CN112139680A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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李廷焕
权五烈
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Abstract

本发明提供一种用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：壳体，在所述壳体中具有处理空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；液体分配单元，其将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；激光照射单元，其将激光照射到所述基板的边缘区域；以及控制器，其控制所述液体分配单元和所述激光照射单元。所述激光照射单元包括：板，其设置在所述液体上，从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及激光照射构件，其将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。

Description

用于处理基板的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月27日提交的、申请号为10-2019-0077271的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及用于通过将液体分配到基板上并将激光照射到基板来处理基板的装置和方法。
背景技术
制造诸如半导体元件或平板显示元件的集成电路元件的工艺，包括通过将激光束照射到基板来去除基板上的膜的工艺。然而，在激光束照射工艺中会产生颗粒。由于半导体元件的高密度、高集成度和高性能，迅速进行电路图案的按比例缩小。因此，残留在基板表面上的诸如颗粒的污染物极大地影响半导体元件的特性和产率(yield)。
因此，如图1所示，当通过使用激光L处理基板W时，将抽吸灰尘用抽吸设备5用于去除颗粒P。
然而，在通过将激光L照射到基板W来去除基板W的表面上的薄膜T的工艺中，基板W上的颗粒P从基板W分离并被抽吸设备5抽吸，但是一些颗粒或小尺寸的细颗粒会再次粘附至基板W，而不会被抽吸设备5抽吸。
此外，如图2所示，在将液体分配到基板W的表面上时而激光L照射到基板W的情况下，基板W上的液膜具有波纹表面，因此基板W上的液膜的表面不平。当将激光L照射到液膜的表面时，激光L被折射，因此激光L没有被照射到基板W上的期望位置。
此外，由于激光L从基板W的上方在垂直于基板W的方向上被照射，因此在基板W的上方需要用于设置激光L的照射路径的空间。因此，增加了基板处理装置的处理空间的体积。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的基板处理装置和方法。
此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和方法，用于在通过将激光照射到基板来处理基板的工艺中使杂质对基板的粘附最小化。
另外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置和方法，用于当将激光照射到其上具有液体层的基板时、允许激光准确地到达基板上的期望区域。
本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：壳体，在所述壳体中具有处理空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；液体分配单元，其将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；激光照射单元，其将激光照射到所述基板的边缘区域；以及控制器，其制所述液体分配单元和所述激光照射单元。所述激光照射单元包括：板，其设置在所述液体上从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及激光照射构件，其将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。
根据一实施方案，所述板的上表面可以平行于放置在所述支承单元上的所述基板。
根据一实施方案，所述板的上表面可以是圆形的。
根据一实施方案，所述板的上表面可以是凸形的。
根据一实施方案，所述板的上表面可以沿着放置在所述支承单元上的所述基板的径向方向倾斜。
根据一实施方案，所述板的上表面可以在朝向放置在所述支承单元上的所述基板的中心的方向上向上倾斜。
根据一实施方案，所述激光照射构件可以在垂直于放置在所述支承单元上的所述基板的方向上照射激光。
根据一实施方案，在放置在所述支承单元上的所述基板的侧部(side)上，所述激光照射构件可以在平行于所述基板的方向上将所述激光照射到所述板。
根据一实施方案，所述激光照射构件可以包括光源和光路改变构件，所述光路改变构件包括镜，所述镜改变由所述光源照射的光的路径，并且所述光路改变构件还可以包括镜致动器，所述镜制动器移动所述镜。
根据一实施方案，所述控制器可以控制所述镜致动器以改变所述镜的位置，使得在照射激光的情况下改变激光照射到基板的位置。
根据一实施方案，所述激光照射构件可以包括板致动器，所述板致动器移动所述板，并且所述控制器可以控制所述板致动器，从而改变所述板的位置以与所述激光的照射位置相对应，使得在改变所述激光的所述照射位置的情况下，将所述激光照射到所述板的特定位置。
根据一实施方案，所述控制器可以控制所述激光照射构件，使得将激光照射到所述板的所述激光的照射位置沿着放置在所述支承单元上的所述基板的径向方向改变。
根据一实施方案，所述控制器可以控制所述激光照射构件，使得激光照射到所述板的激光的照射位置沿着上下方向改变。
根据一实施方案，所述控制器可以控制所述液体分配单元和所述激光照射单元，使得在所述板与所述液体接触的状态下分配所述液体并照射所述激光。
根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：壳体，在所述壳体中具有处理空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；液体分配单元，其将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；以及激光照射单元，其将激光照射到所述基板。所述激光照射单元包括：板，其设置在所述液体上，从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及激光照射构件，其将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板。
根据一实施方案，所述板的上表面可以平行于放置在所述支承单元上的所述基板。
根据一实施方案，所述板的上表面可以是凸形的。
根据一实施方案，所述板的上表面可以在朝向放置在所述支承单元上的所述基板的中心的方向上向上倾斜。
根据一实施方案，所述激光照射构件可以包括光源和光路改变构件，所述光路改变构件包括镜，所述镜改变由所述光源照射的光的路径，并且所述光路改变构件还可以包括镜致动器，所述镜致动器移动所述镜。
根据一实施方案，所述装置还可以包括控制器，所述控制器控制所述液体分配单元和所述激光照射单元，并且所述控制器可以控制所述镜致动器以改变所述镜的位置，使得在照射激光的情况下改变激光照射到所述基板的位置。
根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的方法包括：通过将液体分配到所述基板上而在所述基板上形成液膜；以及通过将激光照射到所述基板来处理所述基板，其中所述板与形成在所述基板上的所述液膜接触，并且所述激光透射穿过所述板以处理所述基板。
根据一实施方案，所述基板的所述处理可以是通过使用所述激光去除所述基板上的薄膜的工艺。
根据一实施方案，所述基板上的所述薄膜可以是设置在所述基板的边缘区域上的薄膜。
根据一实施方案，所述板的上表面可以设置成平行于放置在支承单元上的所述基板，并且所述激光可以在垂直于所述基板的方向上被照射到所述板。
根据一实施方案，所述板的上表面可以沿着所述基板的径向方向朝向所述基板的中心倾斜，并且所述激光可以从所述基板的外侧被照射到所述板的倾斜表面。
根据一实施方案，所述板的上表面可以是凸形的，使得所述激光被照射到所述基板上的设定位置，并且所述激光可以被照射到凸部。
根据一实施方案，在工艺期间，可以固定所述板的位置，并且可以沿着基板的径向方向改变所述激光的照射位置。
根据一实施方案，在工艺期间，可以固定所述板的位置，并且可以沿上下方向改变照射到所述板的所述激光的照射位置。
根据一实施方案，可以沿着所述基板的径向方向改变所述激光的照射位置，并且可以一起改变所述板的位置与所述激光的所述照射位置，使得所述激光被照射到板上的相同点。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1是示出了通过将激光照射到基板来处理基板的常规工艺的示意图；
图2是示出了当在液膜形成于基板上的状态下照射激光时，遇到的问题的示意图；
图3是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的平面图；
图4是示出了图3的基板处理装置中用于通过照射激光来处理基板的腔室的示意性截面图；
图5至图10示出了在根据本发明构思的实施方案，膜去除工艺中将激光照射到基板的工艺；以及
图11至图14示出了本发明构思的其他实施方案。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方案，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实行本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方案。此外，在描述本发明构思的实施方案时，当与已知功能或配置有关的详细描述可能使本发明构思的主题不必要地模糊时，该详细描述将被省略。另外，贯穿附图，执行相似功能和操作的组件设置有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括(include)”和“包括(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应组件，并且除非有相反的特别说明，否则不排除但可能包括额外的组件。特别地，应当理解的是，术语“包括(include)”、“包括(comprise)”和“具有(have)”，在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了说明的清楚，组件的形状和尺寸可能被夸大。
在下文中，将参照图3至图14详细描述本发明构思的实施方案。
参照图3，基板处理装置10具有索引模块100和工艺模块200。索引模块100具有装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和工艺模块200依序地布置成排。在下文中，装载端口120、传送框架140和工艺模块200布置的方向被称为第一方向12，从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，并且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
具有接收在其中的基板W的载体130坐落在装载端口120上。设置多个装载端口120。装载端口120沿第二方向14设置成排。装载端口120的数量可以依据工艺模块200的工艺效率和占地面积条件来增加或减少。载体130具有形成于其中的多个槽(未示出)，其中，基板W被接收在相对于地面的水平位置中。前开式晶圆盒(front opening unified pod,FOUP)可以用作载体130。
工艺模块200具有缓冲单元220、传送腔室240和工艺腔室300。传送腔室240设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。工艺腔室300设置在传送腔室240的相对侧上。在传送腔室240的相对侧上，工艺腔室300设置成相对于传送腔室240彼此对称。多个工艺腔室300设置在传送腔室240的一侧上。一些工艺腔室300沿传送腔室240的纵向方向设置。此外，其他工艺腔室300在彼此之上堆叠。
换句话说，在传送腔室240的一侧上的工艺腔室300可以以A×B阵列设置。此处，“A”表示沿第一方向12设置成排的工艺腔室300的数量，而“B”表示沿第三方向16设置成列的工艺腔室300的数量。在传送腔室240的一侧上设置有四个或六个工艺腔室300的情况下，工艺腔室300可以以2×2或3×2的阵列设置。工艺腔室300的数量可增加或减少。可替代地，工艺腔室300可仅设置在传送腔室240的一侧上。在另一种情况下，工艺腔室300可在传送腔室240的相对侧上设置在单层中。
缓冲单元220设置在传送框架140和传送腔室240之间。缓冲单元220提供基板W在传送腔室240和传送框架140之间传送之前停留的空间。缓冲单元220具有形成在其中的槽(未示出)，基板W放置在槽中。槽(未示出)沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220在面向传送框架140的一侧处、以及在面向传送腔室240的相对侧处是开放的。
传送框架140在坐落于装载端口120上的载体130和缓冲单元220之间传送基板W。索引轨道142和索引机械手144设置在传送框架140中。索引轨道142设置成使得其纵向方向平行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上，并沿着索引轨道142在第二方向14线性移动。索引机械手144具有基部144a、主体144b和索引臂144c。基部144a安装成沿索引轨道142为可移动的。主体144b耦合至基部144a。主体144b在基部144a上沿第三方向16为可移动的。此外，主体144b在基部144a上为可旋转的。索引臂144c耦合至主体144b，并且相对于主体144b是向前向后可移动的。设置多个索引臂144c。索引臂144c独立地驱动。索引臂144c沿第三方向16在彼此之上堆叠，其间具有间隔间隙。一些索引臂144c可以用于将基板W从工艺模块200传送至载体130，且其他索引臂144c可以用于将基板W从载体130传送至工艺模块200。因此，在索引机械手144在载体130和工艺模块200之间传送基板W的工艺中，可以防止从待处理的基板W产生的颗粒粘附至处理过的基板W。
传送腔室240在缓冲单元220和工艺腔室300之间、以及各工艺腔室300之间传送基板W。导轨242和主机械手244设置在传送腔室240中。导轨242设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。主机械手244安装在导轨242上，并沿第一方向12在导轨242上线性移动。主机械手244具有基部244a、主体244b和主臂244c。基部244a安装成沿导轨242为可移动的。主体244b耦合至基部244a。主体244b在基部244a上沿第三方向16为可移动的。此外，主体244b在基部244a上为可旋转的。主臂244c耦合至主体244b，并且相对于主体244b是向前向后可移动的。设置多个主臂244c。主臂244c独立地驱动。主臂244c沿第三方向16在彼此之上堆叠，其间具有间隔间隙。
各工艺腔室300在基板W上执行液体处理工艺。工艺腔室300可以根据所执行的工艺的类型而具有不同的结构。相反，工艺腔室300可以具有相同的结构。选择性地，工艺腔室300可以被分成多个组。属于相同组的工艺腔室300可以具有相同的结构，而属于不同组的工艺腔室300可以具有不同的结构。
在本实施方案中，将例示的是，基板处理工艺是去除基板W的边缘区域上的薄膜T的膜去除工艺。然而，基板处理工艺可以是除膜去除工艺外的不同类型的工艺。
图4是示出了图3的工艺腔室的示意性截面图。参照图4，工艺腔室300包括壳体310、支承单元320、液体分配单元330、激光照射单元340和控制器400。
壳体310在其中具有处理空间。支承单元320在处理空间中支承基板W。在基板处理工艺期间，支承单元320支承并旋转基板W。支承单元320具有支承板322和旋转轴324。支承板322具有基本圆板形状。支承板322的上表面可以具有比支承板322的下表面更大的直径。连接支承板322的上表面和下表面的支承板322的侧表面可以朝向支承板322的中心轴线向下倾斜。支承板322的上表面用作座表面(seating surface)，基板W坐落在该座表面上。座表面具有比基板W小的面积。根据一实施方案，座表面的直径可以小于基板W的半径。座表面支承基板W的中心区域。
旋转轴324具有圆柱形状，其纵向方向定向在上下方向上。旋转轴324耦合到支承板322的下表面。致动器326将扭矩传递到旋转轴324。通过从致动器326传递的扭矩，旋转轴324绕其中心轴线为可旋转的。支承板322与旋转轴324一起为可旋转的。致动器326可以调节旋转轴324的旋转速度，以调节基板W的旋转速度。例如，致动器326可以是电动机。然而，不限于此，致动器326可以包括用于将扭矩施用至旋转轴324的各种公知设备。
液体分配单元330将液体分配到基板W上。液体可以是碱性化学品。可替代地，液体可以是水。
激光照射单元340可以将激光L照射到支承在支承单元320上的基板W。激光照射单元340将激光L照射到基板W的边缘区域。从激光照射单元340照射的激光L可以去除基板W的边缘区域上的膜。
当照射激光L时，可以在液膜F上设置板342，以便板342与通过液体分配单元330分配到基板W上的液体的表面接触。板342可以通过致动器(未示出)在液体接触位置和待机位置之间移动。液体接触位置是当激光L被照射到基板W时、板342在激光L的照射路径上与液体的表面接触的位置。待机位置是当基板W放置在支承板322上或当基板W从支承板322抬起时、板342不会干扰基板W的位置。
板342可以通过旋转运动或线性运动在液体接触位置和待机位置之间移动。板342由激光L能够透射穿过的材料形成。例如，板342的材料可以是石英。从激光照射构件345照射的激光L透射穿过板342，并照射到基板W的边缘区域。
激光照射构件345包括光源344和光路改变构件。光路改变构件包括一个或多个镜346。光路改变构件改变从光源344照射的光的路径，使得光在透射穿过板342之后被照射到基板W。可以通过镜致动器(未示出)将镜346移动到期望位置。
控制器400控制液体分配单元330和激光照射单元340。例如，控制器400可以控制何时及何处将激光L照射到基板W、以及何时将液体分配到基板W上。根据一实施方案，可以通过移动镜346的位置来改变照射到基板W的激光L的照射位置。
板342的上表面可以平行于放置在支承单元320上的基板W。此时，激光照射构件345可以在垂直于放置在支承单元320上的基板W的方向上照射激光L。
在下文中，将参照图5至图10描述本发明构思的基板处理方法。在一实施方案中，基板处理工艺是去除形成在基板W上的薄膜T的工艺。参照图5，首先，基板W被放置在支承单元320上。接下来，处于待机位置的板342被移动到形成在基板W上的薄膜T上方的液体接触位置。
参照图6，在移动板342之后，液体分配单元330将液体分配到基板W上。在将板342移动到液体接触位置之后，激光照射单元340将激光L照射到基板W，并且开始去除薄膜T的工艺。控制器400可以控制液体分配单元330和激光照射单元340，以执行将在下面描述的基板处理方法。
在本发明构思的基板处理方法中，将液体分配到基板W上以在基板W上形成液膜F，然后，通过照射到基板W的激光L对基板W进行处理，其中，板342与形成在基板W上的液膜F接触，并且激光L透射穿过板342并处理基板W。
图8示出了在将板342移动到液体接触位置之后，通过激光照射单元340将激光L照射到基板W的状态。图9示出了根据本发明构思的实施方案，移动照射到板342的激光L的状态。参照图9，可以改变镜346的位置，使得改变激光L的照射位置。当激光L照射到基板W时，形成在基板W上的薄膜T被去除。
此时，可以固定板342的位置，并且可以移动激光照射构件345，使得照射到板342的激光L的照射位置沿着放置在支承单元320上的基板W的径向方向改变。
在上文中，已经描述了将处于待机位置的板342移动到形成在基板W上的薄膜T上方的液体接触位置。然而，如图10所示，可以在液体分配单元330将液体分配到形成在基板W上的薄膜T上之后，将处于待机位置的板342移动到液体接触位置。
在通过将激光L照射到基板W来去除基板W上的薄膜T的情况下，在去除薄膜T的工艺中产生颗粒(P)。
在本发明构思中，将液体分配到基板W上，并且在板342与液体接触的状态下照射激光L。在如本发明构思中在将液体施用到基板W之后执行烧蚀的情况下，从基板W分离的颗粒P被捕获在液体中。液体中的颗粒P漂浮在液体中而不粘附到基板W，因为在液体中，颗粒P对基板W的粘附性比在空气中弱。
也就是说，根据本发明构思，当板342下方的液体移动时，颗粒P可以与液体一起沿着液体的流动而被去除。因此，在干燥环境中收集灰尘的情况下，可以防止从基板W分离的颗粒P再次粘附到基板W、以及再次污染基板W。
此外，当板342位于施用到基板W的液体上之后、激光L穿过板342照射到基板W时，保持液体的上表面平行于支承在支承单元320上的基板W，由于板342，液体具有均匀的厚度“d”。
因此，本发明构思可以解决以下问题：在没有设置板342并因此液体的厚度无法保持均匀的情况下，液体的上表面是不平坦的，使得激光L无法照射到期望位置、且烧蚀了不必要的位置。
在上文中，已经描述了板342被设置为平坦的。然而，板342的上表面可以如下不同地设置。
参照图11，板342的上表面可以在朝向放置在支承单元320上的基板W的中心的方向上向上倾斜。当板342的上表面在朝向放置在支承单元320上的基板W的中心的方向上向上倾斜时，可以改变激光L照射到基板W的位置，而不限于基板W的顶侧。在如图11所示的板342的上表面以45度的角度倾斜的情况下，激光L可以在平行于基板W的侧部的方向上照射。
参照图12，板342的上表面可以在朝向放置在支承单元320上的基板W的中心的方向上向上倾斜，并且板342的上表面的角度可以小于图11中的角度。此时，激光照射构件345可以从基板W的外侧将激光L照射到板342的倾斜表面。
参照图13，板342可以具有凸形的上表面，并且可以将激光L会聚在基板W上的特定位置上。此时，如在图8中，激光照射构件345可以在垂直于放置在支承单元320上的基板W的方向上照射激光L。
除凸形上表面以外，板342可以具有圆凹形上表面。在将激光L照射到基板W的范围设定为大于激光L的现有照射范围的情况下，可以将板342的上表面设定为凹形的，并且在将激光L照射到基板W的范围设定为小于激光L的现有照射范围的情况下，可以如在图13中将板342的上表面设定为凸形的。
参照图14，可以沿着基板W的径向方向改变激光L的照射位置，并且可以一起改变板342的位置可以与激光器L的照射位置，使得激光L被照射到板342上的相同点。
激光照射构件345还可以包括使板342移动的板致动器(未示出)。板致动器可以改变板342的位置，以与激光L的照射位置相对应，使得在改变激光L的照射位置的情况下，将激光L照射到板342的特定位置。
用于处理基板W的方法可以是用于通过将多个激光L照射到基板W的边缘区域来去除基板W上的薄膜T的方法。基板W上的薄膜T可以是由沉积工艺形成的膜。例如，基板W上的膜可以是TiN、SiN、钨或氧化物等。
然而，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法不限于用于去除膜的方法，并且可以类似地应用于各种处理方法，该各种处理方法用于通过将激光L照射到基板W来处理基板W。
不限于处理基板W的边缘区域，根据本发明构思实施方案的基板处理方法可以是用于处理基板W整个表面的方法。例如，可以将基板处理方法应用于各种工艺，诸如切割基板的工艺和去除膜的工艺等。
如上所述，根据本发明构思的实施方案，基板上的膜可以通过使用激光来有效去除。
此外，根据本发明构思的实施方案，当通过将激光照射到基板来处理基板时，可以将激光准确地照射到基板上的特定区域。
而且，根据本发明构思的实施方案，当通过将激光照射到基板来处理基板时，激光可以被会聚在基板上的特定区域上。
另外，根据本发明构思的实施方案，当通过将激光照射到基板来处理基板时，用于处理基板的空间的宽度可以在上下方向上减小。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、改变和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行在本发明构思的特定应用和目的中所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将本发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，在所述壳体中具有处理空间；
支承单元，其配置为在所述壳体中支承所述基板；
液体分配单元，其配置为将液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；
激光照射单元，其配置为将激光照射到所述基板的边缘区域；以及
控制器，其配置为控制所述液体分配单元和所述激光照射单元，
其中，所述激光照射单元包括：
板，其设置在所述液体上，从而与分配到所述基板上的所述液体的表面接触；以及
激光照射构件，其配置为将所述激光穿过所述板照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述板的上表面平行于放置在所述支承单元上的所述基板。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述板的上表面是圆形的。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述板的上表面沿着放置在所述支承单元上的所述基板的径向方向倾斜。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述激光照射构件在垂直于放置在所述支承单元上的所述基板的方向上照射激光。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，在放置在所述支承单元上的所述基板的侧部上，所述激光照射构件在平行于所述基板的方向上将所述激光照射到所述板。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，其中，所述激光照射构件包括：
光源；和
光路改变构件，其包括镜，所述镜配置为改变由所述光源照射的光的路径，并且
其中，所述光路改变构件还包括镜致动器，所述镜致动器配置为移动所述镜，其中，所述控制器控制所述镜致动器以改变所述镜的位置，使得在照射激光的情况下改变激光照射到基板的位置。
8.根据权利要求3所述的装置，其中，所述激光照射构件包括板致动器，所述板致动器配置为移动所述板，并且
其中，所述控制器控制所述板致动器，从而改变所述板的位置以与所述激光的照射位置相对应，使得在改变所述激光的所述照射位置的情况下，将所述激光照射到所述板的特定位置。
9.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中，所述控制器控制所述激光照射构件，使得所述激光照射到所述板的所述激光的照射位置，沿着放置在所述支承单元上的所述基板的径向方向改变。
10.根据权利要求4所述的装置，其中，所述控制器控制所述激光照射构件，使得所述激光照射到所述板的所述激光的照射位置，沿着上下方向改变。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中，所述控制器控制所述液体分配单元和所述激光照射单元，使得在所述板与所述液体接触的状态下分配所述液体并照射所述激光。
12.一种用于处理基板的方法，其中，所述方法包括：
通过将液体分配到所述基板上而在所述基板上形成液膜；以及
通过将激光照射到所述基板来处理所述基板，
其中，板与形成在所述基板上的所述液膜接触，并且所述激光透射穿过所述板以处理所述基板。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述基板的所述处理是通过使用所述激光去除所述基板上的薄膜的工艺。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述基板上的所述薄膜是设置在所述基板的边缘区域上的薄膜。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中，所述板的上表面设置成平行于放置在支承单元上的所述基板，并且所述激光在垂直于所述基板的方向上被照射到所述板。
16.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中，所述板的上表面沿着所述基板的径向方向朝向所述基板的中心倾斜，并且所述激光从所述基板的外侧被照射到所述板的倾斜表面。
17.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中，所述板的上表面是凸形的，使得所述激光被照射到所述基板上的设定位置，并且所述激光被照射到凸部。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，在工艺期间，固定所述板的位置，并且沿着所述基板的径向方向改变所述激光的照射位置。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，在工艺期间，固定所述板的位置，并且沿上下方向改变照射到所述板的所述激光的照射位置。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，沿着所述基板的径向方向改变所述激光的照射位置；并且一起改变所述板的位置与所述激光的照射位置，使得所述激光被照射到所述板上的相同点。
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