CN108541338A - 晶片加工用带 - Google Patents

Abstract

提供一种晶片加工用带，在将进行了预切割加工的晶片加工用带以辊的状态存放时，能抑制标签部与晶片加工用带的背面的粘连，且能良好地从辊的状态将标签部抽出。上述晶片加工用带的特征在于，具有：长条的脱模膜(11)；粘合膜(12)，其具有标签部(12a)和包围标签部(12a)的外侧的周边部(12b)，标签部(12a)设置在脱模膜(11)的第1面(11a)上，且具有与环框(R)对应的规定形状；以及支承部件(13)，其设置在脱模膜(11)的短边方向的两端部，且设置在脱模膜(11)的与设置有粘合膜(12)的第1面(11a)相反的第2面(11b)上，粘合膜(12)的与脱模膜(11)不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，支承部件(13)的厚度为30～150μm。

Description

晶片加工用带

技术领域

本发明涉及一种晶片加工用带，特别是涉及将半导体晶片等切断分离(切割)并单片化为芯片状时使用的晶片加工用带。

背景技术

在将半导体晶片等被加工物单片化为芯片状的情况下，用晶片加工用带将被加工物固定并通过旋转刀片或激光进行分割。另外，近年来也使用如下的方法：在半导体晶片的内部利用激光设置被称为改性层的脆弱部位，利用晶片加工用带将设置有该改性层的半导体晶片固定，通过拉伸扩展晶片加工用带，以改性层为起点将半导体晶片切断而进行单片化。

以往，对如上所述的晶片加工用带所要求的性能是加工时的固定性好、以及加工后剥离晶片加工用带时对被加工物没有污染等。然而，近年来，为了确认加工后的品质，从贴合有晶片加工用带的面对芯片的状态等进行目视确认。另外，在如上所述，在通过激光在半导体晶片的内部形成改性层时，在来自半导体晶片的未贴合晶片加工用带的面、即电路面的激光照射由于该电路图案而比较困难的情况下，从贴合有晶片加工用带一侧的面穿过晶片加工用带而进行激光照射。在这种情况下，对晶片加工用带所要求的性能是能充分透过可见光或者近红外光。

作为使可见光或者近红外光充分透过的方法，公开有将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra调整为0.3μm以下的方法(例如，专利文献1)。但是，晶片加工用带一般具有长条的薄膜形状，并以卷绕为辊状的卷绕体的状态存放。这样，在以卷绕体的状态存放晶片加工用带的情况下，若将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra设得过小，则卷绕重叠的晶片加工用带彼此容易粘在一起，在使用晶片加工用带时，将之从卷绕体抽出时容易发生被称为粘连的卡挂。因此，在专利文献1中，公开了为了抑制该粘连而优选将晶片加工用带背面的表面粗糙度Ra设为0.1μm以上的技术方案。

此处，作为晶片加工用带，考虑向晶片的粘贴、切割时向环框的安装等的操作性，也存在实施了预切割加工的晶片加工用带。图2以及图3示出了进行了预切割加工的切割带的例子。图2、图3的(a)、图3的(b)分别是切割带50的立体图、俯视图、剖视图。晶片加工用带50由脱模膜51与粘合膜52构成。粘合膜52具有：标签部52a，其具有与切割用的环框的形状对应的圆形形状；周边部52b，其包围该标签部52a的外侧。在标签部52a的周围，不存在粘合膜52，存在仅为脱模膜51的部分。

在切割晶片时，将粘合膜52的标签部52a从脱模膜51剥离，如图4所示，粘贴半导体晶片W的背面，并将切割用的环框R粘合固定到粘合膜52的外周部。在该状态下对半导体晶片W进行切割，之后，在粘合膜52实施紫外线照射等硬化处理并拾取半导体芯片。此时，粘合膜52因硬化处理而粘合力降低，因此，半导体芯片容易剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-15236号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在晶片加工用带50如以上所述那样被进行了预切割加工的情况下，由于存在仅为脱模膜51的部分和设置有标签部52a的部分，因此存在如下情况，即，当卷绕为辊状时，在标签部52a施加卷绕压力，即使是专利文献1所示的范围的表面粗糙度Ra，也容易发生粘连，在使用晶片加工用带时，要从卷绕体抽出的标签部52a会贴合到卷绕体侧的晶片加工用带50的背面而被留下来。

因此，本发明的目的是提供一种如下的晶片加工用带，在将进行了预切割加工的晶片加工用带以卷绕为辊状的状态存放时，能抑制标签部52a与晶片加工用带的背面的粘连，在从卷绕为辊状的状态抽出时，能够将标签部52a很好地抽出。

用于解决课题的技术方案

为了解决上述课题，基于本发明的晶片加工用带的特征在于，具有：长条的脱模膜；粘合膜，其具有标签部和包围上述标签部的外侧的周边部，上述标签部设置在上述脱模膜的第1面上，且具有与切割用的环框对应的规定形状；以及支承部件，其设置在上述脱模膜的短边方向的两端部，且设置在上述脱模膜的与设置有上述粘合膜的第1面相反的第2面上，上述粘合膜的与上述脱模膜不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，上述支承部件的厚度为30～150μm。

另外，上述晶片加工用带优选：上述支承部件以具有隔着上述脱模膜与上述标签部重叠的区域的方式设置，且与上述标签部重叠的区域在上述脱模膜的短边方向上的最大宽度为25mm以下。

上述晶片加工用带优选：上述支承部件具有2层以上的层叠结构。

另外，上述晶片加工用带优选：上述支承部件是在选自聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、以及高密度聚乙烯的树脂膜基材上涂布有粘接剂的粘接带。

发明效果

根据本发明，在将进行了预切割加工的晶片加工用带以卷绕为辊状的状态存放时，能抑制标签部与晶片加工用带的背面的粘连，在从卷绕为辊状的状态抽出时，能够将标签部很好地抽出。

附图说明

图1的(a)是本发明的实施方式涉及的晶片加工用带的俯视图，图1的(b)是本发明的实施方式涉及的晶片加工用带的剖视图。

图2是以往的晶片加工用带的立体图。

图3的(a)是以往的晶片加工用带的俯视图，图3的(b)是以往的晶片加工用带的剖视图。

图4是表示晶片加工用带与切割用环框贴合的状态的剖视图。

具体实施方式

以下，基于附图，对本发明的实施方式进行详细说明。图1的(a)是本发明的实施方式涉及的晶片加工用带的俯视图，图1的(b)是图1的(a)的剖视图。

如图1的(a)以及图1的(b)所示，晶片加工用带10，晶片加工用带10具有长条的脱模膜11、粘合膜12、支承部件13。

粘合膜12具有设置在脱模膜11的第1面11a的标签部12a、和包围该标签部12a的外侧的周边部12b。周边部12b包括完全包围标签部12a的外侧的形态、和如图所示的不完全包围标签部12a的外侧的形态。标签部12a具有与切割用环框对应的形状。

支承部件13设置在脱模膜11的与设置有粘合膜12的第1面11a相反的第2面11b，且设置在脱模膜11的短边方向的两端部，并设置在与脱模膜11所接触的标签部12a的区域涉及的第1面11a的区域相对应的区域。也就是说，支承部件13设置为具有隔着脱模膜11与标签部12a重叠的区域。

支承部件13可沿脱模膜11的长边方向断续地或连续地设置，但是，从更有效地抑制转印痕的发生的观点出发，优选支承部件13沿脱模膜11的长边方向连续地设置。

下面，对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素进行详细说明。

(脱模膜)

作为用于本发明的晶片加工用带10的脱模膜11，可使用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)系、聚乙烯系、及其他进行了脱模处理的薄膜等公知的薄膜。

脱模膜的厚度没有特别限定，适当设定即可，但优选为25～50μm。

(粘合膜)

如上所述，本发明的粘合膜12具有与切割用的环框的形状对应的标签部12a和包围其外侧的周边部12b。这种粘合膜可通过利用预切割加工从膜状粘合剂除去标签部12a的周边区域来形成。与切割用的环框的形状相对应的形状是与环框的内侧大致相同的形状且比环框内侧的大小大的相似形状。另外，可以不一定是圆形，但优选接近圆形的形状，更优选为圆形。

作为粘合膜12，没有特别限定，只要是如下的粘合膜即可，即，具有足够的粘合力以使得在切割晶片时晶片不会剥离，且在切割后拾取芯片时显示出较低的粘合力以使芯片能够容易地剥离。例如，可优选使用在基材膜设置有粘合剂层的粘合膜。

作为粘合膜12的基材膜，只要与粘合剂层相反侧的面(即，粘合膜12与脱模膜11不接触的一侧的面)的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，如果是以往公知的基材模也可以没有特别限定地使用。另外，在作为后述的粘合剂层使用放射线固化性的材料的情况下，优选使用具有放射线透过性的材料。

例如，作为其材料，可以列举聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体以及它们的混合物。另外，基材膜也可以是选自这些材料中的2种以上的材料混合而成的膜，也可以是它们单层或多层化而成的膜。

基材膜的厚度没有特别限定，可以适当地设定，但优选50～200μm。

用于实现充分的透过性的基材膜的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，进一步优选为0.25μm以下。当算术表面粗糙度Ra大于0.3μm时，入射光线散射，得不到充分的透过性。

在为了进行加工后的品质确认而从贴合有晶片加工用带10的面对芯片的状态等进行目视确认的情况、或在从半导体晶片的贴合有晶片加工用带10的一侧的面穿过晶片加工用带10照射激光而对半导体晶片进行加工的情况下，作为这些情况下的充分的透过率的具体数値，优选400～1100nm的平行线透过率为80％以上。

作为粘合膜12的粘合剂层中使用的树脂，没有特别限定，可以使用粘合剂中使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。优选在粘合剂层13的树脂中适当配合丙烯酸系粘合剂、放射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等来制备粘合剂。粘合剂层13的厚度可以没有特别限定地适当设定，但优选5～30μm。

在粘合剂层中配合放射线聚合性化合物，通过放射线固化，可以容易地从粘接剂层剥离。对该放射线聚合性化合物而言，例如可使用能够通过光照射能发生三维网状化的在分子内具有至少2个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。

具体而言，能够应用：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯等。

另外，除如上所述的丙烯酸酯系化合物外，还可使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物可以通过使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如，2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二异氰酸酯等)反应来得到末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物，再使该末端异氰酸酯氨基甲酸乙酯预聚物与具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应来得到。粘合剂层也可以混合选自上述树脂的2种以上。

在使用光聚合引发剂的情况下，例如可使用异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量相对于丙烯酸系共聚物100质量份优选为0.01～5质量份。

(支承部件)

支承部件13设置在脱模膜11的短边方向的两端部，且设置在与设置有粘合膜12的第1面11a相反的第2面11b上，并设置为具有隔着脱模膜11与标签部12a重叠的区域。支承部件13的厚度为30～150μm，更优选为40～140μm。

通过设置支承部件13，在晶片加工用带10卷绕为辊状的状态下，在粘合膜12的标签部12a与位于该标签部12a的卷绕体内侧的晶片加工用带10背面之间设有空间，能使二者不紧贴，因此，能够抑制标签部52a与晶片加工用带10的背面(脱模膜11的背面)粘连，在从卷绕为辊状的状态抽出时，标签部52a不会被留在卷绕体侧而能够良好地抽出。

在支承部件13比20μm薄时，由于晶片加工用带10在卷绕体上的搬运、或贴合到晶片环时向装置的安装导致的振动，标签部12a与位于该标签部12a的卷绕体内侧的晶片加工用带10的背面可能会紧贴，存在无法获得充分的效果的情况。另外，在支承部件13比150μm厚时，形成卷绕体时的卷绕直径增大、重量也增加，变得难以处理。

支承部件13与标签部12a重叠的区域在脱模膜的短边方向上的最大宽度x(参照图1的(a))优选为25mm以下。在支承部件13与标签部12a重叠的区域的最大宽度x大于25mm时，在卷绕体的状态下，标签部12a与位于该标签部12a的卷绕体内侧的支承部件13的接触面积变得过大，标签部12a与支承部件13之间发生粘连，要从卷绕体抽出的标签部52a可能会贴合到卷绕体侧的支承部件14而被留下。另外，支承部件13的与卷绕体侧相接触的一侧的表面较粗糙亦可。如果支承部件13的表面较粗糙，则可以减小与卷绕体侧的接触面积。

支承部件13也可以不具有与标签部12a重叠的区域，也可以设置在标签部12a的外缘与脱模膜的短边方向端部之间。

作为支承部件13，例如可优选使用在树脂膜基材上涂布有粘接剂的粘接带。通过将这样的粘接带粘贴到脱模膜11的第2面11b的两端部分的规定位置，能够形成本实施方式的晶片加工用带10。粘接带可以仅粘贴一层，也可使较薄的粘接带层叠。

作为粘接带的树脂膜基材，只要能够耐受卷绕压力，就没有特别限定，但从耐热性、平滑性、以及获取容易性的角度出发，优选选自聚对聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚丙烯、以及高密度聚乙烯。

关于粘接带的粘接剂的组成以及物性，没有特别限定，只要在晶片加工用带10的卷绕工序以及存放工序中不从脱模膜11剥离即可。

另外，作为支承部件13，可使用被着色的支承部件。通过使用这样的着色支承部件，在将晶片加工用带10卷绕为辊状时，能够明确地识别带的种类。例如，通过使着色支承部件的颜色依据晶片加工用带10的种类、厚度而不同，能够容易地识别带的种类、厚度，能够抑制、防止人为失误的发生。

＜实施例＞

以下，基于实施例对本发明进行进一步详细说明，但本发明不限于这些实施例。

用以下的方法制造实施例、比较例的晶片加工用带，并对其性能进行了评价。

(基材膜的制作)

[基材膜1A]

将株式会社NUC制造的聚乙烯树脂“NUC-8122”加热熔融并进行挤出成型，制作出厚度为100μm的基材膜1A。成型时，在没有涂敷粘合剂的面实施粗糙面处理，为了成为表1所示的表面粗糙度，分别进行表面粗糙度的调整，制作出多种基材膜。

[基材膜1B]

除使用住友化学株式会社制造的EMMA树脂“Acryft(アクリフト)WD201”以外，以与基材膜1A相同的方式制作出基材膜1B。

[基材膜1C]

除使用住友化学株式会社制造的乙烯乙酸乙烯酯共聚物树脂“Ebateto(エバテート)”以外，以与基材膜1A相同的方式制作出基材膜1C。

(粘合剂组合物的制备)

[粘合剂组合物2A]

相对于100重量份的由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟乙酯构成的丙烯酸系共聚物(重均分子量为20万)，作为固化剂，添加2重量份的东曹株式会社制造的多异氰酸酯“coronate(コロネート)L”，得到粘合剂组合物2A。

[粘合剂组合物2B]

相对于100重量份的由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟乙酯构成的丙烯酸系共聚物(重均分子量20万)，作为固化剂添加2重量份的东曹株式会社制造的多异氰酸酯“Coronate(コロネート)L”，作为丙烯酸酯系低聚物添加150重量份的新中村化学工业社制造的“AD-PMT”，作为光聚合引发剂添加2重量份的日本Chiba Gaigy(チバガイギー)株式会社制造的“IRGACURE(イルガキュア)184”，得到紫外线固化型的粘合剂组合物2A。

(支承部件的制作)

[支承部件3A]

相对于100重量份的丙烯酸树脂(质均分子量为60万、玻璃化转变温度为-20℃)，作为固化剂，混合10质量份的东曹株式会社制造的多异氰酸酯“Coronate(コロネート)L”，得到粘合剂组合物。

在作为树脂膜基材的聚对苯二甲酸乙二酯膜上，以使干燥膜厚为10μm的方式涂敷上述粘合剂组合物，在110℃下干燥3分钟，使整体厚度为35μm的支承部件3A成为宽度为30mm进行制作。

[支承部件3B]

除使用与支承部件3A不同厚度的聚对苯二甲酸乙二酯膜并使整体厚度为48μm以外，以与支承部件3A相同的方式制作支承部件3B。

[支承部件3C]

除作为树脂膜基材使用聚丙烯膜并使整体厚度为65μm以外，以与支承部件3A相同的方式制作支承部件3C。

[支承部件3D]

除以使干燥膜厚为5μm的方式涂敷上述粘合剂组合物并使整体厚度为25μm以外，以与支承部件3C相同的方式制作支承部件3D。

[支承部件3E]

除了作为树脂膜基材使用高密度聚乙烯膜并使整体厚度为150μm以外，以与支承部件3A相同的方式制作支承部件3E。

[支承部件3F]

除作为树脂膜基材使用对一个面进行了喷砂处理的聚丙烯膜并在与进行了喷砂处理的面相反侧的面涂敷上述粘合剂组合物、并且使整体厚度为65μm以外，以与支承部件3C相同的方式制作支承部件3F。

(晶片加工用带的制作)

[实施例1]

在进行了脱模处理的由聚对苯-二甲酸乙二酯膜构成的脱模膜，以使干燥膜厚为25μm的方式涂敷粘合剂组合物2A，在110℃下干燥3分钟后，与基材膜1A贴合来制作出粘合膜。对粘合膜，以使向脱模膜的切入深度为10μm以下的方式进行调整，并以圆状进行直径290mm的圆形预切割加工。接着，在脱模膜2A的与设置有粘合膜的第1面相反的第2面、且在脱模膜2A的短边方向的两端部，以使与粘合膜的标签部重叠的区域在脱模膜的短边方向上的最大宽度为25mm的方式贴合支承部件3A，制作出具有图1所示的结构的实施例1的晶片加工用带。

[实施例2～6、比较例1～3]

除了使用表1所示的基材膜、粘合剂组合物、支承部件，并以使得与标签部重叠的区域的最大宽度为表1所示数值的方式来设置支承部件以外，以与实施例1相同的方式制作出实施例2～6、比较例1～3的晶片加工用带。

(算术表面粗糙度Ra)

关于用于实施例、比较例的晶片加工用粘合带的粘合膜，使用株式会社三丰制造的表面粗糙度测定器(表面测试(サーフテスト)SJ-301)，以N＝10对粘合膜的与脱模膜不接触的一侧的面、即基材膜的未设置粘合剂层的一侧的面的算术平均粗糙度Ra进行测定，并求出平均値。其结果示于表1。

(从卷绕体的抽出性的评价)

以使圆形形状的粘合膜(标签部)的数量为50片的方式，将实施例、比较例的晶片加工用粘合带卷绕为辊状，制作出卷绕体。通过在环框进行贴合的贴合装置，从卷绕体抽出晶片加工用粘合带，并测算了标签部未能很好地抽出而留在卷绕体侧的片数。其结果示于表1。

(透过率)

关于用于实施例、比较例的晶片加工用粘合带的粘合膜，对平行光线透过率进行了测定。测定使用株式会社岛津制作所制造的UV-3101分光光度计，并在400～1100nm的范围进行，求出最低的透过率。其结果示于表1。

[表1]

如表1所示，对实施例1～6的晶片加工用带而言，由于粘合膜的与脱模膜不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，支承部件的厚度为30～150μm，因此，具有较高的透过性，并且能从卷绕体良好地进行抽出。对支承部件与标签部重叠的区域在脱模膜的短边方向上的最大宽度为为25mm以下的实施例1～5而言，在从卷绕体的抽出性的评价中，结果特别优异。

与之相对，如表1所示，对比较例1的晶片加工用带而言，粘合膜的与脱模膜不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra大于0.3μm，因此透过性不充分。另外，对比较例2的晶片加工用带而言，支承部件的厚度比30μm薄，因此标签部与脱模膜的背面之间发生粘连，标签部贴合到卷绕体侧的脱模膜的背面而留下，未从卷绕体抽出的标签部有8片。另外，在未设置支承部件的比较例3中，未从卷绕体抽出的标签部有10片。

符号说明

10：晶片加工用带

11：脱模膜

12：粘合膜

12a：标签部

12b：周边部

13：支承部件

Claims (5)

1.一种晶片加工用带，其特征在于，具有：

长条的脱模膜；

粘合膜，其具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部设置在所述脱模膜的第1面上，且具有与切割用的环框对应的规定形状；以及

支承部件，其设置在所述脱模膜的短边方向的两端部，且设置在所述脱模膜的与设置有所述粘合膜的第1面相反的第2面上，

所述粘合膜的与所述脱模膜不接触的一侧的算术表面粗糙度Ra为0.3μm以下，

所述支承部件的厚度为30～150μm。

2.根据权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承部件以具有隔着所述脱模膜与所述标签部重叠的区域的方式设置，且与所述标签部重叠的区域在所述脱模膜的短边方向上的最大宽度为25mm以下。

3.根据权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承部件沿所述脱模膜的长边方向连续地设置。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承部件具有2层以上的层叠结构。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承部件是在选自聚对苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、以及高密度聚乙烯的树脂膜基材上涂布有粘接剂的粘接带。