KR20180121487A

KR20180121487A - 웨이퍼 가공용 테이프

Info

Publication number: KR20180121487A
Application number: KR1020187021158A
Authority: KR
Inventors: 사또시 오따; 아끼라 아꾸쯔
Original assignee: 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2016-03-02
Filing date: 2017-02-23
Publication date: 2018-11-07
Also published as: WO2017150330A1; SG11201804308YA; JP6831831B2; KR102233439B1; TW201739870A; CN108541338A; JPWO2017150330A1

Abstract

프리컷 가공된 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 상태에서 보관하였을 때, 라벨부가 웨이퍼 가공용 테이프의 배면과 블로킹하는 것을 억제하고, 롤 상태로부터 라벨부를 양호하게 조출할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공한다. 장척의(긴) 이형 필름(11)과, 이형 필름(11)의 제1 면(11a) 상에 설치된 링 프레임(R)에 대응하는 소정 형상을 갖는 라벨부(12a)와, 라벨부(12a)의 외측을 둘러싸는 주변부(12b)를 갖는 점착 필름(12)과, 이형 필름(11)의 짧은 변 방향 양단부이며, 점착 필름(12)이 설치된 제1 면(11a)과는 반대인 제2 면(11b) 상에 설치된 지지 부재(13)를 갖고, 점착 필름(12)은 이형 필름(11)에 접촉하고 있지 않은 측의 산술 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이고, 지지 부재(13)는 두께가 30 내지 150㎛인 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 가공용 테이프

본 발명은 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이며, 특히 반도체 웨이퍼 등을 절단 분리(다이싱)하여, 칩 형상으로 개편화할 때 사용하는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 칩 형상으로 개편화하는 경우, 웨이퍼 가공용 테이프를 사용하여 피가공물을 고정하고, 회전날이나 레이저광에 의해 분할이 행해진다. 또한, 근년에는, 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저광에 의해 개질층이라고 불리는 취약 개소를 마련하고, 해당 개질층이 형성된 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 가공용 테이프로 고정하여, 웨이퍼 가공용 테이프를 인장 확장함으로써, 개질층을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼를 분단하여 개편화하는 방법도 사용되고 있다.

종래, 상기와 같은 웨이퍼 가공용 테이프에 요구되는 성능은, 가공 시의 고정성이 좋을 것, 및 가공 후에 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였을 때 피가공물에 대한 오염이 없을 것 등이었다. 그런데, 근년, 가공 후의 품질 확인을 위해, 칩의 상태 등을, 웨이퍼 가공용 테이프가 접합된 면으로부터 눈으로 확인하는 일이 행해지고 있다. 또한, 상술한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저광에 의해 개질층을 형성할 때, 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 가공용 테이프가 접합되어 있지 않은 면, 즉 회로면으로부터의 레이저광 조사가, 그 회로 패턴에 의해 곤란한 경우에는, 웨이퍼 가공용 테이프가 접합된 측의 면으로부터 웨이퍼 가공용 테이프 너머로 레이저광을 조사하는 일이 행해지고 있다. 이러한 경우에 있어서는, 웨이퍼 가공용 테이프에는, 가시광 혹은 근적외광을 충분히 투과하는 성능이 요구된다.

가시광 혹은 근적외광을 충분히 투과하는 방법으로서는, 웨이퍼 가공용 테이프 배면의 표면 조도 Ra를 0.3㎛ 이하로 조정하는 것이 개시되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 그런데, 웨이퍼 가공용 테이프는, 일반적으로 장척의 필름 형상을 갖고 있으며, 롤상으로 권취된 권회체의 상태로 보관되고 있다. 이와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프를 권회체의 상태로 보관한 경우, 웨이퍼 가공용 테이프 배면의 표면 조도 Ra를 지나치게 작게 하면, 겹쳐 감겨진 웨이퍼 가공용 테이프끼리 달라붙기 쉽고, 웨이퍼 가공용 테이프를 사용할 때, 권회체로부터 조출될 때에 블로킹이라고 불리는 걸림이 발생하기 쉬워진다. 그래서, 특허문헌 1에는, 이 블로킹을 억제하기 위해, 웨이퍼 가공용 테이프 배면의 표면 조도 Ra를 0.1㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다는 것이 개시되어 있다.

여기서, 웨이퍼 가공용 테이프로서는, 웨이퍼에의 접착이나, 다이싱 시의 링 프레임에의 설치 등의 작업성을 고려하여, 프리컷 가공이 실시된 것이 있다. 프리컷 가공된 다이싱 테이프의 예를, 도 2 및 도 3에 도시한다. 도 2, 도 3의 (a), (b)는, 각각 다이싱 테이프(50)의 사시도, 평면도, 단면도이다. 웨이퍼 가공용 테이프(50)는 이형 필름(51)과 점착 필름(52)을 포함한다. 점착 필름(52)은, 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 형상을 갖는 라벨부(52a)와, 해당 라벨부(52a)의 외측을 둘러싸는 주변부(52b)를 갖고 있다. 라벨부(52a)의 주위에는, 점착 필름(52)이 존재하지 않고, 이형 필름(51)만으로 되어 있는 부분이 있다.

웨이퍼를 다이싱할 때에는, 점착 필름(52)의 라벨부(52a)를 이형 필름(51)으로부터 박리하고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 접착하고, 점착 필름(52)의 외주부에 다이싱용 링 프레임(R)을 점착 고정한다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱하고, 그 후, 점착 필름(52)에 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 필름(52)은, 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 반도체 칩이 용이하게 박리된다.

일본 특허 공개 제2012-15236호 공보

그러나, 웨이퍼 가공용 테이프(50)가, 상술한 바와 같이 프리컷 가공되어 있는 경우에는, 이형 필름(51)만의 부분과 라벨부(52a)가 형성되어 있는 부분이 존재하기 때문에, 롤 형상으로 권취하면, 라벨부(52a)에 권취압이 걸려, 특허문헌 1에 개시된 범위의 표면 조도 Ra라도 블로킹이 발생하기 쉬워지고, 웨이퍼 가공용 테이프를 사용할 때, 권회체로부터 조출하려고 한 라벨부(52a)가 권회체측의 웨이퍼 가공용 테이프(50) 배면에 접착되어 함께 딸려가 버리는 경우가 있었다.

그래서, 본 발명의 목적은, 프리컷 가공된 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취된 상태에서 보관하였을 때, 라벨부(52a)가 웨이퍼 가공용 테이프의 배면과 블로킹하는 것을 억제하고, 롤 형상으로 권취된 상태로부터 조출할 때, 라벨부(52a)를 양호하게 조출할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 데 있다.

상술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 장척의 이형 필름과, 상기 이형 필름의 제1 면 상에 설치된 다이싱용 링 프레임에 대응하는 소정 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과, 상기 이형 필름의 짧은 변 방향 양단부이며, 상기 점착 필름이 형성된 제1 면과는 반대인 제2 면 상에 설치된 지지 부재를 갖고, 상기 점착 필름은, 상기 이형 필름에 접촉하고 있지 않은 측의 산술 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이고, 상기 지지 부재는, 두께가 30 내지 150㎛인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는, 상기 지지 부재가, 상기 이형 필름을 통하여 상기 라벨부와 겹치는 영역을 갖도록 설치되어 있고, 상기 라벨부와 겹치는 영역의, 상기 이형 필름의 짧은 변 방향에 있어서의 최대폭이 25mm 이하인 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼 가공용 테이프는, 상기 지지 부재가 2층 이상의 적층 구조를 갖는 것이 바람직하다.

또한, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는, 상기 지지 부재가, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프인 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 프리컷 가공된 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취된 상태로 보관하였을 때, 라벨부가 웨이퍼 가공용 테이프의 배면과 블로킹하는 것을 억제하고, 롤 형상으로 권취된 상태로부터 조출할 때, 라벨부를 양호하게 조출할 수 있다.

도 1의 (a)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이고, (b)는, 동일 단면도이다.
도 2는, 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 사시도이다.
도 3의 (a)는, 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이고, (b)는, 동일 단면도이다.
도 4는, 웨이퍼 가공용 테이프와 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도이다.

이하에, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1의 (a)는, 본 발명의 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도, 도 1의 (b)는, 도 1의 (a)의 단면도이다.

도 1의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 장척의 이형 필름(11)과, 점착 필름(12)과, 지지 부재(13)를 갖는다.

점착 필름(12)은, 이형 필름(11)의 제1 면(11a)에 형성된 라벨부(12a)와, 이 라벨부(12a)의 외측을 둘러싸는 주변부(12b)를 갖는다. 주변부(12b)는, 라벨부(12a)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시한 바와 같은 완전히는 둘러싸지 않는 형태를 포함한다. 라벨부(12a)는, 다이싱용 링 프레임에 대응하는 형상을 갖는다.

지지 부재(13)는, 이형 필름(11)의, 점착 필름(12)이 형성된 제1 면(11a)과는 반대인 제2 면(11b)이며, 또한 이형 필름(11)의 짧은 변 방향 양단부에 설치되고, 이형 필름(11)에 접촉하는 라벨부(12a)의 영역에 관한 제1 면(11a)의 영역에 대응하는 영역에 설치되어 있다. 즉, 지지 부재(13)는, 이형 필름(11)을 통하여 라벨부(12a)와 겹치는 영역을 갖도록 설치되어 있다.

지지 부재(13)는, 이형 필름(11)의 긴 변 방향을 따라, 단속적 또는 연속적으로 설치할 수 있지만, 전사 흔적의 발생을 보다 효과적으로 억제한다는 관점에서는, 이형 필름(11)의 긴 변 방향을 따라 연속적으로 설치하는 것이 바람직하다.

이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.

(이형 필름)

본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 사용되는 이형 필름(11)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계, 폴리에틸렌계, 기타, 이형 처리가 이루어진 필름 등 주지의 것을 사용할 수 있다.

이형 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 적절하게 설정해도 되지만, 25 내지 50㎛가 바람직하다.

(점착 필름)

본 발명의 점착 필름(12)은, 상술한 바와 같이, 다이싱용 링 프레임의 형상에 대응하는 라벨부(12a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(12b)를 갖는다. 이러한 점착 필름은, 프리컷 가공에 의해, 필름 형상 점착제로부터 라벨부(12a)의 주변 영역을 제거함으로써 형성할 수 있다. 다이싱용 링 프레임의 형상에 대응하는 형상은, 링 프레임의 내측과 대략 동일한 형상이며 링 프레임 내측의 크기보다 큰 상사형이다. 또한, 반드시 원형이 아니어도 되지만, 원형에 가까운 형상이 바람직하고, 원형인 것이 더욱 바람직하다.

점착 필름(12)으로서는, 특별히 제한은 없고, 웨이퍼를 다이싱할 때에는 웨이퍼가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 박리할 수 있도록 낮은 점착력을 나타내는 것이면 된다. 예를 들어, 기재 필름에 점착제층을 형성한 것을 적합하게 사용할 수 있다.

점착 필름(12)의 기재 필름으로서는, 점착제층과 반대측의 면(즉 점착 필름(12)이 이형 필름(11)과 접촉하고 있지 않은 측의 면)의 산술 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하라면, 종래 공지의 것이면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있다. 또한, 후술하는 점착제층으로서 방사선 경화성 재료를 사용하는 경우에는, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.

예를 들어, 그 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머, 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름은 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되며, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다.

기재 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 적절하게 설정해도 되지만, 50 내지 200㎛가 바람직하다.

충분한 투과성을 실현하기 위한 기재 필름의 산술 표면 조도 Ra는 0.3㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.25㎛ 이하이다. 산술 표면 조도 Ra가 0.3㎛보다 커지면, 입사 광선이 산란되어 버려, 충분한 투과성이 얻어지지 않는다.

가공 후의 품질 확인을 위해, 칩의 상태 등을, 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 접합된 면으로부터 눈으로 확인하거나, 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 접합된 측의 면으로부터 웨이퍼 가공용 테이프(10) 너머로 레이저광을 조사하여 반도체 웨이퍼를 가공하거나 하는 경우의 충분한 투과율의 구체적인 수치로서는, 400 내지 1100nm에 있어서의 평행선 투과율이 80％ 이상인 것이 바람직하다.

점착 필름(12)의 점착제층에 사용되는 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 점착제에 사용되는 공지의 염소화폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 점착제층(13)의 수지에는, 아크릴계 점착제, 방사선 중합성 화합물, 광중합 개시제, 경화제 등을 적절하게 배합하여 점착제를 조제하는 것이 바람직하다. 점착제층(13)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니며 적절하게 설정해도 되지만, 5 내지 30㎛가 바람직하다.

방사선 중합성 화합물을 점착제층에 배합하여 방사선 경화에 의해 접착제층으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다. 그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광조사에 의해 3차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분자량 화합물이 사용된다.

구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타 아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등이 적용 가능하다.

또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아나토 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아나토, 2,6-톨릴렌디이소시아나토, 1,3-크실릴렌디이소시아나토, 1,4-크실릴렌디이소시아나토, 디페닐메탄 4,4-디이소시아나토 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아나토 우레탄 예비중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다. 점착제층은, 상기 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.

광중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러 케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부가 바람직하다.

(지지 부재)

지지 부재(13)는, 이형 필름(11)의 짧은 변 방향 양단부이며, 점착 필름(12)이 형성된 제1 면(11a)과는 반대인 제2 면(11b) 상에, 이형 필름(11)을 통하여 라벨부(12a)와 겹치는 영역을 갖도록 설치되어 있다. 지지 부재(13)의 두께는 30 내지 150㎛이고, 보다 바람직하게는 40 내지 140㎛이다.

지지 부재(13)를 설치함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 롤 형상으로 권취된 상태에 있어서는, 점착 필름(12)의 라벨부(12a)와 해당 라벨부(12a)의 권회체에 있어서의 내측에 위치하는 웨이퍼 가공용 테이프(10) 배면의 사이에 공간을 형성하여, 양자가 밀착되지 않도록 할 수 있기 때문에, 라벨부(52a)가 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 배면(이형 필름(11)의 배면)과 블로킹하는 것을 억제하고, 롤상으로 권취된 상태로부터 조출할 때, 라벨부(52a)가 권회체측으로 함께 딸려가지 않고 양호하게 조출할 수 있다.

지지 부재(13)가 20㎛보다 얇으면, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권회체로의 반송이나, 웨이퍼 링에 접합할 때의 장치에의 설치에 의한 진동으로, 라벨부(12a)와 해당 라벨부(12a)의 권회체에 있어서의 내측에 위치하는 웨이퍼 가공용 테이프(10) 배면과 밀착해 버릴 우려가 있어, 충분한 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, 지지 부재(13)가 150㎛보다 두꺼우면, 권회체로 하였을 때의 권취 직경이 커지고, 중량도 올라가 버려 취급이 어려워진다.

지지 부재(13)는, 라벨부(12a)와 겹치는 영역의, 이형 필름의 짧은 변 방향에 있어서의 최대폭 x(도 1의 (a) 참조)가 25mm 이하인 것이 바람직하다. 지지 부재(13)와 라벨부(12a)가 겹치는 영역의 최대폭 x가 25mm보다 커지면, 권회체의 상태에 있어서, 라벨부(12a)와 해당 라벨부(12a)의 권회체에 있어서의 내측에 위치하는 지지 부재(13)의 접촉 면적이 지나치게 커져, 라벨부(12a)와 지지 부재(13)의 사이에서 블로킹이 발생하고, 권회체로부터 조출하려고 한 라벨부(52a)가 권회체측의 지지 부재(14)에 접착되어 함께 딸려가 버릴 우려가 있다. 또한, 지지 부재(13)의 권회체측과 접하는 측의 표면은 거칠어도 된다. 지지 부재(13)의 표면이 거칠면 권회체측과의 접촉 면적을 낮출 수 있다.

지지 부재(13)는, 라벨부(12a)와 겹치는 영역을 갖고 있지 않아도 되며, 라벨부(12a)의 외측 에지와 이형 필름의 짧은 변 방향 단부의 사이에 설치해도 된다.

지지 부재(13)로서는, 예를 들어 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프를 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 점접착 테이프를, 이형 필름(11)의 제2 면(11b)의 양단 부분의 소정 위치에 접착함으로써, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 형성할 수 있다. 점접착 테이프는, 1층만을 접착해도 되고, 얇은 테이프를 적층시켜도 된다.

점접착 테이프의 수지 필름 기재로서는, 권취압에 견딜 수 있는 것이면 특별히 한정은 없지만, 내열성, 평활성 및 입수 용이성의 점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌, 및 고밀도 폴리에틸렌으로부터 선택되는 것이 바람직하다.

점접착 테이프의 점접착제의 조성 및 물성에 대해서는, 특별히 한정은 없으며, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 공정 및 보관 공정에 있어서, 이형 필름(11)으로부터 박리되지 않는 것이면 된다.

또한, 지지 부재(13)로서는, 착색된 지지 부재를 사용해도 된다. 이러한 착색 지지 부재를 사용함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취하였을 때, 테이프의 종류를 명확하게 식별할 수 있다. 예를 들어, 착색 지지 부재의 색을, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 종류나 두께에 따라 상이하게 함으로써, 용이하게 테이프의 종류나 두께를 식별할 수 있어, 인위적인 실수의 발생을 억제, 방지할 수 있다.

<실시예>

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

이하의 방법으로 실시예, 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하고, 그 성능을 평가하였다.

(기재 필름의 제작)

[기재 필름 1A]

가부시키가이샤 NUC제 폴리에틸렌 수지 「NUC-8122」를 가열 용융하고, 압출 성형하여 두께 100㎛의 기재 필름 1A를 제작하였다. 성형 시에, 점착제가 도포 시공되지 않는 면에 조면 처리를 실시하고, 표 1에 나타내는 표면 조도로 되도록, 각각 표면 조도의 조정을 행하여 복수 종류의 기재 필름을 제작하였다.

[기재 필름 1B]

스미토모 가가쿠 가부시키가이샤제 EMMA 수지 「아크리프트 WD201」을 사용한 것 이외에는, 기재 필름 1A와 마찬가지로 하여, 기재 필름 1B를 제작하였다.

[기재 필름 1C]

스미토모 가가쿠 가부시키가이샤제 에틸렌아세트산비닐 공중합 수지 「에바테이트」를 사용한 것 이외에는, 기재 필름 1A와 마찬가지로 하여, 기재 필름 1C를 제작하였다.

(점착제 조성물의 조제)

[점착제 조성물 2A]

2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 포함하는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량 20만) 100중량부에 대하여, 경화제로서 도소 가부시키가이샤제 폴리이소시아네이트 「코로네이트 L」을 2중량부 첨가하여, 점착제 조성물 2A를 얻었다.

[점착제 조성물 2B]

2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 포함하는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량 20만) 100중량부에 대하여, 경화제로서 도소 가부시키가이샤제 폴리이소시아네이트 「코로네이트 L」을 2중량부, 아크릴레이트계 올리고머로서 신나카무라 가가쿠 고교사제 「AD-PMT」를 150중량부, 광중합 개시제로서 닛폰 시바 가이기 가부시키가이샤제 「이르가큐어 184」를 2중량부 첨가하여, 자외선 경화형 점착제 조성물 2A를 얻었다.

(지지 부재의 제작)

[지지 부재 3A]

아크릴 수지(질량 평균 분자량 60만, 유리 전이 온도 -20℃) 100중량부에 대하여, 경화제로서 도소 가부시키가이샤제 폴리이소시아네이트 「코로네이트 L」 10질량부를 혼합하여 점착제 조성물을 얻었다.

상기 점착제 조성물을 수지 필름 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에, 건조 막 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조하여, 전체 두께가 35㎛인 지지 부재 3A를, 폭 30mm로 되도록 제작하였다.

[지지 부재 3B]

지지 부재 3A와 상이한 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하여 전체 두께가 48㎛로 되도록 한 것 이외에는, 지지 부재 3A와 마찬가지로 하여, 지지 부재 3B를 제작하였다.

[지지 부재 3C]

수지 필름 기재로서 폴리프로필렌 필름을 사용하고, 전체 두께가 65㎛로 되도록 한 것 이외에는, 지지 부재 3A와 마찬가지로 하여, 지지 부재 3C를 제작하였다.

[지지 부재 3D]

상기 점착제 조성물을 건조 막 두께가 5㎛로 되도록 도포 시공하고, 전체 두께가 25㎛로 되도록 한 것 이외에는, 지지 부재 3C와 마찬가지로 하여, 지지 부재 3D를 제작하였다.

[지지 부재 3E]

수지 필름 기재로서 고밀도 폴리에틸렌 필름을 사용하고, 전체 두께가 150㎛로 되도록 한 것 이외에는, 지지 부재 3A와 마찬가지로 하여, 지지 부재 3E를 제작하였다.

[지지 부재 3F]

수지 필름 기재로서 한쪽의 면을 블라스트 처리한 폴리프로필렌 필름을 사용하고, 블라스트 처리한 면과는 반대측의 면에 상기 점착제 조성물을 도포 시공하고, 전체 두께가 65㎛로 되도록 한 것 이외에는, 지지 부재 3C와 마찬가지로 하여, 지지 부재 3F를 제작하였다.

(웨이퍼 가공용 테이프의 제작)

[실시예 1]

이형 처리한 폴리에틸렌-테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 필름에 점착제 조성물 2A를 건조 막 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조한 후, 기재 필름 1A와 접합하여 점착 필름을 제작하였다. 점착 필름에 대하여, 이형 필름에 대한 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조절하여 원형으로 직경 290mm의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 이어서, 이형 필름 2A의 점착 필름이 형성된 제1 면과는 반대인 제2 면이며, 또한 이형 필름 2A의 짧은 변 방향 양단부에, 점착 필름의 라벨부와 겹치는 영역의, 이형 필름의 짧은 변 방향에 있어서의 최대폭이 25mm로 되도록, 지지 부재 3A를 접합하여, 도 1에 도시하는 구조를 갖는 실시예 1에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.

[실시예 2 내지 6, 비교예 1 내지 3]

표 1에 나타내는 기재 필름, 점착제 조성물, 지지 부재를 사용하고, 라벨부와 겹치는 영역의 최대폭이 표 1에 나타내는 값으로 되도록 지지 부재를 설치한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2 내지 6, 비교예 1 내지 3에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.

(산술 표면 조도 Ra)

실시예, 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 사용한 점착 필름에 대하여, 점착 필름의 이형 필름에 접촉하고 있지 않은 측의 면, 즉 기재 필름의 점착제층이 형성되어 있지 않은 측의 면의 산술 평균 조도 Ra를, 가부시키가이샤 미츠토요제 표면 조도 측정기(서프 테스트 SJ-301)를 사용하여, N=10에서 측정하고, 평균값을 구하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

(권회체로부터의 조출성 평가)

실시예, 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 점착 테이프를, 원형 형상의 점착 필름(라벨부)의 수가 50매로 되도록 롤 형상으로 권취하여, 권회체를 제작하였다. 링 프레임에 접합하는 접합 장치에 의해, 권회체로부터 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 조출하고, 라벨부가 잘 조출되지 않고, 권회체측으로 함께 딸려가 버린 매수를 계측하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

(투과율)

실시예, 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 사용한 점착 필름에 대하여, 평행 광선 투과율을 측정하였다. 측정은, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제 UV-3101 분광 광도계를 사용하여, 400 내지 1100nm의 범위에서 행하여, 가장 낮아진 투과율을 구하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 6의 웨이퍼 가공용 테이프는, 점착 필름의 이형 필름에 접촉하고 있지 않은 측의 산술 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이고, 지지 부재의 두께가 30 내지 150㎛이기 때문에, 높은 투과성을 가짐과 함께 권회체로부터 조출을 양호하게 행할 수 있었다. 지지 부재가 라벨부와 겹치는 영역의, 이형 필름의 짧은 변 방향에 있어서의 최대폭이 25mm 이하인 실시예 1 내지 5는, 권회체로부터의 조출성 평가에 있어서 특히 우수한 결과였다.

이에 비해, 비교예 1의 웨이퍼 가공용 테이프는, 표 1에 나타내는 바와 같이, 점착 필름의 이형 필름에 접촉하고 있지 않은 측의 산술 표면 조도 Ra가 0.3㎛보다 크기 때문에, 투과성이 충분하지 않았다. 또한, 비교예 2의 웨이퍼 가공용 테이프는, 지지 부재의 두께가 30㎛보다 얇기 때문에, 라벨부와 이형 필름의 배면의 사이에서 블로킹이 발생하고, 라벨부가 권회체측의 이형 필름의 배면에 접착되어 함께 딸려가, 권회체로부터 조출할 수 없는 라벨부가 8매 있었다. 또한, 지지 부재를 설치하지 않은 비교예 3에서는, 권회체로부터 조출할 수 없는 라벨부가 10매 있었다.

10: 웨이퍼 가공용 테이프
11: 이형 필름
12: 점착 필름
12a: 라벨부
12b: 주변부
13: 지지 부재

Claims

장척의(긴) 이형 필름과,
상기 이형 필름의 제1 면 상에 설치된 다이싱용 링 프레임에 대응하는 소정 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과,
상기 이형 필름의 짧은 변 방향 양단부이며, 상기 점착 필름이 형성된 제1 면과는 반대인 제2 면 상에 설치된 지지 부재를 갖고,
상기 점착 필름은, 상기 이형 필름에 접촉하고 있지 않은 측의 산술 표면 조도 Ra가 0.3㎛ 이하이고,
상기 지지 부재는, 두께가 30 내지 150㎛인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
제1항에 있어서, 상기 지지 부재는, 상기 이형 필름을 통하여 상기 라벨부와 겹치는 영역을 갖도록 설치되어 있고, 상기 라벨부와 겹치는 영역의, 상기 이형 필름의 짧은 변 방향에 있어서의 최대폭이 25mm 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재는, 상기 이형 필름의 긴 변 방향을 따라 연속적으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재는 2층 이상의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 부재는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.