JP2006346716A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006346716A JP2006346716A JP2005177228A JP2005177228A JP2006346716A JP 2006346716 A JP2006346716 A JP 2006346716A JP 2005177228 A JP2005177228 A JP 2005177228A JP 2005177228 A JP2005177228 A JP 2005177228A JP 2006346716 A JP2006346716 A JP 2006346716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting groove
- laser
- laser processing
- bending strength
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 60
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 79
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 9
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 11
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】 レーザ光を照射してアブレーション反応により被加工物に切削溝92を形成するレーザ加工方法であって,被加工物の表面において,形成された切削溝92の両側に,切削溝92の縁部から外側に5μm以上25μm以下離隔した位置に,深さが0.1μm以上20μm以下の補助溝93を形成する。これにより,熱応力が断絶されてチップの抗折強度が向上される。また,補助溝93を形成する代わりに,切削溝92の内部にエッチング液94を供給し,切削溝92に滞留したエッチング液94に対してアブレーション反応を起こさない程度の出力のレーザ光101を照射して加熱する。これにより,切削溝92の縁部に堆積したデブリ91が除去され,チップの抗折強度が向上する。また,エッチング液94の代わりにアシストガス95を供給してもよい。
【選択図】 図3
Description
まず,図1に基づいて,本発明にかかる第1の実施形態について説明する。ここで,図1は,本実施形態にかかるレーザ加工装置1の全体構成を示す斜視図である。
次に,図4および図5に基づいて,第2の実施形態にかかるレーザ加工方法について説明する。ここで,図4は,本実施形態にかかるレーザ加工ヘッド100を示す側面図である。また,図5は,本実施形態にかかるレーザ加工方法を説明するための説明図であり,紙面手前方向をレーザ加工ヘッド100の進行方向とする。なお,本実施形態にかかるレーザ加工装置は,上記第1の実施形態にかかるレーザ加工装置1と比して,エッチング液供給手段103を有する点で相違するのみであり,その他の機能構成は,上記第1の実施形態の場合と略同一であるので,その説明は省略する。また,図5において,エッチング液供給手段103の記載は省略する。
次に,図6および図7に基づいて,第3の実施形態にかかるレーザ加工方法について説明する。ここで,図6は,本実施形態にかかるレーザ加工ヘッド100を示す側面図である。また,図7は,本実施形態にかかるレーザ加工方法を説明するための説明図であり,紙面手前方向をレーザ加工ヘッド100の進行方向とする。なお,本実施形態にかかるレーザ加工装置は,上記第1の実施形態にかかるレーザ加工装置1と比して,アシストガス供給手段を有する点で相違するのみであり,その他の機能構成は,上記第1の実施形態の場合と略同一であるので,その説明は省略する。また,図7において,アシストガス供給管105の記載は省略する。
実施例1では,第1の実施形態にかかるレーザ加工方法による効果について検証した。本実施例では,まず,レーザアブレーションにより,厚さ50μmのシリコンウェハを切削した。このとき,レーザ光の波長を355nm(三倍波),出力を3.5W,繰り返し周波数を10kHzとして,シリコンウェハの表面においてアブレーション反応を起こしながら,レーザ加工ヘッド100とシリコンウェハとの相対速度80mm/sで,幅約10μm,深さ50μmの切削溝92を形成した。
次に,実施例2では,第2の実施形態にかかるレーザ加工方法による効果について検証した。本実施例では,まず,レーザアブレーションにより,厚さ50μmのシリコンウェハを切削した。このとき,レーザ光の波長を355nm(三倍波),出力を3.5W,繰り返し周波数を10kHzとして,シリコンウェハの表面においてアブレーション反応を起こしながら,レーザ加工ヘッド100とシリコンウェハとの相対速度80mm/sで,幅約10μm,深さ50μmの切削溝92を形成した。
さらに,実施例3では,第3の実施形態にかかるレーザ加工方法による効果について検証した。本実施例では,まず,レーザアブレーションにより,厚さ50μmのシリコンウェハを切削した。このとき,レーザ光の波長を355nm(三倍波),出力を3.5W,繰り返し周波数を10kHzとして,シリコンウェハの表面においてアブレーション反応を起こしながら,レーザ加工ヘッド100とシリコンウェハとの相対速度80mm/sで,幅約10μm,深さ50μmの切削溝92を形成した。
上述した第1〜第3の実施形態にかかるレーザ加工方法において,第1の実施形態にかかるレーザ加工方法と第2の実施形態にかかるレーザ加工方法とは併用することが可能である。一方,第1の実施形態にかかるレーザ加工方法と第3の実施形態にかかるレーザ加工方法とを併用することも可能である。また,実施例1〜3の結果より,実施例2に示したレーザ加工方法が最も高い効果が得られることから,第1の実施形態にかかるレーザ加工方法と第2の実施形態にかかるレーザ加工方法とを併用した場合に最も高い効果が得られると考え,実施例4では,この方法による効果について検証した。
90 半導体ウェハ
91 デブリ
92 切削溝
93 補助溝
94 エッチング液
95 アシストガス
103 エッチング液供給手段
105 アシストガス供給管
Claims (4)
- 被加工物の加工点に向けてレーザ光を照射し,前記加工点でアブレーション反応を起こさせることによって前記被加工物を切削し,前記加工点を移動させて前記被加工物に切削溝を形成するレーザ加工方法において:
前記被加工物の表面において形成された前記切削溝の両側に,前記切削溝の縁部から外側に5μm以上25μm以下離隔した位置に,深さが0.1μm以上20μm以下の補助溝を形成することを特徴とする,レーザ加工方法。 - 被加工物の加工点に向けてレーザ光を照射し,前記加工点でアブレーション反応を起こさせることによって前記被加工物を切削し,前記加工点を移動させて前記被加工物に切削溝を形成するレーザ加工方法において:
前記切削溝の内部にエッチング液を供給し,前記切削溝に滞留した前記エッチング液に対してアブレーション反応を起こさない程度の出力のレーザ光を照射して加熱することを特徴とする,レーザ加工方法。 - 被加工物の加工点に向けてレーザ光を照射し,前記加工点でアブレーション反応を起こさせることによって前記被加工物を切削し,前記加工点を移動させて前記被加工物に切削溝を形成するレーザ加工方法において:
前記切削溝の内部にアシストガスを供給し,前記切削溝の内面に対してアブレーション反応を起こさない程度の出力のレーザ光を照射して,前記切削溝の内面を加熱させることにより前記アシストガスを加熱することを特徴とする,レーザ加工方法。 - 被加工物の加工点に向けてレーザ光を照射し,前記加工点でアブレーション反応を起こさせることによって前記被加工物を切削し,前記加工点を移動させて前記被加工物に切削溝を形成するレーザ加工方法において:
前記被加工物の表面において形成された前記切削溝の両側に,前記切削溝の縁部から外側に5μm以上25μm以下離隔した位置に,深さが0.1μm以上20μm以下の補助溝を形成し,
前記切削溝の内部にエッチング液を供給し,前記切削溝に滞留したエッチング液に対してアブレーション反応を起こさない程度の出力のレーザ光を照射して加熱することを特徴とする,レーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005177228A JP4777700B2 (ja) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005177228A JP4777700B2 (ja) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | レーザ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006346716A true JP2006346716A (ja) | 2006-12-28 |
JP4777700B2 JP4777700B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=37643098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005177228A Active JP4777700B2 (ja) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4777700B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013081961A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Disco Corp | パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法 |
JP2015079790A (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
WO2021256992A1 (en) * | 2020-06-15 | 2021-12-23 | JPT Electronics Pte Ltd | Method and apparatus for machining glass with laser induced chemical reaction |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03135568A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-06-10 | Digital Equip Corp <Dec> | 電子成分等を製造するためにレーザ走査を使用するリトグラフィ技術 |
JPH06275713A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法 |
JP2001053032A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体ダイシングエリアに設けられる溝の構造およびダイシング方法 |
JP2001219282A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-08-14 | Canon Inc | レーザ加工方法、該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、該製造方法で製造されたインクジェット記録ヘッド |
WO2004079810A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Xsil Technology Limited | Laser machining using an active assist gas |
JP2005074485A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | レーザ加工装置、加工マスク、レーザ加工方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2005
- 2005-06-17 JP JP2005177228A patent/JP4777700B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03135568A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-06-10 | Digital Equip Corp <Dec> | 電子成分等を製造するためにレーザ走査を使用するリトグラフィ技術 |
JPH06275713A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法 |
JP2001219282A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-08-14 | Canon Inc | レーザ加工方法、該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、該製造方法で製造されたインクジェット記録ヘッド |
JP2001053032A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体ダイシングエリアに設けられる溝の構造およびダイシング方法 |
WO2004079810A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Xsil Technology Limited | Laser machining using an active assist gas |
JP2005074485A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | レーザ加工装置、加工マスク、レーザ加工方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013081961A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Disco Corp | パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法 |
JP2015079790A (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
WO2021256992A1 (en) * | 2020-06-15 | 2021-12-23 | JPT Electronics Pte Ltd | Method and apparatus for machining glass with laser induced chemical reaction |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4777700B2 (ja) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5162163B2 (ja) | ウェーハのレーザ加工方法 | |
KR100906543B1 (ko) | 피분할체에 있어서의 분할 기점 형성 방법, 피분할체의 분할 방법, 및 펄스 레이저광에 의한 피가공물의 가공방법 | |
US7544588B2 (en) | Laser processing method for wafer | |
JP2004337947A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2009021476A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006150385A (ja) | レーザ割断方法 | |
JP2009200140A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2006245498A (ja) | 基板の製造方法およびその装置 | |
JP4368312B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
KR20090123777A (ko) | 웨이퍼 분할 방법 | |
JP2008006652A (ja) | 硬脆材料板体の分割加工方法 | |
KR20090124928A (ko) | 웨이퍼 분할 방법 | |
JP2008053500A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006140341A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2016025282A (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
JP6504977B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2008098216A (ja) | ウエーハの加工装置 | |
JP2006289388A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP4439990B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP5634152B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
KR101530390B1 (ko) | 레이저 가공 장치 | |
JP6199659B2 (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
JP4777700B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2008153349A (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP2005142303A (ja) | シリコンウエーハの分割方法および分割装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070411 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080603 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110531 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110630 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4777700 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |