KR20230100234A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛; 및 상기 레이저 조사 유닛에 결합되고, 상기 기판의 저면으로 조사되어 반사되는 레이저를 반사시키는 레이저 반사 유닛을 포함하고, 상기 레이저 반사 유닛은, 상기 기판으로부터 반사되는 레이저를 반사시키는 반사 부재; 및 상기 반사 부재를 소정의 틸트 각도로 틸트시키는 구동 부재를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명의 실시예는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정 또는 세정 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비, 높은 식각률 및 식각 균일성이 요구되며, 반도체 소자의 고집적화에 따라 점점 더 높은 수준의 식각 선택비 및 식각 균일성이 요구되고 있다.
일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다. 이 같이 유체를 통한 기판의 처리에 기판의 가열이 수반될 수 있다.
본 발명의 실시예는 식각 성능이 향상될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 에치 레이트(Etch Rate, ER)의 산포를 균일하게 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판으로 레이저를 조사하여 가열하되, 광 분포(distribution)를 효과적으로 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판 상에서 영역별 에치 레이트(ER) 감소의 요인인 온도 감소를 보충할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 개시한다. 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛; 및 상기 레이저 조사 유닛에 결합되고, 상기 기판의 저면으로 조사되어 반사되는 레이저를 반사시키는 레이저 반사 유닛을 포함하고, 상기 레이저 반사 유닛은, 상기 기판으로부터 반사되는 레이저를 반사시키는 반사 부재; 및 상기 반사 부재를 소정의 틸트 각도로 틸트시키는 구동 부재를 포함할 수 있다.
상기 반사 부재는 상기 기판의 상면과 평행한 가상의 면을 기준으로 양의 각도(Positive angle) 또는 음의 각도(Negative angle)로 틸트될 수 있다.
상기 기판으로부터 반사된 레이저는, 상기 양의 각도로 틸트된 상기 반사 부재에 반사되어 상기 기판으로 조사될 수 있다.
상기 기판으로부터 반사된 레이저는, 상기 음의 각도로 틸트된 상기 반사 부재에 반사되는 경우에 상기 기판의 가장자리 영역 또는 상기 기판을 벗어난 위치로 조사될 수 있다.
상기 틸트 각도는 양의 각도로 제공되고, 상기 기판은 중앙 영역과 가장자리 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 배치되는 미들 영역을 포함하고, 상기 양의 각도로 틸트되는 상기 틸트 각도가 클수록 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 상기 중앙 영역에 인접하게 집중될 수 있다.
상기 틸트 각도는 음의 각도로 제공되고, 상기 기판은 중앙 영역과 가장자리 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 배치되는 미들 영역을 포함하고, 상기 음의 각도로 틸트되는 상기 틸트 각도가 클수록 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 상기 가장자리 영역에 인접하게 집중되어 조사되거나, 상기 기판의 외측으로 조사될 수 있다.
상기 반사 부재는 복수의 반사 부재를 포함하고, 상기 복수의 반사 부재는 일 부분이 서로 중첩되도록 제공될 수 있다.
상기 복수의 반사 부재는 일체로 틸트될 수 있다.
상기 레이저 반사 유닛은, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 상부에서 상기 기판의 온도를 모니터링하는 모니터링 부재; 및 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 상기 모니터링 부재로부터 제공받은 상기 기판의 온도에 따라 상기 반사 부재의 상기 틸트 각도를 제어할 수 있다.
상기 기판에 온도 보충이 필요한 경우, 상기 제어기는 상기 반사 부재가 상기 양의 각도로 틸트되도록 제어할 수 있다.
상기 구동 부재는 상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
상기 구동 부재는 내부에 중공이 형성되는 중공 모터로 제공되고, 상기 구동 부재는 상기 반사 부재를 회전시킬 수 있다.
상기 중공 모터의 상기 중공에는 상기 레이저 조사 유닛의 적어도 일부가 배치될 수 있다.
상기 기판 지지 유닛은, 내부 공간이 형성되고, 상부 및 하부가 개구되는 통 형상으로 제공되는 척 부재; 상기 척 부재의 상면에 결합되고, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 아래에 배치되는 윈도우 부재; 및 상기 척 부재의 하단에 결합되는 중공 모터를 포함하고, 상기 레이저 조사 유닛은 상기 척 부재의 하단보다 낮은 위치에 배치되고, 상기 레이저 조사 유닛으로부터 조사되는 상기 레이저는 상기 척 부재의 상기 내부 공간을 통해 상기 기판의 저면으로 조사될 수 있다.
상기 척 부재의 내경은, 상기 척 부재의 하단으로부터 상기 척 부재의 상단으로 갈수록 증가할 수 있다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 개시한다. 기판 처리 장치는 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로 제1레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하는 레이저 조사 유닛; 및 상기 레이저 조사 유닛에 결합되고, 상기 기판의 저면으로부터 반사되는 제2레이저를 반사하는 레이저 반사 유닛을 포함하고, 상기 레이저 반사 유닛은, 상기 레이저 조사 유닛의 외측면에 결합되며, 상기 레이저 조사 유닛을 감싸도록 제공되는 베이스; 상기 베이스에 결합되는 반사 부재; 상기 반사 부재를 상기 베이스에 대하여 틸트시키는 구동 부재; 및 상기 구동 부재와 결합되는 제1부재와, 상기 제1부재와 상기 반사 부재를 연결하는 제2부재를 포함하는 연결 부재를 포함하고, 상기 반사 부재는 복수의 반사 부재를 포함하고, 상기 복수의 반사 부재는 상기 베이스의 둘레를 따라 결합되되, 상기 복수의 반사 부재는 적어도 일부가 서로 중첩되도록 배치될 수 있다.
상기 구동 부재는 상기 반사 부재를 소정의 틸트 각도로 틸트시키고, 상기 틸트 각도는 상기 기판의 상면과 평행한 가상의 면을 기준으로 양의 각도(Positive angle) 또는 음의 각도(Negative angle)를 포함할 수 있다.
상기 레이저 반사 유닛은, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 상부에서 상기 기판의 온도를 모니터링하는 모니터링 부재; 및 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 상기 모니터링 부재로부터 제공받은 상기 기판의 온도에 따라 상기 반사 부재의 상기 틸트 각도를 제어하되, 상기 기판에 온도 보충이 필요한 경우, 상기 제어기는 상기 반사 부재가 상기 양의 각도로 틸트되도록 제어할 수 있다.
상기 기판은 중앙 영역과 가장자리 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 배치되는 미들 영역을 포함하고, 상기 틸트 각도가 상기 양의 각도로 제공되는 경우, 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 저면으로 조사되고, 상기 틸트 각도가 상기 음의 각도로 제공되는 경우, 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 상기 가장자리 영역 또는 상기 기판을 벗어난 위치로 조사될 수 있다.
본 발명의 실시예는 기판의 저면으로 레이저는 조사하여 기판을 가열하는 레이저 조사 장치를 개시한다. 레이저 조사 장치는 상기 기판의 저면으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 부재; 상기 레이저 조사 부재로 레이저를 전달하는 레이저 전달 부재; 상기 레이저 조사 부재에 결합되고, 상기 기판의 저면에서 반사되는 레이저는 반사하는 레이저 반사 유닛을 포함하고, 상기 레이저 반사 유닛은, 상기 레이저 조사 부재에 결합되며, 상기 레이저 조사 부재를 감싸도록 제공되는 베이스; 상기 베이스에 결합되는 반사 부재; 상기 반사 부재를 상기 베이스에 대하여 양의 각도 또는 음의 각도로 틸트시키는 구동 부재; 및 상기 구동 부재와 결합되는 제1부재와, 상기 제1부재와 상기 반사 부재를 연결하는 제2부재를 포함하는 연결 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 식각 성능이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 에치 레이트(Etch Rate, ER)의 산포를 균일하게 할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판으로 레이저를 조사하여 가열하되, 광 분포(distribution)를 효과적으로 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에서 영역별 에치 레이트(ER) 감소의 요인인 온도 감소를 보충할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 유닛과 레이저 반사 유닛을 도시한 도면이다.
도 4는 도 3의 레이저 반사 유닛을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반사 부재의 틸트 각도가 양의 각일 때의 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반사 부재의 틸트 각도가 음의 각일 때의 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반사 부재의 다양한 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 반사 부재가 평판 플레이트로 제공되는 경우의 레이저의 반사 경로와, 반사 부재가 라운드 플레이트로 제공되는 경우의 레이저의 반사 경로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 반사 유닛을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 레이저 반사 유닛(700)을 개략적으로 도시한 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함한다'는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다"라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.
본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예에는 처리액을 이용하여 기판을 식각 처리하는 공정을 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 식각 공정에 한정되지 않고, 세정 공정, 애싱 공정 및 현상 공정 등과 같이, 액을 이용한 기판 처리 공정에서 다양하게 적용 가능하다.
여기서, 기판은 반도체 소자나 평판 디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(W)의 예로는, 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다.
이하에서는 도면을 참조하면 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 포함할 수 있다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120)와 이송 프레임(140)을 포함할 수 있다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열될 수 있다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(F)가 안착될 수 있다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였으나, 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 캐리어(F)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(F) 내에 배치될 수 있다. 캐리어(F)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod, FOUP)가 사용될 수 있다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공될 수 있다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공될 수 있다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치될 수 있다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동 가능할 수 있다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 포함할 수 있다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치될 수 있다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(F)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(F)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 포함할 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치될 수 있다. 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공할 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방될 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공될 수 있다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치될 수 있다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동될 수 있다.
이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치될 수 있다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버(260)들이 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260,280)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.
상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다.
이송 챔버(240)의 일 측에 배치되는 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 타 측에 배치되는 공정 챔버(260)와 동일한 공정이 수행될 수 있다. 일 예로, 공정 챔버(260)에서는 기판(W)을 액 처리하는 공정이 수행될 수 있다. 또는 이송 챔버(240)의 일 측에 배치되는 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 타 측에 배치되는 공정 챔버(260)와 다른 공정이 수행될 수 있다. 일 예로, 이송 챔버(240)의 일 측에 배치되는 공정 챔버(260)에서는 액 처리 공정을 수행되고, 이송 챔버(240)의 타 측(280)에 배치되는 공정 챔버(260)에서는 기판 건조 처리 공정이 수행될 수 있다.
이하에서는, 공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다.
공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 액 처리 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 복수개의 공정 챔버(260)는 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2는 도 1의 공정 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310)을 포함할 수 있다. 챔버(310)은 내부 공간을 가질 수 있다. 챔버(310)의 내부 공간에는 처리 용기(320)가 배치될 수 있다. 챔버(310)의 상벽에는 팬필터유닛(315)이 설치될 수 있다. 팬필터유닛(315)은 챔버(310)의 내부 공간에 수직 기류를 형성할 수 있다. 팬필터유닛(315)은 챔버(310)의 내부 공간에 하강 기류를 형성할 수 있다. 팬필터유닛(315)는 필터와 공기공급팬이 하나의 유닛으로 모듈화된 것으로, 고습도 외기를 필터링하여 챔버(310)의 내부로 공급해주는 장치일 수 있다. 고습도 외기는 팬필터유닛(315)을 통과하여 챔버(310)의 내부 공간으로 공급되고, 챔버(310)의 내부 공간에 수직 기류를 형성할 수 있다. 이러한 수직 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공할 수 있다. 기판(W)이 처리되는 과정에서 발생되는 오염 물질(일 예로, 흄(Fume), 파티클)들은 수직 기류에 포함되는 공기와 함께 처리 용기(320)의 외부로 배출되며, 이를 통해 처리 용기(320)의 내부는 고청정도를 유지할 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320)를 포함할 수 있다. 처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 포함할 수 있다. 처리 용기(320)는 기판 지지 유닛(340)을 감쌀 수 있다. 처리 용기(320)는 기판 지지 유닛(340)의 외측에 제공될 수 있다. 처리 용기(320)는 제1회수통(321)과 제2회수통(322)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2회수통(321, 322) 각각은 공정에서 사용되는 복수의 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수할 수 있다.
제1회수통(321)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1회수통(321)은 내부에 공간이 형성될 수 있다. 제1회수통(321)의 공간은 회수되는 처리액이 수용되는 공간일 수 있다. 제1회수통(321)에는 제2회수통(322)이 삽입될 수 있다. 제1회수통(321)은 제2회수통(322)을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2회수통(322)은 제1회수통(321)에 삽입될 수 있다. 제2회수통(322)의 높이는 제1회수통(321)의 높이보다 높게 제공될 수 있다.
제2회수통(322)은 제1가드부(323)와 제2가드부(324)를 포함할 수 있다. 제1가드부(323)은 제2회수통(322)의 최상부에 제공될 수 있다. 제1가드부(323)는 제2회수통(322)의 최상부로부터 기판 지지 유닛(340)을 향하는 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 제1가드부(323)는 기판 지지 유닛(340)을 향하는 방향으로 상향 경사지게 형성될 수 있다. 제2가드부(324)는 제1가드부(323)의 아래에 제공될 수 있다. 제2가드부(324)는 제1가드부(323)와 이격될 수 있다. 제2가드부(324)는 기판 지지 유닛(340)을 향하는 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 제2가드부(324)는 지판 지지 유닛(340)을 향하는 방향으로 상향 경사지게 형성될 수 있다. 제2가드부(324)는 제1가드부(323)와 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 제2가드부(324)는 제1가드부(323)와 평행하게 제공될 수 있다.
제1가드부(323)와 제2가드부(324)의 사이에는 처리액이 유입되는 제1유입구(323a)가 제공될 수 있다. 제2가드부(324)의 하부에는 제2유입구(324a)가 제공될 수 있다. 제1유입구(323a)와 제2유입구(324a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 제2가드부(324)에는 홀(미도시)이 형성될 수 있다. 제2가드부(324)의 홀(미도시)은 제1유입구(323a)로 유입된 처리액이 제2회수통(322)의 하부에 제공된 제2회수 라인(322b)로 흐를 수 있다. 제2가드부(324)의 홀(미도시)은 제2가드부(324)에서 가장 높이가 낮은 위치에 형성될 수 있다. 제1회수통(321)으로 회수된 처리액은 제1회수통(321)의 저면에 연결된 제1회수 라인(321b)로 흐를 수 있다. 제1 및 제2회수통(321, 322) 각각에 유입된 처리액들은 제1 및 제2회수 라인(321b, 322b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 승강 유닛(360)을 포함할 수 있다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 승간 유닛(360)은 처리 용기(320)을 상하 방향으로 승하강시킬 수 있다.승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)에 결합될 수 있다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)의 제2회수통(322)에 결합될 수 있다. 승강 유닛(360)은 제2회수통(322)의 제1가드부(323)과 제2가드부(324) 사이에 결합될 수 있다. 승강 유닛(360)은 제2가드부(324)보다 제1가드부(323)에 가까운 위치에서 제2회수통(322)에 결합될 수 있다. 승강 유닛(360)은 제2회수통(322)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 이를 통해, 처리 용기(320)는 기판 지지 유닛(340)에 대하여 상대 높이가 변경될 수 있다.
승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 포함할 수 있다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 결합될 수 있다. 브라켓(362)은 제2회수통(322)의 외벽에 결합될 수 있다. 브라켓(362)는 제2회수통(322)의 제1가드부(323)과 제2가드부(324) 사이에 결합될 수 있다. 브라켓(362)는 제2가드부(324)보다 제1가드부(323)에 가까운 위치에서 제2회수통(322)의 외벽에 결합될 수 있다. 브라켓(362)은 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)에 결합될 수 있다. 이동축(364)는 일 단이 브라켓(362)에 결합되고, 타 단이 구동기(366)와 결합될 수 있다. 이동축(364)는 구동기(366)로부터 구동력을 전달받을 수 있다. 이동축(364)는 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다. 이동축(364)는 구동기(366)로부터 구동력을 전달받아 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이때, 이동축(364)에 결합된 브라켓(362)과, 브라켓(362)에 결합된 처리 용기(320)도 함께 이동될 수 있다. 구동기(366)는 이동축(364)과 결합될 수 있다. 구동기(366)는 이동축(364)에 구동력을 전달할 수 있다. 예를 들어, 구동기(366)는 모터 또는 실린더로 제공될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 이동축(364)에 구동력을 제공할 수 있는 다양한 구성이 적용 및 사용될 수 있다.
승강 유닛(360)은 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩되거나, 기판 지지 유닛(340)으로부터 언로딩될 때 기판 지지 유닛(340)의 상부가 처리 용기(320)보다 위로 돌출되도록 처리 용기(320)를 아래로 이동시킬 수 있다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩되거나, 기판 지지 유닛(340)으로부터 언로딩될 때 기판 지지 유닛(340)의 상부가 제2회수통(322)의 제1가드부(323)보다 위로 돌출되도록 제2회수통(322)를 아래로 이동시킬 수 있다. 승강 유닛(360)은 공정이 진행되는 경우에 기판(W)이 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설절된 회수통(321, 322)로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이를 조절할 수 있다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 기판 지지 유닛(340)에 결합되며, 처리 용기(320)를 대신하여 기판 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 전체를 상하 방향으로 이동시킬 수도 있다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 기판 지지 유닛(340)의 상대 높이를 조절하기 위해 제공되는 것으로써, 처리 용기(320)와 기판 지지 유닛(340)의 상대 높이를 조절할 수 있는 구성이라면 처리 용기(320)와 승강 유닛(360)의 실시예는 다양한 구조와 방법으로 제공될 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 기판 지지 유닛(340)을 포함할 수 있다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 윈도우 부재(341)를 포함할 수 있다. 윈도우 부재(341)는 투과성이 높은 재질로 제공될 수 있다. 이에 따라, 윈도우 부재(341)는 후술하는 레이저 조사 유닛(400)에서 조사되는 레이저가 윈도우 부재(341)를 투과할 수 있다. 윈도우 부재(341)는 약액과 반응하지 않는 내식성이 우수한 소재일 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재(341)는 석영, 유리 또는 사파이어로 제공될 수 있다.
윈도우 부재(341)는 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)의 아래에 배치될 수 있다. 윈도우 부재(341)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 윈도우 부재(341)는 기판(W)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 원형의 웨이퍼인 경우, 윈도우 부재(341)는 대체로 원형으로 제공될 수 있다. 윈도우 부재(341)는 직경이 기판(W)의 직경보다 작을 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 윈도우 부재(341)는 기판(W)과 동일한 직경을 갖거나, 기판(W)보다 큰 직경을 갖도록 형성될 수 있다. 윈도우 부재(341)는 후술하는 척 부재(343)에 의해 지지될 수 있다. 윈도우 부재(341)은 척 부재(343)의 상단에 결합될 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 척 부재(343)를 포함할 수 있다. 척 부재(343)는 윈도우 부재(341)의 아래에 제공될 수 있다. 척 부재(343)은 윈도우 부재(341)의 저면에 제공될 수 있다. 척 부재(343)은 위도우 부재(341)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다.
척 부재(343)는 상단과 하단이 개구된 통 형상으로 제공될 수 있다. 척 부재(343)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 척 부재(343)는 내부가 상하 방향으로 관통된 내부 공간(343a)을 포함할 수 있다. 척 부재(343)는 척 부재(343)의 하단으로부터 척 부재(343)의 상단으로 갈수록 내경이 증가할 수 있다. 단면으로 보았을 때, 척 부재(343)는 척 부재(343)의 하단에서 척 부재(343)의 상단을 향하는 방향으로 상향 경사지게 형성될 수 있다. 척 부재(343)는 척 부재(343)의 하단에서 척 부재(343)의 상단으로 갈수록 내경이 증가하는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 척 부재(343)의 상단은 윈도우 부재(341)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 척 부재(343)의 하단은 후술하는 구동 부재(349)와 결합될 수 있다. 척 부재(343)는 구동 부재(349)에 의해 회전될 수 있다. 척 부재(343)은 구동 부재(349)에 의해 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 척 부재(343)의 하단은 후술하는 레이저 조사 유닛(400)과 인접할 수 있다. 척 부재(343)는 내부 공간(343a)에 의해 레이저 조사 유닛(400)에서 조사되는 레이저가 척 부재(343)에 의해 간섭되지 않고 기판(W)으로 조사될 수 있다. 척 부재(343)와 윈도우 부재(341)의 연결 부분은 밀폐 구조로 제공될 수 있다. 이를 통해, 기판(W)에 공급된 약액이 척 부재(343)의 내부 공간(343a)으로 침투되지 않을 수 있다. 또한, 기판(W)에 공급된 약액이 레이저 조사 유닛(400)으로 침투되지 않을 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 척 핀(345)을 포함할 수 있다. 척 핀(345)은 기판(W)의 측부를 지지할 수 있다. 척 핀(345)는 윈도우 부재(341)에 결합될 수 있다. 척 핀(345)은 윈도우 부재(341)에 대하여 이동 가능하게 결합될 수 있다. 척 핀(345)은 기판(W)의 측부와 접촉되는 공정 위치와, 기판(W)의 측부와 이격되는 대기 위치 간에 이동될 수 있다. 척 핀(345)은 공정 위치와 대기 위치 사이를 수평 방향으로 이동할 수 있다. 척 핀(345)는 윈도우 부재(341)과 함께 회전될 수 있다. 척 핀(345)은 복수의 척 핀(345)을 포함할 수 있다. 복수의 척 핀(345)는 조합하여 링 형상으로 배치될 수 있다. 척 핀(345)는 후술하는 지지핀(347)보다 외측에 제공될 수 있다. 복수의 척 핀(345)의 조합으로 형성되는 링의 반경은, 복수의 지지핀(347)의 조합으로 형성되는 링의 반경보다 클 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 지지핀(347)을 포함할 수 있다. 지지핀(347)은 윈도우 부재(341)에 결합될 수 있다. 지지핀(347)은 복수 개로 제공될 수 있다. 복수의 지지핀(347)은 윈도우 부재(341)의 가장자리 영역에 제공될 수 있다. 복수의 지지핀(347)은 윈도우 부재(341)의 가장자리 영역을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 지지핀(347)은 서로 조합되어 링 형상으로 배치될 수 있다. 지지핀(347)은 윈도우 부재(341)의 상부면으로부터 위로 돌출되도록 구비될 수 있다. 지지핀(347)은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)을 윈도우 부재(341)로부터 이격시킬 수 있다. 지지핀(347)은 척 핀(345) 보다 내측에 제공될 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 구동 부재(349)를 포함할 수 있다. 구동 부재(349)는 척 부재(343)에 결합될 수 있다. 구동 부재(349)는 척 부재(343)의 하단에 결합될 수 있다. 구동 부재(349)는 척 부재(341)를 회전시킬 수 있다. 구동 부재(349)는 중공 모터로 제공될 수 있다. 구동 부재(349)는 고정자(349a)와 회전자(349b)를 포함할 수 있다. 고정자(349a)는 일 위치에 고정되어 제공되고, 회전자(349b)는 척 부재(341)와 결합될 수 있다. 구동 부재(349)는 회전자(349b)가 내경에 제공되고 고정자(349a)가 외경에 제공되는 중공 모터로 제공될 수 있다. 회전자(349b)는 척 부재(341)의 하단에 결합되어 척 부재(341)를 회전시킬 수 있다. 구동 부재(349)가 중공 모터로 제공됨에 따라, 척 부재(341)의 하단이 좁게 제공되더라도 중공 모터의 중공을 작은 것으로 선택할 수 있어 제조 단가의 감소 및 공간 효율이 증대될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 구동 부재(349)의 고정자(349a)는 처리 용기(320)가 지지되는 지지면에 고정 결합되어 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 구동 부재(349)에는 구동 부재(349)를 약액으로부터 보호하는 커버 부재(349c)가 제공될 수 있다.
이상에서는 구동 부재(349)가 중공 모터로 제공되는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 구동 부재(349)는 척 부재(341)를 회전시킬 수 있는 것이면 어느 것이든 사용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 액 공급 유닛(390)을 포함할 수 있다. 액 공급 유닛(390)은 기판(W)으로 약액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(390)은 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)으로 약액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(390)은 기판(W)의 상부에서 기판(W)으로 약액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(390)은 기판(W)으로 약액을 토출하는 노즐을 포함할 수 있다. 액 공급 유닛(390)은 하나 이상의 노즐을 포함할 수 있다. 액 공급 유닛(390)은 노즐을 지지하고, 노즐을 이동시킬 수 있는 노즐 이동 부재(미도시)를 포함할 수 있다. 노즐 이동 부재(미도시)는 지지축(미도시), 아암(미도시), 그리고 구동기(미도시)를 포함할 수 있다. 지지축(미도시)은 처리 용기(320)의 일측에 배치될 수 있다. 지지축(미도시)은 그 길이 방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가질 수 있다. 지지축(미도시)은 구동기(미도시)에 의해 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 아암(미도시)은 지지축(미도시)의 상단에 결합될 수 있다. 아암(미도시)은 지지축(미도시)의 길이 방향에 대하여 수직한 방향으로 연장 형성될 수 있다. 아암(미도시)의 끝단에는 노즐이 고정 결합될 수 있다. 지지축(미도시)이 회전됨에 따라 노즐은 아암(미도시)과 함께 스윙 이동될 수 있다. 노즐은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 공정 위치는 노즐이 기판(W)의 중심부와 대향하는 위치이고, 대기 위치는 노즐이 기판을 벗어난 위치를 의미할 수 있다. 선택적으로, 지지축(미도시)은 승강 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 아암(미도시)은 아암(미도시)의 길이 방향을 따라 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다.
액 공급 유닛(390)에서 기판(W)으로 공급되는 약액은 기판 처리 공정에 따라 다양할 수 있다. 기판 처리 공정이 실리콘 질화막 식각 공정인 경우, 약액은 인산(H3PO4)을 포함하는 약액일 수 있다. 액 공급 유닛(390)은 식각 공정 진행 후 기판 표면을 린스하기 위한 탈이온수(DIW) 공급 노즐, 린스 후 건조 공정을 진행하기 위한 이소프로필 알코올(IPA: Isopropyl Alcohol) 토출 노즐 및 질소(N2) 토출 노즐을 더 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 레이저 조사 유닛(400)을 포함할 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)은 기판(W)으로 레이저를 조사할 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)은 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)의 저면으로 레이저를 조사할 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)에서 조사된 레이저는 윈도우 부재(341)을 통과하여 기판(W)의 저면으로 조사될 수 있다. 이에 따라, 기판(W)은 설정 온도로 가열될 수 있다. 레이저 조사 유닛(400)은 레이저 조사 부재(420), 레이저 전달 부재(440)를 포함할 수 있다.
레이저 조사 부재(420)는 윈도우 부재(341)의 아래에 제공될 수 있다. 레이저 조사 부재(420)는 척 부재(343)의 하단과 인접한 위치에 제공될 수 있다. 레이저 조사 부재(420)는 척 부재(343)의 하단보다 낮은 위치에 제공될 수 있다. 레이저 조사 부재(420)는 기판(W)의 중심부와 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 레이저 조사 부재(420)는 후술하는 레이저 전달 부재(440)를 통해 전달받은 레이저는 조사할 수 있다. 레이저 조사 부재(320)는 레이저를 기판(W)으로 조사할 수 있다. 레이저 조사 부재(420)는 레이저를 기판(W)의 저면으로 조사할 수 있다. 레이저 조사 부재(420)은 레이저를 기판(W)으로 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다. 레이저 조사 부재(420)는 내부에 공간이 형성되는 하우징(422)와, 하우징(422)의 내부 공간에 결합되는 렌즈 모듈(미도시)를 포함할 수 있다. 렌즈 모듈(미도시)는 단일의 렌즈 또는 복수의 렌즈를 포함할 수 있다.
레이저 전달 부재(440)는 기판 처리 장치(300)의 외부에 위치한 레이저 생성기(미도시)과 레이저 조사 부재(420)를 연결할 수 있다. 레이저 전달 부재(440)는 레이저 생성기(미도시)로부터 생성된 레이저를 레이저 조사 부재(420)로 전달할 수 있다. 일 예로, 레이저 전달 부재(440)는 광 섬유일 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 레이저 반사 유닛(500)을 포함할 수 있다. 레이저 반사 유닛(500)은 레이저 조사 유닛(400)에 결합되어 레이저의 경로를 조절할 수 있다. 레이저 반사 유닛(500)은 레이저 조사 유닛(400)에서 기판(W)으로 조사되는 레이저(이하에서, 제1레이저(L1)라고 칭함) 중에서 기판(W)의 저면에서 반사되는 레이저(이하에서, 제2레이저(L2)라고 칭함)의 경로를 조절할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 유닛과 레이저 반사 유닛을 도시한 도면이고, 도 4는 도 3의 레이저 반사 유닛을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 레이저 반사 유닛(500)은 레이저 조사 유닛(400)에 결합될 수 있다. 레이저 반사 유닛(500)은 레이저 조사 부재(420)에 결합될 수 있다. 레이저 반사 유닛(500)은 레이저 조사 부재(420)의 하우징(422)의 외측면에 결합될 수 있다. 레이저 반사 유닛(500)은 하우징(422)의 상단에 인접한 위치에 제공될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 레이저 반사 유닛(500)은 베이스(510)를 포함할 수 있다. 베이스(510)는 레이저 조사 부재(420)의 하우징(422)에 결합될 수 있다. 베이스(510)는 레이저 조사 부재(420)의 하우징(422)의 상단과 인접한 위치에서 하우징(422)과 결합될 수 있다. 일 예에 따르면, 베이스(510)의 상면은 하우징(422)의 상면과 동일 평면상에 위치될 수 있다. 일 예에 다르면, 베이스(510)의 상면은 하우징(422)의 상면보다 낮은 위치에 위치될 수 있다. 베이스(510)는 상면과 하면을 관통하는 홀이 형성될 수 있다. 베이스(510)는 내부에 홀이 형성되는 링 형상으로 제공될 수 있다. 베이스(510)의 홀에는 레이저 조사 부재(420)가 적어도 일부가 삽입될 수 있다. 베이스(510)의 홀에는 레이저 조사 부재(420)가 관통될 수 있다. 베이스(510)의 홀의 내측면은 레이저 조사 부재(420)의 하우징(422)의 외측면과 접촉될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며 베이스(510)의 홀의 내측면은 레이저 조사 부재(420)의 하우징(422)의 외측면과 소정 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 베이스(510)에는 후술하는 반사 부재(520)가 결합될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 레이저 반사 유닛(500)은 반사 부재(520)를 포함할 수 있다. 반사 부재(520)는 베이스(510)에 결합될 수 있다. 반사 부재(520)는 베이스(510)에 대하여 이동 가능하게 결합될 수 있다. 반사 부재(520)는 반사 부재(520)와 베이스(510)가 접촉하는 점을 축으로 하여 이동 가능하게 결합될 수 있다. 반사 부재(520)의 타단은 반사 부재(520)와 베이스(510)가 접촉하는 점을 축으로 하여 베이스(510)에 대하여 이동 가능하게 결합될 수 있다. 반사 부재(520)는 베이스(520)에 대하여 틸트 가능하게 결합될 수 있다. 반사 부재(520)는 베이스(520)에 대하여 소정 각도로 틸트 가능하게 결합될 수 있다. 반사 부재(520)는 후술하는 구동 부재(530)에 의해 틸트 가능할 수 있다. 반사 부재(520)는 후술하는 구동 부재(530) 및 연결 부재(540)를 통해 틸트될 수 있다. 반사 부재(520)의 일단은 베이스(510)에 결합되고, 반사 부재(520)의 일단의 반대편에 위치하는 타단은 자유단(Free end)로 제공될 수 있다. 일 예에 따르면, 반사 부재(520)의 일단은 베이스(510)에 핀 결합될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 반사 부재(520)는 다양한 결합 방식을 통해 베이스(510)에 대하여 틸트 가능도록 제공될 수 있다.
반사 부재(520)는 복수의 반사 부재(520)를 포함할 수 있다. 복수의 반사 부재(520)는 베이스(510)의 외면을 따라 결합될 수 있다. 복수의 반사 부재(520)는 베이스(510)의 둘레를 따라 결합될 수 있다. 복수의 반사 부재(520)는 일 부분이 서로 중첩될 수 있다. 복수의 반사 부재(520)가 일 부분이 중첩되도록 제공됨에 따라, 레이저의 반사율을 높일 수 있다.
반사 부재(520)는 레이저를 반사시킬 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 반사 부재(520)는 반사경으로 제공될 수 있다.
반사 부재(520)는 레이저 조사 유닛(400)에서 기판(W)으로 조사되는 제1레이저(L1) 중에서 기판(W)의 저면에서 반사되는 제2레이저(L2)의 경로를 조절할 수 있다. 반사 부재(520)는 제2레이저(L2)를 반사시킬 수 있다. 반사 부재(520)에 의해 반사되는 레이저는 제3레이저(L3)로 칭할 수 있다. 반사 부재(520)에 의해 반사되는 제3레이저(L3)는 기판(W)을 향하는 방향으로 이동될 수 있다. 반사 부재(520)의 틸트 각도에 따라 제3레이저(L3)의 경로가 조절될 수 있다. 예를 들어, 반사 부재(520)의 틸트 각도에 따라 제3레이저(L3)는 기판(W)의 중앙 영역(Center zone), 기판(W)의 가장자리 영역(Edge zone), 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 사이에 배치되는 미들 영역(Middle zone) 중 어느 하나의 영역으로 집중될 수 있다. 이를 통해, 기판(W)의 각 영역 중에서 온도 보충이 필요한 영역으로 광량을 보충할 수 있다.
일반적으로, 기판을 레이저로 가열하는 구조에서는 기판의 저면에서 반사되어 되돌아 가는 레이저 빔을 다시 기판으로 되돌려보내기 위하여 특정 위치에서 고정되는 반사경이 사용될 수 있다. 이 경우, 반사경의 고정으로 인하여, 반사경에 의해 반사되는 레이저 빔의 광학 경로의 변경이 불가능하므로, 기판의 온도 보충이 필요한 영역에 선택적으로 광을 집중시키기 어려워 균일한 에치 레이트를 얻기가 어려운 문제가 있다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판(W)에서 반사되어 되돌아오는 레이저 빔을 반사시키는 반사 부재(520)가 가변적으로 틸트 가능하게 제공됨에 따라 기판(W)의 저면에 레이저 빔 손실 보충이 가능할 수 있다. 또한, 기판(W)의 영역 중 온도가 낮은 영역으로 레이저 빔이 집중되도록, 제3레이저(L)의 광학 경로를 변경함에 따라 균일한 에치 레이트를 확보할 수 있다. 또한, 가변으로 틸트 가능한 반사 부재(520)의 각도값 조절을 통해 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리까지 전 영역에서의 온도를 보충할 수 있다.
도 3을 참조하면, 반사 부재(520)는 기판(W)의 상면과 평행한 가상의 면을 기준으로 소정 각도로 틸트될 수 있다.
이상에서는, 반사 부재(520)가 베이스(510)에 결합되는 것으로 도시하고 설명하였으나, 이에 제한되지 않으며, 레이저 반사 유닛(500)은 베이스(510)를 포함하지 않고, 반사 부재(520)는 레이저 조사 부재(420)의 하우징(422)에 결합될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 레이저 반사 유닛(500)은 연결 부재(530)를 포함할 수 있다. 연결 부재(530)는 후술하는 구동 부재(540)로부터 동력을 제공받아 반사 부재(520)를 틸트시킬 수 있다. 연결 부재(530)는 후술하는 구동 부재(540)로부터 동력을 제공받아 반사 부재(520)의 타단을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 연결 부재(530)는 후술하는 구동 부재(540)와 결합되는 제1부재(532)와, 제1부재(532)와 반사 부재(520)을 연결하는 제2부재(534)를 포함할 수 있다. 제2부재(534)의 일 단은 반사 부재(520)에 결합되고, 제2부재(534)의 타 단은 제1부재(532)에 결합될 수 있다. 제2부재(534)는 반사 부재(520)의 저면에 결합될 수 있다. 제2부재(534)는 반사 부재(520)의 저면 중 중앙 영역에 결합될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니면 제2부재(534)는 반사 부재(520)의 타단에 결합될 수 있다. 제2부재(534)는 복수의 제2부재(534)를 포함할 수 있다. 복수의 제2부재(534)는 복수의 반사 부재(520)와 대응되는 수로 제공될 수 있다. 복수의 제2부재(534) 각각은 복수의 반사 부재(520)에 결합될 수 있다.
제1부재(532)는 구동 부재(540)에 결합될 수 있다. 제1부재(532)는 구동 부재(540) 및 제2부재(534)에 결합될 수 있다. 제1부재(532)에는 복수의 제2부개(534)가 결합될 수 있다. 제1부재(532)는 구동 부재(540)로부터 동력을 제공받을 수 있다. 제1부재(532)는 구동 부재(540)로부터 제공받은 동력을 통해, 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이 경우, 제1부재(532)에 결합된 제2부재(524)도 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이를 통해, 제2부재(524)와 결합되는 반사 부재(520)가 소정 각도로 틸트될 수 있다. 즉, 구동 부재(540)로부터 동력을 제공받아 연결 부재(530)가 상하 방향으로 이동됨에 따라, 반사 부재(520)의 타단은 상하 방향으로 이동될 수 있다. 연결 부재(530)는 구동 부재(540)로부터 동력을 제공받아 반사 부재(520)를 소정 각도로 틸트시킬 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 레이저 반사 유닛(500)은 구동 부재(540)를 포함할 수 있다. 구동 부재(540)는 반사 부재(520)를 이동시킬 수 있다. 구동 부재(540)는 연결 부재(530)에 동력을 제공할 수 있다. 구동 부재(530)은 연결 부재(530)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 구동 부재(530)는 연결 부재(530)를 승강시킬 수 있다. 구동 부재(530)에는 연결 부재(530)의 제1부재(532)가 결합될 수 있다. 구동 부재(530)는 제1부재(532)에 동력을 제공할 수 있다. 구동 부재(530)응 제1부재(532)에 동력을 제공함으로써 제1부재(532)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 이 경우, 제1부재(532)에 결합된 복수의 제2부재(534)가 상하 방향으로 이동되고, 제2부재(534)에 결합된 반사 부재(520)가 틸트될 수 있다. 예를 들어, 구동 부재(540)는 모터로 제공될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 연결 부재(530)를 이동시킬 수 있는 것이면 어느 것이든 사용될 수 있다.
도 4를 참조하면, 레이저 반사 유닛(500)은 모니터링 부재(550)를 포함할 수 있다. 모니터링 부재(550)는 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)의 상부에 제공될 수 있다. 모니터링 부재(550)는 레이저 조사 유닛(400)에 의해 기판(W)이 가열되는 경우에, 기판(W)의 상부에서 기판(W)을 촬영하는 카메라(Camera) 또는 비전(Vision)으로 제공될 수 있다. 또는, 모니터링 부재(550)는 레이저 조사 유닛(400)에 의해 기판(W)의 온도를 센싱하는 온도 센서로 제공될 수 있다. 모니터링 부재(550)는 기판(W)의 영역 별로 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)은 중앙 영역(Center zone)과 가장자리 영역(Edge zone)과, 중앙 영역과 가장자리 영역 사이에 배치되는 미들 영역(Middle zone)을 포함할 수 있으며, 모니터링 부재(550)는 기판(W)의 각 영역 별로 가열된 온도를 측정할 수 있다.
도 4를 참조하면, 레이저 반사 유닛(500)은 제어기(560)를 포함할 수 있다. 제어기(560)는 모니터링 부재(550)로부터 기판(W)의 온도 정보를 제공받고, 이에 따라 기판(W)의 영역 별로 부족한 온도를 보충하기 위한 영역을 파악한 후, 반사 부재(520)의 각도 및/또는 위치를 조절하여 기판(W)의 영역 별로 온도를 제어할 수 있다. 제어기(560)는 기판(W)의 영역 별로 부족한 온도를 보충하기 위한 영역을 파악한 후, 반사 부재(520)의 각도 및/또는 위치를 조절하여 기판(W)의 내부 광량을 보충할 수 있다.
제어기(560)는 결정부(562)와 구동 부재 제어부(564)를 포함할 수 있다.
결정부(562)는 모니터링 부재(550)로부터 기판(W)의 온도 정보를 제공받을 수 있다. 결정부(562)는 모니터링 부재(550)로부터 제공받은 기판(W)의 온도 정보를 분석할 수 있다. 결정부(562)는 모니터링 부재(550)로부터 제공받은 기판(W)의 온도 정보에 따라 기판(W)의 영역 별로 온도를 보충하여야 할 영역을 파악할 수 있다. 결정부(562)는 모니터링 부재(550)로부터 제공받은 기판(W)의 온도 정보에 따라 기판(W)의 영역 별로 추가로 가열되어야 할 영역을 파악할 수 있다. 결정부(562)는 기판(W)의 영역 중 온도가 보충되어야 할 영역을 파악한 후, 반사 부재(520)의 각도 또는 위치를 결정할 수 있다. 결정부(562)는 결정된 반사 부재(520)의 위치 정보를 구동 부재 제어부(564)으로 전송할 수 있다. 구동 부재 제어부(564)는 결정부(562)에서 결정된 반사 부재(520)의 각도 정도 및/또는 위치 정보에 따라 반사 부재(520)를 틸트시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 영역 별로 가열 온도를 조절할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(500)이 반사 부재(520)를 조절하는 과정을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반사 부재의 틸트 각도가 양의 각일 때의 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
반사 부재(520)는 하우징(422)의 상면과 평행한 가상의 평면을 기준으로 소정의 양의 각도(Positive Angle)(A1) 만큼 틸트될 수 있다. 반사 부재(520)는 반사 부재(520)과 베이스(510)가 접촉되는 점을 중심으로 양의 방향(Positive Direction)으로 소정 각도만큼 틸트될 수 있다. 반사 부재(520)는 반사 부재(520)과 베이스(510)가 접촉되는 점을 중심으로 반시계 방향으로 소정 각도만큼 틸트될 수 있다. 이때, 반사 부재(520)가 틸트되는 각도는, 틸트 각도가 0도일 때의 반사 부재(520)의 타단, 반사 부재(520)의 일단과 베이스(510)가 접촉되는 점 및 틸트된 반사 부재(520)의 타단을 연결하는 가상의 선에 의해 정의되는 각도일 수 있다.
도 5를 참조하면, 기판(W)의 저면으로부터 반사되는 제2레이저(L2)는 반사 부재(520)에 의해 반사되어 제3레이저(L3)가 될 수 있다. 반사 부재(520)에 의해 반사된 제3레이저(L3)는 제2레이저(L2)가 반사 부재(520)에 입사되는 각도에 따라 반사되는 각도가 결정되며, 제3레이저(L3)의 일부는 기판(W)의 저면을 향할 수 있고, 제3레이저(L3)의 또 다른 일부는 기판(W)의 저면을 향하지 않을 수 있다. 이때, 제어기(560)는 기판(W)의 온도에 따라 기판(W)의 온도 보충이 필요하다고 판단되는 경우, 반사 부재(520)를 양의 각도(A1)로 틸트시킬 수 있다. 반사 부재(520)가 양의 각도(A1)로 틸트 됨에 따라, 제3레이저(L3)는 기판(W)의 저면을 향하는 방향으로 경로가 조절될 수 있다. 또한, 반사 부재(520)가 양의 각도(A1)로 틸트되는 정도가 클수록, 제3레이저(L3)는 기판(W)의 저면의 중앙 영역 또는 중앙 영역에 인접한 영역으로 집중될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반사 부재의 틸트 각도가 음의 각일 때의 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
반사 부재(520)는 하우징(422)의 상면과 평행한 가상의 평면을 기준으로 소정의 음의 각도(Negative angle)(A2)만큼 틸트될 수 있다. 반사 부재(520)는 반사 부재(520)과 베이스(510)가 접촉되는 점을 중심으로 음의 방향(Negative Direction)으로 소정 각도만큼 틸트될 수 있다. 반사 부재(520)는 반사 부재(520)과 베이스(510)가 접촉되는 점을 중심으로 시계 방향으로 소정 각도만큼 틸트될 수 있다. 이때, 반사 부재(520)가 틸트되는 각도는, 틸트 각도가 0도일 때의 반사 부재(520)의 타단, 반사 부재(520)의 일단과 베이스(510)가 접촉되는 점 및 틸트된 반사 부재(520)의 타단을 연결하는 가상의 선에 의해 정의되는 각도일 수 있다.
도 6을 참조하면, 기판(W)의 저면으로부터 반사되는 제2레이저(L2)는 반사 부재(520)에 의해 반사되어 제3레이저(L3)가 될 수 있다. 반사 부재(520)에 의해 반사된 제3레이저(L3)는 제2레이저(L2)가 반사 부재(520)에 입사되는 각도에 따라 반사되는 각도가 결정되며, 제3레이저(L3)의 일부는 기판(W)의 저면을 향할 수 있고, 제3레이저(L3)의 또 다른 일부는 기판(W)의 저면을 향하지 않을 수 있다. 이때, 제어기(560)는 기판(W)의 온도에 따라 기판(W)의 온도 보충이 필요하지 않다고 판단되는 경우 또는 기판(W)의 중앙 영역 보다 기판(W)의 가장자리 영역에서의 온도 보충이 필요하다고 판단되는 경우, 반사 부재(520)를 음의 각도로 틸트시킬 수 있다. 반사 부재(520)가 음의 각도로 틸트 됨에 따라, 제3레이저(L3)는 기판(W)의 저면을 향하지 않는 방향 또는 기판(W)의 가장자리 영역을 향하는 방향으로 경로가 조절될 수 있다. 또한, 반사 부재(520)가 음의 각도(A2)로 틸트되는 정도가 클수록, 제3레이저(L3)는 기판(W)을 벗어난 위치를 향하는 방향으로 반사될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반사 부재의 다양한 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다. 반사 부재(520)는 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 그 형상에 제한받지 않을수 있다. 도 7(a)를 참조하면, 반사 부재(520)는 상부면 및 하부면이 평면으로 제공되는 평판 플레이트로 제공될 수 있다. 도 7(b)를 참조하면, 반사 부재(520)는 상부면과 하부면이 곡면으로 제공되는 라운드 플레이트로 제공될 수 있다. 반사 부재(520)가 라운드 플레이트로 제공되는 경우, 상부면은 오목한 면으로 형성되고, 하부면은 볼록한 면으로 형성될 수 있다. 이때, 반사 부재(520)의 상부면은 기판(W)을 향하는 면을 의미하고, 반사 부재(520)의 하부면은 기판(W)을 향하지 않는 면을 의미한다.
도 7(c)를 참조하면, 반사 부재(520)는 복수의 평판 플레이트가 결합되어 형성될 수 있다. 복수의 평판 플레이트는 서로 핀 결합될 수 있다. 복수의 평판 플레이트는 핀을 축으로 독립적으로 회전될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3평판 플레이트가 순서대로 핀 결합되는 경우에, 제1평판 플레이트와 제2평판 플레이트는 핀을 축으로 시계 방향으로 회전될 수 있고, 제2평판 플레이트와 제3평판 플레이트는 핀을 축으로 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 기판(W)으로의 광량 보충 정도에 따라 회전 방향과 회전 정도가 결정될 수 있다.
도 7(d)을 참조하면, 반사 부재(520)는 복수의 평판 플레이트와 복수의 라운드 플레이트가 조합될 수 있다. 복수의 평판 플레이트와 복수의 라운드 플레이트 각각은 핀 결합될 수 있다. 복수의 평판 플레이트와 복수의 라운드 플레이트는 핀을 축으로 독립적으로 회전될 수 있다. 예를 들어, 제1평판 플레이트, 라운드 플레이트 및 제2평판 플레이트가 순서대로 핀 결합되는 경우에, 제2평판 플레이트와 라운드 플레이트는 핀을 축으로 시계 방향으로 회전될 수 있고, 라운드 플레이트와 제2평판 플레이트 핀을 축으로 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 기판(W)으로의 광량 보충 정도에 따라 회전 방향과 회전 정도가 결정될 수 있다.
도 8은 반사 부재가 평판 플레이트로 제공되는 경우의 레이저의 반사 경로와, 반사 부재가 라운드 플레이트로 제공되는 경우의 레이저의 반사 경로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 반사 부재(520)가 평판 플레이트로 제공되는 경우보다 반사 부재(520)가 라운드 플레이트로 제공되는 경우에 기판(W)의 저면으로 조사되는 제3레이저(L3)의 집중도(Intensity)가 높은 것을 확인할 수 있다. 즉, 반사 부재(520)가 라운드 플레이트로 제공되는 경우에는 기판(W)의 저면으로 조사되는 제3레이저(L3)의 빔이 모이게 할 수 있으며, 이에 따라 제3레이저(L3)의 강도 또는 집중도 조절을 보다 민감하게 수행할 수 있다. 따라서, 기판(W)이 가열되어야 할 설정 온도나, 사용되는 레이저의 강도 등을 고려하여 필요에 따라 반사 부재(520)를 적절히 선택 적용할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 반사 유닛을 개략적으로 도시한 도면이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(600)은 일 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(500)과 그 구조가 동일하게 제공될 수 있다. 다만, 다른 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(600)은 반사 부재(520)의 틸트 및 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다. 이하에서는, 일 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(600)과의 차이점을 중심으로 설명하며, 동일한 구성에 대하여는 동일한 도면번호를 부여하고 그 설명을 생략한다.
다른 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(600)은 반사 부재(520)는 앞서 상술한 것과 같이 베이스(510)에 대하여 소정 각도로 틸트될 수 있다. 또한, 반사 부재(520)는 상하 방향으로 이동될 수 있다. 복수의 반사 부재(520)는 동시에 상하 방향으로 이동될 수 있다. 반사 부재(520)는 베이스(510)가 하우징(422)의 외측면을 따라 상하 방향으로 이동됨에 따라 베이스(510)와 함께 상하 방향으로 이동될 수 있다. 제어기(560)는 기판(W)의 온도 보충 정도 또는 기판(W)으로의 광량 보충 정도에 따라서 베이스(510) 및 반사 부재(520)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 레이저 반사 유닛(700)을 개략적으로 도시한 도면이다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(700)은 일 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(500)과 구동 부재(540)를 제외하고는 그 구조가 동일하게 제공될 수 있다. 이하에서는, 일 실시예에 따른 레이저 반사 유닛(600)과의 차이점을 중심으로 설명하며, 동일한 구성에 대하여는 동일한 도면번호를 부여하고 그 설명을 생략한다.
레이저 반사 유닛(700)은 레이저 조사 유닛(400)에 결합되는 베이스(510)와, 베이스(510)에 결합되는 반사 부재(520)를 포함할 수 있다. 반사 부재(520)는 앞서 상술한 바와 같이 베이스(510)에 대하여 소정 각도로 틸트 가능하게 결합될 수 있다. 반사 부재(520)는 베이스(510)에 대하여 소정의 양의 각도(A1) 또는 소정의 음의 각도(A2)만큼 틸트될 수 있다. 반사 부재(520)가 양의 각도(A1)만큼 틸트되는 경우에 제3레이저(L3) 중 기판(W)의 저면으로 반사되는 제3레이저(L3)의 광량이 증가될 수 있다. 또한, 반사 부재(520)가 양의 각도(A1)로 틸트되는 틸트 각도가 클수록, 제3레이저(L3)는 기판(W)의 중앙 영역으로 집중될 수 있다. 반사 부재(520)가 음의 각도(A2)만큼 틸트되는 경우에 제3레이저(L3)는 기판(W)의 가장자리 영역 또는 기판(W)을 벗어난 위치로 반사될 수 있다. 또한, 반사 부재(520)가 음의 각도(A2)로 틸트되는 틸트 각도가 클수록, 제3레이저(L3)는 기판(W)을 벗어난 영역으로 반사되는 광량이 증가될 수 있다. 제어기(560)는 기판(W)의 온도에 따라 반사 부재(520)의 틸트 각도를 제어할 수 있다.
한편, 반사 부재(520)는 회전될 수 있다. 반사 부재(520)는 구동 부재(570)에 의해 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전될 수 있다. 이 경우, 레이저의 반사율을 높일 수 있다.
반사 부재(520)는 연결 부재(530)와 결합되고, 연결 부재(530)는 구동 부재(570)에 결합될 수 있다. 이때, 구동 부재(570)는 중공 모터로 제공될 수 있다. 구동 부재(570)는 내부에 중공이 형성되는 모터로 제공되며, 중공에는 렌즈 조사 유닛(400)의 적으로 일부가 배치될 수 있다. 이에 따라, 구동 부재(570)가 렌즈 조사 부재(400)와의 간섭, 충돌 없이 회전될 수 있으며, 구동 부재(570)에 회전에 따라 반사 부재(520)가 회전될 수 있다.
일반적으로, 기판을 레이저로 가열하는 구조에서는 기판의 저면에서 반사되어 되돌아 가는 레이저 빔을 다시 기판으로 되돌려보내기 위하여 특정 위치에서 고정되는 반사경이 사용될 수 있다. 이 경우, 반사경의 고정으로 인하여, 반사경에 의해 반사되는 레이저 빔의 광학 경로의 변경이 불가능하므로, 기판의 온도 보충이 필요한 영역에 선택적으로 광을 집중시키기 어려워 균일한 에치 레이트를 얻기가 어려운 문제가 있다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판(W)에서 반사되어 되돌아오는 레이저 빔을 반사시키는 반사 부재(520)가 가변적으로 틸트 가능하게 제공됨에 따라 기판(W)의 저면에 레이저 빔 손실 보충이 가능할 수 있다. 또한, 기판(W)의 영역 중 온도가 낮은 영역으로 레이저 빔이 집중되도록, 제3레이저(L)의 광학 경로를 변경함에 따라 균일한 에치 레이트를 확보할 수 있다. 또한, 가변으로 틸트 가능한 반사 부재(520)의 각도값 조절을 통해 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리까지 전 영역에서의 온도를 보충할 수 있다.
본 발명의 실시예는 기판(W)을 가열하는 등의 기판(W)을 처리하기 위한 고출력의 환형의 레이저 빔을 이용하는, 다양한 적용예로 변형될 수 있을 것이다. 공정 챔버는 세정 또는 식각을 위한 챔버가 아닌 가열을 행하는 상이한 챔버일 수 있다. 예컨대, 공정 챔버는 어닐 챔버일 수도 있다.
한편, 상술한 실시 예들에 따른 제어기의 구성, 저장 및 관리는 하드웨어, 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 조합의 형태로 실현 가능하다. 제어기를 이루는 파일 데이터 및/또는 상기 소프트웨어는 예를 들어, 삭제 가능 또는 재기록 가능 여부와 상관없이, ROM(Read Only Memory) 등과 같은 휘발성 또는 비휘발성 저장 장치, 또는 예를 들어, RAM(Random Access Memory), 메모리 칩, 장치 또는 집적 회로와 같은 메모리, 또는 예를 들어 CD(Compact Disk), DVD(Digital Versatile Disc), 자기 디스크 또는 자기 테이프 등과 같은 광학 또는 자기적으로 기록 가능함과 동시에 기계(예를 들어, 컴퓨터)로 읽을 수 있는 저장 매체에 저장될 수 있음은 물론이다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 유닛; 및
    상기 레이저 조사 유닛에 결합되고, 상기 기판의 저면으로 조사되어 반사되는 레이저를 반사시키는 레이저 반사 유닛을 포함하고,
    상기 레이저 반사 유닛은,
    상기 기판으로부터 반사되는 레이저를 반사시키는 반사 부재; 및
    상기 반사 부재를 소정의 틸트 각도로 틸트시키는 구동 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사 부재는 상기 기판의 상면과 평행한 가상의 면을 기준으로 양의 각도(Positive angle) 또는 음의 각도(Negative angle)로 틸트되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판으로부터 반사된 레이저는,
    상기 양의 각도로 틸트된 상기 반사 부재에 반사되어 상기 기판으로 조사되는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기판으로부터 반사된 레이저는,
    상기 음의 각도로 틸트된 상기 반사 부재에 반사되는 경우에 상기 기판의 가장자리 영역 또는 상기 기판을 벗어난 위치로 조사되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 틸트 각도는 양의 각도로 제공되고,
    상기 기판은 중앙 영역과 가장자리 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 배치되는 미들 영역을 포함하고,
    상기 양의 각도로 틸트되는 상기 틸트 각도가 클수록 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 상기 중앙 영역에 인접하게 집중되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 틸트 각도는 음의 각도로 제공되고,
    상기 기판은 중앙 영역과 가장자리 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 배치되는 미들 영역을 포함하고,
    상기 음의 각도로 틸트되는 상기 틸트 각도가 클수록 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 상기 가장자리 영역에 인접하게 집중되어 조사되거나, 상기 기판의 외측으로 조사되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반사 부재는 복수의 반사 부재를 포함하고,
    상기 복수의 반사 부재는 일 부분이 서로 중첩되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 반사 부재는 일체로 틸트되는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 반사 유닛은,
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 상부에서 상기 기판의 온도를 모니터링하는 모니터링 부재; 및
    제어기를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 모니터링 부재로부터 제공받은 상기 기판의 온도에 따라 상기 반사 부재의 상기 틸트 각도를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기판에 온도 보충이 필요한 경우, 상기 제어기는 상기 반사 부재가 상기 양의 각도로 틸트되도록 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 구동 부재는 상기 반사 부재를 상하 방향으로 이동시키는 기판 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 구동 부재는 내부에 중공이 형성되는 중공 모터로 제공되고,
    상기 구동 부재는 상기 반사 부재를 회전시키는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 중공 모터의 상기 중공에는 상기 레이저 조사 유닛의 적어도 일부가 배치되는 기판 처리 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은,
    내부 공간이 형성되고, 상부 및 하부가 개구되는 통 형상으로 제공되는 척 부재;
    상기 척 부재의 상면에 결합되고, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 아래에 배치되는 윈도우 부재; 및
    상기 척 부재의 하단에 결합되는 중공 모터를 포함하고,
    상기 레이저 조사 유닛은 상기 척 부재의 하단보다 낮은 위치에 배치되고,
    상기 레이저 조사 유닛으로부터 조사되는 상기 레이저는 상기 척 부재의 상기 내부 공간을 통해 상기 기판의 저면으로 조사되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 척 부재의 내경은,
    상기 척 부재의 하단으로부터 상기 척 부재의 상단으로 갈수록 증가하는 기판 처리 장치.
  16. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로 제1레이저를 조사하여 상기 기판을 가열하는 레이저 조사 유닛; 및
    상기 레이저 조사 유닛에 결합되고, 상기 기판의 저면으로부터 반사되는 제2레이저를 반사하는 레이저 반사 유닛을 포함하고,
    상기 레이저 반사 유닛은,
    상기 레이저 조사 유닛의 외측면에 결합되며, 상기 레이저 조사 유닛을 감싸도록 제공되는 베이스;
    상기 베이스에 결합되는 반사 부재;
    상기 반사 부재를 상기 베이스에 대하여 틸트시키는 구동 부재; 및
    상기 구동 부재와 결합되는 제1부재와, 상기 제1부재와 상기 반사 부재를 연결하는 제2부재를 포함하는 연결 부재를 포함하고,
    상기 반사 부재는 복수의 반사 부재를 포함하고,
    상기 복수의 반사 부재는 상기 베이스의 둘레를 따라 결합되되, 상기 복수의 반사 부재는 적어도 일부가 서로 중첩되도록 배치되는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 구동 부재는 상기 반사 부재를 소정의 틸트 각도로 틸트시키고,
    상기 틸트 각도는 상기 기판의 상면과 평행한 가상의 면을 기준으로 양의 각도(Positive angle) 또는 음의 각도(Negative angle)를 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 레이저 반사 유닛은,
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 상부에서 상기 기판의 온도를 모니터링하는 모니터링 부재; 및
    제어기를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 모니터링 부재로부터 제공받은 상기 기판의 온도에 따라 상기 반사 부재의 상기 틸트 각도를 제어하되,
    상기 기판에 온도 보충이 필요한 경우, 상기 제어기는 상기 반사 부재가 상기 양의 각도로 틸트되도록 제어하는 기판 처리 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 기판은 중앙 영역과 가장자리 영역과, 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역의 사이에 배치되는 미들 영역을 포함하고,
    상기 틸트 각도가 상기 양의 각도로 제공되는 경우, 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 저면으로 조사되고,
    상기 틸트 각도가 상기 음의 각도로 제공되는 경우, 상기 반사 부재에 반사되는 레이저는 상기 기판의 상기 가장자리 영역 또는 상기 기판을 벗어난 위치로 조사되는 기판 처리 장치.
  20. 기판의 저면으로 레이저는 조사하여 기판을 가열하는 레이저 조사 장치에 있어서,
    상기 기판의 저면으로 레이저를 조사하는 레이저 조사 부재;
    상기 레이저 조사 부재로 레이저를 전달하는 레이저 전달 부재;
    상기 레이저 조사 부재에 결합되고, 상기 기판의 저면에서 반사되는 레이저는 반사하는 레이저 반사 유닛을 포함하고,
    상기 레이저 반사 유닛은,
    상기 레이저 조사 부재에 결합되며, 상기 레이저 조사 부재를 감싸도록 제공되는 베이스;
    상기 베이스에 결합되는 반사 부재;
    상기 반사 부재를 상기 베이스에 대하여 양의 각도 또는 음의 각도로 틸트시키는 구동 부재; 및
    상기 구동 부재와 결합되는 제1부재와, 상기 제1부재와 상기 반사 부재를 연결하는 제2부재를 포함하는 연결 부재를 포함하는 레이저 조사 장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101003508B1 (ko) * 2010-08-25 2010-12-29 쓰리아이전기 주식회사 조사범위가 조절되는 반사갓을 이용한 조명장치
KR20200095818A (ko) * 2019-02-01 2020-08-11 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치
KR20210027761A (ko) 2019-09-03 2021-03-11 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 방법
KR20210047010A (ko) * 2019-10-21 2021-04-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101003508B1 (ko) * 2010-08-25 2010-12-29 쓰리아이전기 주식회사 조사범위가 조절되는 반사갓을 이용한 조명장치
KR20200095818A (ko) * 2019-02-01 2020-08-11 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치
KR20210027761A (ko) 2019-09-03 2021-03-11 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 방법
KR20210047010A (ko) * 2019-10-21 2021-04-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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