KR20150077527A - 처리액공급유닛 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시예는 액을 가열하는 장치를 제공한다. 처리액공급유닛은 내부에 처리액이 수용되는 수용공간을 가지는 처리조, 상기 수용공간에 위치되며, 처리액을 가열하는 히터, 그리고 상기 처리조의 내측면을 감싸도록 제공되며, 상기 히터로부터 발생되는 전자기파장을 반사하는 반사체를 포함한다. 처리액을 가열하는 전자기파장이 반사체에 의해 반사되므로, 전자기파장이 처리조에 의해 산란되거나 흡수되어 낭비되는 것을 최소화할 수 있다.

Description

처리액공급유닛{Unit for supplying chemical}

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액을 가열하는 장치에 관한 것이다.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 세정 공정은 각각의 공정 전후에 진행되며, 기판 상에 부착된 파티클을 세정처리한다.

세정공정은 기판 상에 케미칼을 공급하여 그 부착된 파티클을 제거하는 공정이다. 케미칼을 기판 상에 공급하기 위해서는 이를 일정 온도로 가열해야 한다. 일반적으로 케미칼을 가열하는 장치로는 도1과 같이 처리조 내에 히터가 제공된다. 히터는 전자기파장을 발생해 그 케미칼을 가열한다. 파장은 케미칼을 통과하면서 처리조의 내측면에 부딪힌다. 처리조에 부딪친 파장은 일부가 산란되고, 다른 일부는 처리조에 흡수되어 소모된다.

본 발명은 케미칼을 가열시키기 위한 파장이 낭비되는 것을 최소화할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.

또한 본 발명은 파장을 발생시키기 위한 전력 소모를 줄일 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 실시예는 액을 가열하는 장치를 제공한다. 처리액공급유닛은 내부에 처리액이 수용되는 수용공간을 가지는 처리조, 상기 수용공간에 위치되며, 처리액을 가열하는 히터, 그리고 상기 처리조의 내측면을 감싸도록 제공되며, 상기 히터로부터 발생되는 전자기파장을 반사하는 반사체를 포함한다.

상기 반사체는 상기 처리조의 내측면보다 전자기파장을 흡입하는 흡입율이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 상기 반사체는 상기 처리조의 내측면에 코팅되도록 표면처리될 수 있다. 상기 반사체는 금, 은, 그리고 알루미늄 중 적어도 하나를 포함하도록 제공될 수 있다. 상기 반사체의 내측면은 라운드지게 제공될 수 있다. 상기 반사체는 오목거울로 제공될 수 있다. 상기 반사체의 내측면의 곡률의 중심은 상기 처리조의 중심과 대응될 수 있다. 상기 반사체의 내측면의 종단면적 또는 횡단면적은은 원 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 상기 반사체의 내측면의 종단면적 또는 횡단면적은은 타원 형상을 가지도록 제공될 수 있다.

선택적으로 상기 반사체의 내측면의 종단면적 또는 횡단면적은 다각형 형상을 가지도록 제공되며, 상기 다각형을 이루는 일면들은 상기 수용공간의 중앙영역을 향할 수 있다.

기판처리장치는 기판을 지지하는 스핀헤드 및 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함하되, 상기 처리액공급유닛은 처리액을 가열하는 탱크 및 상기 탱크로부터 제공된 처리액을 기판 상에 공급하는 노즐을 포함하되, 상기 탱크는 내부에 처리액이 수용되는 수용공간을 가지는 처리조, 상기 수용공간에 위치되며, 처리액을 가열하는 히터, 그리고 상기 처리조의 내측면을 감싸도록 제공되며, 상기 히터로부터 발생되는 전자기파장을 반사하는 반사체를 포함한다.

상기 반사체의 내측면은 라운드지도록 제공되고, 상기 반사체는 상기 처리조의 내측면보다 전자기파장을 흡입하는 흡입율이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 상기 반사체의 내측면의 곡률의 중심은 상기 처리조의 중심과 대응될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리액을 가열하는 전자기파장이 반사체에 의해 반사되므로, 전자기파장이 처리조에 의해 산란되거나 흡수되어 낭비되는 것을 최소화할 수 있다.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 반사체에 의해 반사된 전자기장으로부터 처리액을 재가열하므로, 히터에 소모되는 전력량을 줄일 수 있다.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도2는 도1의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 도2의 처리액공급부재를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 예열탱크를 보여주는 단면도이다.
도5는 도4의 전자기파장이 반사되는 과정을 보여주는 단면도이다.
도6은 도4의 예열탱크의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.

본 실시예에는 기판 상에 형성된 질화막을 포함하는 박막을 식각 처리하는 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 다양한 종류의 박막을 처리하는 세정공정, 식각공정, 그리고 현상공정 등 적용 가능하다.

이하, 도1 내지 도6을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다. 도1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 기판처리부(300a)(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 기판처리부(300a)(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 기판처리부(300a)(260)들이 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.

공정챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정챔버(260) 내의 기판처리장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260) 내에 기판처리장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.

도2는 도1의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 하우징(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 처리액공급유닛(380)를 포함한다. 하우징(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(320)은 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 약액들 중 서로 상이한 약액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 내부회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부회수통(322)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)으로 약액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 약액들은 회수라인(322b,326b)을 통해 외부의 약액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.

스핀헤드(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다.

지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.

척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 약액의 종류에 따라 약액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.

처리액 공급유닛(380,400)은 분사부재(380) 및 처리액공급부재(400)를 포함한다. 분사부재(380)는 기판(W) 상으로 처리액들을 분사한다. 예컨대, 분사부재(380)는 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 분사부재(380)는 서로 상이한 종류의 처리액을 공급할 수 있다. 분사부재(380)는 지지축(386), 지지대(382), 그리고 노즐(390)을 포함한다. 지지축(386)은 하우징(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(388)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강운동할 수 있다. 지지대(382)는 노즐(390)을 지지한다. 지지대(382)는 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 노즐(390)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙이동될 수 있다. 노즐(390)은 지지축(386)의 회전에 의해 공정위치와 대기위치로 이동될 수 있다. 공정위치는 노즐(390)이 스핀헤드에 지지된 기판과 대향되는 위치이고, 대기위치는 공정위치를 벗어난 위치이다. 일 예에 의하면, 처리액은 케미칼일 수 있다. 케미칼은 황산(H₂SO₄) 또는 인산(H₃PO₄)을 포함한 액일 수 있다.

처리액공급부재(400)는 처리액을 기설정 온도로 가열한다. 처리액공급부재(400)는 기설정 온도가 보정된 처리액을 노즐(390)로 공급한다. 도3은 도2의 처리액공급부재를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 처리액공급부재(400)는 처리액공급원(410), 처리액공급라인(420), 예열탱크(430), 그리고 공급탱크(450)를 포함한다. 처리액공급원(410)에 제공된 처리액은 처리액공급라인(420)을 통해 노즐(390)로 공급된다. 처리액은 처리액공급원(410)으로부터 예열탱크(430) 및 공급탱크(450)를 순차적으로 거쳐 노즐(390)로 공급된다. 예열탱크(430) 및 공급탱크(450)는 처리액공급라인(420) 상에 설치되어 처리액의 온도를 보정한다.

예열탱크(430)는 처리액공급원(410)으로부터 제공된 처리액을 가열한다. 도4는 도3의 예열탱크를 보여주는 단면도이다. 도4를 참조하면, 예열탱크(430)는 처리조(432), 레벨센서(436), 배기부재(500), 히터(450), 그리고 반사체(440)를 포함한다. 처리조(432)는 통 형상을 가지도록 제공된다. 처리조(432)의 내부에는 수용공간(434)이 제공된다. 수용공간(434)은 처리액공급원(410)으로부터 제공된 처리액이 수용되는 공간으로 제공된다. 수용공간(434)에는 처리액이 저장된다. 예컨대, 처리조(432)의 내측벽은 플라스틱을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 플라스틱은 테프론(PTFE)을 포함할 수 있다. 레벨센서(436)는 수용공간(434)에 제공된 처리액의 수위를 센싱한다. 레벨센서(436)는 수용공간(434)에 제공된 처리액이 일정 수위을 유지하도록 그 처리액의 수위를 센싱할 수 있다. 일 예에 의하면, 처리액이 일정 수위보다 높게 제공되면, 레벨센서(436)는 이를 센싱한다. 센싱된 고수위 정보는 제어부로 제공되어 그 수용공간(434)에 공급되는 처리액을 중단시킬 수 있다. 이와 반대로 처리액이 일정수위보다 낮게 제공되면, 레벨센서(436)는 이를 센싱한다. 센싱된 저수위 정보는 제어부로 제공되어 그 수용공간(434)에 처리액을 공급하도록 할 수 있다.

배기부재(500)는 수용공간(434)에 발생된 퓸을 배기한다. 배기부재(500)는 배기라인(510), 쿨러(520), 그리고 회수라인(530)을 포함한다. 배기라인(510)은 수용공간(434)에 발생된 퓸이 외부로 배기되도록 한다. 배기라인(510)은 처리조(432)의 상단에 연결된다. 배기라인(510) 상에는 쿨러(520)가 설치된다. 쿨러(520)는 배기되는 퓸을 냉각하여 이를 액화시킨다. 회수라인(530)은 액화된 퓸이 수용공간(434)에 공급되도록 쿨러(520) 및 처리조(432)를 연결한다.

히터(450)는 수용공간(434)에 제공된 처리액을 기설정 온도 또는 이보다 높은 온도로 가열한다. 히터(450)는 수용공간(434)에서 전자기파장을 발생한다. 히터(450)는 수용공간(434)의 중앙영역에 위치된다. 히터(450)는 그 중앙영역에서 방사방향으로 전자기파장을 발생할 수 있다. 일 예에 의하면, 전자기파장은 처리액을 통과하면서 그 처리액을 가열할 수 있다. 히터(450)는 적외선 램프일 수 있다.

반사체(440)는 히터(450)로부터 발생된 전자기파장을 반사한다. 도5는 도4의 반사체에 의해 전자기파장이 반사되는 과정을 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 반사체(440)는 히터(450)로부터 발생된 전자기파장이 수용공간(434)의 중앙영역으로 되돌린다. 도5에 도시된 점선은 히터(450)로부터 발생된 전자기파장이고, 실선은 반사체(440)로부터 반사된 전자기파장이다. 반사체(440)는 처리조(432)의 내측면을 감싸도록 제공된다. 반사체(440)는 처리조(432)의 내측면을 감싸도록 제공된다. 반사체(440)는 처리조(432)의 내측면에 결합된다. 일 예에 의하면, 반사체(440)는 처리조(432)의 내측면에 코팅되거나 미세가공되도록 표면 처리될 수 있다. 반사체(440)의 내측면은 라운드지도록 제공된다. 반사체(440)의 내측면의 종단면적 또는 횡단면적은 원 형상 또는 타원 형상을 가진다. 반사체(440)는 오목거울로 제공될 수 있다. 반사체(440)의 내측면의 곡률의 중심은 처리조(432)의 중심과 일치할 수 있다. 반사체(440)는 처리조(432)의 내측면에 비해 전자기파장의 흡입율이 낮은 재질로 제공된다. 예컨대, 반사체(440)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 반사체(440)는 금, 은, 그리고 알루미늄 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.

상술한 실시예에 의하면, 반사체(440)는 히터(450)로부터 발생된 전자기파장을 수용공간(434)의 중앙영역으로 되돌린다. 이로 인해 전자기파장은 처리액을 재가열하며, 전자기파장을 발생시키기 위한 전력 소모를 줄일 수 있다.

공급탱크(450)는 예열탱크(430)로부터 처리액을 공급받아 이를 노즐(390)로 공급한다. 공급탱크(450)는 예열탱크(430)로부터 가열된 처리액을 기설정 온도로 유지한다. 공급탱크(450)는 처리액공급라인(420)에서 예열탱크(430)에 비해 하류에 위치된다. 공급탱크(450)는 예열탱크(430)와 동일한 구성을 가진다. 따라서 공급탱크(450)에 관한 중복된 설명은 생략한다.

본 실시예와 다른 실시예에 의하면, 반사체(440)의 내측면은 평면일 수 있다. 도6과 같이, 반사체(440)의 수직 단면적은 다각형으로 제공될 수 있다. 다각형을 이루는 각각의 일면들은 수용공간(434)의 중앙영역을 향하도록 제공될 수 있다.

또한 반사체(440)의 내측면은 엠보싱 형상으로 제공될 수 있다.

또한 본 실시예에는 반사체(440)의 내측면이 수용공간(434)의 중앙영역을 향하는 방향으로 오목한 형상을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 반사체(440)의 내측면은 수용공간(434)의 중앙영역을 향하는 방향으로 볼록한 형상을 가질 수 있다.

400: 처리액공급부재 432: 처리조
440: 반사체 450: 히터

Claims (2)

1. 내부에 처리액이 수용되는 수용공간을 가지는 처리조와;
   상기 수용공간에 위치되며, 처리액을 가열하는 히터와;
   상기 처리조의 내측면을 감싸도록 제공되며, 상기 히터로부터 발생되는 전자기파장을 반사하는 반사체를 포함하는 처리액공급유닛.
2. 제1항에 있어서,
   상기 반사체는 상기 처리조의 내측면보다 전자기파장을 흡입하는 흡입율이 낮은 재질로 제공되는 처리액공급유닛.

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