JP2021057590A - 基板処理装置及び処理液供給方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】高温の純水と常温の純水の比率を調節し処理液の供給温度を制御する基板処理装置及び処理液供給方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを支持するスピンチャック３４２を有する基板支持ユニットと、基板支持ユニットに支持された基板上に処理液を供給するノズル４００を有するノズルユニットと、ノズルユニットに処理液を供給する液供給ユニットと、を含む。液供給ユニットは、ノズルユニットに連結され、ノズルユニットに処理液を供給するメーン供給ライン７４２と、メーン供給ラインに連結され、第１温度の純水を供給する第１純水供給ライン７１２と、メーン供給ラインに連結され、第１温度より高い第２温度の純水を供給する第２純水供給ライン７２２と、メーン供給ラインに連結され、ケミカルが供給するケミカル供給ライン７３２と、を含む。第１温度の純水又は第２温度の純水の供給量調節を通じて処理液の温度を調節する制御部を含む。【選択図】図３

Description

本発明は基板処理装置及び処理液供給方法を提供する。
一般的に半導体素子は、シリコンウエハのような基板に対して写真工程（ｐｈｏｔｏ ｐｒｏｃｅｓｓ）、蝕刻工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、イオン注入工程（ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）、そして蒸着工程（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）等のような様々な工程を通じて形成される。
各々の工程で様々な処理液が使用されることができる。例えば、写真工程でフォトレジスト液を塗布する工程又は各処理工程の間に提供されて基板に付着された各種汚染物を除去するために洗浄工程で処理液が使用されることができる。
韓国特許公開第１０−２０２０−０００１４８１号公報
本発明の目的は基板を効率的に処理することができる基板処理装置及び処理液供給方法を提供することにある。
本発明の目的は別のヒーターなく、高温の純水と常温の純水の比率を調節することによって処理液の供給温度を制御することができる基板処理装置及び処理液供給方法を提供することにある。
また、本発明の目的は内外部の環境による温度の変化時にも温度信頼性を向上させることができる基板処理装置及び処理液供給方法を提供することにある。
また、本発明の目的は基板のユニフォーミティを増加させることができる基板処理装置及び方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、基板処理装置は、基板を支持する基板支持ユニットと、前記基板支持ユニットに支持された基板上に処理液を供給するノズルユニットと、前記ノズルユニットに処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、前記液供給ユニットは、前記ノズルユニットに連結され、前記ノズルユニットに処理液を供給するメーン供給ラインと、前記メーン供給ラインに連結され、第１温度の純水を供給する第１純水供給ラインと、前記メーン供給ラインに連結され、第１温度より高い第２温度の純水を供給する第２純水供給ラインと、前記メーン供給ラインに連結され、ケミカルが供給するケミカル供給ラインと、を含み、前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節を通じて処理液の温度を調節する制御部を含む。
一実施形態において、前記メーン供給ラインには、前記処理液の温度を測定する温度計が提供され、前記制御部は前記温度計から測定された前記処理液の温度に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節することができる。
一実施形態において、前記基板支持ユニットに支持された基板の温度を測定する温度検知部材が提供され、前記処理液供給のうちに前記温度検知部材によって測定された基板の温度情報に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節することができる。
一実施形態において、前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量は時間に応じて異なりに提供されることができる。
一実施形態において、前記温度検知部材は処理される第１基板の表面の温度が相対的に高く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記ノズルユニットが前記領域と時間で供給する前記処理液の温度が減少するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節することができる。
一実施形態において、前記処理液温度の減少は前記第１温度の純水の供給量を増加させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を減少させることによって行われることができる。
一実施形態において、前記温度検知部材は処理される第１基板の表面の温度が相対的に低く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記ノズルユニットが前記領域と時間で供給する前記処理液の温度が増加するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節することができる。
一実施形態において、前記処理液温度の増加は前記第１温度の純水の供給量を減少させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を増加させることによって行われることができる。
一実施形態において、前記ノズルユニットは基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、前記処理液の供給のうちに前記ノズルが前記縁領域に位置される時、前記第２温度の純水の供給量を増加させることができる。
一実施形態において、前記ノズルユニットは基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、前記処理液の供給のうちに前記ノズルが前記中央領域に位置される時、前記第１温度の純水の供給量を増加させることができる。
また、本発明は基板を処理する処理液の供給方法を提供する。基板に処理液を供給する方法において、ケミカルに第１温度の純水と前記第１温度より高い温度である第２温度の純水を混合して処理液を生成し、前記第１温度の純水と前記第２温度の純水の供給量を調節して前記処理液の温度を調節することができる。
一実施形態において、前記処理液供給のうちに測定された基板の表面温度測定値に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節することができる。
一実施形態において、前記処理液供給のうちに基板の温度を測定し、測定された基板の温度情報に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節することができる。
一実施形態において、前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量は時間に応じて異なりに提供することができる。
一実施形態において、第１基板の処理のうちに表面の温度が相対的に高く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記領域と時間で供給される前記処理液の温度が減少するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節することができる。
一実施形態において、前記処理液温度の減少は前記第１温度の純水の供給量を増加させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を減少させることによって行われることができる。
一実施形態において、第１基板の処理のうちに表面の温度が相対的に低く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記領域と時間で供給される前記処理液の温度が増加するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節することができる。
一実施形態において、前記処理液温度の増加は前記第１温度の純水の供給量を減少させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を増加させることによって行われることができる。
一実施形態において、基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、前記縁領域で前記処理液の供給する時、前記第２温度の純水の供給量を増加させることができる。
一実施形態において、基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、前記中央領域で前記処理液の供給する時、前記第１温度の純水の供給量を増加させることができる。
本発明の一実施形態によれば、別のヒーターなく、高温の純水と常温の純水の比率を調節することによって処理液の供給温度を制御することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、環境による温度の変化時にも温度信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板のユニフォーミティを増加させることができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
本発明の一実施形態による基板処理設備を示す平面図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図面である。 図２の液供給ユニット７００を示す図面である。 本発明の一実施形態による処理液供給方法を示したフローチャートである。 本発明の他の実施形態による処理液供給方法を示したフローチャートである。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。
本明細書の全体で使用される‘〜部’及び‘〜モジュール’は少なくとも１つの機能や動作を処理する単位として、例えばソフトウェア、ＦＰＧＡ、又はＡＳＩＣのようなハードウェア構成要素を意味することができる。しかし、‘〜部’及び‘〜モジュール’がソフトウェア又はハードウェアに限定される意味ではない。‘〜部’及び‘〜モジュール’はアドレッシングできる貯蔵媒体にあるように構成されることができ、つ又はその以上のプロセッサを再生させるように構成されてもよい。
一例として、‘〜部’及び‘〜モジュール’はソフトウェア構成要素、客体指向ソフトウェア構成要素、クラス構成要素、及びタスク構成要素のような構成要素と、プロセス、関数、クラス、プロシージャ、サブルーチン、プログラムコードのセグメント、ドライバー、ファームウェア、マイクロコード、回路、データ、データベース、データ構造、テーブル、アレイ、及び変数を含むことができる。構成要素と‘〜部’及び‘〜モジュール’で提供する機能は複数の構成要素及び‘〜部’及び‘〜モジュール’によって分離されて遂行されることができ、他の追加的な構成要素と統合されてもよい。
図１は本発明の一実施形態による基板処理設備を示す平面図である。
図１を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１００と工程処理モジュール２００を含む。インデックスモジュール１００はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を含む。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、そして工程処理モジュール２００が配列された方向を第１の方向１２とする。そして、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面に垂直である方向を第３方向１６とする。
ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が置かれる。ロードポート１２０は複数に提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。図１では４つのロードポート１２０が提供されたことと図示した。しかし、ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２００の工程効率及びフットプリント等の条件に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３０には基板Ｗの縁を支持するように提供されたスロット（図示せず）が形成される。スロットは第３方向１６に複数に提供される。基板Ｗは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるようにキャリヤー１３０内に位置される。キャリヤー１３０として前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。
工程処理モジュール２００はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、そして工程チャンバー２６０を有する。移送チャンバー２４０はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。第２方向１４に沿って移送チャンバー２４０の一側及び他側には各々工程チャンバー２６０が配置される。移送チャンバー２４０の一側に位置した工程チャンバー２６０と移送チャンバー２４０の他側に位置した工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０を基準に互いに対称になるように提供される。工程チャンバー２６０の中で一部は移送チャンバー２４０の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバー２６０の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４０の一側には工程チャンバー２６０がＡＸＢ（ＡとＢは各々１以上の自然数）の配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数である。移送チャンバー２４０の一側に工程チャンバー２６０が４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー２６０の数は増加するか、或いは減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。
バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０はその内部に基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供され、スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数提供される。バッファユニット２２０で移送フレーム１４０と対向する面と移送チャンバー２４０と対向する面の各々が開放される。
移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、ボディー１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。ボディー１４４ｂはベース１４４ａに結合される。ボディー１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、ボディー１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃはボディー１４４ｂに結合され、ボディー１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２００からキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０から工程処理モジュール２００に基板Ｗを搬送する時、使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生された粒子が工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。
移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０との間に、そして工程チャンバー２６０の間に基板Ｗを搬送する。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、ボディー２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。ボディー２４４ｂはベース２４４ａに結合される。ボディー２４４ｂはベース２４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、ボディー２４４ｂはベース２４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃはボディー２４４ｂに結合され、これはボディー２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。バッファユニット２２０から工程チャンバー２６０に基板Ｗを搬送する時に使用されるメーンアーム２４４ｃと工程チャンバー２６０からバッファユニット２２０に基板Ｗを搬送する時に使用されるメーンアーム２４４ｃは互いに異なることができる。
工程チャンバー２６０内には基板Ｗに対して洗浄工程を遂行する基板処理装置３００が提供される。各々の工程チャンバー２６０内に提供された基板処理装置３００は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。選択的に各々の工程チャンバー２６０内の基板処理装置３００は同一な構造を有することができる。選択的に工程チャンバー２６０は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー２６０に提供された基板処理装置３００は互いに同一な構造を有し、異なるグループに属する工程チャンバー２６０に提供された基板処理装置３００は互いに異なる構造を有することができる。例えば、工程チャンバー２６０が２つのグループに分けられる場合、移送チャンバー２４０の一側には第１グループの工程チャンバー２６０が提供され、移送チャンバー２４０の他側には第２グループの工程チャンバー２６０が提供されることができる。選択的に移送チャンバー２４０の一側及び他側の各々で下層には第１グループの工程チャンバー２６０が提供され、上層には第２グループの工程チャンバー２６０が提供されることができる。第１グループの工程チャンバー２６０と第２グループの工程チャンバー２６０は各々使用されるケミカルの種類や、洗浄方式の種類に応じて区分されることができる。
図２は本発明の一実施形態による基板処理装置を示す図面である。
図２を参照すれば、基板処理装置３００はチャンバー３１０、容器３２０、支持ユニット３４０、昇降ユニット３６０、ノズルユニット３８０を含み、補助ノズルユニット３９０をさらに含むことができる。
チャンバー３１０は内部に空間を提供する。容器３２０はチャンバー３１０内の空間に位置する。容器３２０は基板処理工程が遂行される空間を提供し、その上部は開放される。容器３２０は内部回収筒３２２、中間回収筒３２４、そして外部回収筒３２６を有する。各々の回収筒３２２、３２４、３２６は工程に使用された処理流体の中で互いに異なる処理流体を回収する。内部回収筒３２２は支持ユニット３４０を囲む環状のリング形状に提供され、中間回収筒３２４は内部回収筒３２２を囲む環状のリング形状に提供され、外部回収筒３２６は中間回収筒３２４を囲む環状のリング形状に提供される。内部回収筒３２２の内側空間３２２ａ、内部回収筒３２２と中間回収筒３２４との間の空間３２４ａ、そして中間回収筒３２４と外部回収筒３２６との間の空間３２６ａは各々内部回収筒３２２、中間回収筒３２４、そして外部回収筒３２６に処理液が流入される流入口４１０として機能する。各々の回収筒３２２、３２４、３２６にはその底面下方向に垂直に延長される回収ライン３２２ｂ、３２４ｂ、３２６ｂが連結される。各々の回収ライン３２２ｂ、３２４ｂ、３２６ｂは各々の回収筒３２２、３２４、３２６を通じて流入された処理流体を排出する。排出された処理流体は外部の処理流体再生システム（図示せず）を通じて再使用されることができる。
支持ユニット３４０は容器３２０の処理空間内に配置される。支持ユニット３４０は工程進行の中で基板を支持し、基板を回転させる。支持ユニット３４０はスピンチャック３４２、支持ピン３４４、チョクピン３４６、駆動軸３４８、そして駆動部３４９を有する。スピンチャック３４２は上部から見る時、大体に円形に提供される上部面を有する。スピンチャック３４２の底面には駆動部３４９によって回転可能である駆動軸３４８が固定結合される。駆動軸３４８が回転すれば、スピンヘッド３４２が回転される。スピンチャック３４２は基板を支持できるように支持ピン３４４とチョクピン３４６を含む。支持ピン３４４は複数に提供される。支持ピン３４４はスピンチャック３４２の上部面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置し、スピンチャック３４２から上部に突出される。支持ピン３４４は相互間に組合によって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン３４４はスピンチャック３４２の上部面から基板が一定距離離隔されるように基板の底面縁を支持する。チャックピン３４６は複数に提供される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２の中心で支持ピン３４４より遠く離れるように配置される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２から上部に突出されるように提供される。チョクピン３４６は支持ユニット３４０が回転される時、基板が正位置から側方向に離脱されないように基板の側面を支持する。チャックピン３４６はスピンチャック３４２の半径方向に沿って待機位置と支持位置との間に直線移動が可能するように提供される。待機位置は支持位置に比べてスピンチャック３４２の中心から遠く離れた場所である。基板が支持ユニット３４０にローディング又はアンローディングの時にはチョクピン３４６は待機位置に位置され、基板に対して工程遂行する時にはチョクピン３４６は支持位置に位置される。支持位置でチョクピン３４６は基板の側部と接触される。
昇降ユニット３６０は処理容器３２０を上下方向に直線移動させる。昇降ユニット３６０は容器３２０の複数の回収筒３２２、３２４、３２６を移動させることができる。又は図示せずが、各々の回収筒を個別的に移動させることができる。容器３２０が上下に移動されることによって基板支持ユニット３４０に対する容器３２０の相対高さが変更される。昇降ユニット３６０はブラケット３６２、移動軸３６４、そして駆動器３６６を有する。ブラケット３６２は容器３２０の外壁に固定設置され、ブラケット３６２には駆動器３６６によって上下方向に移動される移動軸３６４が固定結合される。基板Ｗが支持ユニット３４０に置かれるか、或いは支持ユニット３４０から持ち上げる時、支持ユニット３４０が容器３２０の上部に突出されるように容器３２０は下降される。また、工程が進行される時には基板Ｗに供給された処理液の種類に応じて処理液が既設定された回収筒３６０に流入されるように処理容器３２０の高さが調節する。例えば、第１処理流体で基板を処理している間に基板は内部回収筒３２２の内側空間３２２ａと対応される高さに位置される。また、第２処理流体、そして第３処理流体で基板を処理する間に各々基板は内部回収筒３２２と中間回収筒３２４の間空間３２４ａ、そして中間回収筒３２４と外部回収筒３２６の間空間３２６ａに対応される高さに位置されることができる。上述したことと異なりに昇降ユニット３６０は容器３２０の代わりに支持ユニット３４０を上下方向に移動させることができる。また、上述したことと異なりに、容器３２０は単一の回収筒３２２を有することができる。
ノズルユニット３８０は基板Ｗに第１処理液を供給する。一例として、第１処理液は工程に応じて洗浄液、現像液、感光液等である。ノズルユニット３８０は１つ又は複数に提供されることができる。ノズルユニット３８０はノズル支持台３８２、支持台３８６、駆動部３８８、そしてノズル４００を有する。支持台３８６はその長さ方向が第３方向１６に沿って提供され、支持台３８６の下端には駆動部３８８が結合される。駆動部３８８は支持台３８６を回転及び昇降運動する。ノズル支持台３８２は駆動部３８８と結合された支持台３８６の終端反対側と垂直に結合される。ノズル４００はノズル支持台３８２の終端底面に設置される。ノズル４００は駆動部３８８によって工程位置と待機位置に移動される。工程位置はノズル４００が容器３２０の垂直上部に配置された位置であり、待機位置はノズル４００が容器３２０の垂直上部からずれた場所である。
補助ノズルユニット３９０は基板Ｗに第２処理液を供給する。一例によれば、第２処理液は第１処理液と異なる種類の液である。補助ノズルユニット３９０は回動が可能である。補助ノズルユニット３９０は補助ノズル３９８支持台３９２、補助支持台３９６、補助駆動部３９７、そして補助ノズル３９８を有する。補助支持台３９６はその長さ方向が第３方向１６に沿って提供され、補助支持台３９６の下端には補助駆動部３９７が結合される。補助駆動部３９７は補助支持台３９６を移動させる。一例として、補助駆動部３９７は補助支持台３９６を回転させることができる。また、補助駆動部３９７は補助支持台３９６を昇降させることができる。補助ノズル支持台３８２は補助支持台３９６の上部に結合される。補助ノズル３９８は補助ノズル支持台３８２の終端底面に設置される。補助ノズル３９８は補助駆動部３９７によって工程位置と待機位置に移動される。工程位置は補助ノズル３９８が容器３２０の垂直上部に配置された位置であり、待機位置は補助ノズル３９８が容器３２０の垂直上部からずれた場所である。
図３は図２の液供給ユニット７００を示す図面である。図３を参照すれば、液供給ユニット７００はメーン供給ライン７４２、第１純水供給ライン７１２、第２純水供給ライン７２２、ケミカル供給ライン７３２を含む。
第１純水供給ライン７１２は常温の純水が貯蔵される第１貯蔵タンク７１１に連結される。第２純水供給ライン７２２は常温より高温である純水が貯蔵される第２貯蔵タンク７２１に連結される。ケミカル供給ライン７３２はケミカルが貯蔵されるケミカル貯蔵タンク７３１に連結される。
第１純水供給ライン７１２には常温の純水の供給流量を制御する第１バルブ７１３が提供される。第２純水供給ライン７２２には高温の純水の供給流量を制御する第２バルブ７２３が提供される。ケミカル供給ライン７３２にはケミカルの供給流量を制御する第３バルブ７３３が提供される。
制御部８００は第１バルブ７１３と第２バルブ７２３と第３バルブ７３３を制御して常温の純水と、高温の純水と、ケミカルの供給流量と、を制御する。
メーン供給ライン７４２には流量計７４３と温度計７４４と濃度計７４５が提供される。また、メーン供給ライン７４２には常温の純水と高温の純水とケミカルとの混合によって生成された処理液の供給流量を制御する第４バルブ７４６が提供される。メーン供給ライン７４２の端部にはノズル４００が連結される。
第１純水供給ライン７１２と第２純水供給ライン７２２とケミカル供給ライン７３２はメーン供給ライン７４２によって連結される。
制御部８００は常温の純水の供給量を制御する第１バルブ７１３と高温の純水の供給量を制御する第２バルブ７２３を調節することによって処理液の温度を調節する。
制御部８００は温度計７４４によって測定された温度に応じて第１バルブ７１３と第２バルブ７２３の開閉程度をフィードバック制御する。即ち、制御部８００は温度計７４４から測定された処理液の温度に基づいて常温の純水又は高温の純水の供給量を調節する。
装置は支持ユニット３４０に支持された基板の温度を測定する温度検知部材６００を含む。温度検知部材６００は基板の領域別温度測定が可能である。
図４は本発明の一実施形態による処理液供給方法を示したフローチャートである。図４を参照すれば、先ず高温の純水ＤＩＷと常温の純水ＤＩＷの供給流量を各々設定する（Ｓ１１０）。そして、高温の純水と常温の純水とケミカルが混合された混合薬液の温度を分析する（Ｓ１２０）。仮に温度が低い場合、補正式によって高温の純水の供給量を高めるか、或いは常温の純水の供給量を下げて供給温度を高める。仮に温度が高い場合、補正式によって高温の純水の供給量を下げるか、或いは常温の純水の供給量を高めて供給温度を高める（Ｓ１４０）。
図５は本発明の他の実施形態による処理液供給方法を示したフローチャートである。図５を参照すれば、先ず高温の純水ＤＩＷと常温の純水ＤＩＷの供給流量を各々設定する（Ｓ２１０）。そして、高温の純水と常温の純水とケミカルが混合された混合薬液の温度を分析する（Ｓ２２０）。仮に温度が低い場合、補正式によって高温の純水の供給量を高めるか、或いは常温の純水の供給量を下げて供給温度を高める。仮に温度が高い場合、補正式によって高温の純水の供給量を下げるか、或いは常温の純水の供給量を高めて供給温度を高める（図示省略）。
温度検知部材６００は処理される第１基板の表面の温度が相対的に高く検知される領域と時間を検出する（Ｓ２４０）。第１基板の処理が完了され、その後に処理される第２基板の処理において、第１基板の処理の時に検知した検出結果に応じて、第１基板の処理の時に温度が高く検出された領域と温度が高く検出された時間で、第２基板に供給する処理液の温度が減少するように常温の純水又は高温の純水の供給流量を調節する。したがって、常温の純水と高温の純水の供給流量は時間と基板のポジションにしたがって異なりに提供されることができる（Ｓ２５０）。処理液温度の減少は常温の純水の供給量を増加させるか、或いは高温の純水の供給量を減少させることによって行われることができる。
また、温度検知部材６００は処理される第１基板の表面の温度が相対的に低く検知される領域と時間を検出する（Ｓ２４０）。第１基板の処理が完了され、その後に処理される第２基板の処理において、第１基板の処理の時に検知した検出結果に応じて、第１基板の処理の時に温度が低く検出された領域と温度が低く検出された時間で、第２基板に供給する処理液の温度が増加するように常温の純水又は高温の純水の供給流量を調節する。したがって、常温の純水と高温の純水の供給流量は時間と基板のポジションにしたがって異なりに提供されることができる。処理液温度の増加は常温の純水の供給量を減少させるか、或いは高温の純水の供給量を増加させることによって行われることができる。
温度検知部材６００は処理される第２基板の表面の温度が相対的に低く検知される領域と時間を検出する（Ｓ２４０）。第２基板の処理が完了され、その後に処理される第３基板の処理において、第３基板の処理の時に検知した検出結果に応じて、第３基板の処理の時に温度が低く検出された領域と温度が低く検出された時間で、第３基板に供給する処理液の温度が増加するように常温の純水又は高温の純水の供給流量を調節する。したがって、常温の純水と高温の純水の供給流量は時間と基板のポジションにしたがって異なりに提供されることができる。処理液温度の増加は常温の純水の供給量を減少させるか、或いは高温の純水の供給量を増加させることによって行われることができる。
装置は濃度及び温度の吐出トレンドをビッグデータに確保してこれに基づいて基板を処理することができる。
ノズル４００は基板の上部領域を中央領域から縁領域に移動しながら、処理液を供給することができる。制御部８００は処理液の供給のうちにノズル４００が基板の縁領域に位置される時、高温の純水の供給量を増加させる。また、制御部は処理液の供給のうちにノズル４００が基板の中央領域に位置される時、常温の純水の供給量を増加させる。
本発明によれば、別のヒーターなく、高温の純水と常温の純水の比率を調節することによって処理液の供給温度を制御することができる。
また、本発明によれば、供給端に温度計が提供されることによって環境による温度の変化の時にも供給端の温度が常時検出されることによって、常温の純水と高温の純水の供給量をフィードバック制御することによって、温度の信頼性を向上させることができる。
また、本発明によれば、基板のポジション別の薬液温度及び濃度の調整が可能であるので、ユニフォーミティを増加させることができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
７１２ １純水供給ライン
７２２ 第２純水供給ライン
７３２ ケミカル供給ライン
７４２ メーン供給ライン

Claims (21)

  1. 基板を支持する基板支持ユニットと、
    前記基板支持ユニットに支持された基板上に処理液を供給するノズルユニットと、
    前記ノズルユニットに処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、
    前記液供給ユニットは、
    前記ノズルユニットに連結され、前記ノズルユニットに処理液を供給するメーン供給ラインと、
    前記メーン供給ラインに連結され、第１温度の純水を供給する第１純水供給ラインと、
    前記メーン供給ラインに連結され、第１温度より高い第２温度の純水を供給する第２純水供給ラインと、
    前記メーン供給ラインに連結され、ケミカルが供給するケミカル供給ラインと、を含み、
    前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節を通じて処理液の温度を調節する制御部を含む基板処理装置。
  2. 前記メーン供給ラインには、前記処理液の温度を測定する温度計が提供され、
    前記制御部は、前記温度計から測定された前記処理液の温度に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節する請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記基板支持ユニットに支持された基板の温度を測定する温度検知部材が提供され、
    前記処理液供給のうちに前記温度検知部材によって測定された基板の温度情報に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節する請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量は、時間に応じて異なりに提供される請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記温度検知部材は、処理される第１基板の表面の温度が相対的に高く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記ノズルユニットが前記領域と時間で供給する前記処理液の温度が減少するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節する請求項３に記載の基板処理装置。
  6. 前記処理液温度の減少は、前記第１温度の純水の供給量を増加させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を減少させることによって行われる請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記温度検知部材は、処理される第１基板の表面の温度が相対的に低く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記ノズルユニットが前記領域と時間で供給する前記処理液の温度が増加するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節する請求項４に記載の基板処理装置。
  8. 前記処理液温度の増加は、前記第１温度の純水の供給量を減少させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を増加させることによって行われる請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記ノズルユニットは、基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、
    前記処理液の供給のうちに前記ノズルが前記縁領域に位置される時、前記第２温度の純水の供給量を増加させる請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 前記ノズルユニットは、基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、
    前記処理液の供給のうちに前記ノズルが前記中央領域に位置される時、前記第１温度の純水の供給量を増加させる請求項１に記載の基板処理装置。
  11. 基板に処理液を供給する方法において、
    ケミカルに第１温度の純水と前記第１温度より高い温度である第２温度の純水を混合して処理液を生成し、前記第１温度の純水と前記第２温度の純水の供給量を調節して前記処理液の温度を調節する処理液供給方法。
  12. 前記処理液供給のうちに測定された基板の表面温度測定値に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節する請求項１１に記載の処理液供給方法。
  13. 前記処理液供給のうちに基板の温度を測定し、測定された基板の温度情報に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節する請求項１２に記載の処理液供給方法。
  14. 前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量は、時間に応じて異なりに提供する請求項１３に記載の処理液供給方法。
  15. 第１基板の処理のうちに表面の温度が相対的に高く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記領域と時間で供給される前記処理液の温度が減少するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節する請求項１３に記載の処理液供給方法。
  16. 前記処理液温度の減少は、前記第１温度の純水の供給量を増加させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を減少させることによって行われる請求項１５に記載の処理液供給方法。
  17. 第１基板の処理のうちに表面の温度が相対的に低く検知される領域と時間を検出し、第２基板の処理において前記領域と時間で供給される前記処理液の温度が増加するように前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節する請求項１３に記載の処理液供給方法。
  18. 前記処理液温度の増加は、前記第１温度の純水の供給量を減少させるか、或いは前記第２温度の純水の供給量を増加させることによって行われる請求項１７に記載の処理液供給方法。
  19. 基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、
    前記縁領域で前記処理液の供給する時、前記第２温度の純水の供給量を増加させる請求項１１に記載の処理液供給方法。
  20. 基板の中央領域から縁領域に移動しながら、前記処理液を供給し、
    前記中央領域で前記処理液の供給する時、前記第１温度の純水の供給量を増加させる請求項１１に記載の処理液供給方法。
  21. 基板を支持する基板支持ユニットと、
    前記基板支持ユニットに支持された基板の温度を測定する温度検知部材と、
    前記基板支持ユニットに支持された基板上に処理液を供給するノズルユニットと、
    前記ノズルユニットに処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、
    前記液供給ユニットは、
    前記ノズルユニットに連結され、前記ノズルユニットに処理液を供給し、処理液の温度を測定する温度計が提供されるメーン供給ラインと、
    前記メーン供給ラインに連結され、第１温度の純水を供給する第１純水供給ラインと、
    前記メーン供給ラインに連結され、第１温度より高い第２温度の純水を供給する第２純水供給ラインと、
    前記メーン供給ラインに連結され、ケミカルが供給するケミカル供給ラインと、を含み、
    前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量調節を通じて処理液の温度を調節する制御部を含み、
    前記制御部は、
    前記温度計から測定された前記処理液の温度に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節し、
    前記処理液供給のうちに前記温度検知部材によって測定された基板の温度情報に基づいて前記第１温度の純水又は前記第２温度の純水の供給量を調節する基板処理装置。
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