KR20220096726A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재; 고온의 제1 처리액 및 고온의 제2 처리액을 선택적으로 상기 기판에 공급하는 처리액 노즐; 및 상기 처리액 노즐이 상기 제1 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 제2 처리액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.
일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 선택비 높게 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 선택비 높게 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 있어서, 노즐을 최소화하여 노즐 간의 간섭을 해소할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재; 고온의 제1 처리액 및 고온의 제2 처리액을 선택적으로 상기 기판에 공급하는 처리액 노즐; 및 상기 처리액 노즐이 상기 제1 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 제2 처리액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액은 인산과 실리콘의 혼합액으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액은 순인산으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액을 저장하는 제1 처리액 탱크; 상기 제2 처리액을 저장하는 제2 처리액 탱크; 및 상기 제1 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제1 처리액 탱크에 저장된 상기 제1 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제1 액 공급 배관; 및 상기 제2 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제2 처리액 탱크에 저장된 상기 제2 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제2 액 공급 배관을 포함하고, 상기 제1 액 공급 배관과 상기 제2 액 공급 배관은 일 영역 이상이 접하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 액 공급 배관과 상기 제2 액 공급 배관은 일 지점에서 상기 처리액 노즐까지 접하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 액 공급 배관은: 상기 제1 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제1 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제1 처리액 탱크와 연결되는 제1 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제1 하류 배관을 포함하고, 상기 제2 액 공급 배관은: 상기 제2 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제2 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제2 처리액 탱크와 연결되는 제2 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제2 하류 배관을 포함하고, 상기 제1 하류 배관과 상기 제2 하류 배관은 접하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 상류 배관에는 제1 히터 및 밸브가 제공되고, 상기 제2 상류 배관에는 제2 히터 및 밸브가 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 히터는 상기 제1 처리액을 고온으로 가열하고, 상기 제2 히터는 상기 제2 처리액을 고온으로 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 히터는 상기 제1 처리액을 섭씨 160도 이상으로 가열하고, 상기 제2 히터는 상기 제2 처리액을 섭씨 160도 이상으로 가열할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 처리액 노즐은: 제1 노즐부와 제2 노즐부를 포함하고, 상기 제1 노즐부는 상기 제1 액 공급 배관과 연결되고, 상기 제2 노즐부는 상기 제2 액 공급 배관과 연결될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 기판으로 순수를 공급하는 순수 노즐을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 상기 순수를 설정 시간 공급하는 프리 웨트 공정과; 상기 프리 웨트 공정 이후에, 상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 상기 제1 처리액 및 상기 제2 처리액을 순차적으로 공급하는 식각 공정을 수행하도록 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제어기는, 상기 식각 공정 이후에, 상기 기판에 대하여 순수를 공급하는 린스 공정을 수행하도록 제어할 수 있다.
본 발명은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판을 식각하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 상기 기판이 회전되는 상태에서 고온의 제1 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 고온의 제2 처리액을 상기 기판으로 공급하여 기판에 대한 식각 공정을 수행한다.
본 발명의 다른 관점에 따른 실시 예에 의한 기판 처리 방법은, 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판을 식각하는 방법에 있어서, 고온의 제1 처리액에 상기 기판을 설정 시간 침지하고, 이후 상기 기판을 고온의 제2 처리액에 침지하여 기판에 대한 식각 공정을 수행한다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액은 인산과 실리콘의 혼합액으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제2 처리액은 순인산으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 제1 처리액과 상기 제2 처리액은 섭씨 160도 이상으로 공급되는 기판 처리 방법.
일 실시 예에 있어서, 상기 식각 공정에 앞서, 상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 순수를 설정 시간 공급하는 프리 웨트 공정과; 상기 식각 공정 이후에, 상기 기판에 대하여 순수를 공급하는 린스 공정을 더 수행하는 기판 처리 방법.
본 발명의 다른 관점에 따른 실시 예에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재; 고온의 제1 처리액 및 고온의 제2 처리액을 선택적으로 상기 기판에 공급하는 처리액 노즐; 상기 제1 처리액으로서 인산과 실리콘의 혼합액을 저장하는 제1 처리액 탱크; 상기 제2 처리액으로서 순인산을 저장하는 제2 처리액 탱크; 및 상기 제1 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제1 처리액 탱크에 저장된 상기 제1 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제1 액 공급 배관; 및 상기 제2 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제2 처리액 탱크에 저장된 상기 제2 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제2 액 공급 배관을 포함하고, 상기 제1 액 공급 배관은: 상기 제1 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제1 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제1 처리액 탱크와 연결되며 제1 히터 및 밸브가 제공되는 제1 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제1 하류 배관을 포함하고, 상기 제2 액 공급 배관은: 상기 제2 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제2 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제2 처리액 탱크와 연결되며 제2 히터 및 밸브가 제공되는 제2 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제2 하류 배관을 포함하고, 상기 제1 하류 배관과 상기 제2 하류 배관은 접하도록 제공되며, 상기 처리액 노즐이 상기 제1 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 제2 처리액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공된다.
본 발명의 다양한 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 의하면, 선택비 높게 기판을 처리할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시 예에 의하면, 선택비 높게 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 있어서, 노즐을 최소화하여 노즐 간의 간섭을 해소할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 처리액 노즐, 및 처리액 노즐이 제1 처리액 탱크 및 제2 처리액 탱크와 연결된 연결 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 처리액 노즐, 및 처리액 노즐이 제1 처리액 탱크 및 제2 처리액 탱크와 연결된 연결 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판이 처리되는 과정을 나타내는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 위쪽에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 위치된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 변경될 수 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 변경될 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 마주보는 면 및 이송챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행한다. 공정 챔버(260)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)는 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2는 공정 챔버의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 컵(320), 지지 부재(340), 승강유닛(360), 처리액 공급 유닛(380), 순수 공급 유닛(400), 및 제어기(500)를 포함한다.
컵(320)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간을 제공한다. 컵(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통, 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 부재(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)의 저면 아래에는 회수배관(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,324,326)에 유입된 처리액들은 회수배관(322b,324b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
지지 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 부재(340)는 스핀척(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 스핀척(342)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀척(342)의 외측면은 단차지도록 제공된다. 스핀척(342)은 그 저면이 상부면에 비해 작은 직경을 가지도록 제공된다. 스핀척(342)의 외측면은 제1경사면(341), 수평면(343), 그리고 제2경사면(345)을 가진다. 제1경사면(341)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 아래로 연장된다. 수평면(343)은 제1경사면(341)의 하단으로부터 내측방향으로 연장된다. 제2경사면(345)은 수평면(343)의 내측단으로부터 아래로 연장된다. 제1경사면(341) 및 제2경사면(345) 각각은 몸체의 중심축과 가까워질수록 하향경사진 방향을 향하도록 제공된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀척(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀척(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 중심축에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀척(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 부재(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 스핀척(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 스핀척(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 부재(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
지지축(348)은 스핀척(342)을 회전 가능하게 지지한다. 지지축(348)은 스핀척(342)의 아래에 위치된다. 지지축(348)은 회전축(347) 및 고정축(349)을 포함한다. 회전축(347)은 내축으로 제공되고, 고정축(349)은 외축으로 제공된다. 회전축(347)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 회전축(347)은 스핀척(342)의 저면에 고정 결합된다. 회전축(347)은 구동부재(350)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 스핀척(342)은 회전축(347)과 함께 회전되도록 제공된다. 고정축(349)은 회전축(347)을 감싸는 중공의 원통 형상을 가진다. 고정축(349)은 회전축(347)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 고정축(349)의 내측면은 회전축(347)과 이격되게 위치된다. 고정축(349)은 회전축이 회전되는 중에 고정된 상태를 유지한다.
승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 부재(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 결합된다. 기판(W)이 지지 부재(340)에 놓이거나, 지지 부재(340)로부터 들어올려 질 때 지지 부재(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 지지 부재(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
처리액 공급 유닛(380)은 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(380)은 기판(W) 처리 효율을 증가시키기 위해 설정 온도로 가열된 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다.
처리액 공급 유닛(380)은 지지축(386), 아암(382), 그리고 처리액 노즐(381)을 포함한다. 지지축(386)은 컵(320)의 일측에 배치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동부재(394)에 의해 회전 및 승강운동이 가능하다. 이와 달리 지지축(386)은 구동부재(394)에 의해 수평방향으로 직선이동 및 승강 운동할 수 있다. 아암(382)은 처리액 노즐(381)을 지지한다. 아암(382)은 지지축(386)에 결합되고, 끝단 저면에는 처리액 노즐(381)이 고정 결합된다. 처리액 노즐(381)은 지지축(386)의 회전에 의해 스윙 이동될 수 있다. 처리액 노즐(381)은 지지축(386)의 회전에 의해 공정위치와 대기위치로 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 처리액 노즐(381)이 지지 부재(340)와 대향되는 위치이고, 대기위치는 처리액 노즐(381)이 공정위치를 벗어난 위치이다. 처리액 노즐(381)은 기판(W) 상에 제1 처리액 및 제2 처리액을 선택적으로 공급한다. 일 실시 예에 의하면, 제1 처리액은 인산(H3PO4)과 실리콘(Si)의 혼합액이다. 일 실시 예에 의하면, 제2 처리액은 순인산이다. 본 명세서에서 정의하는 순인산이란 아무것도 첨가되지 않은 인산 수용액을 의미한다. 일 실시 예에 의하면, 순인산은 인산이 90% 함유된 인산 수용액일 수 있다.
순수 공급 유닛(400)은 지지 부재(340)에 위치된 기판(W)으로 순수(DIW)를 공급한다. 일 예로, 순수 공급 유닛(400)은 처리액 공급 유닛(380)과 동일 또는 유사한 구조에 의해 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동 가능하게 제공될 수 있다. 순수 공급 유닛(400)에 제공되는 노즐은 컵(320)의 상부에 위치되어, 기판으로 순수를 공급 가능하게 제공될 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 처리액 노즐, 및 처리액 노즐이 제1 처리액 탱크 및 제2 처리액 탱크와 연결된 연결 관계를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 처리액 노즐(381)은 제1 노즐부(381a)와 제2 노즐부(381b)를 포함한다. 제1 노즐부(381a)와 제2 노즐부(381b)는 하나의 몸체에 연결되어 처리액 노즐(381)을 이룬다. 제1 노즐부(381a)는 기판(W)으로 제1 처리액을 공급하고, 제2 노즐부(381b)는 기판(W)으로 제2 처리액을 공급한다. 일 실시 예에 의하면, 제1 처리액은 인산(H3PO4)과 실리콘(Si)의 혼합액이다. 일 실시 예에 의하면, 제2 처리액은 순인산이다. 본 명세서에서 정의하는 순인산이란 아무것도 첨가되지 않은 인산 수용액을 의미한다. 일 실시 예에 의하면, 순인산은 인산이 90% 함유된 인산 수용액일 수 있다.
처리액 노즐(381)은 제1 처리액 탱크(610) 및 제2 처리액 탱크(620)에 연결된다. 제1 처리액 탱크(610)는 설정 농도의 제1 처리액을 저장하도록 제공된다. 제2 처리액 탱크(620)는 설정 농도의 제2 처리액을 저장하도록 제공된다.
제1 처리액 탱크(610)는 제1 액 공급 배관(611)에 의해 제1 노즐부(381a)와 연결된다. 제1 액 공급 배관(611)은 제1 상류 배관(611b)과 제1 하류 배관(611a)을 포함한다. 제1 처리액 탱크(610)에서 제1 노즐부(381a)로 공급되는 제1 처리액의 흐름을 따라, 제1 액 공급 배관(611)상에서 제1 상류 배관(611b)은 상류에 배치되고, 제1 하류 배관(611a)은 하류에 배치된다. 제1 상류 배관(611b)의 일단은 제1 처리액 탱크(610)와 연결되고 타단은 제1 하류 배관(611a)과 연결된다. 제1 하류 배관(611a)의 일단은 제1 상류 배관(611b)과 연결되고 타단은 제1 노즐부(381a)와 연결된다. 실시 예에 의하면, 제1 상류 배관(611b)에는 제1 히터(612) 및 제1 밸브(615)가 설치된다. 제1 히터(612)는 제1 처리액을 설정 온도로 가열한다. 설정 온도는 섭씨 160도이상일 수 있다. 제1 밸브(615)는 유로의 개폐가 가능한 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 또한, 제1 밸브(615)는 유로의 개방 정도를 조절하여 유량을 조절하는 유량 제어 밸브일 수 있다. 제1 하류 배관(611a)은 후술하는 제2 하류 배관(621a)과 접촉한다. 제1 하류 배관(611a)과 제2 하류 배관(621a)은 처리액 노즐(381)까지 이어지는 경로까지 접촉한다. 제1 하류 배관(611a)과 제2 하류 배관(621a)이 서로 접촉한 상태로 처리액 노즐(381)까지 이어짐에 따라 각각을 통해 전송되는 처리액의 온도를 상호 보완할 수 있다.
제2 처리액 탱크(620)는 제2 액 공급 배관(621)에 의해 제2 노즐부(381b)와 연결된다. 제2 액 공급 배관(621)은 제2 상류 배관(621b)과 제2 하류 배관(621a)을 포함한다. 제2 처리액 탱크(620)에서 제2 노즐부(381b)로 공급되는 제2 처리액의 흐름을 따라, 제2 액 공급 배관(621)상에서 제2 상류 배관(621b)은 상류에 배치되고, 제2 하류 배관(621a)은 하류에 배치된다. 제2 상류 배관(621b)의 일단은 제1 처리액 탱크(610)와 연결되고 타단은 제2 하류 배관(621a)과 연결된다. 제2 하류 배관(621a)의 일단은 제2 상류 배관(621b)과 연결되고 타단은 제2 노즐부(381b)와 연결된다. 실시 예에 의하면, 제2 상류 배관(621b)에는 제2 히터(622) 및 제2 밸브(625)가 설치된다. 제2 히터(622)는 제2 처리액을 설정 온도로 가열한다. 설정 온도는 섭씨 160도이상일 수 있다. 제2 밸브(625)는 유로의 개폐가 가능한 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 또한, 제2 밸브(625)는 유로의 개방 정도를 조절하여 유량을 조절하는 유량 제어 밸브일 수 있다. 제2 하류 배관(621a)은 제1 하류 배관(611a)과 접촉한다. 제2 하류 배관(621a)과 제1 하류 배관(611a)은 처리액 노즐(381)까지 이어지는 경로까지 접촉한다. 제1 하류 배관(611a)과 제2 하류 배관(621a)이 서로 접촉한 상태로 처리액 노즐(381)까지 이어짐에 따라 각각을 통해 전송되는 처리액의 온도를 상호 보완할 수 있다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 처리액 노즐, 및 처리액 노즐이 제1 처리액 탱크 및 제2 처리액 탱크와 연결된 연결 관계를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 처리액 노즐(1381)은 제1 처리액 탱크(1610) 및 제2 처리액 탱크(1620)에 연결된다. 제1 처리액 탱크(1610)는 설정 농도의 제1 처리액을 저장하도록 제공된다. 제2 처리액 탱크(1620)는 설정 농도의 제2 처리액을 저장하도록 제공된다.
제1 처리액 탱크(1610)는 제1 액 공급 배관(1611)에 의해 처리액 노즐(1381)과 연결된다. 제1 액 공급 배관(1611)은 제1 상류 배관(1611b)과 제1 하류 배관(1611a)을 포함한다. 제1 처리액 탱크(1610)에서 처리액 노즐(1381)로 공급되는 제1 처리액의 흐름을 따라, 제1 액 공급 배관(1611)상에서 제1 상류 배관(1611b)은 상류에 배치되고, 제1 하류 배관(1611a)은 하류에 배치된다. 제1 상류 배관(1611b)의 일단은 제1 처리액 탱크(1610)와 연결되고 타단은 제1 하류 배관(1611a)과 연결된다. 제1 하류 배관(1611a)의 일단은 제1 상류 배관(1611b)과 연결되고 타단은 처리액 노즐(1381)과 연결된다. 실시 예에 의하면, 제1 상류 배관(1611b)에는 제1 히터(1612) 및 제1 밸브(1615)가 설치된다. 제1 히터(1612)는 제1 처리액을 설정 온도로 가열한다. 설정 온도는 섭씨 160도이상일 수 있다. 또한, 설정 온도는 제1 처리액의 끓는점 이하일 수 있다. 제1 밸브(1615)는 유로의 개폐가 가능한 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 또한, 제1 밸브(1615)는 유로의 개방 정도를 조절하여 유량을 조절하는 유량 제어 밸브일 수 있다. 제1 하류 배관(1611a)은 후술하는 제2 하류 배관(1621a)과 접촉한다. 제1 하류 배관(1611a)과 제2 하류 배관(1621a)은 처리액 노즐(1381)까지 이어지는 경로까지 접촉한다. 제1 하류 배관(1611a)과 제2 하류 배관(1621a)이 서로 접촉한 상태로 처리액 노즐(1381)까지 이어짐에 따라 각각을 통해 전송되는 처리액의 온도를 상호 보완할 수 있다.
제2 처리액 탱크(1620)는 제2 액 공급 배관(1621)에 의해 처리액 노즐(1381)과 연결된다. 제2 액 공급 배관(1621)은 제2 상류 배관(1621b)과 제2 하류 배관(1621a)을 포함한다. 제2 처리액 탱크(1620)에서 처리액 노즐(1381)로 공급되는 제2 처리액의 흐름을 따라, 제2 액 공급 배관(1621)상에서 제2 상류 배관(1621b)은 상류에 배치되고, 제2 하류 배관(1621a)은 하류에 배치된다. 제2 상류 배관(1621b)의 일단은 제1 처리액 탱크(1610)와 연결되고 타단은 제2 하류 배관(1621a)과 연결된다. 제2 하류 배관(1621a)의 일단은 제2 상류 배관(1621b)과 연결되고 타단은 처리액 노즐(1381)과 연결된다. 실시 예에 의하면, 제2 상류 배관(1621b)에는 제2 히터(1622) 및 제2 밸브(625)가 설치된다. 제2 히터(1622)는 제2 처리액을 설정 온도로 가열한다. 설정 온도는 섭씨 160도이상일 수 있다. 또한, 설정 온도는 제1 처리액의 끓는점 이하일 수 있다. 제2 밸브(625)는 유로의 개폐가 가능한 개폐 밸브로 제공될 수 있다. 또한, 제2 밸브(625)는 유로의 개방 정도를 조절하여 유량을 조절하는 유량 제어 밸브일 수 있다. 제2 하류 배관(1621a)은 제1 하류 배관(1611a)과 접촉한다. 제2 하류 배관(1621a)과 제1 하류 배관(1611a)은 처리액 노즐(1381)까지 이어지는 경로까지 접촉한다. 제1 하류 배관(1611a)과 제2 하류 배관(1621a)이 서로 접촉한 상태로 처리액 노즐(1381)까지 이어짐에 따라 각각을 통해 전송되는 처리액의 온도를 상호 보완할 수 있다.
도 3 및 도 4에서 도시하고 설명한 실시 예들에 의하면, 제1 처리액 공급 탱크 및 제2 처리액 공급 탱크에서 각각 공급된 하나의 처리액 노즐에서 토출 가능하게 됨으로써, 복수개의 노즐이 제공됨에 따른 노즐 간 간섭을 해소할 수 있으며, 더불어서 제1 처리액 공급 배관과 제2 처리액 공급 배관을 붙임으로써, 상호간의 온도를 보완할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판이 처리되는 과정을 나타내는 도면이다. 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.
기판에 대한 식각 공정에 앞서 프리 웨트 공정을 수행할 수 있다(S100). 프리 웨트 공정은 순수 공급 유닛(400)이 기판으로 순수(DIW)를 공급하여 수행될 수 있다. 순수(DIW)가 공급될 때, 제어기(500)는 기판이 설정 속력으로 회전되도록 지지 부재(340)를 제어할 수 있다.
식각 공정은 제1 처리액에 의한 처리 공정(S200)과, 제2 처리액에 의한 처리 공정(S300)으로 진행된다. 기판(W)은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공된다. 예를 들어, 기판은 V-nand 메모리를 제조하는 과정에 제공되어, 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 교대로 적층된 상태로 제공될 수 있다. 식각 공정에 의해 질화 실리콘층이 선택적으로 식각된다.
제1 처리액에 의한 처리 공정(S200)에서는 기판(W)을 지지하는 지지 부재(340)가 회전되는 상태에서 기판(W) 상에 제1 처리액을 공급한다. 제1 처리액은 고온(예컨대, 섭씨 160도 이상)으로 공급된다. 처리액 노즐(381)은 고정 또는 스캔 방식으로 제1 처리액을 기판(W)에 공급한다. 제1 처리액은 인산(H3PO4)과 실리콘(Si)의 혼합액이다.
제2 처리액에 의한 기판 처리 공정(S300)에서 제2 처리액은 고온(예컨대, 섭씨 160도 이상)으로 공급되며, 처리액 노즐(381)은 고정 또는 스캔 방식으로 제2 처리액을 기판(W)에 공급한다. 제2 처리액은 순인산이다. 이때, 제2 처리액의 공급 유량은 100 내지 1500cc/min이고, 지지 부재(340)는 10 내지 1500rpm으로 회전된다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 제1 처리액을 공급하는 노즐과 제2 처리액을 공급하는 노즐이 처리액 노즐(381)으로 제공됨에 따라, S300 공정에서 곧바로 S400 공정을 진행할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 의하면, 기판(W)을 인산과 실리콘(Si)의 혼합액으로 제공되는 제1 처리액으로 처리한 후, 순수(DIW)가 아닌 순인산으로 제공되는 제2 처리액으로 린스될 수 있다. 제2 처리액으로 제공되는 순인산은 기판(W)의 산소(O)와 인산과 실리콘(Si)의 혼합액으로 제공되는 제1 처리액 중, 실리콘(Si)의 반응으로 형성된 부산물의 결합을 끊고 파티클을 제거할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 의하면, SC-1약액의 사용은 불필요하다. 즉 추가적인 세정 공정은 불필요하다.
기판에 대한 식각 공정이 완료되면 린스 공정이 수행될 수 있다(S400). 린스 공정은 순수 노즐(400)이 기판으로 순수를 공급하여 수행될 수 있다. 순수가 공급될 때, 제어기(500)는 기판이 설정 속력으로 회전되도록 지지 부재(340)를 제어할 수 있다. 이 후, 기판(W)에는 건조 공정(S500)이 수행될 수 있다. 건조 공정은 스핀 드라이 또는, 초임계 건조 등이 적용될 수 있다.
제어기(500)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(500)는 상술하는 바와 같이 기판을 설정 공정에 따라 처리되도록 공정 챔버(260)의 구성 요소들을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 기판 처리 장치의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
본 발명의 실시 예로서, 매엽식 장치를 설명하였으나, 배치식 장치로도 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 적용할 수 있다. 예컨대, 처리액이 수용되는 수조에 복수개의 기판을 침지하여 처리할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 기판을 순수(DIW)가 담긴 수조에 침지하여 프리 웨트 하는 단계와, 제1 처리액이 담긴 수조에 침지하여 식각하는 단계와, 제2 처리액이 담긴 수조에 침지하여 린스하는 단계와, 순수(DIW)가 담긴 수조에 침지하여 린스하는 단계를 순서대로 진행한다. 제1 처리액은 고온(예컨대, 섭씨 160도 이상)으로 가열된 인산과 실리콘의 혼합액이다. 제1 처리액은 고온(예컨대, 섭씨 160도 이상)으로 가열된 순인산이다. 이후 순수에 의해 린스된 기판에는 건조 공정이 행해진다. 건조 공정은 스핀 드라이 또는 초임계 건조가 적용될 수 있다.이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재;
    고온의 제1 처리액 및 고온의 제2 처리액을 선택적으로 상기 기판에 공급하는 처리액 노즐; 및
    상기 처리액 노즐이 상기 제1 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 제2 처리액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 처리액은 인산과 실리콘의 혼합액으로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 처리액은 순인산으로 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 처리액을 저장하는 제1 처리액 탱크;
    상기 제2 처리액을 저장하는 제2 처리액 탱크;
    상기 제1 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제1 처리액 탱크에 저장된 상기 제1 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제1 액 공급 배관; 및
    상기 제2 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제2 처리액 탱크에 저장된 상기 제2 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제2 액 공급 배관을 포함하고,
    상기 제1 액 공급 배관과 상기 제2 액 공급 배관은 일 영역 이상이 접하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 액 공급 배관과 상기 제2 액 공급 배관은 일 지점에서 상기 처리액 노즐까지 접하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 액 공급 배관은:
    상기 제1 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제1 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제1 처리액 탱크와 연결되는 제1 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제1 하류 배관을 포함하고,
    상기 제2 액 공급 배관은:
    상기 제2 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제2 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제2 처리액 탱크와 연결되는 제2 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제2 하류 배관을 포함하고,
    상기 제1 하류 배관과 상기 제2 하류 배관은 접하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 상류 배관에는 제1 히터 및 밸브가 제공되고,
    상기 제2 상류 배관에는 제2 히터 및 밸브가 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 히터는 상기 제1 처리액을 고온으로 가열하고,
    상기 제2 히터는 상기 제2 처리액을 고온으로 가열하는 기판 처리 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 히터는 상기 제1 처리액을 섭씨 160도 이상으로 가열하고,
    상기 제2 히터는 상기 제2 처리액을 섭씨 160도 이상으로 가열하는 기판 처리 장치.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 처리액 노즐은:
    제1 노즐부와 제2 노즐부를 포함하고,
    상기 제1 노즐부는 상기 제1 액 공급 배관과 연결되고,
    상기 제2 노즐부는 상기 제2 액 공급 배관과 연결되는 기판 처리 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 기판으로 순수를 공급하는 순수 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 상기 순수를 설정 시간 공급하는 프리 웨트 공정과;
    상기 프리 웨트 공정 이후에, 상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 상기 제1 처리액 및 상기 제2 처리액을 순차적으로 공급하는 식각 공정을 수행하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 식각 공정 이후에, 상기 기판에 대하여 순수를 공급하는 린스 공정을 수행하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  15. 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판을 식각하는 방법에 있어서,
    상기 기판이 회전되는 상태에서 고온의 제1 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 고온의 제2 처리액을 상기 기판으로 공급하여 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 기판 처리 방법.
  16. 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판을 식각하는 방법에 있어서,
    고온의 제1 처리액에 상기 기판을 설정 시간 침지하고, 이후 상기 기판을 고온의 제2 처리액에 침지하여 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 기판 처리 방법.
  17. 제15 항 또는 제16 항에 있어서,
    상기 제1 처리액은 인산과 실리콘의 혼합액으로 제공되고,
    상기 제2 처리액은 순인산으로 제공되는 기판 처리 방법.
  18. 제15 항 또는 제16 항에 있어서,
    상기 제1 처리액과 상기 제2 처리액은 섭씨 160도 이상으로 공급되는 기판 처리 방법.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 식각 공정에 앞서, 상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 순수를 설정 시간 공급하는 프리 웨트 공정과;
    상기 식각 공정 이후에, 상기 기판에 대하여 순수를 공급하는 린스 공정을 더 수행하는 기판 처리 방법.
  20. 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 부재;
    고온의 제1 처리액 및 고온의 제2 처리액을 선택적으로 상기 기판에 공급하는 처리액 노즐;
    상기 제1 처리액으로서 인산과 실리콘의 혼합액을 저장하는 제1 처리액 탱크;
    상기 제2 처리액으로서 순인산을 저장하는 제2 처리액 탱크;
    상기 제1 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제1 처리액 탱크에 저장된 상기 제1 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제1 액 공급 배관; 및
    상기 제2 처리액 탱크와 상기 처리액 노즐을 연결하여 상기 제2 처리액 탱크에 저장된 상기 제2 처리액을 상기 처리액 노즐으로 전달하는 제2 액 공급 배관을 포함하고,
    상기 제1 액 공급 배관은:
    상기 제1 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제1 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제1 처리액 탱크와 연결되며 제1 히터 및 밸브가 제공되는 제1 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제1 하류 배관을 포함하고,
    상기 제2 액 공급 배관은:
    상기 제2 처리액 탱크에서 상기 처리액 노즐로 공급되는 상기 제2 처리액의 흐름을 기준으로, 상류에 배치되어 상기 제2 처리액 탱크와 연결되며 제2 히터 및 밸브가 제공되는 제2 상류 배관과, 하류에 배치되어 상기 처리액 노즐과 연결되는 제2 하류 배관을 포함하고,
    상기 제1 하류 배관과 상기 제2 하류 배관은 접하도록 제공되며,
    상기 처리액 노즐이 상기 제1 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 제2 처리액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판 처리 장치.
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