KR102288982B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상부가 개방된 통 형상의 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 위치된 기판에 하나의 공정 노즐을 통해 식각액과 희석액을 동시에 공급할 수 있는 노즐 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다.
일반적으로 기판의 식각 공정으로는 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판을 영역별로 선택적으로 식각 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 평단 정도를 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상부가 개방된 통 형상의 처리 용기; 상기 처리 용기의 내측에 위치되어, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 위치된 기판에 하나의 공정 노즐을 통해 식각액과 희석액을 동시에 공급할 수 있는 노즐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 노즐 유닛은, 상기 공정 노즐을 지지하는 지지 아암; 상기 지지 아암을 지지하는 회전축; 및 상기 회전축에 연결되어 구동력을 제공하는 구동기를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 공정 노즐에는, 그 하부의 중앙에 형성되어 상기 식각액을 분사하는 제 1 토출부와 상기 제 2 토출부의 둘레에 링 형상으로 형성되어 상기 희석액을 분사하는 제 2 토출부가 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 토출부와 상기 제 2 토출부는 높이가 상이한 면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 2 토출부는 직경이 8mm 내지 12mm인 원형으로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 공정 노즐을 기판에서 대상층의 두께가 주위보다 상대적으로 두껍게 형성된 목표 영역의 위쪽으로 이동 시키는 단계; 상기 공정 노즐에서 상기 기판으로 식각액을 공급하는 동시에 상기 식각액의 둘레에 링 형상으로 희석액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 희석액은 직경이 8mm 내지 12mm인 원형 링 형상으로 공급될 수 있다.
또한, 상기 식각액은 상기 기판의 중심에서 반경 방향으로 138mm 내지 142mm 이격 된 지점에 공급될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 영역별로 선택적으로 식각 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 평단 정도를 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 공정 노즐의 단면도이다.
도 5는 도 3의 공정 노즐의 저면도이다.
도 6은 기판에서 대상층의 두께를 나타낸 도표이다.
도 7은 대상층의 두께가 보정되는 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리설비를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버들(260)이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암들(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암들(144c) 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치들(300)은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 기판 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 그리고 노즐 유닛(380)을 포함한다.
처리 용기(320)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322) 및 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측 공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액재생시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 처리 용기(320)의 내측에 위치되어, 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 유닛(340)은 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정 결합된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 기판 지지 유닛(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 놓이거나, 기판 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 기판 지지 유닛(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 선택적으로, 승강유닛(360)은 기판 지지 유닛(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
노즐 유닛(380)는 노즐 이동 부재(381) 및 공정 노즐(389)을 포함한다. 노즐 이동 부재(381)는 공정 노즐(389)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 공정 노즐(389)이 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 공정 노즐(389)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 노즐 이동 부재(381)는 회전축(386), 구동기(388), 그리고 지지 아암(382)을 포함한다. 회전축(386)은 처리 용기(320)의 일측에 위치된다. 회전축(386)은 그 길이방향이 제3방향(16)을 향하는 로드 형상을 가질 수 있다. 회전축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하다. 회전축(386)은 구동기(388)로부터 제공되는 구동력에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 지지 아암(382)은 공정 노즐(389)과 회전축(386)을 연결한다. 회전축(386)이 회전됨에 따라 지지 아암(382) 및 공정 노즐(389)은 회전축(386)의 중심축을 중심으로 회전된다.
지지 아암(382)은 그 길이방향이 제3방향(16)과 수직한 수평 방향을 향하는 로드 형상으로 제공된다. 지지 아암(382)의 일단은 회전축(386)의 상단에 고정 결합된다. 지지 아암(382)은 타단이 회전축(386)과 결합된 일단을 중심으로 회전 가능하다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 지지 아암(382)의 타단이 이동되는 경로는 기판(W)의 중앙 영역을 지나도록 제공될 수 있다. 지지 아암(382)의 타단에는 공정 노즐(389)이 결합된다. 따라서 공정 노즐(389)은 회전축(386) 및 지지 아암(382)이 회전됨에 따라 공정 위치와 대기 위치로 이동 가능하다.
도 4는 도 3의 공정 노즐의 단면도이고, 도 5는 도 3의 공정 노즐의 저면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 공정 노즐(389)은 바디(3000)에 제 1 유로(3010) 및 제 2 유로(3020)가 형성된다.
공정 노즐(389)은 기판(W)의 상면에 기판 처리를 위한 2가지 유체를 분사한다. 바디(3000)는 공정 노즐(389)의 골격을 제공한다. 바디(3000)는 하단의 횡단면 면적이 상단의 횡단면 면적보다 작게 제공될 수 있다.
제 1 유로(3010)는 바디(3000)의 중앙 영역에 제공된다. 제 1 유로(3010)의 하단은 바디(3000)의 하면에 형성된 제 1 토출부(3011)와 연결된다. 제 1 유로(3010)는 식각액을 공급한다. 제 2 토출부(3021)는 제 1 토출부(3011)의 둘레에 링 형상으로 형성된다. 예를 들어, 제 2 토출부(3021)는 제 1 토출부(3011)를 중심으로 한 원형으로 바디(3000)의 하면에 형성될 수 있다. 제 2 토출부(3021)는 바디(3000)의 내부에 형성된 제 2 유로(3020)와 연결된다. 제 2 유로(3020)는 희석액을 공급한다. 희석액은 순수(DIW : Delonized water) 일 수 있다. 제 2 유로(3020)는 제 2 토출부(3021)와 유사하게 링 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제 2 유로(3020)는 선형으로 하나 이상 형성되고, 제 2 토출부(3021)와 연결될 수 도 있다.
제 1 토출부(3011)와 제 2 토출부(3021)는 그 높이가 상이하게 형성될 있다. 예를 들어, 바디(3000)의 하면 중앙부에는 아래쪽으로 돌출된 분사부(3100)가 형성될 수 있다. 그리고, 제 1 토출부(3011)는 분사부(3100)에 형성될 수 있다. 제 1 토출부(3011)와 제 2 토출부(3021)의 높이 차이에 의해, 유체 사이의 장력에 의해 식각액과 희석액이 공정 노즐(389)의 하면에서 섞이는 것이 방지 될 수 있다. 다른 실시 예로, 분사부(3100)는 제 1 토출부(3011) 둘레에 링 형상으로 제공될 수 있다. 그리고, 제 2 토출부(3021)는 링 형상의 분사부(3100)에 형성될 수 있다.
도 6은 기판에서 대상층의 두께를 나타낸 도표이다.
도 6을 참조하면, 기판(W)의 상면에 형성된 대상층의 두께는 영역별로 상이할 수 있다. 이 때, 대상층은 산화막일 수 있다. 이와 같은 대상층의 두께 불균일은 이전에 수행된 공정 처리의 정도가 기판(W)의 영역별로 상이함에 기인한다. 대상층의 두께는 기판(W) 중심에서의 거리와 관련성을 가질 수 있다. 즉, 대상층은 기판의 중심에서 반경 반향으로 제 1 거리(R1) 이격된 지점과 제 2 거리(R2) 이격된 지점 사이에 분포되는 띠 모양의 목표 영역에서 다른 영역보다 두껍게 형성될 수 있다. 기판(W)의 직경이 300mm로 제공되는 경우, 기판(W)의 중심에서 목표 영역의 중심까지의 거리(R0)는 138mm 내지 142mm일 수 있다. 그리고, 대상 영역의 반경 방향 폭은 8mm 내지 12mm일 수 있다.
도 7은 대상층의 두께가 보정되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 노즐 유닛(380)은 기판(W)을 영역별로 선택적으로 식각하여, 대상층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 노즐 유닛(380)은 공정 노즐(389)을 기판(W)에서 선택적으로 식각할 영역의 상부로 이동시킨 후, 기판(W)으로 식각액과 희석액을 함께 공급한다. 식각액과 희석액이 공급되는 동안 기판 지지 유닛(340)은 기판(W)을 회전 시킬 수 있다.
링 형상으로 공급된 희석액은 식각액을 둘러 싼다. 따라서, 희석액이 공급된 영역의 외측이 식각액에 의해 식각 되는 것이 최소화 될 수 있다.
또한, 식각액이 공급된 영역과 희석액이 공급된 영역 사이에는 식각액이 희석액과 혼합되어 희석된다. 이 때, 식각액의 농도는 식각액이 공급된 제 1 토출부(3011)의 아래쪽 영역에서 가장 높고, 희석액이 공급된 제 2 토출부(3021)의 아래쪽 영역으로 갈수록 낮아진다. 따라서, 식각액에 의한 대상층의 식각 정도는 제 1 토출부(3011)의 아래쪽 영역에서 제 2 토출부(3021)의 아래쪽 영역으로 갈수록 작아진다.
공정 노즐(389)은 도 6과 같은 모양을 갖는 목표 영역을 선택적으로 식각 하는데 이용될 수 있다. 구체적으로, 공정 노즐(389)은 제 1 토출부(3011)가 목표 영역의 중심에 위치되도록 위치된 상태에서 식각액 및 희석액을 기판에 공급할 수 있다. 그리고, 제 2 토출부(3021)의 직경은 목표 영역의 두께에 대응되게, 제 1 거리(R1)와 제 2 거리(R2)의 차이 값이 되도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판의 직경이 300mm로 제공되는 경우, 제 2 토출부(3021)의 직경은 8mm 내지 12mm일 수 있다. 따라서, 공정 노즐(389)에서 공급된 식각액은 목표 영역을 선택적으로 식각 할 수 있다. 또한, 공급되는 식각액의 양 또는 희석액의 양을 조절하여, 목표 영역의 중심에서 목표 영역의 양측에 걸친 식각 정도를 조절할 수 있다.
또한, 공정 노즐(389)은 제 1 토출부(3011)를 통해 기판에 식각액 만을 공급하여, 기판의 상면 전체 영역에 걸쳐 식각을 수행할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 인덱스 모듈 20: 공정 처리 모듈
120: 로드 포트 140: 이송 프레임
220: 버퍼 유닛 240: 이송 챔버
260: 공정 챔버 300: 기판 처리 장치
320: 처리 용기 340: 기판 지지 유닛
360: 승강 유닛 380: 노즐 유닛

Claims (8)

  1. 상부가 개방된 통 형상의 처리 용기;
    상기 처리 용기의 내측에 위치되어, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 및
    상기 기판 지지 유닛에 위치된 기판에 하나의 공정 노즐을 통해 식각액과 희석액을 동시에 공급할 수 있는 노즐 유닛을 포함하고,
    상기 공정 노즐은,
    상기 공정 노즐의 하부의 중앙에 형성되어 상기 식각액을 분사하는 제 1 토출부;와
    상기 제 1 토출부의 둘레에 링 형상으로 형성되어 상기 공정 노즐의 정면에서 바라볼 때 상기 제 1 토출부가 분사하는 상기 식각액과 평행한 방향으로 상기 희석액을 분사하는 제 2 토출부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐 유닛은,
    상기 공정 노즐을 지지하는 지지 아암;
    상기 지지 아암을 지지하는 회전축; 및
    상기 회전축에 연결되어 구동력을 제공하는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 토출부와 상기 제 2 토출부는 높이가 상이한 면에 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 토출부는 바깥쪽 직경이 8mm 내지 12mm인 원형 링 형상으로 형성되는 기판 처리 장치.
  6. 공정 노즐을 기판에서 대상층의 두께가 주위보다 상대적으로 두껍게 형성된 목표 영역의 위쪽으로 이동 시키는 단계;
    상기 공정 노즐에서 상기 기판 상의 목표 영역에 식각액을 공급하는 동시에 상기 공정 노즐의 정면에서 바라볼 때 상기 식각액과 평행한 방향으로 상기 식각액이 공급된 상기 목표 영역의 둘레에 링 형상으로 희석액을 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 희석액은 바깥쪽 직경이 8mm 내지 12mm인 원형 링 형상으로 공급되는 기판 처리 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 식각액은 상기 기판의 중심에서 반경 방향으로 138mm 내지 142mm이격 된 지점에 공급되는 기판 처리 방법.
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