JP2007123404A - ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体ウェハの裏面研削後にダイシングテープおよびリングフレームにて貼合支持固定し、その状態でダイシングテープ側から半導体ウェハ裏面側にレーザー光を入射させダイシングすることを可能とするダイシングテープを提供する。
【解決手段】 粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）であって、粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）が前記基材フィルム（４）の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の面に貼り合わされ用いられるダイシングテープ。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ダイシングテープ、およびそれを用いたレーザーダイシングにより半導体ウェハをダイシングする方法に関する発明である。

ここ最近における半導体チップの薄膜化・小チップ化への進化はめざましく、特に、メモリカードやスマートカードの様な半導体ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードの場合、半導体チップの厚さとしては７５μｍ以下が要求されるものであり、今後これらの需要が増えるにつれ上記の薄膜化・小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる。

これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化した後、ダイシング工程にてチップ化する事により得られるものであるが、このダイシング工程においては、半導体ウェハはダイシングブレードにより切断されるブレードカット方式が用いられるのが一般的である。この場合、切断時にはブレードによる切削抵抗が半導体ウェハに直接かかる事になるわけであるが、この切削抵抗によって半導体チップには微小な欠け（チッピング）が発生する事がある。このチッピング発生は半導体チップの外観を損なうだけでなく、場合によってはチップ上の回路パターンまで破損してしまう可能性があり、昨今、重要な問題のうちの１つとして捉えられこれまでにも検討が種々行われてきた。前述の様な薄膜小チップの場合は、許容されるチッピングレベルも厳しくなってくるため、今後の半導体チップの薄膜化・小チップの傾向がますます進むことにより、このチッピングの問題は今後より一層深刻化してくるものと容易に推測されるものである。

このチッピング発生を解決する方法としてレーザーにより半導体ウェハを切断する方式が、近年、注目を集めており種々検討されている。この場合においては、ブレードカット方式の様にブレードによる切削抵抗がウェハに直接かかる事は無いためチッピングの発生を極限まで低減することが可能となるわけである。例えば、特許文献１に記載される方法においては、レーザー光の焦点をウェハ内部に合わせる事によりウェハ内部に多光子吸収による改質領域を形成させる。これを切断ライン、つまりストリート部に沿って形成させ、更に外的応力を印加する事により改質領域を起点としてチップ個々に分割される、というものである。外的応力としては、例えば特許文献２で記載されているのは、予めウェハ等を伸張性のテープに貼合しておき、改質領域形成後にその伸張性フィルムを慎重させ個々のチップに分割する、というものである。この方式の場合、切削抵抗が直接かかる事が無いというメリットに加え、改質領域を起点として亀裂が入り分割されるものであるため、チッピングは殆ど発生しない。よって、チッピング対策としては非常に有効な方式として、最も注目を浴びている方式のうちの１つと言える。

この方式においては、一般的にウェハの回路パターンが形成されている面側からレーザーを入射するわけであるが、例えば回路パターン面にＴＥＧ（テスト・エレメント・グループ）付き、或いはアルミ配線の付いたウェハ等の場合、レーザー光がこれらの材質を透過する事が出来ないためウェハ内部にまで焦点が到達せず、改質領域の形成が出来ない、といった問題がある。これを解決する方法としては、特許文献３にてウェハ裏面からレーザー光を入射させる方法が記載されている。これによると、ウェハの回路パターン面に保護フィルムを装着し、レーザー光をウェハ裏面から入射させ切断予定ラインに沿って改質領域を形成させ、その後、ウェハ裏面側に伸張性フィルムを貼合し伸張させ分割する、という方法である。この方法であれば、裏面側にレーザー光の透過を阻害するものの存在が無い限り、レーザー光の焦点はウェハ内部に到達する事が可能となり、解決可能である。しかしながら、ウェハの仕上げ厚が例えば７５μｍ以下の様に薄厚である場合は、以下の様な不具合がある。

すなわち、この方法では表面保護テープを回路パターンに貼合した状態でウェハ裏面を７５μｍ以下まで研削し、研削後、その状態でレーザー光による改質領域形成の工程に搬送されてダイシングされ、ダイシングの後に、ウェハ裏面にリングフレームに貼合固定されたダイシングテープにより支持固定された状態になるわけである。ウェハ仕上げ厚が１００μｍ以上の比較的厚い場合であればウェハ自身にある程度の自立強度があるため、ダイシングテープによる支持固定状態になくても、研削後からレーザー光による改質領域形成工程への搬送に特に問題は無いが、７５μｍ以下の薄厚の状態ではウェハ自身に自立強度が無いため、搬送時、ダイシングテープによる支持固定状態にないと、自重による反りなどの影響でウェハにクラックが入ったり、最悪の場合割れたりするなどの不具合が発生してしまう。前述の、一般的な回路パターン面からレーザー光を入射する方法であれば、研削後、表面保護テープを剥離する前にリングフレーム＋ダイシングテープにより支持固定状態とする事が出来るが、最近では、ウェハ裏面研削からリングフレーム＋ダイシングテープでウェハ貼合から表面保護テープ剥離、の一連工程を同一装置内で完結させるインライン方式の装置が世の中に浸透しつつある。これは、極薄のウェハを常時支持固定の状態にある様にするもので、極薄ウェハの損傷防止のために非常に有効な装置である。しかしながら、ウェハ裏面側からレーザー光を入射する方法の場合、レーザー光による改質領域形成時にウェハがダイシングテープ支持固定状態にあると、レーザー光はダイシングテープ越しに入射される事になる。一般的にダイシングテープの基材フィルム側表面は、巻き状態でのブロッキング防止やハンドリング上の点から粗面処理されているのが通常である。また、本方式の様に、改質領域形成後にエキスパンドにより分割する必要がある場合は、エキスパンドリングとの滑り性を良くするため、粗面処理は不可欠と言える。粗面処理されていないとエキスパンドリングでの滑り性が悪くなるためダイシングテープはエキスパンドリングと接触している部分のみが局所的に伸張し、ウェハ部では殆ど伸張せず、ウェハは完全に分割されない結果となってしまう。この粗面処理はシボ加工やエンボス加工等が施されているのが一般的であるが、フィルム成形時に同時に形成されるのが普通である。
以上の理由により、この方式におけるダイシングテープの基材フィルム側表面は粗面処理されている必要があるものである。ところが、レーザー光はこの粗面越しに入射される事になるため、結果、基材フィルムの粗面処理された凹凸によりレーザー光が散乱してしまい、焦点がウェハ内部の所定の位置に合わせられず、その結果、ウェハ内部の所定の位置に改質領域が形成されない、という不具合が起こり得る。特許文献３に記載されるような方法も、チッピング対策として非常に有益な方法ではあるが、極薄ウェハの処理においては上記の様な問題を持ち合わせるものである。更には、これを避けるために、ウェハの回路パターン面に貼合状態にある表面保護テープ側をダイシングテープに貼合し、ウェハ裏面を上側にした状態でレーザー光を入射させる方法も考えられるが、該インラインシステムの装置がそのまま適用出来ない、或いは、後のピックアップ工程を考えると回路パターン面を上側にする必要があるため、他のテープに転写する工程が必要となるなど、非常に工程が煩雑化するというデメリットがある。特に転写については、改質領域を形成した後に他テープへ転写する事になるため、改質領域形成後の比較的脆いウェハがテープ貼合等の工程において破損する可能性もあり問題となる。
特許第３４０８８０５号公報 特開２００３−３３４８１２号公報 特開２００４−００１０７６号公報

本発明は、半導体ウェハの裏面研削の直後にダイシングテープおよびリングフレームにて貼合支持固定し、その状態でダイシングテープ側から半導体ウェハ裏面側にレーザー光を入射させダイシングすることを可能とするダイシングテープおよび半導体ウェハダイシング方法を提供することを目的とするものである。

本発明は、前記のような問題点を解決する方法を提案するものである。
すなわち本発明は、
［１］粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）であって、粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）が前記基材フィルム（４）の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の面に貼り合わされ用いられるダイシングテープ、
［２］粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）を、粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）の基材フィルム（４）の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である面に貼り合わせ積層したダイシングテープ、
［３］基材フィルム（８）がポリエチレンテレフタレートフィルムである［１］または［２］項記載のダイシングテープ、
［４］レーザーダイシング用であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載のダイシングテープ、
［５］半導体ウェハをダイシングテープにて支持固定した状態でダイシングする方法であって、
（ａ）粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）をリングフレーム（５）に貼り付け、半導体ウェハ（１）の回路パターン（１５）が形成されていない面をダイシングテープ（２）の粘着剤層（３）側に貼合する工程と、
（ｂ）粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）の基材フィルム（４）側に貼合した状態において、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程と、
（ｃ）粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離した後、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させる事により半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハダイシング方法、
［６］半導体ウェハをダイシングテープにて支持固定した状態でダイシングする方法であって、
（ａ）粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）を、粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）の基材フィルム（４）の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である面に貼り合わせ積層したダイシングテープをリングフレーム（５）に貼り付け、半導体ウェハ（１）の回路パターン（１５）が形成されていない面を粘着剤層（３）側に貼合する工程と、
（ｂ）前記積層したダイシングテープに貼合した状態において、前記積層したダイシングテープの粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程と、
（ｃ）粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離した後、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させる事により半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハダイシング方法、
［７］粘着テープ（６）の粘着剤層（７）が放射線硬化型粘着剤であり、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を形成した後、粘着テープ（６）側から放射線照射して粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離することを特徴とする［５］または［６］に記載の半導体ウェハダイシング方法、
［８］半導体ウェハ（１）の回路パターン面に表面保護テープ（１０）が貼合されており、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程以降から、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させることにより半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程以前の間に、該表面保護テープ（１０）をダイシングされた半導体ウェハ（１）から剥離することを特徴とする［５］〜［７］のいずれか１項に記載の半導体ウェハダイシング方法、
を提供するものである。

本発明により、半導体ウェハの裏面研削の直後にダイシングテープ＋リングフレームにて貼合支持固定し、その状態でダイシングテープ側から半導体ウェハ裏面側にレーザー光を入射させダイシングする事が可能となった。また、本発明の方法は、従来の薄膜ウェハを処理する場合に適用されるインラインシステムがそのまま使えるため、ＴＥＧ付き、或いはアルミ配線付きで、且つ、７５μｍ厚以下の自立強度を持たない薄膜の半導体ウェハの処理の場合であっても、処理、搬送中におけるウェハの損傷等の問題を防止する事を可能とするものである。

以下、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明のダイシングテープの好ましい実施態様を説明する概略断面図である。ダイシングテープ２は、粘着剤層３と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層３の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム４とからなる。使用される際には、粘着剤層７と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層７の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム８とからなる粘着テープ６が、矢印Ａｒ１で示すように、基材フィルム４の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の面に貼り合わされ用いられるものである。

仮に上記粘着テープ６を貼合しない場合は、レーザー光を基材フィルム４側から照射した場合、通常粗面処理されているダイシングテープ２の基材フィルム４表面の凹凸によりレーザー光が散乱してしまい、焦光点がウェハ１内部の所定の位置に合わせられない。しかしながら、本実施態様においては、粘着テープ６をダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼合する事により、図２に示すように、粗面処理されたダイシングテープの基材フィルムの表面９の凹凸は、粘着テープ６の粘着剤７により吸収され、その結果、基材フィルム４表面の凹凸は消失しその上透明度が向上する事となる。更には、本発明のダンシングテープは、レーザー光が直接入射する粘着テープ６の基材フィルム８の表面粗さＲａは０．５μｍ以下であるため十分平滑な面でありレーザー光は殆ど散乱される事がなく、焦光点を所定の位置に合わせる事が可能となるためレーザーダイシング用として好適である。基材フィルム８の表面粗さＲａは０．１〜０．５μｍであることが好ましい。逆に表面粗さＲａが大きすぎるとレーザー光が散乱されてしまいウェハ１内部に焦光点を合わせる事が不可能となる。

本発明のダイシングテープは、予め粘着テープ６が貼り合わせられ、図２に示すように積層されたダイシングテープであっても良い。この積層型のダイシングテープでは、例えば、粘着剤層７と基材フィルム８により構成された粘着テープ６を、粘着剤層３と基材フィルム４からなるダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼り合わせ積層した構造とすることができる。

図３は、本発明の半導体ウェハダイシング方法の好ましい実施態様を説明する概略断面図である。ここでは、粘着テープ６側からレーザー光１１を入射し半導体ウェハ１の内部に焦光点を合わせて照射し多光子吸収による改質領域１２を切断ラインに沿って形成している。本発明においては、好ましくは、半導体ウェハ１が、リングフレーム５並びに、粗面処理された表面９を有する基材フィルム４と粘着剤層３とからなるダイシングテープ２にて支持固定された状態（図４）で、粘着剤層７と基材フィルム８からなり、基材フィルム８の１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、且つ、粘着剤７の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である粘着テープ６を、ダイシングテープ２の１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で粘着剤層３の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム４の表面９側に貼合し、その状態（図５）において該粘着テープ６側からレーザー光１１を入射しウェハ１内部に焦光点を合わせ照射し改質領域１２を切断ラインに沿って形成するものである。なお、本実施態様では、半導体ウェハ１の回路パターン１５が形成されている面には表面保護テープ１０が貼合されている。そして、表面保護テープ１０は固定用チャックテーブル１６に貼付されている（図３〜５）。

本発明においては、基材フィルム８は１０６４ｎｍにおける全光線透過率が７０％以上、好ましくは８０〜９５％で、平行光線透過率が３０％以上、好ましくは４０％以上であり、且つ、基材フィルム４も全光線透過率が７０％以上、好ましくは８０〜９５％であるため、例えば特許第３４０８８０５号公報や特開２００４−００１０７６号公報にて提案されているような、レーザー光により多光子吸収による改質領域を形成する方式に使用される波長１０６４ｎｍの基本波レーザーに対する透過性は十分であるといえる。ここでいう平行光線透過率とは、材質そのものの透過率、すなわち全光線透過率と、上記のレーザー光の散乱され易さで決まってくるものであるため、材質そのものの透過率が良くてもレーザー光が散乱されてしまうと入射光と平行な線上に透過する平行光線透過率の値は低下する結果となる。本発明のレーザー光により多光子吸収による改質領域を形成する方式においては、焦光点を深さ方向の所定の位置に合わせた状態を維持したままで、切断ラインに沿ってスキャンさせなければならない。従って、材質そのものの透過率、すなわち全光線透過率が良くて、且つ、レーザー光が散乱されない事が本発明を実現するための条件となるものである。

これら基材フィルム４、および基材フィルム８の材質としては、上記の各々の透過率以上である限りにおいては特に制限は無いが、好ましくは、ＰＥＴ等のポリエステル系、ナイロン系、ポリカーボネート、エラストマー系、ポリオレフィン系のものが適用される。エラストマー系やポリオレフィンン系のうち１０６４ｎｍにおける光線透過率が比較的低いものもあるが、例えばフィルム厚を８０μｍ以下と薄くする事により透過率を向上させる事で、前記の必要最低な全光線透過率、平行光線透過率に到達すれば適用可能である。これら基材フィルムは、一般的にはＴダイ法やインフレ法によりフィルム成形されるものであるが、前者の場合、基材フィルム表面に粗面処理を施す必要がある場合にはフィルム成形と同時にシボ加工等の粗面処理を行う事が可能であり、又、自由にその粗さをコントロールする事が可能である。又、粗面処理の必要が無ければ、そのような処理を実施しない限り平滑面を持つフィルムが得られる。基材フィルム表面の粗さは、前述のレーザー光の散乱され易さを左右する因子となるが、同時にエキスパンド工程におけるエキスパンドリングとの滑り易さにも影響を及ぼすものであるため、状況に応じて適宜フィルム成形時に粗さをコントロールする必要がある。ここでいうエキスパンド工程とは、レーザー光１１により改質領域１２を形成、粘着テープ６をダイシングテープ２から剥離した後、ダイシングテープ２を引き落とし用押圧具１４とエキスパンドリング１３により引き落とし伸長させ半導体ウェハ１の改質領域１２を起点として個々のチップに切断分離する工程の事である（図６参照）。エキスパンド時には、図６に示されるように、粘着テープ６は既に剥離され、粗面処理されたダイシングテープ２の基材フィルム面９がエキスパンドリング１３と接触する事になるため滑り性が悪くなる事はなく、ダイシングテープ２は十分に伸長し、切断分離するのに問題は無い。一般的に改質領域１２を起点として個々のチップに切断分離するのに十分な滑り性を出すため、基材フィルム４の粘着剤層３の無い面側の表面粗さＲａは０．７μｍ以上であることが好ましい。このＲａが小さすぎるとエキスパンドリング１３との接触部のみ局所的に伸長してしまい完全な切断分離が不可能となる。

また、ダイシングテープ２の粘着剤層３及び粘着テープ６の粘着剤層７については、一般的に、後述するアクリル系の粘着剤、アクリル系の放射線重合性粘着剤等が適用されるものであるため非常に透明度が高く、その上、後述の通り、通常、５〜３０μm厚と比較的薄いため、１０６４ｎｍのレーザー光が透過するには十分な透過性を持ち、本発明においてはこれら粘着剤層３、及び粘着剤層７がレーザー光の透過を妨げる事はない。又、これらの粘着剤層が放射線硬化型である場合も、その殆どは１０６４ｎｍ付近での吸収は弱いためレーザー光が放射線硬化型粘着剤層に吸収され、レーザー光強度が低下してしまう事も無い。万一、１０６４ｎｍ付近に吸収を持つ粘着剤層が適用される場合は、レーザー光による改質領域形成の工程以前に予め放射線照射を行う等の対処法をとる必要もあり得る。

本発明のダイシングテープが、粘着剤層７と基材フィルム８により構成された粘着テープ６を、粘着剤層３と基材フィルム４からなるダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼り合わせ積層した構造したものである場合には、これをリングフレーム５に貼り付け、半導体ウェハ１のパターンが形成されていない面を粘着剤層３側に貼合した状態で粘着テープ６側からレーザー光１１を入射し多光子吸収による改質領域１２を切断ラインに沿って形成し、その後、粘着テープ６をダイシングテープ２から剥離することができる。

粘着テープ６の剥離の方法については特に制限は無く、常法により行うことができ、場合によっては手作業にて剥離しても良い。また、粘着テープ６の粘着剤層７を放射線硬化型粘着剤とした場合、放射線を照射する事により粘着力を低減させる事で剥離がよりスムーズに行える。この場合は、粘着テープ６を剥離する前に粘着テープ６側から放射線を照射し剥離をする。又、ダイシングテープ２の粘着剤層３も同時に放射線硬化型である場合は、粘着剤層３と粘着剤層７に対する放射線照射は一時に同時に行う事になるが、別段問題は無い。但し、粘着剤層３と粘着剤層７の粘着力を十分に低減させるだけの、十分な照射量を必要とする。

また、本発明においてダイシングテープ２をリングフレーム５に貼り付け、半導体ウェハ１をダイシングテープ２の粘着剤層３側に貼合し、粘着テープ６をダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼合する場合、これらの順番に特に制限はない。ダイシングテープ２をリングフレーム５に貼り付けた後に半導体ウェハ１を粘着剤３に貼合するのでもよく、リングフレーム５と半導体ウェハ１に同時にダイシングテープ２を貼合する順序でも良い。又、粘着テープ６をダイシングテープ２の基材フィルム４側に貼合する順序についても、粘着テープ６を貼合した後に半導体ウェハ１を粘着剤層３に貼合しても構わない。更に、積層型ダイシングテープ９を適用する場合も同様で、積層型ダイシングテープ９をリングフレーム５に貼り付けた後に半導体ウェハ１を粘着剤３に貼合するのでもよく、リングフレーム５と半導体ウェハ１に同時に積層型ダイシングテープ９を貼合する順序でも良い。

更に、本発明においては、半導体ウェハ１は、ダイシングテープ２およびリングフレーム５に貼合支持固定される以前に、ウェハ厚を所定の厚みにするため裏面研削されるのが一般的であるが、この研削時には、回路パターン面１５を保護する目的から表面保護テープ１０が回路パターン面１５に貼合されることが好ましい（図７および図８参照）。なお、図７は、半導体ウェハ１の回路パターン面１５に表面保護テープ１０が貼合された状態を示す概略断面図、図８は、表面保護テープ１０を貼合した状態で半導体ウェハ１の回路パターンの無い裏面側を所定の厚みまで研削した状態を示す概略断面図である。

本発明では、レーザー光による改質領域形成の工程においては、粘着テープ６側からレーザー光１１を入射する事になるため、その際、半導体ウェハ１の回路パターン面がウェハ固定用のチャックテーブル１６に直接接触し真空吸着等の手段によって固定される事になる。よって、この工程においても回路パターン面によっては該回路パターン面を保護する方が望ましい場合もあり、そこで本発明では、この様なケースにおいては研削時の該表面保護テープをレーザー光による改質領域形成の工程においてもそのまま貼合した状態とし、回路パターン面１５の保護の役割として利用することができる（図１参照）。この表面保護テープ１０は、レーザー光１１による改質領域１２形成の工程後、図９の概略断面図に示すように、エキスパンドによるチップ切断分離工程に移される前に半導体ウェハ１から矢印Ａｒ２に示すように、剥離される事になるため伸張による切断分離を妨げる事は無い。このとき粘着テープ６もダイシングテープ２から矢印Ａｒ３で示されるように剥離する。また、図９中の符号は、図３における符号と同一のものを示す。この表面保護テープ１０の粘着剤層は放射線硬化型であっても非放射線硬化型であってもよく、特に制限はない。又、表面保護テープ１０の粘着剤層が放射線硬化型である場合は裏面研削〜表面保護テープ１０剥離までの間に放射線照射をすれば良いが、レーザー光１１による改質領域１２形成時にはウェハの回路パターン面１５はしっかりと表面保護テープ１０に保持されている方が良く、特に支障が無ければ出来るだけレーザー光による改質領域形成の工程の後に放射線照射をするのが望ましい。

本発明におけるダイシングテープ２及び粘着テープ６の厚みに特に制限は無いが、５０〜３５０μｍ程度のものが一般的であり、それぞれ、基材フィルムの厚みとしては５０〜３００μｍ程度、好ましくは７０〜２７０μｍ、粘着剤層の厚みとしては３〜５０μｍ程度、好ましくは５〜３０μｍである。但し、基材フィルムの厚みとしては、前記の通り、ダイシングテープ２の基材フィルム４の場合は１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上、粘着テープ６の基材フィルム８の場合は１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上とするものである。また、表面保護テープ１０の厚みにも本発明においては特に制限はなく、半導体ウェハの種類により研削性を考慮し選定される。この表面保護テープも一般的には５０〜３５０μｍ程度、好ましくは１００〜３００μｍであり、このうち基材フィルム厚が５０〜３００μｍ程度、粘着剤層厚が３〜５０μｍ程度の範囲にあるのが一般的といえる。

本発明のダイシングテープ２の粘着剤層４、及び粘着テープ６の粘着剤層７は特に限定されるものでもなく、通常使用されるアクリル系粘着剤等が適用可能である。又、放射線硬化型の粘着剤であっても良く、ダイシングテープ２の粘着剤層３の場合はチップのサイズやデバイスの種類により適宜使い分けられる。又、粘着テープ６の粘着剤層７については、前述の通りダイシングテープ２からの剥離性を考慮して、適宜使い分けられるものである。放射線硬化型粘着剤の場合も特に制限は無く、一般的には、前述のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなる。これらアクリル系粘着剤、及び放射線重合性化合物については具体的には以下のものが適用可能である。

アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては重量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。又、硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、書房の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。

放射線硬化型粘着剤は、前記のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。放射線重合性化合物とは、例えば紫外線の照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。

また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。

放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。

更には、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とする事も可能である。

また、放射線により粘着剤層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用する事が出来る。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加する事により、効率よく重合反応を進行させる事が出来る。尚、ここで言う放射線とは、紫外線のような光線、または電子線のような電離性放射線の事をさす。

本発明に用いることのできるレーザー光１１の種類としては、パルスレーザ光を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、チタンサファイアレーザなど多光子吸収を起こすものを挙げることができる。粘着テープ６側から入射し半導体ウェハ１の内部に焦光点を合わせて照射するときのレーザー光１１の波長は、本発明においては１０６４ｎｍを使用するものである。

本発明における半導体ウェハ１の厚さは特に限定はないが、一般的にはバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化された状態で３０〜４００μｍ程度の厚みのものが使用される。

以下、実施例に基づき、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。

厚さ６５０μmの８インチシリコンウェハの表面に表面保護テープ（古河電気工業製SP-575B-150）を貼合しディスコ製グラインダーＤＦＧ８５６０にて厚さ７５μmになるまでウェハ裏面を研削した。更に、８インチ用リングフレームに表１に示すダイシングテープを貼合し、次いで、ダイシングテープ粘着剤層面に上記の研削済みウェハの研削面が貼合面となるように貼合し、更に、ダイシングテープの基材面に粘着テープを貼合した。更に、これを株式会社東京精密製のレーザー加工装置ML200RMEに設置し、半導体ウェハの内部に焦光点が合うように粘着テープ側からレーザー光を入射し、チップサイズが5mm×5mmとなる切断予定ラインに沿って多光子吸収による改質領域を形成した。次いで、表１中にて示す通り、粘着テープの粘着剤層が紫外線硬化型である場合には粘着テープ側から紫外線を照射し、ダイシングテープから粘着テープを剥離し、更に、表面保護テープにも紫外線を照射し該表面保護テープを半導体ウェハのパターン面から剥離した。その後、レーザー加工装置ML200RMEに付帯しているエキスパンド装置を用いて、引き落とし量15mm、エキスパンド速度30mm/sにてダイシングテープを伸張し、チップ切断分離工程を実施した。

株式会社東京精密製のレーザー加工装置ML200RMEによる加工条件の詳細は以下の通り行った。
（Ａ）レーザー
光源：半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積：３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザー光品質：ＴＥＭ００ 40
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザー光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）半導体基板が載置される載置台の移動速度
移動速度：１００ｍｍ／秒

表１に示した各々の材料は、以下の通り作成した。
・ダイシングテープの基材フィルム作製
日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、又は、住友化学製ＥＭＭＡ樹脂 「アクリフトＷＤ２０１」を用いて、Ｔダイ法によりフィルム成形した。成形時に、粘着剤が塗工されない面に粗面処理を施し、表面粗さの調整を行った。
・粘着テープの基材フィルム作製
実施例６、比較例１、２：日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、又は、住友化学製ＥＭＭＡ樹脂「アクリフトＷＤ２０１」の用いて、Ｔダイ法によりフィルム成形した。成形時に、粘着剤が塗工されない面に粗面処理を施し、表面粗さの調整を行った。
実施例１〜５、比較例３，４：市販されている東洋紡製ＰＥＴフィルム「エステルフィルムＥ５１００−１００」１００μｍ厚、又は帝人化成製ポリカーボネートフィルム「パンライト」１００μｍ厚を適用した。
なお、表１に記載の基材フィルムの種類／厚みの詳細は以下のとおりである。
基材（１）：東洋紡製ＰＥＴフィルム「エステルフィルムＥ５１００−１００」、１００μｍ厚、粗面処理無し
基材（２）：帝人化成製ポリカーボネートフィルム「パンライト」、１００μｍ厚、粗面処理無し
基材（３）：日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、１００μｍ厚、粗面処理有り
基材（４）：住友化学製ＥＭＭＡ樹脂「アクリフトＷＤ２０１」、１００μｍ厚、粗面処理有り
基材（５）：日本ユニカー社製ポリエチレン樹脂「ＮＵＣ−８１２２」、７０μｍ厚、粗面処理無し

・粘着テープ作製
上記の粘着テープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムに、表１の粘着剤層の欄に記載した粘着剤を厚さ１０μmになるよう塗工して得た。
・ダイシングテープ作製
上記のダイシングテープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムに、表１の粘着剤層の欄に記載した粘着剤を厚さ２０μmになるよう塗工して得た。
なお、表１に記載された各粘着剤の組成は以下のとおりである。
非紫外線硬化型粘着剤：アクリル系共重合体 １００質量部
硬化剤 ２質量部
紫外線硬化型粘着剤：アクリル系共重合体 １００質量部
硬化剤 ２質量部
ウレタンアクリレート系オリゴマー １５０質量部
光重合開始剤 ２質量部

・積層型ダイシングテープ作製
上記ダイシングテープ作製により得られたダイシングテープの基材フィルム側に、上記粘着テープ作製により得られた粘着テープの粘着剤層側を貼り合わせ積層して得た。

また、全光線透過率、平行光線透過率、及び表面粗さＲａについては下記の方法にて測定した。
（１）全光線透過率、平行光線透過率の測定
上記の粘着テープの基材フィルム作製、及びダイシングテープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムの粘着剤の塗工されない面側から波長１０６４ｎｍでの全光線透過率、平行光線透過率を透過率測定器（島津製作所製、商品名：UV3101PC＆MPC-3100）を使用してＮ＝５で測定し平均値を求めた。この装置は積分球方式の受光部を有する全光線透過率測定が可能な装置となっているが、サンプルの固定位置を積分球入射窓から７０ｍｍ引き離すことで、平行光線透過率も併せて測定した。
（２）表面粗さＲａ
上記の粘着テープの基材フィルム作製、及びダイシングテープの基材フィルム作製により得られた基材フィルムの、粘着剤が塗工される面側を平滑なミラーウエハに貼合することで固定し、粘着剤の塗工されない面側の算術表面粗さＲａを表面粗さ測定器（ミツトヨ社製、商品名：サーフテストSJ-301）を使用してフィルム押し出し方向（ＭＤ方向）にＮ＝５で測定し平均値を求めた。

実施例１〜６、比較例１〜４の積層型ダイシングテープについて、下記の試験を行った。
・チップ切断分離性試験
実施例１〜６、比較例１〜４について、最終的にレーザー加工装置ML200RMEに付帯しているエキスパンド装置を用いて、引き落とし量15mm、エキスパンド速度30mm/sにてダイシングテープを伸張し、チップ切断分離を行い、チップの分断性を試験した。
表２にチップ切断分離性についての試験結果を記載した。

試験結果
比較例１では、粘着テープの基材フィルム面の粗さが１．１μmと粗いためレーザー光が散乱されてしまい、その結果平行光線透過率が低くなってしまったために、ウェハの部分的に改質領域が形成されない部分が出来てしまった。結果的に分断出来なかった箇所においてエキスパンドの応力によりチップが破損した。
比較例２では、全光線透過率が低く、更に粘着テープの基材フィルム面の粗さが１．５と粗いため、平行光線透過率が非常に低く、所定の位置において殆ど改質領域が形成されず、結果的にエキスパンドの応力によりウェハが割れてしまった。
比較例３では、ダイシングテープの全光線透過率が低いため、ウェハの部分的に改質領域が形成されない部分が出来てしまった。結果的に分断出来なかった箇所においてエキスパンドの応力によりチップが破損した。
比較例４では、ダイシングテープの基材フィルム面の粗さが０．５μmと小さいためダイシングテープとエキスパンドリングとの滑り性が悪く、エキスパンドしてもエキスパンドリングにてダイシングテープが局所的に伸びるのみであり、ウェハ部は殆ど伸長される事が無かった。その結果、ウェハを分断する事が出来なかった。
これに対して、実施例１〜６では、ダイシングテープに粘着テープを貼り合わせた状態でのレーザー光の透過性が良好であるため、全ての切断ラインに沿って所定の位置（深さ）に多光子吸収による改質領域を問題なく形成する事が出来た。又、ダイシングテープとエキスパンドリングとの滑り性も良好であったためエキスパンドによりウェハ部も伸長され、その結果、改質領域を起点として５ｍｍ×５ｍｍのチップに分断する事が可能であった。

本発明のダイシングテープの好ましい実施態様を説明する概略断面図である。 粘着テープを本発明のダイシングテープの粗面処理された基材フィルム表面に貼合した状態を説明する概略断面図である。 本発明の半導体ウェハダイシング方法の好ましい実施態様を説明する概略断面図である。 ダイシングテープをリングフレームに貼り付け、裏面研削後の半導体ウェハの裏面側をダイシングテープの粘着剤層側に貼合した状態を示す概略断面図である。 半導体ウェハを貼合支持固定したダイシングテープの基材フィルム側に粘着テープを貼合した状態を示す概略断面図である。 ダイシングテープをエキスパンドさせ、半導体ウェハの内部に形成された改質領域を起点として個々のチップに切断分離する状態を示す概略断面図である。 半導体ウェハの回路パターン面に表面保護テープが貼合された状態を示す概略断面図である。 表面保護テープを貼合した状態で半導体ウェハの回路パターンの無い裏面側を所定の厚みまで研削した状態を示す概略断面図である。 表面保護テープを半導体ウェハから剥離し、粘着テープをダイシングテープから剥離する状態を示す概略断面図である。

符号の説明

１ 半導体ウェハ
１′ 切断分離されたチップ
２ ダイシングテープ
３ ダイシングテープの粘着剤層
４ ダイシングテープの基材フィルム
５ リングフレーム
６ 粘着テープ
７ 粘着テープの粘着剤層
８ 粘着テープの基材フィルム
９ 粗面処理されたダイシングテープの基材フィルム表面
１０ 表面保護テープ
１１ レーザー光
１２ 多光子吸収により形成された改質領域
１３ エキスパンドリング
１４ 引き落とし用押圧具
１５ 半導体ウェハの回路パターン
１６ 固定用チャックテーブル

Claims (8)

1. 粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）であって、粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）が前記基材フィルム（４）の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の面に貼り合わされ用いられるダイシングテープ。
2. 粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）を、粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）の基材フィルム（４）の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である面に貼り合わせ積層したダイシングテープ。
3. 基材フィルム（８）がポリエチレンテレフタレートフィルムである請求項１または２記載のダイシングテープ。
4. レーザーダイシング用であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
5. 半導体ウェハをダイシングテープにて支持固定した状態でダイシングする方法であって、
   （ａ）粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上の基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）をリングフレーム（５）に貼り付け、半導体ウェハ（１）の回路パターン（１５）が形成されていない面をダイシングテープ（２）の粘着剤層（３）側に貼合する工程と、
   （ｂ）粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）の基材フィルム（４）側に貼合した状態において、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程と、
   （ｃ）粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離した後、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させる事により半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハダイシング方法。
6. 半導体ウェハをダイシングテープにて支持固定した状態でダイシングする方法であって、
   （ａ）粘着剤層（７）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上で平行光線透過率が３０％以上であり、粘着剤層（７）の無い面側の表面粗さＲａが０．５μｍ以下である基材フィルム（８）とからなる粘着テープ（６）を、粘着剤層（３）と、１０６４ｎｍでの全光線透過率が７０％以上であり、粘着剤層（３）の無い面側の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である基材フィルム（４）とからなるダイシングテープ（２）の基材フィルム（４）の表面粗さＲａが０．７μｍ以上である面に貼り合わせ積層したダイシングテープをリングフレーム（５）に貼り付け、半導体ウェハ（１）の回路パターン（１５）が形成されていない面を粘着剤層（３）側に貼合する工程と、
   （ｂ）前記積層したダイシングテープに貼合した状態において、前記積層したダイシングテープの粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程と、
   （ｃ）粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離した後、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させる事により半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハダイシング方法。
7. 粘着テープ（６）の粘着剤層（７）が放射線硬化型粘着剤であり、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を形成した後、粘着テープ（６）側から放射線照射して粘着テープ（６）をダイシングテープ（２）から剥離することを特徴とする請求項５または６に記載の半導体ウェハダイシング方法。
8. 半導体ウェハ（１）の回路パターン面に表面保護テープ（１０）が貼合されており、粘着テープ（６）側からレーザー光（１１）を入射し半導体ウェハ（１）の内部に焦光点を合わせて照射することにより多光子吸収による改質領域（１２）を切断ラインに沿って形成する工程以降から、エキスパンド工程にてダイシングテープ（２）を伸張させることにより半導体ウェハ（１）を、改質領域（１２）を起点として個々のチップに切断分離する工程以前の間に、該表面保護テープ（１０）をダイシングされた半導体ウェハ（１）から剥離することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体ウェハダイシング方法。
   

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