JP3279296B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関す
る。特に、レーザの照射により一部を切断加工した薄膜
配線パターンを有する半導体装置に関する。
る。特に、レーザの照射により一部を切断加工した薄膜
配線パターンを有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザによるＬＳＩ配線切断技術
については、冗長化技術として、アイ・イー・イー・イ
ー ジャーナル オブ ソリッド・ステートサーキッ
ト，エス・シー１６巻５号１９８１年１０月号第５０６
頁から第５１３頁（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｖｏｌ，
ＳＣ−１６，Ｎｏ．５，Ｏｃｔ．１９８１，ｐｐ５０６
〜５１３）において述べられている。
については、冗長化技術として、アイ・イー・イー・イ
ー ジャーナル オブ ソリッド・ステートサーキッ
ト，エス・シー１６巻５号１９８１年１０月号第５０６
頁から第５１３頁（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｖｏｌ，
ＳＣ−１６，Ｎｏ．５，Ｏｃｔ．１９８１，ｐｐ５０６
〜５１３）において述べられている。
【０００３】また、他の従来技術として、ＬＳＩのＡｌ
配線の切断についてアナルズ オブザ シーアイアール
ピー２８／１巻１９７９年号第１１３頁から第１１６頁
（Ａｕｎａｌｓ ｏｆ ｔｈｅ ＣＩＲＰ Ｖｏｌ．２
８／１，１９７９，ｐ１１３〜１１６）に述べられてい
る。
配線の切断についてアナルズ オブザ シーアイアール
ピー２８／１巻１９７９年号第１１３頁から第１１６頁
（Ａｕｎａｌｓ ｏｆ ｔｈｅ ＣＩＲＰ Ｖｏｌ．２
８／１，１９７９，ｐ１１３〜１１６）に述べられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、ダ
メージを与えずに加工できるレーザパワーの有効範囲が
狭く、かつ、レーザ光が配線から外れるとなおダメージ
が発生しやすい等の課題があった。
メージを与えずに加工できるレーザパワーの有効範囲が
狭く、かつ、レーザ光が配線から外れるとなおダメージ
が発生しやすい等の課題があった。
【０００５】本発明の目的は、半導体装置において、下
層の基板や配線等にダメージを与えることなく、広いレ
ーザパワー範囲に亘って配線切断加工ができるようにし
たレーザを用いて薄膜配線の一部を切断加工した構成を
有するによる半導体装置を提供することにある。
層の基板や配線等にダメージを与えることなく、広いレ
ーザパワー範囲に亘って配線切断加工ができるようにし
たレーザを用いて薄膜配線の一部を切断加工した構成を
有するによる半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、アルミ（Ａｌ）配線パターンを光学的
に透明な絶縁膜で被覆した構成を有する半導体装置にお
いて、光学的に透明な絶縁膜とその下部のアルミ（Ａ
ｌ）配線パターンとが部分的に、パルス幅が１０-9秒以
下のレーザの照射により除去されていることを特徴とす
る。
に、本発明では、アルミ（Ａｌ）配線パターンを光学的
に透明な絶縁膜で被覆した構成を有する半導体装置にお
いて、光学的に透明な絶縁膜とその下部のアルミ（Ａ
ｌ）配線パターンとが部分的に、パルス幅が１０-9秒以
下のレーザの照射により除去されていることを特徴とす
る。
【０００８】また、本発明では、多層の薄膜配線層を備
えた半導体装置において、多層の薄膜配線層のうち最下
層の薄膜配線層以外の薄膜配線層に、パルス幅が１０-9
秒以下のレーザの照射により切断された薄膜配線パター
ンを有することを特徴とする。
えた半導体装置において、多層の薄膜配線層のうち最下
層の薄膜配線層以外の薄膜配線層に、パルス幅が１０-9
秒以下のレーザの照射により切断された薄膜配線パター
ンを有することを特徴とする。
【０００９】更に、本発明では、半導体装置において、
パルス幅が１０-9秒以下のレーザの照射により透明絶縁
膜とこの透明絶縁膜の下層のアルミ（Ａｌ）配線パター
ンの一部が除去された構成を有することを特徴とする。
パルス幅が１０-9秒以下のレーザの照射により透明絶縁
膜とこの透明絶縁膜の下層のアルミ（Ａｌ）配線パター
ンの一部が除去された構成を有することを特徴とする。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】即ち本発明は、レーザ光源のパルス幅を、
除去現像の超るより短いパルスにし、レーザ光の照射域
を、液晶投影マスクにより、加工される配線の幅に成形
して照射するようにしたことにより、正確に照射できる
ようにし、また、広いパワー範囲でダメージなく加工で
きるようにしたものである。
除去現像の超るより短いパルスにし、レーザ光の照射域
を、液晶投影マスクにより、加工される配線の幅に成形
して照射するようにしたことにより、正確に照射できる
ようにし、また、広いパワー範囲でダメージなく加工で
きるようにしたものである。
【００１７】レーザ光による配線切断除去加工において
は、熱現象としての飛散除去が起るには、１ｎｓ以上の
時間を要することを見出したことにある。そこで、本発
明者は、パルス幅が１ｎｓ以下のパルスの高出力のレー
ザ光を、半導体装置又は高密度多層配線基板上の配線の
所望箇所に照射して配線切断加工を行えば、配線材料が
無くなった跡に、レーザパルスが侵入することは起こら
ないと見出した。即ち、パルス幅が１ｎｓ以下のパルス
レーザ光であれば、配線切断加工ができるように照射レ
ーザのパワーが大きくなってもレーザパルスが続いてい
る間（１ｎｓ以下）は、配線材料が元の場所に存在し、
全てのレーザエネルギを配線材料が受け止めることにな
る。このため、半導体装置又は高密度多層配線基板にお
いて、熱伝導率の低いＳｉＯ2等の絶縁膜をはさんで下
層に存在するＳｉ等の基板又は薄膜配線はレーザ光にさ
らされることがなく、ダメージを発生させることがな
い。なお、配線切断に要するピークパワーＰは概略パル
ス幅Ｓの２重根に反比例し、次のような関係にある。
は、熱現象としての飛散除去が起るには、１ｎｓ以上の
時間を要することを見出したことにある。そこで、本発
明者は、パルス幅が１ｎｓ以下のパルスの高出力のレー
ザ光を、半導体装置又は高密度多層配線基板上の配線の
所望箇所に照射して配線切断加工を行えば、配線材料が
無くなった跡に、レーザパルスが侵入することは起こら
ないと見出した。即ち、パルス幅が１ｎｓ以下のパルス
レーザ光であれば、配線切断加工ができるように照射レ
ーザのパワーが大きくなってもレーザパルスが続いてい
る間（１ｎｓ以下）は、配線材料が元の場所に存在し、
全てのレーザエネルギを配線材料が受け止めることにな
る。このため、半導体装置又は高密度多層配線基板にお
いて、熱伝導率の低いＳｉＯ2等の絶縁膜をはさんで下
層に存在するＳｉ等の基板又は薄膜配線はレーザ光にさ
らされることがなく、ダメージを発生させることがな
い。なお、配線切断に要するピークパワーＰは概略パル
ス幅Ｓの２重根に反比例し、次のような関係にある。
【００１８】
【数１】
【００１９】ここで、Ｐ0，Ｓ0は元のピークパワーと元
のパルス幅であり、Ｋは比例定数である。
のパルス幅であり、Ｋは比例定数である。
【００２０】従って、パルス幅を従来の１００ｎｓ前後
から本発明のように、例えば１００ｐｓ〜３００ｐｓ前
後に２桁短くするとピークパワーは従来より約１０〜２
０倍前後大きくする必要がある。但し、必要となるエネ
ルギーＥは、ピークパワーとパルス幅の積、Ｅ＝Ｐ・Ｓ
であるため、Ｋが１前後の場合はパルス幅の２重根に比
例し、従来より１桁程度少なくてすむ。しかし、全ての
レーザエネルギを配線材料が受け止める関係で、下層へ
のダメージを及ぼすことなく、配線を切断することがで
きる。
から本発明のように、例えば１００ｐｓ〜３００ｐｓ前
後に２桁短くするとピークパワーは従来より約１０〜２
０倍前後大きくする必要がある。但し、必要となるエネ
ルギーＥは、ピークパワーとパルス幅の積、Ｅ＝Ｐ・Ｓ
であるため、Ｋが１前後の場合はパルス幅の２重根に比
例し、従来より１桁程度少なくてすむ。しかし、全ての
レーザエネルギを配線材料が受け止める関係で、下層へ
のダメージを及ぼすことなく、配線を切断することがで
きる。
【００２１】この様子を図に示すと図４のようになる。
Ａ１の沸点は約２２７０℃である。そこで、１ｎｓ以下
の短いパルス幅のレーザ光が、例えばＡ１等の配線表面
に照射されると、そのエネルギ吸収は１０-15ｓｅｃ前
後の短い時間で行われ、一方、そのエネルギがＡ１等の
配線内において熱に変換するには、１ｎｓ前後の時間を
必要とすることを見出した。従って、１ｎｓ以下の短い
パルスレーザ光であれば、いくら強いパルスレーザ光を
照射しても、いくら強いレーザ光を照射しても、照射さ
れた配線が熱現象による変化を起こす前に、レーザパル
スの照射が終了するため、熱現象による除去のあとにレ
ーザ光が侵入することは起りえず、配線の下層にダメー
ジを及ぼすことなく、配線の所望箇所を切断することが
できる。
Ａ１の沸点は約２２７０℃である。そこで、１ｎｓ以下
の短いパルス幅のレーザ光が、例えばＡ１等の配線表面
に照射されると、そのエネルギ吸収は１０-15ｓｅｃ前
後の短い時間で行われ、一方、そのエネルギがＡ１等の
配線内において熱に変換するには、１ｎｓ前後の時間を
必要とすることを見出した。従って、１ｎｓ以下の短い
パルスレーザ光であれば、いくら強いパルスレーザ光を
照射しても、いくら強いレーザ光を照射しても、照射さ
れた配線が熱現象による変化を起こす前に、レーザパル
スの照射が終了するため、熱現象による除去のあとにレ
ーザ光が侵入することは起りえず、配線の下層にダメー
ジを及ぼすことなく、配線の所望箇所を切断することが
できる。
【００２２】また、レーザ照射の領域を液晶投影マスク
等で配線の所望箇所の位置（幅）寸法に正確に整合させ
ることができるため、配線外にレーザ光が当たることが
なく、周辺及び下層にダメージを発生させることもな
く、正確な除去加工を行うことができる。
等で配線の所望箇所の位置（幅）寸法に正確に整合させ
ることができるため、配線外にレーザ光が当たることが
なく、周辺及び下層にダメージを発生させることもな
く、正確な除去加工を行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１に
より説明する。
より説明する。
【００２４】数ｍｊｏｕｌでパルス幅が１ｎｓ以下（１
００〜３００ｐｓ）のピコ秒レーザ１から出たレーザ光
２は反射ミラー３で９０゜屈折され、透過形液晶マスク
４に導かれる。そして液晶マスク４の光透過パターン部
を通った光５は観察用ハーフミラー６と投影加工レンズ
７を通過して、液晶パターンの像が投影される形で半導
体装置又は高密度多層基板等の被加工物８の表面に照射
される。被加工物８はＸＹテーブル９に載せられて、テ
ーブル制御電源１０によって自動運転される。液晶マス
ク４は投影パタン照明ランプ１１によって照明されてお
り、被加工物８は物体照明ランプ１２によりハーフミラ
ー１３を介して照明されている。ハーフミラー１３の後
方には撮像管または固体撮像素子などよりなる撮像器１
４を配し、被加工物８の加工部を撮像する。撮像された
像は画像判定処理器１５に入り、その像のレーザ照射す
べき場所をパターン認識し、その像１６とレーザ照射す
べきエリア１７をＴＶモニタ１８上に出すとともに、液
晶パターン制御器１９にその信号を送り込み、液晶マス
タ４に、照射すべきエリア１７に相当する部分を透過パ
ターンとして正確に半導体装置又は高密度多層基板８上
の配線の所望箇所に整合するように発生させる。そし
て、液晶マスクパターンが照射されるべきエリアに作ら
れ、配線の所望箇所に投影パタン照明ランプで正確に照
明されていることが撮像器１４と画像判定処理器１５で
確認されると画像判定処理器１５からレーザ照射信号が
レーザ電源制御部２０に送られ、レーザ発振が行われ
る。かくして、レーザ加工部の必要な箇所のみに正確に
レーザ照射できるようになった。
００〜３００ｐｓ）のピコ秒レーザ１から出たレーザ光
２は反射ミラー３で９０゜屈折され、透過形液晶マスク
４に導かれる。そして液晶マスク４の光透過パターン部
を通った光５は観察用ハーフミラー６と投影加工レンズ
７を通過して、液晶パターンの像が投影される形で半導
体装置又は高密度多層基板等の被加工物８の表面に照射
される。被加工物８はＸＹテーブル９に載せられて、テ
ーブル制御電源１０によって自動運転される。液晶マス
ク４は投影パタン照明ランプ１１によって照明されてお
り、被加工物８は物体照明ランプ１２によりハーフミラ
ー１３を介して照明されている。ハーフミラー１３の後
方には撮像管または固体撮像素子などよりなる撮像器１
４を配し、被加工物８の加工部を撮像する。撮像された
像は画像判定処理器１５に入り、その像のレーザ照射す
べき場所をパターン認識し、その像１６とレーザ照射す
べきエリア１７をＴＶモニタ１８上に出すとともに、液
晶パターン制御器１９にその信号を送り込み、液晶マス
タ４に、照射すべきエリア１７に相当する部分を透過パ
ターンとして正確に半導体装置又は高密度多層基板８上
の配線の所望箇所に整合するように発生させる。そし
て、液晶マスクパターンが照射されるべきエリアに作ら
れ、配線の所望箇所に投影パタン照明ランプで正確に照
明されていることが撮像器１４と画像判定処理器１５で
確認されると画像判定処理器１５からレーザ照射信号が
レーザ電源制御部２０に送られ、レーザ発振が行われ
る。かくして、レーザ加工部の必要な箇所のみに正確に
レーザ照射できるようになった。
【００２５】また、画像判定処理器１５に、複数の照射
箇所の位置情報を与える加工位置入力器２１を接続し、
情報入力を与えることにより、投影加工により、一度に
複数の箇所のレーザ加工を行うことができ、ＬＳＩメモ
リビット救済等について大幅に処理速度を上げることが
できるようになった。
箇所の位置情報を与える加工位置入力器２１を接続し、
情報入力を与えることにより、投影加工により、一度に
複数の箇所のレーザ加工を行うことができ、ＬＳＩメモ
リビット救済等について大幅に処理速度を上げることが
できるようになった。
【００２６】図２は本発明の一実施例で、（ａ）は被加
工物の撮像表示例である。また（ｂ）は液晶マスクのパ
タン発生状態の例である。液晶マスクのエリアに対応す
る部分の被加工物の像３２は図３に示すように大容量Ｌ
ＳＩメモリーの欠陥ビット救済リンクである。外側を不
純物をドーピングしたガードリング３３で囲まれた例え
ばＰｏｌｙ−Ｓｉ等の救済リンク３４ａ〜３４ｄの４本
が示されている。そのうち、加工位置入力器２１によっ
て与えられた情報により、３４ｂと３４ｄのリンクを切
断しようとしていることを示している。そして図２
（ｂ）に示す如く、液晶マスクは３５ａと３５ｂだけが
レーザ光を透過する領域としてパターンが発生されてい
る。図２（ｃ）に示したａはこのパタンにより投影照射
されたレーザ光により加工が行われた救済リンクの加工
後の状態である。このように複数のリンクを１回の加工
で正確に切断することができるようになった。
工物の撮像表示例である。また（ｂ）は液晶マスクのパ
タン発生状態の例である。液晶マスクのエリアに対応す
る部分の被加工物の像３２は図３に示すように大容量Ｌ
ＳＩメモリーの欠陥ビット救済リンクである。外側を不
純物をドーピングしたガードリング３３で囲まれた例え
ばＰｏｌｙ−Ｓｉ等の救済リンク３４ａ〜３４ｄの４本
が示されている。そのうち、加工位置入力器２１によっ
て与えられた情報により、３４ｂと３４ｄのリンクを切
断しようとしていることを示している。そして図２
（ｂ）に示す如く、液晶マスクは３５ａと３５ｂだけが
レーザ光を透過する領域としてパターンが発生されてい
る。図２（ｃ）に示したａはこのパタンにより投影照射
されたレーザ光により加工が行われた救済リンクの加工
後の状態である。このように複数のリンクを１回の加工
で正確に切断することができるようになった。
【００２７】例えば、大容量の半導体メモリチップは数
万〜数十万個の機能素子を数ｍｍ角のチップ内に作るた
め、生産歩留りを上げるのには大変な困難をともなう。
そこで予備のメモリーセルをチップ内に設けておき、切
換用配線をレーザで切断することにより、欠陥の発生し
たメモリーを外し、予備のメモリを接続することができ
る。即ち大容量ＬＳＩメモリーの欠陥ビット救済の場
合、図３に示すように形成されている。図３（ａ）はそ
の平面構成を、図３（ｂ）はその断面構成を示す。即ち
Ａｌ配線３５に接続されたＰｏｌｙ−Ｓｉ等の切換用配
線３４に約１０6〜１０9ｗ／ｃｍ2のパワーでピコ秒レ
ーザ光を投影パターンとして配線幅にほぼ合せて照射
し、この切換用配線３４の所望箇所を切断する。これに
より、予備のメモリに接続することができる。切換用配
線３４は基板Ｓｉ３７の上に敷かれた絶縁用熱酸化膜Ｓ
ｉＯ2３８の上に形成され、その材料は、Ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉや、Ａｌ，金属シリサイド等が用いられる。その上に
ＳｉＯ2膜（保護膜）３９をコートし、保護膜としてい
る。しかし、上記実施例によれば、全てのレーザエネル
ギが切換用配線３４で受け止められ、熱伝導率の低いＳ
ｉＯ2等の絶縁膜３８をはさんで下層に存在するＳｉ等
の基板３７はレーザ光にさらされることなく、切換用配
線３４の所望箇所３５が切断でき、Ｓｉ等の基板３７に
ダメージの発生を防止することができる。
万〜数十万個の機能素子を数ｍｍ角のチップ内に作るた
め、生産歩留りを上げるのには大変な困難をともなう。
そこで予備のメモリーセルをチップ内に設けておき、切
換用配線をレーザで切断することにより、欠陥の発生し
たメモリーを外し、予備のメモリを接続することができ
る。即ち大容量ＬＳＩメモリーの欠陥ビット救済の場
合、図３に示すように形成されている。図３（ａ）はそ
の平面構成を、図３（ｂ）はその断面構成を示す。即ち
Ａｌ配線３５に接続されたＰｏｌｙ−Ｓｉ等の切換用配
線３４に約１０6〜１０9ｗ／ｃｍ2のパワーでピコ秒レ
ーザ光を投影パターンとして配線幅にほぼ合せて照射
し、この切換用配線３４の所望箇所を切断する。これに
より、予備のメモリに接続することができる。切換用配
線３４は基板Ｓｉ３７の上に敷かれた絶縁用熱酸化膜Ｓ
ｉＯ2３８の上に形成され、その材料は、Ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉや、Ａｌ，金属シリサイド等が用いられる。その上に
ＳｉＯ2膜（保護膜）３９をコートし、保護膜としてい
る。しかし、上記実施例によれば、全てのレーザエネル
ギが切換用配線３４で受け止められ、熱伝導率の低いＳ
ｉＯ2等の絶縁膜３８をはさんで下層に存在するＳｉ等
の基板３７はレーザ光にさらされることなく、切換用配
線３４の所望箇所３５が切断でき、Ｓｉ等の基板３７に
ダメージの発生を防止することができる。
【００２８】また前記実施例ではＬＳＩメモリの欠陥ビ
ット救済の場合について説明したが、薄膜多層構造を有
する半導体装置又は高密度多層基板へも適用できること
は明かである。即ち、下層の薄膜配線にダメージを与え
ることなく、上層の薄膜配線を切断することができる。
ット救済の場合について説明したが、薄膜多層構造を有
する半導体装置又は高密度多層基板へも適用できること
は明かである。即ち、下層の薄膜配線にダメージを与え
ることなく、上層の薄膜配線を切断することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザ光により下層にダメージを与えることなく、容易に
配線を切断加工することができる。（図５に示す）。
ーザ光により下層にダメージを与えることなく、容易に
配線を切断加工することができる。（図５に示す）。
【００３０】また本発明によれば、液晶投影による自己
整合方式を用いたことにより、正確にレーザ照射ができ
るようになったため、切断すべきリンクの外にレーザが
当ってダメージを起すということがなくなった。
整合方式を用いたことにより、正確にレーザ照射ができ
るようになったため、切断すべきリンクの外にレーザが
当ってダメージを起すということがなくなった。
【００３１】また、本発明によれば１回での加工域を一
つに限定されなくなったため、加工効率が大幅に上っ
た。
つに限定されなくなったため、加工効率が大幅に上っ
た。
【００３２】また、本発明によれば液晶マスクを用いた
ことにより、電気的にパターンの変更ができるため、十
分高速に次々と新しい場所をマスキング加工できるよう
になった。
ことにより、電気的にパターンの変更ができるため、十
分高速に次々と新しい場所をマスキング加工できるよう
になった。
【図１】図１は本発明のレーザ加工装置の一実施例を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】図２は図１に示す装置を半導体メモリのビット
欠陥救済に適用した場合の投影パターン発生と配線切断
結果とを示す図である。
欠陥救済に適用した場合の投影パターン発生と配線切断
結果とを示す図である。
【図３】図３は半導体メモリのビット欠陥救済リンクの
平面と断面とを示す図である。
平面と断面とを示す図である。
【図４】図４は本発明の作用を示す図である。
【図５】図５は本発明の作用効果を示す図である。
１…ピコ秒レーザ，２…レーザ光，４…液晶マスク，７
…投影加工レンズ，８…半導体装置又は高密度多層基板
（被加工物），９…ＸＹテーブル，１０…制御電源，１
２…物体照明ランプ，１４…撮像器，１５…画像判定処
理器，１８…ＴＶモニタ，１９…液晶パターン制御器，
２１…加工位置入力器，３４…救済リンク（切換用配
線），３６…投影パターン（切断箇所），３７…Ｓｉ基
板。
…投影加工レンズ，８…半導体装置又は高密度多層基板
（被加工物），９…ＸＹテーブル，１０…制御電源，１
２…物体照明ランプ，１４…撮像器，１５…画像判定処
理器，１８…ＴＶモニタ，１９…液晶パターン制御器，
２１…加工位置入力器，３４…救済リンク（切換用配
線），３６…投影パターン（切断箇所），３７…Ｓｉ基
板。
フロントページの続き (72)発明者 水越 克郎 神奈川件横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産地術研究所内 (72)発明者 山口 博司 神奈川件横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産地術研究所内 (72)発明者 森田 光洋 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株式会社日立製作所武蔵野工場内 (56)参考文献 特開 昭62−67834（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−290719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−93257（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−38888（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−174671（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/82 B23K 26/00
Claims (4)
- 【請求項１】アルミ（Ａｌ）配線パターンを光学的に透
明な絶縁膜で被覆した構成を有する半導体装置であっ
て、前記光学的に透明な絶縁膜とその下部のアルミ（Ａ
ｌ）配線パターンとが部分的に、パルス幅が１０ -9 秒以
下のレーザの照射により除去されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】多層の薄膜配線層を備えた半導体装置であ
って、前記多層の薄膜配線層のうち最下層の薄膜配線層
以外の薄膜配線層に、パルス幅が１０ -9 秒以下のレーザ
の照射により切断された薄膜配線パターンを有すること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】パルス幅が１０ -9 秒以下のレーザの照射に
より透明絶縁膜と該透明絶縁膜の下層のアルミ（Ａｌ）
配線パターンの一部が除去された構成を有することを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 前記配線パターンが、該配線パターンの形
状に合わせて整形されたレーザの照射により一部除去加
工されたことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25122399A JP3279296B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25122399A JP3279296B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP12669190A Division JP3150322B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | レーザによる配線切断加工方法及びレーザ加工装置 |
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| JP25122399A Expired - Fee Related JP3279296B2 (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体装置 |
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-
1999
- 1999-09-06 JP JP25122399A patent/JP3279296B2/ja not_active Expired - Fee Related
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