６を参照すれば、プレート３４２が移動された後液供給ユニット３３０で基板Ｗ上に液が供給される。プレート３４２が接液位置に移動された後、レーザー照射ユニット３４０によって基板Ｗ上にレーザーＬが照射されて薄膜Ｔを除去する過程が開始される。制御器４００は以下で説明する基板Ｗ処理方法を遂行できるように液供給ユニット３３０とレーザー照射ユニット３４０を制御することができる。
本発明の基板Ｗを処理する方法は、基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗ上に液膜Ｆを形成した後に基板ＷにレーザーＬを照射して基板Ｗを処理し、基板Ｗ上に形成された液膜Ｆにプレート３４２を接触させてレーザーＬがプレート３４２を透過して基板Ｗを処理するようにする。
図８はプレート３４２が接液位置に移動された後、レーザー照射ユニット３４０によって基板Ｗ上にレーザーＬが照射される形態を示す。図９は本発明の一実施形態に係るプレート３４２に照射されるレーザーＬが移動される形態を示す。図９を参照すれば、レーザーＬの照射位置が変更ミラー３４６の位置は変更されることができる。レーザーＬが基板Ｗに照射されることによって基板Ｗ上に形成された薄膜Ｔが除去される。
この時、プレート３４２の位置は固定され、レーザーＬがプレート３４２に照射されるレーザーＬの照射位置が支持ユニット３２０に置かれる基板Ｗの半径方向に沿って変更されるようにレーザー照射部材３４５を移動することができる。
以上では、基板Ｗに形成された薄膜Ｔの上に待機位置に置いたプレート３４２が接液位置に移動されることと説明したが、図１０に図示されたように、基板Ｗに形成された薄膜Ｔ上に液供給ユニット３３０によって液が供給された後、待機位置に置いたプレート３４２が接液位置に移動されることができる。
基板Ｗ上にレーザーＬを照射して基板Ｗに形成された薄膜Ｔを除去する場合、薄膜Ｔが除去される過程でパーティクルＰが発生するようになる。
本発明は基板Ｗ上に液が供給され、プレート３４２が液に接触された状態でレーザーＬを照射するようにする。本発明のように基板Ｗ上に液を塗布した後、削磨する場合、基板Ｗから分離されたパーティクルＰは液内部に捕獲され、液内部のパーティクルＰは空気中である時より基板Ｗとの接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ）が弱いので、基板Ｗに吸着されなく、液内部で浮遊される。
即ち、本発明によれば、プレート３４２の低部の液を移動させる場合、パーティクルＰは液の流れによって液と共に除去されることができる。したがって、乾燥した環境で粉塵を集塵する場合、基板Ｗから分離されたパーティクルＰが基板Ｗに再び吸着されて基板Ｗが再汚染される現象を防止することができる。
また、基板Ｗ上に液を塗布した後液の上部にプレート３４２を位置させた後に、プレート３４２を透過して基板Ｗ上にレーザーＬを照射すれば、液の上面がプレート３４２による支持ユニット３２０によって支持された基板Ｗと平行するように維持されて液の厚さがｄに均一になる。
したがって、プレート３４２を具備しないので、液の厚さが一定に維持されない場合、液の上面が平坦でなく、これによってレーザーＬが望む位置に照射されなく、不必要な位置を削磨する問題点を解決することができる。
以上では、プレート３４２は平坦に提供されることと説明した。しかし、プレート３４２の上面は以下のように多様に提供されることができる。
図１１を参照すれば、プレート３４２の上面を支持ユニット３２０に置かれる基板Ｗの中心に向かう方向に上向傾くように提供することができる。プレート３４２の上面を支持ユニット３２０に置かれる基板Ｗの中心に向かう方向に上向傾くようにすることによって、基板Ｗ上にレーザーＬを照射する位置を基板Ｗの上部に限定せずに変更することができるようになる。図１１のようにプレート３４２の上面の角度を４５°に提供する場合、レーザーＬは基板の側面で基板と並んだ方向に照射されることができる。
図１２を参照すれば、プレート３４２はその上面が支持ユニット３２０に置かれる基板Ｗの中心に向かう方向に上向傾き、図１１よりは低い角度に提供されることができる。この時、レーザー照射部材３４５はレーザーＬを基板Ｗの外側でプレート３４２の傾斜面に照射することができる。
図１３を参照すれば、プレート３４２の上面を凸に提供してレーザーＬを基板Ｗ上の特定位置に集中させて照射することができる。この時、レーザー照射部材３４５は図８と同様に支持ユニット３２０に置かれる基板Ｗに垂直になる方向にレーザーＬを照射することができる。
プレート３４２はその上面が膨らんでいる形状のみならず凹んだ形状にもその上面がラウンドになるように提供されることができる。基板Ｗ上にレーザーＬが照射される範囲を既存のレーザーＬの照射範囲より拡大設定する場合、その上面を凹に設定することができ、基板Ｗ上にレーザーＬが照射される範囲を既存のレーザーＬの照射範囲より縮小設定する場合、その上面を図１４のように凸に設定することができる。
図１４を参照すれば、レーザーＬの照射位置は基板Ｗの半径方向に沿って変更され、レーザーＬがプレート３４２上の同一地点に照射されるようにレーザーＬの照射位置の変更と共にプレート３４２の位置が変更されることができる。
レーザー照射部材３４５はプレート３４２を移動させるプレート３４２駆動器（図示せず）をさらに含むことができる。プレート３４２駆動器はレーザーＬの照射位置が変更される間にレーザーＬがプレート３４２の特定位置に照射されるようにレーザーＬの照射位置に対応してプレート３４２の位置が変更されるようにすることができる。
基板Ｗを処理する方法は基板Ｗ上の縁領域に複数のレーザーＬを照射して基板Ｗ上の薄膜Ｔを除去する方法である。基板Ｗ上の薄膜Ｔは蒸着工程で形成された膜質である。例えば、基板Ｗ上の膜質はＴｉＮ、ＳｉＮ、タングステン、オキサイド等である。
しかし、本発明の一実施形態による基板Ｗ処理方法は、膜質を除去する方法であることに限定されることではなく、レーザーＬを基板Ｗに照射して基板Ｗを処理する多様な処理方法にも同様に適用されることができる。
本発明の一実施形態による基板Ｗ処理方法は、基板Ｗ上の縁領域に制限されなく、基板Ｗ上の全面を処理する方法であり得る。一実施形態で、基板を切断する加工工程、膜除去工程等多様な加工工程である。
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
３００ 工程チャンバー
３４０ レーザー照射ユニット
４００ 制御器
３４２ プレート
３４４ 光源
３４６ ミラー

Claims (10)

  1. 基板を処理する装置であって、
    内部に処理空間を有するハウジングと、
    前記ハウジング内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された基板に液を供給する液供給ユニットと、
    前記基板の縁領域にレーザーを照射するレーザー照射ユニットと、
    前記液供給ユニットと前記レーザー照射ユニットを制御する制御器と、
    を含み、
    前記レーザー照射ユニットは、
    前記基板上に供給された液の表面と接するように前記液の上部に提供可能なプレートと、
    前記プレートを透過して前記支持ユニットに支持された基板の縁領域上にレーザーを照射するレーザー照射部材と、
    を含み、
    前記レーザー照射部材は、
    光源と、
    前記光源で照射された光の経路を変更するミラーを有する光路変更部材と、
    を含み、
    前記光路変更部材は、前記ミラーを移動させるミラー駆動器をさらに含み、
    前記制御器は、前記ミラー駆動器を制御して前記レーザーを照射する間に前記基板上にレーザーの照射位置が変更されるように前記ミラーの位置を変更する、
    基板処理装置。
  2. 前記プレートは、その上面が前記支持ユニットに置かれる基板に平行に提供される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記プレートは、その上面がラウンドになるように提供される、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記プレートは、その上面が前記支持ユニットに置かれる基板の半径方向に沿って傾くように提供される、請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記レーザー照射部材は、前記支持ユニットに置かれる基板に垂直になる方向にレーザーを照射できるように提供される、請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 前記レーザー照射部材は、前記支持ユニットに置かれる基板の側部で前記基板に平行である方向にレーザーを前記プレートに照射できるように提供される、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 基板を処理する装置であって、
    内部に処理空間を有するハウジングと、
    前記ハウジング内で基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された基板に液を供給する液供給ユニットと、
    前記基板の縁領域にレーザーを照射するレーザー照射ユニットと、
    前記液供給ユニットと前記レーザー照射ユニットを制御する制御器と、
    を含み、
    前記レーザー照射ユニットは、
    前記基板上に供給された液の表面と接するように前記液の上部に提供可能なプレートと、
    前記プレートを透過して前記支持ユニットに支持された基板の縁領域上にレーザーを照射するレーザー照射部材と、
    を含み、
    前記プレートは、その上面がラウンドになるように提供され、
    前記レーザー照射部材は、前記プレートを移動させるプレート駆動器をさらに含み、
    前記制御器は、前記レーザーの照射位置が変更される間に前記レーザーが前記プレートの特定位置に照射されるように前記レーザーの照射位置に対応して前記プレートの位置が変更されるように前記プレート駆動器を制御する、
    基板処理装置。
  8. 前記制御器は、前記レーザーが前記プレートに照射される前記レーザーの照射位置が前記支持ユニットに置かれる基板の半径方向に沿って変更されるように前記レーザー照射部材を制御する、請求項２乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
  9. 前記制御器は、前記レーザーが前記プレートに照射される前記レーザーの照射位置が上下方向に沿って変更されるように前記レーザー照射部材を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。
  10. 前記制御器は、前記液が供給され、前記プレートが前記液に接触された状態で前記レーザーを照射するように前記液供給ユニットと前記レーザー照射ユニットを制御する、請求項１乃至請求項６のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
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