CN116364595A - 用于处理基板的设备 - Google Patents

用于处理基板的设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116364595A
CN116364595A CN202211698270.5A CN202211698270A CN116364595A CN 116364595 A CN116364595 A CN 116364595A CN 202211698270 A CN202211698270 A CN 202211698270A CN 116364595 A CN116364595 A CN 116364595A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
unit
laser
reflecting
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211698270.5A
Other languages
English (en)
Inventor
金泰信
郑映大
金源根
李智暎
郑智训
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN116364595A publication Critical patent/CN116364595A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于处理基板的设备，所述设备包括：具有处理空间的室；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间内支撑和旋转基板；液体供应单元，所述液体供应单元向支撑在基板支撑单元上的基板供应化学液体；激光照射单元，所述激光照射单元将激光照射到支撑在基板支撑单元上的基板的底部；以及激光反射单元，所述激光反射单元联接到所述激光照射单元并将照射并反射的激光反射到基板的底部，其中所述激光反射单元包括反射构件和驱动构件，所述反射构件反射从基板反射的激光，所述驱动构件使所述反射构件以预定的倾斜角倾斜。

Description

用于处理基板的设备
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种用于处理基板的设备。
背景技术
为了制造半导体器件或液晶显示器，在基板上进行如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洗等的各种过程。其中，蚀刻过程或清洗过程是去除在基板上形成的薄膜中不必要的区域的过程，并且要求对薄膜的高选择率、高蚀刻率和高蚀刻均匀性，并且对于高集成度的半导体器件，要求较高水平的蚀刻选择率和蚀刻均匀性。
一般来说，在基板的蚀刻过程或清洗过程中，化学处理步骤、冲洗处理步骤和干燥处理步骤基本上是依次进行的。在化学处理步骤中，对在基板上形成的薄膜进行蚀刻处理，或向基板提供用于去除基板上异物的化学品；在冲洗处理步骤中，向基板提供冲洗液，如纯水。因此，在加热基板的同时，可以通过液体对基板进行处理。
发明内容
本发明的示例性实施方式的目的是提供一种用于处理基板的设备，该设备可以提高蚀刻性能。
本发明的示例性实施方式的目的是提供一种用于处理基板的设备，该设备均匀地分配蚀刻率(ER)。
本发明示例性实施方式的目的是提供一种用于处理基板的设备，该设备可以通过向基板照射激光来加热基板，并有效控制光分布。
本发明的示例性实施方式的目的是提供一种用于处理基板的设备，该设备可以补充温度降低，该温度降低是基板上每个区域的蚀刻率(ER)降低的因素。
本发明的目的并不限于此，具有本领域普通技术的人员从下面的描述中可以明显地理解上文没有提及到的其他目的。
本发明的示例性实施方式提供了一种用于处理基板的设备。该基板处理设备可以包括：具有处理空间的室；基板支撑单元，该基板支撑单元在所述处理空间内支撑和旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元向支撑在基板支撑单元上的基板供应化学液体；激光照射单元，该激光照射单元将激光照射到支撑在基板支撑单元上的基板的底部；以及激光反射单元，该激光反射单元联接到激光照射单元并将照射并反射的激光反射到基板的底部，并且该激光反射单元包括反射构件和驱动构件，该反射构件反射从基板反射的激光，该驱动构件使反射构件以预定的倾斜角倾斜。
反射构件可以以基于平行于基板的顶部的虚拟平面的正角或负角倾斜。
从基板反射的激光可以在以正角倾斜的反射构件上被反射，并照射到基板上。
当从基板反射的激光在以负角倾斜的反射构件上被反射时，激光可以被照射到基板的边缘区或偏离基板的位置。
倾斜角可以被设置为正角，基板可以包括中心区、边缘区以及位于中心区和边缘区之间的中间区，并且随着反射构件以正角倾斜的倾斜角越大，在反射构件上反射的激光可以越集中在基板的中心区。
倾斜角可以被设置为负角，基板包括中心区、边缘区以及位于中心区和边缘区之间的中间区，并且随着反射构件以负角倾斜的倾斜角越大，在反射构件上反射的激光可以越集中照射到基板的边缘区附近，或照射到基板的外部。
反射构件可以包括多个反射构件，并且多个反射构件可以被部分设置为相互重叠。
多个反射构件可以是整体倾斜的。
激光反射单元可以包括：监测构件，该监测构件在支撑在基板支撑单元上的基板的上部部分处监测基板的温度；和控制器，并且该控制器可以根据从监测构件接收到的基板的温度来控制反射构件的倾斜角。
当需要向基板补充温度时，控制器可以控制反射构件以正角倾斜。
驱动构件可以在竖直方向上移动反射构件。
驱动构件可以被设置为其中形成空心的空心电机，并且驱动构件可以使反射构件旋转。
激光照射单元的至少一部分可以被设置在空心电机的空心中。
基板支撑单元可以包括：卡盘构件，该卡盘构件具有内部空间并且被设置为其中上部部分和下部部分敞开的圆柱形的形状；窗口构件，该窗口构件联接到卡盘构件的顶部，并且设置在支撑在基板支撑单元上的基板的下方；和空心电机，该空心电机联接到卡盘构件的下端，激光照射单元可以设置在比卡盘构件的下端更低的位置，并且从激光照射单元照射的激光可以通过卡盘构件的内部空间照射到基板的底部。卡盘构件的内径可以从卡盘构件的下端向卡盘构件的上端增加。
本发明的另一个示例性实施方式提供了一种用于处理基板的设备。该基板处理设备可以包括：具有处理空间的室；基板支撑单元，该基板支撑单元在处理空间内支撑和旋转基板；液体供应单元，该液体供应单元向支撑在基板支撑单元上的基板供应化学液体；激光照射单元，该激光照射单元将第一激光照射到支撑在基板支撑单元上的基板的底部并加热基板；以及激光反射单元，该激光反射单元联接到激光照射单元，并反射从基板的底部反射的第二激光，其中，该激光反射单元可以包括：底座，该底座联接到激光照射单元的外表面，并设置为覆盖激光照射单元；反射构件，该反射构件联接到底座；驱动构件，该驱动构件使反射构件相对于底座倾斜；和连接构件，该连接构件包括联接到驱动构件的第一构件以及连接第一构件和反射构件的第二构件，反射构件可以包括多个反射构件，并且多个反射构件沿底座的圆周联接，并且多个反射构件中的至少一些可以被设置为相互重叠。
多个反射构件可以沿底座的圆周联接，并且该倾斜角可以包括基于平行于基板的顶部的虚拟平面的正角或负角。
激光反射单元可以包括：监测构件，该监测构件在支撑在基板支撑单元上的基板的上部部分处监测基板的温度，和控制器，并且该控制器可以根据从监测构件接收到的基板的温度来控制反射构件的倾斜角，并且当需要向基板补充温度时，控制器可以控制反射构件以正角倾斜。
基板可以包括中心区、边缘区以及设置在中心区和边缘区之间的中间区，并且当倾斜角被设置为正角时，在反射构件上反射的激光可以被照射到底部，并且当倾斜角被设置为负角时，在反射构件上反射的激光可以被照射到基板的边缘区或偏离基板的位置。
本发明的又一个示例性实施方式提供了一种激光照射设备，该激光照射设备通过将激光照射到基板的底部来加热基板。该激光照射设备可以包括：激光照射构件，该激光照射构件将激光照射到基板的底部；激光传输构件，该激光传输构件将激光传输到激光照射构件；以及激光反射单元，该激光反射单元联接到激光照射构件，并反射在基板的底部上反射的激光，并且，该激光反射单元可以包括：底座，该底座联接到激光照射构件的外表面，并设置为覆盖激光照射构件；反射构件，该反射构件联接到底座；驱动构件，该驱动构件使反射构件以正角或负角相对于底座倾斜；和连接构件，该连接构件包括联接到驱动构件的第一构件以及连接第一构件和反射构件的第二构件。
根据本发明的示例性实施方式，可以提高蚀刻性能。
根据本发明的示例性实施方式，蚀刻率(ER)可以均匀分布。
根据本发明的示例性实施方式，可以通过将激光照射到基板来加热基板，并且可以有效控制光分布。
根据本发明的示例性实施方式，可以补充温度降低，该温度降低是每个区域的蚀刻率(ER)降低的因素。
附图说明
图1是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的用于处理基板的设备的截面图。
图2是示出在图1的过程室中设置的用于处理基板的设备的截面图。
图3是示出根据本发明的示例性实施方式的激光照射单元和激光反射单元的图。
图4是示意性示出图3的激光反射单元的图。
图5是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的反射构件的倾斜角为正角的视图的图。
图6是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的反射构件的倾斜角是负角的视图的图。
图7是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的反射构件的各种示例性实施方式的图。
图8是示意性示出当反射构件被设置为平板时激光的反射路径以及当反射构件被设置为圆板时激光的反射路径的图。
图9是示意性示出根据本发明的另一示例性实施方式的激光反射单元的图。
图10是示意性示出根据本发明的又一示例性实施方式的激光反射单元700的图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅通过例释的方式展示并描述了本发明的示例性实施方式。如本领域的技术人员将理解的，所描述的示例性实施方式可以以各种不同的方式进行修改，所有这些修改都不会偏离本发明的精神或范围。此外，在描述本发明的示例性实施方式时，如果确定相关的已知功能或构成会不必要地使本发明的要点不明确，则将省略对其的详细描述。此外，遍及所有附图，相同的附图标记用于进行类似功能和类似动作的零件。
除非有明确的相反描述，否则“包括”将理解为意为包含所述要素，但不排除任何其他要素。具体来说，应该理解术语“包括”或“具有”表示说明书中描述的特征、数字、步骤、操作、部件、零件或其组合是存在的，但并不排除预先存在或增加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、部件、零件或其组合的可能性。
如果在上下文中没有明显相反的含义，则单数形式包括复数形式。
此外，为了更清楚地说明，附图中的元件的形状、大小等可能被放大。
术语“和/或”包括相应列出的项目中的任何一个以及一个或多个项目的所有组合。此外，在本说明书中，术语“连接”是指除了构件A和构件B直接连接的情况外，构件C插入构件A和构件B之间进行间接连接的情况。
本发明的示例性实施方式可以以各种形式进行修改，但不应理解为本发明的范围仅限于下述的示例性实施方式。提供示例性实施方式是为了向本领域的技术人员更完整地描述本发明。因此，为了强调更明确的描述，附图中的元件的形状被夸大。
在示例性的实施方式中，作为示例描述了通过使用处理液对基板进行蚀刻处理的过程。然而，本示例性实施方式并不局限于蚀刻过程，其可以不同地适用于使用液体的基板处理过程，如清洗过程、灰化过程和显影过程。
此处，基板是综合性的概念，包括用于制造半导体器件或平板显示器(FPD)的所有基板，以及在其他薄膜中的其中形成电路图案的产品。基板W的示例包括硅片、玻璃基板、有机基板等。
下文，将参照附图对本发明的示例性实施方式进行详细描述。
图1是示意性说明根据本发明的示例性实施方式的用于处理基板的设备的截面图。
参照图1，基板处理设备1包括索引模块10和过程处理模块20。索引模块10具有装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和过程处理模块20可以依次排成一排。下文中，装载端口120、传送框架140和过程处理模块20排列的方向将被称为第一方向12，当从顶部观察时，与第一方向垂直的方向将被称为第二方向14，而与第一方向12和第二方向14都垂直的方向将被称为第三方向16。
储存基板W的载体F可以安置在装载端口120上。可以设置并在第二方向14上排列多个装载端口。在图1中，示出了设置四个装载端口120，但是装载端口120的数量可以根据诸如过程处理模块20的过程效率和占用面积等条件增加或减少。可以在载体F中形成设置用于支撑基板边缘的槽(未示出)。在第三方向16上可以设置多个槽，基板可以在载体F中排列为堆叠方式，以在第三方向16上彼此间隔开。前开式统一吊舱(FOUP)可被用作载体F。
传送框架140可以在载体F和安置在装载端口120上的缓冲单元220之间传送基板W。在传送框架140中可以设置索引轨道142和索引机器人144。索引轨道142可以被设置为使得纵向方向与第二方向14一致。索引机器人144可以安装在索引轨道142上。索引机器人144可以沿着索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引机器人144可以包括底座144a，主体144b，和索引臂144c。底座144a可以被安装成可沿索引轨道142移动。本体144b与底座144a联接。本体144b可被设置为可在底座144a上沿第三方向16移动。此外，主体144b可以被设置为可在底座144a上旋转。索引臂144c可被设置为与主体144b联接，并可相对于主体144b向前和向后移动。可以设置多个索引臂144c，以分别单独驱动。索引臂144c可被布置成堆叠方式，同时在第三方向16上彼此间隔开。一些索引臂144c可以在将基板W从过程处理模块20传送到载体F时使用，而另外一些索引臂144c可以在将基板W从载体F传送到过程处理模块20时使用。这是为了防止在装卸基板W的过程中从过程处理前的基板W上产生的颗粒被附着到过程处理后的基板上。
过程处理模块20包括缓冲单元220、传送室240和过程室260。
缓冲单元220可以被布置在传送框架140和传送室240之间。缓冲单元220可以设置空间，在基板W被传送到传送室240和传送框架140之间之前，基板W停留在这个空间。可以在缓冲单元220内设置放置基板W的槽(未示出)，并且可以设置在第三方向16上相互间隔开的多个槽(未示出)。在缓冲单元220中，每个面向传送框架140的表面和面向传送室240的表面都可以被打开。
传送室240可以在缓冲单元220和过程室260之间传送基板W。在传送室240中可以设置导轨242和主机器人244。导轨242可以被布置成使得纵向方向与第一方向12一致。主机器人244可以被安装在导轨242上，并在导轨242上沿第一方向12线性移动。
传送室240可以被布置成使得其纵向方向与第一方向12平行。过程室260可以被布置在传送室240的两侧。过程室260可以被设置为基于传送室240而相互对称。一些过程室260可以被布置在传送室240的纵向方向上。此外，一些过程室260可以被布置为相互堆叠。也就是说，过程室260可以以A X B(A和B中的每一个是1或更大的自然数)的阵列布置在传送室240的两侧。此处，A代表在第一方向12上设置的过程室260的数量，B代表在第三方向16上设置的过程室260的数量。当在传送室240的两侧各提供4个或6个过程室260时，过程室260和280可以排列成2X 2或3X 2的阵列。过程室260的数量也可以增加或减少。
与上述描述不同的是，过程室260可以只设置在传送室240的一侧。此外，过程室260可以在传送室240的一侧和另一侧作为单层提供。与上述描述不同的是，过程室260可以以各种排列方式提供。
可以在布置在传送室240的一侧的过程室260中进行与布置在传送室240的另一侧的过程室260中的过程相同的过程。作为示例，可以在过程室260中进行对基板W进行液体处理的过程。或者，可以在布置在传送室240的一侧的过程室260中进行与布置在传送室240的另一侧的过程室260中的过程不同的过程。作为示例，可以在布置在传送室240的一侧的过程室260中进行液体处理过程，并且可以在布置在传送室240的另一侧280的过程室260中进行基板干燥处理过程。
下文，将描述设置在过程室260中的基板处理设备400。
在过程室260中设置对基板W进行液体处理过程的基板处理设备300。根据所进行的液体处理过程的类型，基板处理设备300可以具有不同的结构。与此不同的是，各过程室260中的基板处理设备300可以具有相同的结构。可选地，多个过程室260被区分为多个组，属于同一组的过程室260中的基板处理设备300可以彼此相同，而属于不同组的过程室260中的基板处理设备300的结构可以设置为彼此不同。
图2是示出在图1的过程室中设置的用于处理基板的设备的截面图。
参照图2，基板处理设备300可以包括室310。室310可以具有内部空间。处理容器320可以布置在室310的内部空间中。风扇过滤单元315可以安装在室310的顶壁上。风扇过滤单元315可在室310的内部空间中形成垂直气流。风扇过滤单元315可以在室310的内部空间中形成下降气流。风扇过滤单元315可以是将过滤器和供气扇模块化为一个单元的装置，其过滤高湿度的室外空气并将过滤后的室外空气供应到室310的内部。高湿度的室外空气可以通过风扇过滤单元315供应到室310的内部空间，并可以在室310的内部空间中形成垂直气流。该垂直气流可向基板W的上部部分提供均匀的气流。在处理基板W的过程中产生的污染物质(例如，烟雾和颗粒)可与包括在垂直气流中的空气共同排放到处理容器320的外部，因此处理容器320的内部可保持高清洁度。
参照图2，基板处理设备300可以包括处理容器320。处理容器320可以具有其上部部分敞开的杯子的形状。处理容器320可以覆盖基板支撑单元340。处理容器320可以被设置在基板支撑单元340的外侧。处理容器320可以包括第一回收罐321和第二回收罐322。第一回收罐321和第二回收罐322可以回收在相应过程中使用的多种处理液中的不同的处理液。
第一回收罐321可以被设置为覆盖基板支撑单元340的环形形状。第一回收罐321可以在其中具有空间。第一回收罐321的空间可以是容纳回收处理液的空间。第二回收罐322可插入第一回收罐321中。第一回收罐321可以设置为覆盖第二回收罐322的环形形状。第二回收罐322可被设置为覆盖基板支撑单元340的环形形状。第二回收罐322可以插入到第一回收罐321中。第二回收罐322的高度可被设置为高于第一回收罐321。
第二回收罐322可包括第一防护单元323和第二防护单元324。第一防护单元323可被设置在第二回收罐322的最上部分。第一防护单元323可形成为从第二回收罐322的最上部分朝向基板支撑单元340延伸。第一防护单元323可形成为朝向基板支撑单元340向上倾斜。第二防护单元324可以设置在第一防护单元323的下方。第二防护单元324可与第一防护单元323间隔开来。第二防护单元324可形成为朝向基板支撑单元340延伸。第二防护单元324可形成为朝向基板支撑单元340向上倾斜。第二防护单元324可形成为与第一防护单元323相对应的形状。第二防护单元324可以与第一防护单元323平行设置。
在第一防护单元323和第二防护单元324之间可以设置供处理液体通过的第一引入孔323。在第二防护单元324的下部部分可以提供第二引入孔324a。第一引入孔323a和第二引入孔324a可以被设置在不同的高度上。在第二防护单元324中可以形成孔(未示出)。在第二防护单元324的孔(未示出)中，引入第一引入孔323a的处理液可流向在第二回收罐322的下部部分处提供的第二回收管线322b。第二防护单元324的孔(未示出)可在第二防护单元324中具有最低高度的位置处形成。回收到第一回收罐321的处理液可以流向连接到第一回收罐321底部的第一回收管线321b。分别引入第一回收罐321和第二回收罐322的处理液可提供给外部处理液再生产系统(未示出)，并通过第一回收管线321b和第二回收管线322b重新利用。
参照图2，基板处理设备300可以包括升降单元360。升降单元360可以在竖直方向上移动处理容器320。升降单元360可以在竖直方向上提升处理容器320。升降单元360可以在竖直方向上线性地移动处理容器320。升降单元360可与处理容器320联接。升降单元360可与处理容器320的第二回收罐322联接。升降单元360可联接到第二回收罐322的第一防护单元323和第二防护单元324之间。升降单元360可以联接到第二回收罐322的比第二防护单元324更靠近第一防护单元323的位置上。升降单元360可以在竖直方向上移动第二回收罐322。通过这样，处理容器320的相对高度可以相对于基板支撑单元340改变。
升降单元360可包括支架362、移动轴364和驱动器366。支架362可与处理容器320的外壁联接。支架362可与第二回收罐322的外壁联接。支架362可以联接到第二回收罐322的第一防护单元323和第二防护单元324之间。支架362可以在比第二防护单元324更靠近第一防护单元323的位置上与第二回收罐322的外壁联接。支架362可与由驱动器366在竖直方向上移动的移动轴364联接。移动轴364的一端可与支架362联接，另一端可与驱动器366联接。移动轴364可以接受来自驱动器366的驱动力。移动轴364可以被设置为可在竖直方向上移动。移动轴364可以通过接收来自驱动器366的驱动力在竖直方向上移动。在这种情况下，联接到移动轴364的支架362和联接到支架362的处理容器320也可以共同移动。驱动器366可以与移动轴364联接。驱动器366可以将驱动力传递给移动轴364。例如，驱动器366可以被设置为电机或气缸。然而，本发明并不局限于此，可以应用和使用各种能够将驱动力驱动到移动轴364的部件。
升降单元360可以向下移动处理容器320，以便当基板W被装载到基板支撑单元340或从基板支撑单元340卸载时，基板支撑单元340的上部部分突出于处理容器320之上。升降单元360可将第二回收罐322向下移动，以便当基板W被装载到基板支撑单元340或从基板支撑单元340卸载时，基板支撑单元340的上部部分突出于第二回收罐322的第一防护单元323之上。当进行处理过程时，升降单元360可以控制处理容器320的高度，以便可以根据供应到基板W的处理液体的类型来将处理液体引入预定的回收罐321和322中。可选地，升降单元360可与基板支撑单元340联接，并可在竖直方向上移动基板支撑单元340而不是处理容器320。可选地，升降单元360也可以在竖直方向上移动处理容器320的整体。设置升降单元360是为了控制处理容器320和基板支撑单元340的相对高度，并且如果提供部件，该部件能够控制处理容器320和基板支撑单元340的相对高度，则可以通过各种结构和方法提供处理容器320和升降单元360的示例性实施方式。
参照图2，基板处理设备300可以包括基板支撑单元340。基板支撑单元340可以在处理过程中支撑基板W。基板支撑单元340可以在处理过程中旋转基板W。
基板支撑单元340可以包括窗口构件341。窗口构件341可设置有具有高透光率的材料。因此，由将在下面描述的激光照射单元400照射的激光可以透过窗口构件341。窗口构件341可以是具有优良的耐腐蚀性的材料，其不与化学液体发生作用。例如，窗口构件341可以设置为石英、玻璃或蓝宝石。
窗口构件341可以被放置在支撑在基板支撑单元340上的基板W的下方。窗口构件341可以被设置为圆盘形状。窗口构件341可以具有与基板W对应的形状。例如，当基板W是圆形晶片时，窗口构件341可以被设置为基本上圆形的形状。然而，窗口构件341的直径可以比基板W的直径小。窗口构件341不限于此，窗口构件341可以形成为具有与基板W相同的直径或具有比基板W更大的直径。窗口构件341可由卡盘构件343支撑，该卡盘构件将在下文中描述。窗口构件341可以与卡盘构件343的上端联接。
基板支撑单元340可以包括卡盘构件343。卡盘构件343可以设置在窗口构件341的下面。卡盘构件343可以设置在窗口构件341的底部。卡盘构件343可以支撑窗口构件341的边缘区域。
卡盘构件343可以被设置为其上端和下端敞开的圆柱形。其中。卡盘构件343可以被设置为圆柱形。卡盘构件343可以包括其内部在竖直方向上贯穿的内部空间343a。卡盘构件343的内径可以从卡盘构件343的下端朝卡盘构件343的上端增加。当从横截面观察时，卡盘构件343可以形成为从卡盘构件343的下端朝卡盘构件343的上端倾斜。卡盘构件343可以被设置为其内径从卡盘构件343的下端朝卡盘构件343的上端增加的圆柱形。卡盘构件343的上端可以支撑窗口构件341的边缘区域。卡盘构件343的下端可以与下面要描述的驱动构件349联接。卡盘构件343可以由驱动构件349旋转。卡盘构件343可以通过驱动构件349以顺时针方向或逆时针方向旋转。卡盘构件343的下端可以与将在下面描述的激光照射单元400相邻。关于卡盘构件343，由激光照射单元400照射的激光可以被卡盘构件343干扰，但通过内部空间343a照射到基板W上。卡盘构件343和窗口构件341的连接部分可以被设置为密封结构。通过这样，供应到基板W的化学液体不会渗透到卡盘构件343的内部空间343a中。此外，供应到基板W的化学液体不会渗透到激光照射单元400中。
基板支撑单元340可以包括卡盘销345。卡盘销345可以支撑基板W的侧面部分。卡盘销345可与窗口构件341联接。卡盘销345可与窗口构件341可移动地连接。卡盘销345可以在与基板W的侧面部分接触的过程位置和与基板W的侧面部分相隔的等待位置之间移动。卡盘销345可以在水平方向上在过程位置和等待位置之间移动。卡盘销345可与窗口构件341共同旋转。卡盘销345可以包括多个卡盘销345。多个卡盘销345可以组合在一起并设置为环形。卡盘销345可以设置在比下面要描述的支撑销347的更外侧位置。通过组合多个卡盘销345形成的环的半径可以大于通过组合多个支撑销347形成的环的半径。
基板支撑单元340可以包括支撑销347。支撑销347可与窗口构件341连接。可以设置复数个支撑销347。多个支撑销347可以被设置在窗口构件341的边缘区域。多个支撑销347可被布置为沿窗口构件341的边缘区域彼此间隔开。多个支撑销347可以被布置成彼此组合的环形。支撑销347可被设置为从窗口构件341的顶表面向上突出。支撑销347支撑基板W的底表面，以使基板W与窗口构件341间隔开。支撑销347可以设置在比卡盘销345的更内侧位置。
基板支撑单元340可以包括驱动构件349。驱动构件349可以与卡盘构件343联接。驱动构件340可以与卡盘构件343的下端联接。驱动构件340可以使卡盘构件341旋转。驱动构件349可以被设置为空心电机。驱动构件349可以包括定子349a和转子349b。定子349a可以是固定的并设置在一个位置，而转子349b可以与卡盘构件341联接。驱动构件349可以被设置为空心电机，其中转子349b被设置在内径中，定子349a被设置在外径中。转子349b与卡盘构件341的下端联接，以使卡盘构件341旋转。当驱动构件349被设置为空心电机时，即使卡盘构件341的下端被设置为窄的，可以选择具有小空心的空心电机，从而可以降低制造成本并提高空间效率。根据示例性实施方式，可以设置驱动构件349的定子349a同时将其固定地联接到由处理容器320支撑的支撑表面。根据示例性的实施方式，可以在驱动构件349中设置保护驱动构件349免受化学液体影响的盖构件349c。
本文中，描述了驱动构件349被设置为空心电机，但本发明不限于此，甚至可以使用任何可使卡盘构件341旋转的驱动构件349。
参照图2，基板处理设备300可以包括液体供应单元390。液体供应单元390可以向基板W供应化学液体。液体供应单元390可以将化学液体供应到支撑在基板支撑单元340上的基板W。液体供应单元390可以将化学液体供应到基板W，供应到基板W的上方。液体供应单元390可以包括将化学液体喷射到基板W的喷嘴。液体供应单元390可以包括一个或多个喷嘴。液体供应单元390可以包括能够支撑喷嘴和移动喷嘴的喷嘴移动构件(未示出)。喷嘴移动构件(未示出)可包括支撑轴(未示出)、臂(未示出)和驱动器(未示出)。支撑轴(未示出)可以布置在处理容器320的一侧。支撑轴(未示出)可具有杆形状，其中纵向方向面向第三方向。支撑轴(未示出)可被设置为可由驱动器(未示出)旋转。臂(未示出)可与支撑轴(未示出)的上端联接。臂(未示出)可形成为在与支撑轴(未示出)的纵向垂直的方向上延伸。喷嘴可以固定地连接到臂(未示出)的末端。当支撑轴(未示出)旋转时，喷嘴可与臂(未示出)一起可摆动地移动。喷嘴可摆动地移动，以移动到过程位置和等待位置。过程位置可以指与基板W的中心部分相对的位置，而等待位置可以指喷嘴偏离基板的位置。可选地，支撑轴(未示出)可被设置为可升降地移动。此外，臂(未示出)可以设置为在臂(未示出)的纵向方向上向前和向后移动。
从液体供应单元390供应到基板W的化学液体可以根据基板处理过程而多样化。当基板处理过程是氮化硅层蚀刻过程时，化学液体可以是含有磷酸(H3PO4)的化学液体。液体供应单元390可以进一步包括：去离子水(DIW)供应喷嘴，其用于在进行蚀刻过程后冲洗基板表面；异丙醇(IPA)喷射喷嘴，其用于在冲洗后进行干燥过程；以及氮气(N2)喷射喷嘴。
参照图2，基板处理设备300可以包括激光照射单元400。激光照射单元400可以将激光照射到基板W上。激光照射单元400可以将激光照射到支撑在基板支撑单元340上的基板W的底部。由激光照射单元400照射的激光可以穿过窗口构件341照射到基板W的底部。因此，基板W可以在设定的温度下被加热。激光照射单元400可以包括激光照射构件420和激光传输构件440。
激光照射构件420可以设置在窗口构件341的下面。激光照射构件420可以设置在与卡盘构件343的下端相邻的位置。激光照射构件420可以设置在比卡盘构件343的下端更低的位置。激光照射构件420可以设置在与基板W的中心部分相对的位置。激光照射构件420可以照射通过将在下面描述的激光传输构件440传输的激光。激光照射构件420可以将激光照射到基板W上。激光照射构件420可以将激光照射到基板W的底部。激光照射构件420可以通过向基板W照射激光来加热基板W。激光照射构件420可以包括具有在其中形成的空间的外壳422，以及与外壳422的内部空间联接的透镜模块(未示出)。透镜模块(未示出)可以包括单个透镜或多个透镜。
激光传输构件440可以连接定位在基板处理设备300外部的激光发生器(未示出)和激光照射构件420。激光传输构件440可以将由激光发生器(未示出)产生的激光传输到激光照射构件420。作为示例，激光传输构件440可以是光纤。
参照图2，基板处理设备300可以包括激光反射单元500。激光反射单元500与激光照射单元400联接，以控制激光的路径。激光反射单元500可以控制由激光照射单元400照射到基板W上的激光(以下称为第一激光L1)中在基板W的底部反射的激光(以下称为第二激光L2)的路径。
图3是示出根据本发明的示例性实施方式的激光照射单元和激光反射单元的图，并且图4是示意性示出图3的激光反射单元的图。
参照图3，激光反射单元500可以与激光照射单元400联接。激光反射单元500可以与激光照射构件420联接。激光反射单元500可以联接到激光照射构件420的外壳422的外表面。激光反射单元500可以设置在与外壳422的上端相邻的位置。
参照图3和图4，激光反射单元500可以包括底座510。底座510可与激光照射构件420的外壳422联接。底座510可以在邻近激光照射构件420的外壳422的上端位置与外壳422联接。根据示例，底座510的顶表面可以定位在与外壳422的顶表面相同的平面上。根据示例，底座510的顶表面可以定位在比外壳422的顶表面低的位置。在底座510中可以形成穿透顶表面和底表面的孔。底座510可以被设置为环形，其中形成孔。激光照射构件420的至少一部分可以被插入底座510的孔中。激光照射构件420可以穿透底座510的孔。底座510的孔的内表面可以与激光照射构件420的外壳422的外表面接触。然而，本发明并不局限于此，底座510的孔的内表面可以被设置成与激光照射构件420的外壳422的外表面隔开预定的间隔。下面要描述的反射构件520可以与底座510联接。
参照图3和图4，激光反射单元500可以包括反射构件520。反射构件520可与底座510联接。反射构件520可以可移动地联接到底座510上。反射构件520可以以反射构件520和底座510的接触点为轴线可移动地联接。反射构件520的另一端可以以反射构件520和底座510的接触点为轴线可移动地与底座510联接。反射构件520可以可倾斜地联接到底座520上。反射构件520可以可倾斜地联接到底座520上。反射构件520可以通过下面要描述的驱动构件530来倾斜。反射构件520可以通过驱动构件530和将在下文中描述的连接构件540倾斜。反射构件520的一端可以与底座510联接，而位于与反射构件520的一端相对的另一端可以被设置为自由端。根据示例，反射构件520的一端可以与底座510销接。然而，反射构件520不限于此，并且反射构件520可以通过各种联接方式设置为相对于底座510倾斜。
反射构件520可以包括多个反射构件520。多个反射构件520可以沿着底座510的外表面联接。多个反射构件520可以沿着底座510的圆周联接。多个反射构件520可以部分地相互重叠。由于多个反射构件520被设置为部分地相互重叠，激光的反射率可以增加。
反射构件520可以设置有能够反射激光的材料。作为示例，反射构件520可以被设置为反射器。
反射构件520可以控制由激光照射单元400照射到基板W上的激光中在基板W底部上反射的激光L2的路径。反射构件520可以反射第二激光L2。由反射构件520反射的激光可被称为第三激光L3。由反射构件520反射的激光L3可以向基板W移动。第三激光L3的路径可以根据反射构件520的倾斜角来控制。例如，第三激光L3可以集中在基板W的中心区、基板W的边缘区以及位于基板W的中心区和边缘区之间的中间区的任何区域。通过这样，在基板W的各个区域当中需要温度补充的区域可以得到光量的补充。
一般来说，用激光加热基板的结构，可以使用固定在特定位置的反射器，以使在底部上反射的激光束再次返回到基板上。在这种情况下，由于反射器是固定的，不可能改变反射器所反射的激光束的光路，所以很难有选择地将光集中在需要补充基板温度的区域，所以很难获得均匀的蚀刻率。
然而，根据本发明的示例性实施方式，由于将在基板W上反射的激光束反射并返回的反射构件520被设置为可变化地倾斜，可以在基板W的底部实现激光束的损耗补充。此外，由于第三激光L3的光路被改变，使激光束集中在基板W的各区中的具有较低温度的区域上，因此能够确保均匀的蚀刻率。此外，能够通过控制可变化地倾斜的反射构件520的角度值来补充从基板W的中心区到边缘的整个区域的温度。
参照图3，反射构件520可以以基于平行于基板W的顶表面的虚拟表面的预定的角度倾斜。
在上文中，说明和描述了反射构件520与底座510联接，但本发明不限于此，激光反射单元500可以不包括底座510，并且反射构件520可以与激光照射构件420的外壳422联接。
参照图3和图4，激光反射单元500可以包括连接构件530。连接构件530可以通过接收来自将在下面描述的驱动构件540的动力来使反射构件520倾斜。连接构件530可以通过接收来自将在下面描述的驱动构件540的动力在竖直方向上移动反射构件520的另一端。连接构件530可以包括与将在下面描述的驱动构件540联接的第一构件532以及连接第一构件532和反射构件520的第二构件534。第二构件534的一端可与反射构件520联接，而第二构件534的另一端可与第一构件532联接。第二构件534可与反射构件520的底部联接。第二构件534可与反射构件520底部的中心区联接。然而，第二构件534并不限于此，第二构件534可以联接到反射构件520的另一端。第二构件534可以包括多个第二构件534。多个第二构件534的数量可以设置为与多个反射构件520的数量相对应。多个第二构件534可以分别与多个反射构件520联接。
第一构件532可与驱动构件540联接。第一构件532可与驱动构件540和第二构件534联接。多个第二构件534可与第一构件532联接。第一构件532可以接收来自驱动构件540的动力。第一构件532可以通过由驱动构件540提供的动力在竖直方向上移动。在这种情况下，与第一构件532联接的第二构件524也可以在竖直方向上移动。通过这样，与第二构件524联接的反射构件520可以以预定的角度倾斜。也就是说，当连接构件530通过接收来自驱动构件540的动力在竖直方向上移动时，反射构件520的另一端可以在竖直方向上移动。连接构件530可以通过接收来自驱动构件540的动力而使反射构件520以预定的角度倾斜。
参照图3和图4，激光反射单元500可以包括驱动构件540。驱动构件540可以移动反射构件520。驱动构件540可以向连接构件530提供动力。驱动构件530可以在竖直方向上移动连接构件530。驱动构件530可以提升连接构件530。连接构件530的第一构件532可以与驱动构件530联接。驱动构件530可向第一构件532提供动力。驱动构件530向第一构件532提供动力，使第一构件532在竖直方向上移动。在这种情况下，联接到第一构件532的多个第二构件534可以在竖直方向上移动，并且联接到第二构件534的反射构件520可以被倾斜。例如，驱动构件540可以被设置为电机。然而，本发明不限于此，甚至可以使用任何能够移动连接构件530的部件。
参照图3，激光反射单元500可以包括监测构件550。监测构件550可以被设置在支撑在基板支撑单元340上的基板W的上部部分。监测构件550可以被设置为摄像头或视觉结构，当基板W被激光照射单元400加热时，其在基板W的上部拍摄基板W。或者，监测构件550可以被设置为温度传感器，该传感器通过激光照射单元400感测基板W的温度。监测构件550可以测量基板W的每个区的温度。例如，基板W包括中心区、边缘区和设置在中心区和边缘区之间的中间区，并且监测构件550可以测量基板W的每个区的加热温度。
参照图4，激光反射单元500可以包括控制器560。控制器560从监测构件550接收基板W的温度信息，因此，控制器560针对基板W的每个区确定补充温度不足的区，然后控制反射构件520的角度和/或位置以控制基板的每个区的温度。控制器560针对基板W的每个区确定补充温度不足的区，然后控制反射构件520的角度和/或位置以对基板W内部的光量进行补充。
控制器560可以包括确定单元560和驱动构件控制单元564。
确定单元562可以从监测构件550接收基板W的温度信息。确定单元562可以分析来自监测构件550的基板W的温度信息。确定单元562可以根据从监测构件550接收到的基板W的温度信息，针对基板W的每个区确定温度应该被补充的区。确定单元562可以根据从监测构件550接收到的基板W的温度信息，针对基板W的每个区确定应被额外加热的区。确定单元562可以确定在基板W的区中要补充温度的区，然后确定反射构件520的角度或位置。确定单元562可以将所确定的反射构件520的位置信息传送给驱动构件控制单元564。驱动构件控制单元564可以根据由确定单元562确定的反射构件520的角度信息和/或位置信息来倾斜反射构件520。因此，基板W的每个区的加热温度可以得到控制。
下面，将参照附图详细描述根据本发明的示例性实施方式的激光反射单元500控制反射构件520的过程。
图5是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的反射构件的倾斜角为正角的视图的图。
反射构件520可以以基于平行于外壳422的顶表面的虚拟平面的预定的正角A1倾斜。反射构件520可以围绕反射构件520与底座510的相互接触的点在正方向上倾斜预定的角度。反射构件520可以围绕反射构件520与底座510相互接触的点在逆时针方向上倾斜预定的角度。在这种情况下，反射构件520倾斜的角度可以是由连接当倾斜角为0度时反射构件的另一端、反射构件520的一端与底座510接触的点、以及倾斜的反射构件520的另一端的虚拟线所定义的角度。
参照图5，从基板W的底部反射的第二激光L2可以被反射构件520反射，并可以成为第三激光L3。由反射构件520反射的第三激光L3的角度可以根据第二激光L2入射到反射构件520上的角度来确定，并且第三激光L3的一部分可以前往基板W的底部，而第三激光L3的另一部分可以不前往基板W的底部。在这种情况下，当控制器560根据基板W的温度确定需要对基板W进行温度补充时，控制器560可以使反射构件520以正角A1倾斜。由于反射构件520以正角A1倾斜，第三激光L3的路径可被控制为前往基板W的底部的方向。此外，随着反射构件520以正角A1倾斜的程度变大，第三激光L3可以集中在基板W底部的中心区或邻近中心区的区。
图6是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的反射构件的倾斜角为负角的视图。
反射构件520可以以基于平行于外壳422的顶表面的虚拟平面的预定的负角A2倾斜。反射构件520可以围绕反射构件520与底座510的相互接触的点在负方向上倾斜预定的角度。反射构件520可以围绕反射构件520与底座510相互接触的点在顺时针方向上倾斜预定的角度。在这种情况下，反射构件520倾斜的角度可以是由连接当倾斜角为0度时反射构件的另一端、反射构件520的一端与底座510接触的点、以及倾斜的反射构件520的另一端的虚拟线所定义的角度。
参照图6，从基板W的底部反射的第二激光L2可以被反射构件520反射，并可以成为第三激光L3。由反射构件520反射的第三激光L3的角度可以根据第二激光L2入射到反射构件520上的角度来确定，并且第三激光L3的一部分可以前往基板W的底部，而第三激光L3的另一部分可以不前往基板W的底部。在这种情况下，当控制器560根据基板W的温度确定不需要基板W的温度补充或相比于基板W中心区的温度补充更需要基板W边缘区的温度补充时，控制器560可以使反射构件520以负角倾斜。由于反射构件520以负角A2倾斜，第三激光L3的路径可被控制为不前往基板W的底部或前往基板W的边缘区的方向。此外，随着反射构件520以负角A2倾斜的程度变大，第三激光L3可以被反射到偏离基板W的位置的方向。
图7是示意性说明根据本发明的示例性实施方式的反射构件的各种示例性实施方式的图。反射构件520可以设置为各种形状，也可以不限于该形状。参照图7A，反射构件520可以被设置为上表面和下表面被设置为平面的平面板。参照图7B，反射构件520可以被设置为上表面和下表面被设置为弧形表面的圆板。当反射构件520被设置为圆板时，上表面可以由凹面形成，下表面可以由凸面形成。在这种情况下，反射构件520的上表面是指面向基板的表面，反射构件520的下表面是指不面向基板W的表面。
参照图7C，反射构件520可以通过联接多个平面板而形成。多个平面板可以彼此通过销联接。多个平面板可以独立地围绕销旋转。例如，当第一至第三平面板依次通过销联接时，第一平面板和第二平面板可以围绕销沿顺时针方向旋转，第二平面板和第三平面板可以围绕销沿逆时针方向旋转。然而，本发明并不局限于此，旋转方向和旋转程度可以根据进入基板W的光量补充程度来确定。
参照图7D，在反射构件520中，多个平面板和多个圆板可以组合。多个平面板和多个圆板可以分别通过销彼此联接。多个平面板和多个圆板可以独立地围绕销旋转。例如，当第一平面板、圆板和第二平面板依次通过销联接时，第一平面板和圆板可以围绕销沿顺时针方向旋转，并且圆板和第二平面板可以围绕销沿逆时针方向旋转。然而，本发明并不局限于此，旋转方向和旋转程度可以根据进入基板W的光量补充程度来确定。
图8是示意性示出当反射构件被设置为平面板时激光的反射路径和当反射构件被设置为圆板时激光的反射路径的图。
参照图8，可以看出，当反射构件520被设置为圆板时，照射到基板W底部的第三激光L3的强度高于反射构件520被设置为平面板时的强度。也就是说，当反射构件520被设置为圆板时，照射到基板W底部的第三激光的光束可以被聚集，并且因此，第三激光L3的强度可以被更灵敏地控制。因此，考虑到要加热基板W的设定温度，或所使用的激光的强度，可以根据需要适当地选择和应用反射构件520。
图9是示意性示出根据本发明的另一示例性实施方式的激光反射单元的图。根据本发明的另一示例性实施方式的激光反射单元600可以被设置为具有与根据示例性实施方式的激光反射单元500相同的结构。然而，根据另一示例性实施方式的激光反射单元600可以被设置为可以倾斜或竖直地移动反射构件520。下面，将主要描述与根据示例性实施方式的激光反射单元500的区别，相同的部件用相同的附图标记表示，并省略其描述。
在根据另一示例性实施方式的激光反射单元600中，反射构件520可以如上所述以预定的角度相对于底座510倾斜。此外，反射构件520可以在竖直方向上移动。多个反射构件520可以同时在竖直方向上移动。当底座510沿外壳422的外表面在竖直方向上移动时，反射构件520可以与底座510共同在竖直方向上移动。控制器560可以根据基板W的温度补充程度或进入基板W的光量补充程度在竖直方向上移动底座510和反射构件520。
图10是示意性示出根据本发明的又一示例性实施方式的激光反射单元700的图。除了驱动构件540以外，根据本发明的又一示例性实施方式的激光反射单元700可以被设置为具有与根据示例性实施方式的激光反射单元500相同的结构。下面，将主要描述与根据示例性实施方式的激光反射单元500的区别，并且相同的部件用相同的附图标记表示，并且省略其描述。
激光反射单元700主要包括与激光照射单元400联接的底座510和与底座510联接的反射构件520。反射构件520可以如上所述以预定的角度可倾斜地联接到底座510上。反射构件520可以以预定的正角A1或预定的负角A2相对于底座510倾斜。由于反射构件520以正角A1倾斜，第三激光L3中反射在基板W底部上的第三激光L3的光量可以增加。此外，当反射构件520以正角A1倾斜的倾斜角较大时，第三激光L3可以集中在基板W的中心区。当反射构件520以负角A2倾斜时，第三激光L3可被反射到基板W的边缘区或偏离基板W的位置。此外，随着反射构件520以负角A2倾斜的程度变大，反射到偏离基板W的区的第三激光L3的光量可以增加。控制器560可以根据基板W的温度来控制反射构件520的倾斜角。
同时，反射构件520可以被旋转。反射构件520可以通过驱动构件570在顺时针方向或逆时针方向上旋转。在这种情况下，激光的反射率可以增加。
反射构件520可以与连接构件530联接，而连接构件530可以与驱动构件570联接。在这种情况下，驱动构件570可以被设置为空心马达。驱动构件570可以被设置为具有在其中形成的空心的电机，并且激光照射单元400的至少一部分可以被设置在空心中。因此，驱动构件570可以在不与激光照射单元400发生干扰或碰撞的情况下旋转，并且反射构件520可以随着驱动构件570的旋转而旋转。
一般来说，用激光加热基板的结构，可以使用固定在特定位置的反射器，以使在底部反射的激光束再次返回到基板。在这种情况下，由于反射器的固定，不可能改变反射器所反射的激光束的光路，所以很难有选择地将光集中在需要补充基板温度的区域，所以很难获得均匀的蚀刻率。
然而，根据本发明的示例性实施方式，由于将在基板W上反射的激光束反射并返回的反射构件520被设置为可变化地倾斜，因此可以在基板W的底部实现激光束的损耗补充。此外，由于第三激光L3的光路被改变，使激光束集中在基板W的各区中的具有较低温度的区上，因此能够确保均匀的蚀刻率。此外，能够通过控制可变化地倾斜的反射构件520的角度值来补充从基板W的中心区到边缘的整个区域的温度。
本发明的示例性实施方式可以修改为使用高输出的环形激光束来处理基板W(例如加热基板W)的各种应用实例。过程室可以不是清洗或蚀刻的室，而是进行加热的不同室。例如，过程室也可以是退火室。
同时，可以以硬件、软件或硬件和软件的组合的形式实施根据示例性实施方式的控制器的配置、存储和管理。构成控制器的文件数据和/或软件可以存储在易失性或非易失性存储设备(例如只读存储器(ROM)等)中，或者例如存储器(如随机存取存储器(RAM)、存储芯片、存储装置或集成电路)，或者可由机器(例如计算机)以光学或磁学方式写入或读取的存储介质，诸如光盘(CD)、数字多功能光盘(DVD)、磁盘或磁带(当然，不管是可删除还是可重写的存储介质)。
以上的详细描述说明了本发明。此外，上述内容显示和描述了本发明的示例性实施方式，本发明可以在其他各种组合、修改和环境中使用。也就是说，上述内容可以在本说明书所公开的发明概念的范围内、等同于本公开的范围内和/或本领域的技术或知识范围内进行修改或修正。上述示例性实施方式描述了实现本发明技术精神的最佳状态，可能存在本发明的具体应用领域和用途中所需的各种变化。因此，上述对本发明的详细描述并不意味着将本发明限制在所公开的实施方式中。此外，所附的权利要求书应被解释为也包括其他示例性实施方式。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
具有处理空间的室；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间内支撑和旋转基板；
液体供应单元，所述液体供应单元向支撑在所述基板支撑单元上的所述基板供应化学液体；
激光照射单元，所述激光照射单元将激光照射到支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的底部；以及
激光反射单元，所述激光反射单元联接到所述激光照射单元，并将照射并反射的激光反射到所述基板的所述底部，
其中，所述激光反射单元包括：
反射构件，所述反射构件反射从所述基板反射的激光，和
驱动构件，所述驱动构件使所述反射构件以预定的倾斜角倾斜。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射构件以基于平行于所述基板的顶部的虚拟平面的正角或负角倾斜。
3.根据权利要求2所述的设备，其中从所述基板反射的所述激光在以所述正角倾斜的所述反射构件上被反射，并照射到所述基板上。
4.根据权利要求2所述的设备，其中当从所述基板反射的所述激光在以所述负角倾斜的所述反射构件上被反射时，所述激光被照射到所述基板的边缘区或偏离所述基板的位置。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述倾斜角被设置为正角，
所述基板包括中心区、边缘区以及位于所述中心区和所述边缘区之间的中间区，并且
随着所述反射构件以正角倾斜的所述倾斜角越大，在所述反射构件上反射的所述激光就越集中在所述基板的所述中心区。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述倾斜角被设置为负角，
所述基板包括中心区、边缘区以及位于所述中心区和所述边缘区之间的中间区，并且
随着所述反射构件以所述负角倾斜的所述倾斜角越大，在所述反射构件上反射的所述激光就越集中照射到所述基板的所述边缘区附近，或照射到所述基板的外部。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述反射构件包括多个反射构件，并且
所述多个反射构件被部分设置为相互重叠。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个反射构件是整体倾斜的。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述激光反射单元包括：
监测构件，所述监测构件在支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的上部部分处监测所述基板的温度，和
控制器，并且
所述控制器根据从所述监测构件接收到的所述基板的温度来控制所述反射构件的所述倾斜角。
10.根据权利要求9所述的设备，其中当需要向所述基板补充温度时，所述控制器控制所述反射构件以正角倾斜。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述驱动构件在竖直方向上移动所述反射构件。
12.根据权利要求1所述的设备，其中所述驱动构件被设置为其中形成空心的空心电机，并且
所述驱动构件使所述反射构件旋转。
13.根据权利要求12所述的设备，其中所述激光照射单元的至少一部分被设置在所述空心电机的所述空心中。
14.根据权利要求1所述的设备，其中所述基板支撑单元包括：
卡盘构件，所述卡盘构件具有内部空间并且被设置为其中上部部分和下部部分敞开的圆柱形的形状；
窗口构件，所述窗口构件联接到所述卡盘构件的顶部，并且设置在支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的下方；和
空心电机，所述空心电机联接到所述卡盘构件的下端，
所述激光照射单元设置在比所述卡盘构件的下端更低的位置，并且
从所述激光照射单元照射的激光通过所述卡盘构件的所述内部空间照射到所述基板的底部。
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述卡盘构件的内径从所述卡盘构件的下端向所述卡盘构件的上端增加。
16.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
具有处理空间的室；
基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理空间内支撑和旋转基板；
液体供应单元，所述液体供应单元向支撑在所述基板支撑单元上的所述基板供应化学液体；
激光照射单元，所述激光照射单元将第一激光照射到支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的底部并加热所述基板；以及
激光反射单元，所述激光反射单元联接到所述激光照射单元，并反射从所述基板的底部反射的第二激光，
其中，所述激光反射单元包括：
底座，所述底座联接到所述激光照射单元的外表面，并设置为覆盖所述激光照射单元；
反射构件，所述反射构件联接到所述底座；
驱动构件，所述驱动构件使所述反射构件相对于所述底座倾斜；和
连接构件，所述连接构件包括联接到所述驱动构件的第一构件以及连接所述第一构件和所述反射构件的第二构件，
所述反射构件包括多个反射构件，并且
所述多个反射构件沿所述底座的圆周联接，并且所述多个反射构件中的至少一些被设置为相互重叠。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述驱动构件使所述反射构件以预定的倾斜角倾斜，并且
所述倾斜角包括基于平行于所述基板的顶部的虚拟平面的正角或负角。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述激光反射单元包括：
监测构件，所述监测构件在支撑在所述基板支撑单元上的所述基板的上部部分处监测所述基板的温度，和
控制器，并且
所述控制器根据从所述监测构件接收到的所述基板的温度来控制所述反射构件的所述倾斜角。
19.根据权利要求17所述的设备，其中所述基板包括中心区、边缘区以及设置在所述中心区和所述边缘区之间的中间区，并且
当所述倾斜角被设置为正角时，在所述反射构件上反射的激光被照射到所述底部，并且
当所述倾斜角被设置为负角时，在所述反射构件上反射的激光被照射到所述基板的边缘区或偏离所述基板的位置。
20.一种激光照射设备，所述激光照射设备通过将激光照射到基板的底部来加热所述基板，所述激光照射设备包括：
激光照射构件，所述激光照射构件将激光照射到基板的底部；
激光传输构件，所述激光传输构件将所述激光传输到所述激光照射构件；以及
激光反射单元，所述激光反射单元联接到所述激光照射构件，并反射在所述基板的底部上反射的所述激光，
其中，所述激光反射单元包括：
底座，所述底座联接到所述激光照射构件的外表面，并设置为覆盖所述激光照射构件；
反射构件，所述反射构件联接到所述底座；
驱动构件，所述驱动构件使所述反射构件以正角或负角相对于所述底座倾斜；和
连接构件，所述连接构件包括联接到所述驱动构件的第一构件以及连接所述第一构件和所述反射构件的第二构件。
CN202211698270.5A 2021-12-28 2022-12-28 用于处理基板的设备 Pending CN116364595A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210189944A KR102661445B1 (ko) 2021-12-28 2021-12-28 기판 처리 장치
KR10-2021-0189944 2021-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116364595A true CN116364595A (zh) 2023-06-30

Family

ID=86898827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211698270.5A Pending CN116364595A (zh) 2021-12-28 2022-12-28 用于处理基板的设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230207350A1 (zh)
KR (1) KR102661445B1 (zh)
CN (1) CN116364595A (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101003508B1 (ko) * 2010-08-25 2010-12-29 쓰리아이전기 주식회사 조사범위가 조절되는 반사갓을 이용한 조명장치
KR102572465B1 (ko) * 2019-02-01 2023-08-29 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치
KR102654945B1 (ko) 2019-09-03 2024-04-03 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 방법
KR102391973B1 (ko) * 2019-10-21 2022-04-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102661445B1 (ko) 2024-04-29
US20230207350A1 (en) 2023-06-29
KR20230100234A (ko) 2023-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
CN112216631A (zh) 用于处理基板的装置和方法
CN116364595A (zh) 用于处理基板的设备
CN115642118A (zh) 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备
JP7476273B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102188352B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230053158A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230053160A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220084847A1 (en) Substrate treating equipment
KR102567504B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102562236B1 (ko) 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
US20230360933A1 (en) Substrate treating facility and substrate treating method
KR102629452B1 (ko) 기판 처리 장치
US20240004301A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and recording medium
US20230039663A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102040954B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102219880B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021057590A (ja) 基板処理装置及び処理液供給方法
CN116230502A (zh) 用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
KR20220067619A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20150050287A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20150077527A (ko) 처리액공급유닛

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination