KR101809331B1 - 웨이퍼 가공용 테이프 - Google Patents
웨이퍼 가공용 테이프 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101809331B1 KR101809331B1 KR1020150170550A KR20150170550A KR101809331B1 KR 101809331 B1 KR101809331 B1 KR 101809331B1 KR 1020150170550 A KR1020150170550 A KR 1020150170550A KR 20150170550 A KR20150170550 A KR 20150170550A KR 101809331 B1 KR101809331 B1 KR 101809331B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- adhesive layer
- film
- release film
- adhesive
- tape
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3512—Cracking
- H01L2924/35121—Peeling or delaminating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
본 발명의 과제는, 라벨 자국의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 접착제층의 두께에 관계없이 지지 부재를 선정할 수 있음과 함께, 접착제층과 점착 필름 사이에 공기가 말려 들어가는 것을 저감시킬 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것이다.
장척의 이형 필름(11)과, 이형 필름(11)의 제1면 상에 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층(12)과, 접착제층(12)을 덮고, 또한 접착제층(12)의 주위에서 이형 필름(11)에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부(13a)와, 라벨부(13a)의 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는 점착 필름(13)과, 이형 필름(11)의 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 접착제층(12)에 대응하는 부분을 포함하고 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라 설치된 지지 부재(14)를 갖는 것을 특징으로 한다.
장척의 이형 필름(11)과, 이형 필름(11)의 제1면 상에 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층(12)과, 접착제층(12)을 덮고, 또한 접착제층(12)의 주위에서 이형 필름(11)에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부(13a)와, 라벨부(13a)의 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는 점착 필름(13)과, 이형 필름(11)의 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 접착제층(12)에 대응하는 부분을 포함하고 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라 설치된 지지 부재(14)를 갖는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것으로, 특히 다이싱 테이프와 다이 본딩 필름의 2개의 기능을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.
최근, 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단 분리(다이싱)할 때에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하기 위해, 또는, 스택드 패키지에 있어서는, 반도체 칩끼리를 적층, 접착하기 위한 다이 본딩 필름(다이 어태치 필름이라고도 함)의 2개의 기능을 겸비하는 다이싱·다이 본딩 테이프가 개발되어 있다.
이러한 다이싱·다이 본딩 테이프로서는, 웨이퍼에의 접착이나, 다이싱 시의 링 프레임에의 설치 등의 작업성을 고려하여, 프리컷 가공이 실시된 것이 있다.
프리컷 가공된 다이싱·다이 본딩 테이프의 예를, 도 4 및 도 5에 나타낸다. 도 4는 다이싱·다이 본딩 테이프를 롤 형상으로 권취한 상태를 도시하는 도면이며, 도 5의 (a)는 다이싱·다이 본딩 테이프의 평면도이며, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 선 B-B에 의한 단면도이다. 다이싱·다이 본딩 테이프(50)는, 이형 필름(51)과, 접착제층(52)과, 점착 필름(53)을 포함한다. 접착제층(52)은, 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형으로 가공된 것이며, 원형 라벨 형상을 갖는다. 점착 필름(53)은, 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 부분의 주변 영역이 제거된 것이며, 도시와 같이, 원형 라벨부(53a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(53b)를 갖는다. 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는, 그 중심을 맞추어 적층되고, 또한 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는, 접착제층(52)을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름(51)에 접촉하고 있다.
웨이퍼를 다이싱할 때에는, 적층 상태의 접착제층(52) 및 점착 필름(53)으로부터 이형 필름(51)을 박리하고, 도 6에 도시하는 바와 같이, 접착제층(52) 상에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 접착하고, 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 외주부에 다이싱용 링 프레임(R)을 점착 고정한다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱하고, 그 후, 점착 필름(53)에 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 필름(53)은, 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 접착제층(52)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(52)이 부착된 상태에서 픽업된다. 반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(52)은, 그 후, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에 다이 본딩 필름으로서 기능한다.
그런데, 상기한 바와 같은 다이싱·다이 본딩 테이프(50)는, 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)가 적층된 부분은, 점착 필름(53)의 주변부(53b)보다도 두껍다. 이로 인해, 제품으로서 롤 형상으로 권취되었을 때에, 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 적층 부분과, 점착 필름(53)의 주변부(53a)의 단차가 겹치고, 유연한 접착제층(52) 표면에 단차가 전사되는 현상, 즉, 도 7에 도시하는 바와 같은 전사 자국(라벨 자국, 주름, 또는, 권취 자국이라고도 함)이 발생한다. 이러한 전사 자국의 발생은, 특히 접착제층(52)이 유연한 수지로 형성되는 경우나 두툼한 경우 및 테이프(50)의 권취수가 많은 경우 등에 현저하다. 그리고, 전사 자국이 발생하면, 접착제층과 반도체 웨이퍼의 접착 불량에 의해, 웨이퍼의 가공 시에 문제가 발생할 우려가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 이형 필름의, 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 이형 필름의 짧은 방향 양단부에 지지 부재를 설치한 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이러한 웨이퍼 가공용 테이프는, 지지 부재가 설치되어 있으므로, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하였을 때에, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은, 지지 부재에 모을 수 있으므로, 접착제층에의 전사 자국의 형성을 억제할 수 있다.
그러나, 상기 특허문헌 1에 기재된 웨이퍼 가공용 테이프에서는, 접착제층에의 전사 자국의 형성을 충분히 억제하기 위해서는, 지지 부재의 두께를 접착제층의 두께 이상으로 할 필요가 있으므로, 지지 부재의 선정에 제약이 있다고 하는 문제가 있었다. 또한, 점착 필름은, 접착제층을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름에 접촉하고 있지만, 접착제층의 두께에 의해, 이형 필름과 점착 필름 사이에 극히 근소한 공극이 발생하고, 공기(에어)가 남는 경우가 있다. 상기 특허문헌 1에 기재된 웨이퍼 가공용 테이프는, 이형 필름의 짧은 방향 양단부에 지지 부재가 설치되어 있으므로, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취한 상태에서는, 라벨부와 그 위에 권취된 이형 필름 사이가 중공 구조로 되므로, 상기 공기(에어)가 이동하여 접착제층과 점착 필름 사이에 침입할 가능성이 있다고 하는 문제가 있었다. 접착제층과 점착 필름 사이에 침입한 공기(에어)는, 보이드라고도 불리고, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 접합 불량을 발생시키고, 그 후의 반도체 웨이퍼(W)의 다이싱 공정이나 칩의 픽업 공정, 본딩 공정에서의 수율의 저하를 초래할 우려가 있다.
따라서, 본 발명은 라벨 자국의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 접착제층의 두께에 관계없이 지지 부재를 선정할 수 있음과 함께, 접착제층과 점착 필름 사이에 공기(에어)를 말려 들어가게 하는 것을 저감시킬 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것을 과제로 한다.
이상의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 장척의 이형 필름과, 상기 이형 필름의 제1면 상에 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층과, 상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과, 상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 상기 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 상기 접착제층에 대응하는 부분을 포함하고 상기 라벨부의 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 상기 이형 필름의 긴(길이) 방향을 따라 설치된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재가, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 중앙부에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재가, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 폭이 10∼50㎜인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 라벨 자국의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 접착제층의 두께에 관계없이 지지 부재를 선정할 수 있음과 함께, 접착제층과 점착 필름 사이에 공기를 말려 들어가게 하는 것을 저감시킬 수 있다.
도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이며, (b)는 (a)의 선 A-A에 의한 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 4는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 사시도.
도 5의 (a)는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이며, (b)는 (a)의 선 B-B에 의한 단면도.
도 6은 웨이퍼 가공용 테이프와 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도.
도 7은 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 문제를 설명하기 위한 모식도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 4는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 사시도.
도 5의 (a)는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이며, (b)는 (a)의 선 B-B에 의한 단면도.
도 6은 웨이퍼 가공용 테이프와 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도.
도 7은 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 문제를 설명하기 위한 모식도.
이하에 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프(다이싱·다이 본딩 테이프)의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 선 A-A에 의한 단면도이다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 장척의 이형 필름(11)과, 접착제층(12)과, 점착 필름(13)과, 지지 부재(14)를 갖는다.
접착제층(12)은, 이형 필름의 제1면 상에 형성되고, 웨이퍼의 형상에 대응한 원형 라벨 형상을 갖고 있다. 점착 필름(13)은, 접착제층(12)을 덮고, 또한 접착제층(12)의 주위에서 이형 필름에 접촉하도록 설치된 원형 라벨부(13a)와, 이 원형 라벨부(13a)의 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 주변부(13b)는, 원형 라벨부(13a)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시와 같은 완전히 둘러싸지는 않는 형태를 포함한다. 원형 라벨부(13a)는, 다이싱용의 링 프레임에 대응하는 형상을 갖는다. 그리고, 지지 부재(14)는, 이형 필름(11)의, 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1면(11a)과는 반대인 제2면(11b)이며, 또한 접착제층(12)에 대응하는 부분을 포함하고 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 r에 설치되어 있다.
이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.
(이형 필름)
본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 사용되는 이형 필름(11)으로서는, 폴리에스테르(PET, PBT, PEN, PBN, PTT)계, 폴리올레핀(PP, PE)계, 공중합체(EVA, EEA, EBA)계, 또한 이들 재료를 일부 치환하여, 접착성이나 기계적 강도를 더 향상시킨 필름을 사용할 수 있다. 또한, 이들 필름의 적층체여도 된다.
이형 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 적절하게 설정해도 되지만, 25∼50㎛가 바람직하다.
(접착제층)
본 발명의 접착제층(12)은, 상술한 바와 같이, 이형 필름(11)의 제1면(11a) 상에 형성되고, 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형 라벨 형상을 갖는다.
접착제층(12)은, 반도체 웨이퍼 등이 접합되어 다이싱된 후, 칩을 픽업할 때에, 칩 이면에 부착되어 있고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 접착제층(12)으로서는, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 점접착제 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 이 밖에, 폴리이미드계 수지나 실리콘계 수지를 사용할 수도 있다. 그 두께는 적절히 설정해도 되지만, 5∼100㎛ 정도가 바람직하다.
(점착 필름)
본 발명의 점착 필름(13)은, 상술한 바와 같이, 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 라벨부(13a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 이러한 점착 필름은, 프리컷 가공에 의해, 필름 형상 점착제로부터 원형 라벨부(13a)의 주변 영역을 제거함으로써 형성할 수 있다.
점착 필름(13)으로서는, 특별히 제한은 없고, 웨이퍼를 다이싱할 때에는 웨이퍼가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층으로부터 박리될 수 있도록 낮은 점착력을 나타내는 것이면 된다. 예를 들어, 기재 필름에 점착제층을 형성한 것을 적절하게 사용할 수 있다.
점착 필름(13)의 기재 필름으로서는, 종래 공지의 것이라면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 점착제층으로서 방사선 경화성의 재료를 사용하는 경우에는, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 그 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 또는 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머, 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름은 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다.
기재 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 적절하게 설정해도 되지만, 50∼200㎛가 바람직하다.
점착 필름(13)의 점착제층에 사용되는 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 점착제에 사용되는 공지의 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.
점착제층(13)의 수지에는, 아크릴계 점착제, 방사선 중합성 화합물, 광 중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제를 조제하는 것이 바람직하다. 점착제층(13)의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니라 적절하게 설정해도 되지만, 5∼30㎛가 바람직하다.
방사선 중합성 화합물을 점착제층에 배합하여 방사선 경화에 의해 접착제층으로부터 박리되기 쉽게 할 수 있다. 그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광 조사에 의해 삼차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분량 화합물이 사용된다.
구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타 아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등이 적용 가능하다.
또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄프리폴리머에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다.
점착제층에는, 상기한 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.
광 중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광 중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대해 0.01∼5질량부가 바람직하다.
(지지 부재)
지지 부재(14)는, 이형 필름(11)의, 접착제층(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1면(11a)과는 반대인 제2면(11b)이며, 또한 접착제층(12)에 대응하는 부분을 포함하고 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 r 내에, 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라 설치되어 있다. 이러한 지지 부재(14)를 설치함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취하였을 때에, 지지 부재(14)가 존재하는 부분에 압력이 가해지므로, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)의 적층 부분과, 점착 필름(13)의 주변부(13a)의 단차가 겹쳐 접착제층(12) 표면에 단차가 라벨 자국으로서 전사되는 일이 없다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취한 상태에서는, 지지 부재(14)가 존재하는 부분에 압력이 가해지고, 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부는 구속되어 있지 않으므로, 접착제층(12)의 두께에 의해, 이형 필름(11)과 원형 라벨부(13a) 사이에 발생한 간극에 남은 공기(에어)가 원형 라벨부(13a)의 외측으로 배출된다.
지지 부재(14)를 설치하는 위치는, 영역 r 내이면 되고, 도 1에 도시하는 바와 같이, 영역 r의 전역에 설치해도 되고, 영역 r의 일부의 임의의 위치에 설치해도 된다. 영역 r의 일부에 설치하는 경우에는, 도 2, 3에 도시하는 바와 같이, 이형 필름의 짧은 방향의 중앙부에 지지 부재(14', 14")를 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 영역 r의 일부에 지지 부재(14)를 설치한 경우, 접착제층(12)에 지지 부재(14)의 전사 자국이 발생하는 경우가 있지만, 이 경우의 전사 자국은, 이형 필름(11)의 긴 방향으로 직선상으로 발생하므로, 웨이퍼 접합 시에 보이드를 말려 들어가게 한 경우라도 접합 롤러에 의해 훑어져, 보이드가 라벨 밖으로 배출되므로, 랜덤하게 발생하는 라벨 자국과는 달리, 문제가 되지는 않는다.
또한, 영역 r은, 도 1에 도시하는 것보다도 외측, 즉, 원형 라벨부(13a)의 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분의 근방까지 포함되어 있어도 되지만, 접착제층(12)의 두께에 의해, 이형 필름(11)과 원형 라벨부(13a) 사이에 발생한 간극에 남은 공기(에어)를 원형 라벨부(13a)의 외측으로 보다 신속하게 배출되기 쉽게 하기 위해서는, 접착제층(12)으로부터 지나치게 이격되지 않는 쪽이 좋다.
이형 필름의 짧은 방향의 폭은, 영역 r 내에 상당하는 크기이면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 10∼50㎜인 것이 바람직하다.
지지 부재(14)의 두께는, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)의 적층 부분과 점착 필름(13)의 주변부(13b)의 단차에 상당하는 두께, 즉, 접착제층(12)과 동일하거나, 또는, 그 이상으로 할 필요는 없고, 적절히 선택할 수 있다. 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 롤 형상으로 권취하였을 때에는, 지지 부재(14)가 존재하는 부분에 압력이 가해지므로, 지지 부재(14)와 접촉하지 않는 라벨 부분에는 압력이 가해지지 않고, 중공 상태로 되어 있으므로, 접착제층(12)의 두께에 관계없이, 라벨 자국을 방지할 수 있다. 단, 접착제층(12)과 동일하거나, 또는, 그 이상의 두께로 할 수도 있다. 또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 얇은 점착 테이프를 적층시킨 지지 부재(14")를 설치해도 된다.
지지 부재(14)는, 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라, 단속적 또는 연속적으로 설치할 수 있지만, 전사 자국의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서는, 기재 필름(11)의 긴 방향을 따라 연속적으로 설치하는 것이 바람직하다.
또한, 지지 부재(14)는, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지하는 관점에서, 점착 필름(13)에 대해 어느 정도의 마찰 계수를 갖는 재질의 것이 바람직하다. 이에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취나 권취수를 증대시킬 수 있는 것과 같은 효과가 얻어진다.
지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름 사이의 정지 마찰 계수는, 0.2∼2.0인 것이 바람직하고, 0.6∼1.6인 것이 보다 바람직하다. 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하면, 이형 필름(11)의 제1면(11a)측에 설치된 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)와, 이형 필름(11)의 제2면(11b)측에 설치된 지지 부재(14)가 접촉하므로, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 미만으로 작은 경우에는, 제조 시나 사용 시에 권취 어긋남이 발생하기 쉬워져 핸들링성이 악화된다. 한편, 2.0보다 큰 경우에는, 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14) 사이의 저항이 지나치게 커서, 제조 공정에서의 핸들링성이 악화되거나, 고속 권취 시 등에 사행(蛇行)하는 원인으로 된다. 따라서, 양자간의 정지 마찰 계수를 상기 범위로 설정함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취를 가능하게 하고, 권취수를 증대시킬 수 있는 것과 같은 효과가 얻어진다.
본 발명에 있어서, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름 사이의 정지 마찰 계수는, JIS K7125에 준거하고, 이하와 같은 측정 방법에 의해 얻을 수 있다.
25㎜(폭)×100㎜(길이)로 각각 커트된 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14)의 양 필름 샘플을 겹치고, 하측의 필름을 고정한다. 이어서, 적층된 필름 상에 중량 200g의 추를 하중 W로서 얹고, 상측의 필름을 200㎜/min의 속도로 잡아당기고, 미끄러져 나올 때의 힘 Fd(g)를 측정하고, 이하의 식으로부터 정지 마찰 계수(μd)를 구한다.
μd=Fd/W
지지 부재(14)로서는, 예를 들어 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프를 적절하게 사용할 수 있다. 이러한 점접착 테이프를, 이형 필름(11)의 제2면(11b)의 소정 위치에 접착함으로써, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 형성할 수 있다.
점접착 테이프의 기재 수지로서는, 상기 선팽창 계수의 범위를 충족시키고, 또한 권취압에 견딜 수 있는 것이라면 특별히 한정은 없지만, 내열성, 평활성 및 입수 용이성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
점접착 테이프의 점착제의 조성 및 물성에 대해서는, 특별히 한정은 없고, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 공정 및 보관 공정에 있어서, 이형 필름(11)으로부터 박리되지 않는 것이면 된다.
또한, 지지 부재(14)로서는, 착색된 지지 부재를 사용해도 된다. 이러한 착색 지지 부재를 사용함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하였을 때에, 테이프의 종류를 명확하게 식별할 수 있다. 예를 들어, 착색 지지 부재(14)의 색을, 웨이퍼 가공용 테이프의 종류나 두께에 따라 다르게 함으로써, 용이하게 테이프의 종류나 두께를 식별할 수 있고, 인위적인 미스의 발생을 억제, 방지할 수 있다.
[실시예]
다음으로, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(1) 점착 필름의 제작
[점착 필름 1A]
용매의 톨루엔 400g 중에, n-부틸아크릴레이트 128g, 2-에틸헥실아크릴레이트 307g, 메틸메타아크릴레이트 67g, 메타크릴산 1.5g, 중합 개시제로서 벤조일퍼옥시드의 혼합액을, 적절히, 적하량을 조정하고, 반응 온도 및 반응 시간을 조정하고, 관능기를 갖는 화합물 (1)의 용액을 얻었다.
다음으로 이 폴리머 용액에, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물 (2)로서, 별도로 메타크릴산과 에틸렌글리콜로부터 합성한 2-히드록시에틸메타크릴레이트 2.5g, 중합 금지제로서 히드로퀴논을 적절히 적하량을 조정하여 첨가하고 반응 온도 및 반응 시간을 조정하여, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 (A)의 용액을 얻었다. 계속해서, 화합물 (A) 용액 중의 화합물 (A) 100질량부에 대해 폴리이소시아네이트 (B)로서 니혼 폴리우레탄사제:코로네이트 L을 1질량부를 첨가하고, 광 중합 개시제로서 니혼 시바 가이기사제:이르가큐어 184를 0.5질량부, 용매로서 아세트산에틸 150질량부를 화합물 (A) 용액에 첨가하여 혼합하여, 방사선 경화성의 점착제 조성물을 조제하였다.
계속해서, 조제한 점착제층 조성물을 두께 100㎛의 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 기재 필름에, 건조 막 두께가 20㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조하고, 점착 필름 1A를 제작하였다.
(2) 이형 필름
이하에 나타내는 이형 필름 2A를 사용하였다.
이형 필름 2A:두께 38㎛의 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름
(3) 접착제층의 형성
(접착제층 3A)
에폭시 수지로서 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 197, 분자량 1200, 연화점 70℃) 50질량부, 실란 커플링제로서 γ-머캅토프로필트리메톡시실란 1.5질량부, γ-우레이도프로필트리에톡시실란 3질량부, 평균 입경 16㎚의 실리카 필러 30질량부를 포함하는 조성물에, 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 또한 비즈 밀을 사용하여 90분 혼련하였다.
이것에 아크릴 수지(질량 평균 분자량:80만, 유리 전이 온도 -17℃) 100질량부, 6관능 아크릴레이트 모노머로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 5질량부, 경화제로서 헥사메틸렌디이소시아네이트의 어덕트체 0.5질량부, 큐어졸 2PZ[시꼬꾸 가세이(四國化成)(주)제 상품명, 2-페닐이미다졸] 2.5질량부를 첨가하고, 교반 혼합하고, 진공 탈기하고, 접착제를 얻었다.
상기 접착제를 이형 필름 2A 상에 도포하고, 110℃에서 1분간 가열 건조하여, 막 두께가 20㎛인 B 스테이지 상태(열경화성 수지의 경화 중간 상태)의 도막을 형성하고, 이형 필름 2A 상에 접착제층 3A를 형성하고, 냉장 보관하였다.
(접착제층 3B)
상기 접착제를 이형 필름 2A 상에 도포하고, 110℃에서 1분간 가열 건조하여, 막 두께가 60㎛인 B 스테이지 상태(열경화성 수지의 경화 중간 상태)의 도막을 형성하고, 이형 필름 2A 상에 접착제층 3B를 형성하고, 냉장 보관하였다.
(접착제층 3C)
상기 접착제를 이형 필름 2A 상에 도포하고, 110℃에서 1분간 가열 건조하여, 막 두께가 120㎛인 B 스테이지 상태(열경화성 수지의 경화 중간 상태)의 도막을 형성하고, 이형 필름 2A 상에 접착제층 3C를 형성하고, 냉장 보관하였다.
(4) 지지 부재의 제작
(지지 부재 4A)
아크릴 수지(질량 평균 분자량:60만, 유리 전이 온도 -20℃) 100질량부, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물(니혼 폴리우레탄(주)제, 상품명:코로네이트 L) 10질량부를 혼합하여 점착제 조성물을 얻었다.
상기 점착제 조성물을 두께 40㎛의 저밀도 폴리에틸렌 필름에, 건조 막 두께가 20㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조하고, 얻어진 점접착 테이프를 폭 10㎜로 절단하여, 지지 부재 4A를 제작하였다.
(지지 부재 4B)
상기 점착제 조성물을 두께 100㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에, 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조하고, 얻어진 점접착 테이프를 폭 25㎜로 절단하여, 지지 부재 4B를 제작하였다.
(지지 부재 4C)
얻어진 점접착 테이프를 폭 25㎜로 절단한 것 이외는, 지지 부재 4A와 마찬가지로 하여, 지지 부재 4C를 제작하였다.
(지지 부재 4D)
얻어진 점접착 테이프를 폭 50㎜로 절단한 것 이외는, 지지 부재 4A와 마찬가지로 하여, 지지 부재 4D를 제작하였다.
(실시예 1)
냉장 보관하고 있었던 접착제층 3A가 형성된 이형 필름 2A를 상온으로 되돌리고, 접착제층에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조정하여 직경 220㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 그 후, 접착제층의 불필요 부분을 제거하고, 점착 필름 1A를 그 점착제층이 접착제층과 접하도록, 이형 필름 2A를 실온에서 라미네이트하였다. 그리고, 점착 필름 1A에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조절하여 접착제층과 동심원 형상으로 직경 290㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 다음으로, 이형 필름 2A의 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면이며, 또한 이형 필름 2A의 짧은 방향 중앙부에 지지 부재 4A를 접합하여, 도 2에 도시하는 구조를 갖는 실시예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(실시예 2)
지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(실시예 3)
접착제층 3A 대신에 접착제층 3B를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(실시예 4)
접착제층 3A 대신에 접착제층 3B를 사용한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 4의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(실시예 5)
접착제층 3A 대신에 접착제층 3C를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(실시예 6)
접착제층 3A 대신에 접착제층 3C를 사용한 것 이외는 실시예 2와 마찬가지로 하여, 실시예 6의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(실시예 7)
지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4C를 사용한 것 이외는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(실시예 8)
지지 부재 4C 대신에 지지 부재 4D를 사용한 것 이외는 실시예 7과 마찬가지로 하여, 실시예 8의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(비교예 1)
냉장 보관하고 있었던 접착제층 3A가 형성된 이형 필름 2A를 상온으로 되돌리고, 접착제층에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조정하여 직경 220㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 그 후, 접착제층의 불필요 부분을 제거하고, 점착 필름 1A를 그 점착제층이 접착제층과 접하도록, 이형 필름 2A를 실온에서 라미네이트하였다. 그리고, 점착 필름 1A에 대해, 이형 필름에의 절입 깊이가 10㎛ 이하로 되도록 조절하여 접착제층과 동심원 형상으로 직경 290㎜의 원형 프리컷 가공을 행하고, 원형 라벨부 및 주변부를 남기고, 그 밖의 불필요 부분을 제거하였다. 다음으로, 이형 필름 2A의 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1면과는 반대인 제2면이며, 또한 이형 필름 2A의 짧은 방향 양단부에 지지 부재 4A를 접합하여, 선행 특허문헌 1의 도 1에 도시하는 구조를 갖는 비교예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(비교예 2)
지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4B를 사용한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(비교예 3)
접착제층 3A 대신에 접착제층 3B를 사용한 것 이외는 비교예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(비교예 4)
지지 부재 4A 대신에 지지 부재 4B를 사용한 것 이외는 비교예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 4의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(비교예 5)
접착제층 3A 대신에 접착제층 3C를 사용한 것 이외는 비교예 2와 마찬가지로 하여, 비교예 5의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(비교예 6)
지지 부재를 설치하지 않은 것 이외는 비교예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 6의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
(비교예 7)
지지 부재를 설치하지 않은 것 이외는 비교예 5와 마찬가지로 하여, 비교예 7의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다.
[라벨 자국의 억제성의 평가]
실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를, 원형 형상의 점착 필름의 수가 300매로 되도록, 롤 형상으로 권취하고, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 제작하였다. 얻어진 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관하였다. 그 후, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 실온으로 되돌리고 나서 롤을 풀고, 육안으로 라벨 자국의 유무를 관찰하고, 이하의 평가 기준에 따라, ○, △, ×의 3단계로 웨이퍼 가공용 테이프의 전사 자국의 억제성을 평가하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
○(우량품):다양한 각도에서 육안 관찰해도 라벨 자국을 확인할 수 없다
△(허용품):라벨 자국은 확인할 수 있지만 반도체 장치의 가공 공정에 영향을 미치는 정도는 아니다
×(불량품):반도체 장치의 가공 공정에 영향을 미치는 라벨 자국을 확인할 수 있다
[에어의 말려 들어감의 억제성의 평가]
실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를, 원형 형상의 점착 필름의 수가 200매로 되도록, 롤 형상으로 권취하고, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 제작하였다. 얻어진 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 포장 주머니에 넣고, 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관 후, 테이프 표면이 -50℃로 되는 드라이아이스 분위기하에서 3일간 보관하였다. 그 후, 웨이퍼 가공용 테이프 롤을 상온으로 되돌리고 나서 포장 주머니를 개봉하고, 롤을 풀고, 육안으로 접착제층과 점착 필름의 원형 라벨부 사이에 에어의 말려 들어감이 있는지의 여부를 관찰하고, 에어의 말려 들어감이 없는 것을 ○(우량품), 에어의 말려 들어감이 있는 것을 ×(불량품)로 하여, 웨이퍼 가공용 테이프의 에어의 말려 들어감의 억제성의 평가를 하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼8에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 이형 필름의 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 접착제층에 대응하는 부분을 포함하고 라벨부의 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 이형 필름의 긴 방향을 따라 지지 부재가 설치되어 있으므로, 라벨 자국의 억제성, 에어의 말려 들어감의 억제성 모두 우수한 결과로 되었다.
이에 반해, 지지 부재가 이형 필름의 양단부에 설치되어 있는 비교예 1∼4에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 표 2에 나타내는 바와 같이, 에어의 말려 들어감의 억제성이 떨어지는 결과로 되었다. 지지 부재가 설치되어 있지 않은 비교예 6, 7에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 에어의 말려 들어감의 억제성은 우수한 결과로 되었지만, 라벨 자국의 억제성에 있어서 떨어지는 결과로 되었다.
또한, 접착제층과 지지 부재의 두께가 동일한 비교예 3에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는, 반도체 장치의 가공 공정에 영향을 미치는 정도는 아니지만 라벨 자국이 확인되었다. 이에 반해, 실시예 3에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에서는, 접착제층과 지지 부재의 두께가 동일하여도, 라벨 자국이 발생하지 않았다.
10 : 웨이퍼 가공용 테이프
11 : 이형 필름
12 : 접착제층
13 : 점착 필름
13a : 원형 라벨부
13b : 주변부
14, 14', 14" : 지지 부재
11 : 이형 필름
12 : 접착제층
13 : 점착 필름
13a : 원형 라벨부
13b : 주변부
14, 14', 14" : 지지 부재
Claims (3)
- 장척의 이형 필름과,
상기 이형 필름의 제1면 상에 형성된 평면 형상을 갖는 접착제층과,
상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 형성된 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과,
상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 상기 점착 필름이 형성된 제1면과는 반대인 제2면 상이며, 또한 상기 접착제층에 대응하는 부분을 포함하고 상기 라벨부의 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 단부에 대응하는 부분을 포함하지 않는 영역 내에, 상기 이형 필름의 긴 방향을 따라 형성된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 중앙부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 부재는, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 폭이 10∼50㎜인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014246313A JP6410582B2 (ja) | 2014-12-04 | 2014-12-04 | ウエハ加工用テープ |
JPJP-P-2014-246313 | 2014-12-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160067755A KR20160067755A (ko) | 2016-06-14 |
KR101809331B1 true KR101809331B1 (ko) | 2017-12-14 |
Family
ID=56124810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150170550A KR101809331B1 (ko) | 2014-12-04 | 2015-12-02 | 웨이퍼 가공용 테이프 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6410582B2 (ko) |
KR (1) | KR101809331B1 (ko) |
CN (1) | CN105694745B (ko) |
TW (1) | TWI615890B (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7446095B2 (ja) * | 2019-12-03 | 2024-03-08 | デクセリアルズ株式会社 | フィルム巻装体及び接続体の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004331869A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Lintec Corp | 積層シートの巻取体およびその製造方法 |
JP4360653B2 (ja) | 2007-09-14 | 2009-11-11 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04360653A (ja) | 1991-06-06 | 1992-12-14 | Tochigi Pref Gov | 麻の実の多価不飽和脂肪酸高含有鶏卵の生産方法 |
JP4087169B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2008-05-21 | リンテック株式会社 | 積層シートおよびその製造方法 |
JP4970863B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2012-07-11 | 日東電工株式会社 | 被加工物の加工方法 |
JP4879702B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-02-22 | リンテック株式会社 | ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法 |
WO2009034774A1 (ja) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | ウエハ加工用テープ |
KR20120080634A (ko) * | 2009-11-13 | 2012-07-17 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 접착제층 부착 반도체 웨이퍼 |
JP2011174042A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-09-08 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法 |
JP5716322B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2015-05-13 | 日立化成株式会社 | ウェハ加工用テープ |
JP2012082285A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Hitachi Chemical Co Ltd | 接着シート |
JP5733049B2 (ja) * | 2011-06-23 | 2015-06-10 | 日立化成株式会社 | 接着シート、接着シートの製造方法、接着シートロール、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
-
2014
- 2014-12-04 JP JP2014246313A patent/JP6410582B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-01 TW TW104140171A patent/TWI615890B/zh active
- 2015-12-02 CN CN201510870409.3A patent/CN105694745B/zh active Active
- 2015-12-02 KR KR1020150170550A patent/KR101809331B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004331869A (ja) | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Lintec Corp | 積層シートの巻取体およびその製造方法 |
JP4360653B2 (ja) | 2007-09-14 | 2009-11-11 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160067755A (ko) | 2016-06-14 |
JP2016111162A (ja) | 2016-06-20 |
TWI615890B (zh) | 2018-02-21 |
CN105694745B (zh) | 2018-10-09 |
CN105694745A (zh) | 2016-06-22 |
TW201633388A (zh) | 2016-09-16 |
JP6410582B2 (ja) | 2018-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2192611B1 (en) | Wafer processing tape | |
JP4360653B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
KR102544301B1 (ko) | 수지막 형성용 시트 적층체 | |
KR101574909B1 (ko) | 접착 시트 | |
US9523023B2 (en) | Adhesive sheet | |
KR101040504B1 (ko) | 반도체웨이퍼의 보호구조, 반도체웨이퍼의 보호방법, 이들에 이용하는 적층보호시트 및 반도체웨이퍼의 가공방법 | |
KR20160075510A (ko) | 수지막 형성용 시트 | |
TWI496868B (zh) | Adhesive sheet | |
KR101809331B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
KR101819292B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
KR101808922B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
KR101828135B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
KR101847246B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 | |
US20150017373A1 (en) | Adhesive sheet | |
JP2016111165A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
KR20160067756A (ko) | 웨이퍼 가공용 테이프 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |