TWI615890B

TWI615890B - 晶圓加工用膠帶

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Publication number: TWI615890B
Application number: TW104140171A
Authority: TW
Inventors: 杉山二朗; 青山真沙美; 佐久間登; 大田郷史; 木村和寛
Original assignee: 古河電氣工業股份有限公司
Priority date: 2014-12-04
Filing date: 2015-12-01
Publication date: 2018-02-21
Also published as: JP2016111162A; CN105694745B; CN105694745A; TW201633388A; KR20160067755A; KR101809331B1; JP6410582B2

Abstract

本發明的課題在於提供一種晶圓加工用膠帶，其可以減少標籤痕跡的產生，且可以不論接著劑層的厚度為何而選擇支承構件，同時可以減少在接著劑層與黏著薄膜之間捲入空氣。其特徵在於，具有：長條脫模薄膜(11)；接著劑層(12)，設置在脫模薄膜(11)的第1面上、且具有預定的平面形狀；黏著薄膜(13)，具有標籤部(13a)和包圍標籤部(13a)的外側的周邊部(13b)，標籤部(13a)以覆蓋接著劑層(12)、且在接著劑層(12)的周圍與脫模薄膜(11)接觸的方式設置，並且具有預定的平面形狀；以及支承構件(14)，在脫模薄膜(11)的與第1面相反的第2面上，並且包含與接著劑層(12)對應的部分、且不包含與標籤部(13a)的在脫模薄膜(11)的短邊方向上的端部對應的部分的區域內，沿著脫模薄膜(11)的長邊方向而設置。

Description

晶圓加工用膠帶

本發明涉及晶圓加工用膠帶，特別是涉及具有切割膠帶和晶粒接合薄膜的2個功能的晶圓加工用膠帶。

最近，正在開發一種切割-晶粒接合膠帶，其兼具將半導體晶圓切斷分離(切割)為各個晶片時用於固定半導體晶圓的切割膠帶、和用於將切斷後的半導體晶片接著於引線框或封裝基板等、或者在堆疊封裝體中用於將半導體晶片彼此層疊、接著的晶粒接合薄膜(也稱為晶粒黏接薄膜)的2個功能。

作為這樣的切割-晶粒接合膠帶，考慮到向晶圓的黏貼、切割時的向環框的安裝等的作業性，有時實施了預切割加工。

在圖4和圖5中示出預切割加工後的切割-晶粒接合膠帶的例子。圖4是表示將切割-晶粒接合膠帶捲繞成捲筒狀的狀態的圖，圖5(a)是切割-晶粒接合膠帶的平面圖，圖5(b)是基於圖5(a)的線B-B的剖面圖。切割- 晶粒接合膠帶50是由脫模薄膜51、接著劑層52和黏著薄膜53所構成。接著劑層52是被加工成與晶圓的形狀對應的圓形者，具有圓形標籤形狀。黏著薄膜53是去除了與切割用的環框的形狀對應的圓形部分的周邊區域，如圖所示，具有圓形標籤部53a和包圍其外側的周邊部53b。接著劑層52與黏著薄膜53的圓形標籤部53a以將其中心對齊的方式層疊，另外，黏著薄膜53的圓形標籤部53a覆蓋接著劑層52且在其周圍與脫模薄膜51接觸。

將晶圓切割時，從層疊狀態的接著劑層52及黏著薄膜53剝離脫模薄膜51，如圖6所示，在接著劑層52上黏貼半導體晶圓W的背面，在黏著薄膜53的圓形標籤部53a的外周部黏著固定切割用環框R。在該狀態下將半導體晶圓W切割，之後，對黏著薄膜53實施紫外線照射等之固化處理後拾取半導體晶片。此時，由於黏著薄膜53因固化處理而黏著力降低，因此容易從接著劑層52剝離，在背面附著了接著劑層52的狀態下拾取半導體晶片。附著於半導體晶片的背面的接著劑層52在之後將半導體晶片接著於引線框、封裝基板、或其他半導體晶片時，具有晶粒接合薄膜的功能。

然而，就像上述那樣的晶片切割-晶片接合帶50而言，接著劑層52與黏著薄膜53的圓形標籤部53a層疊的部分比黏著薄膜53的周邊部53b厚。因此，作為製品捲繞成捲筒狀時，接著劑層52與黏著薄膜53的圓形標籤部53a的層疊部分、與黏著薄膜53的周邊部53a的高度差相互重疊，從而發生高度差被轉印至柔軟的接著劑層52表面的現象，亦即圖7所示的那樣的轉印痕(也稱為標籤痕跡、皺褶、或捲繞痕跡)。這樣的轉印痕的產生特別是在接著劑層52由柔軟的樹脂形成的情況、存在厚度的情況及膠帶50的捲繞數多的情況等顯著。然後，若產生轉印痕，則存在由接著劑層與半導體晶圓的接著不良而導致在晶圓的加工時產生不良情況的可能性。

為了解決這樣的問題，正在開發一種晶圓加工用膠帶，其為在脫模薄膜的與設置有接著劑層及黏著薄膜的第1面相反的第2面上、且脫模薄膜的短邊方向兩端部設置支承構件(例如，參照專利文獻1)。由於這樣的晶圓加工用膠帶設置有支承構件，因此在將晶圓加工用膠帶捲繞成捲筒狀時，可以將施加至膠帶的捲繞壓力分散、或集中於支承構件，因此，可以抑制對接著劑層的轉印跡的形成。

現有技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本專利第4360653號公報

然而，在上述專利文獻1中記載的晶圓加工用膠帶中，為了充分抑制對接著劑層的轉印跡的形成，需要將支承構件的厚度設置為接著劑層的厚度以上，因此存在有在支承構件的選定上會有所限制的問題。另外，黏著薄膜覆蓋接著劑層且在其周圍與脫模薄膜接觸，但根據接著劑層的厚度，有時在脫模薄膜與黏著薄膜之間產生極小的空隙、殘留空氣(air)。上述專利文獻1中記載的晶圓加工用膠帶，係在脫模薄膜的短邊方向兩端部設置有支承構件，因此在將晶圓加工用膠帶捲繞成捲筒狀的狀態中，標籤部與在其上捲繞的脫模薄膜之間會成為中空結構，因此出現了存在上述空氣(air)移動而侵入至接著劑層與黏著薄膜之間的可能性的問題。侵入至接著劑層與黏著薄膜之間的空氣(air)也稱為孔隙(void)，其存在有對於半導體晶圓W發生貼合不良、造成之後的半導體晶圓W的切割工程或晶片的拾取工程、接合工程的良率降低的可能性。

因此，本發明的課題在於提供一種晶圓加工用膠帶，其可以減少標籤痕跡的產生，且可以不論接著劑層的厚度為何而選擇支承構件，同時可以減少在接著劑層與黏著薄膜之間捲入空氣(air)。

為了解決以上的課題，本發明所涉及的晶圓加工用膠帶的特徵在於具有：長條脫模薄膜；接著劑層，設置在前述脫模薄膜的第1面上、且具有預定的平面形狀；黏著薄膜，具有標籤部和包圍前述標籤部的外側的周邊部，前述標籤部以覆蓋前述接著劑層、且在前述接著劑層的周圍與前述脫模薄膜接觸的方式設置，並且具有預定的平面形狀；以及支承構件，設置在前述脫模薄膜的與設置有前述接著劑層和前述黏著薄膜的第1面相反的第2面上，並且在包含與前述接著劑層對應的部分、且不包含與前述標籤部的在前述脫模薄膜的短邊方向上的端部對應的部分的區域內，沿前述脫模薄膜的長邊方向設置。

另外，上述半導體加工用膠帶，係上述支承構件設置於上述脫模薄膜的短邊方向的中央部為較佳。

另外，上述半導體加工用膠帶，係上述支承構件中，上述脫模薄膜的短邊方向的寬度為10~50mm較佳。

根據本發明，可以減少標籤痕跡的產生，且可以不論接著劑層的厚度為何而選擇支承構件，同時可以減少在接著劑層與黏著薄膜之間捲入空氣。

10‧‧‧晶圓加工用膠帶

11‧‧‧脫模薄膜

12‧‧‧接著劑層

13‧‧‧黏著薄膜

13a‧‧‧圓形標籤部

13b‧‧‧周邊部

14、14'、14"‧‧‧支承構件

圖1的(a)是本發明的實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶的平面圖，(b)是(a)的基於線A-A的剖面圖。

圖2是本發明的另一實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶的剖面圖。

圖3是本發明的又另一實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶的剖面圖。

圖4是以往的晶圓加工用膠帶的立體圖。

圖5的(a)為以往的晶圓加工用膠帶的平面圖，(b)為(a)的基於線B-B的剖面圖。

圖6為顯示晶圓加工用膠帶與切割用環框貼合的狀態的剖面圖。

圖7為用於說明以往的晶圓加工用膠帶的不良情況的示意圖。

以下基於附圖對本發明的實施方式詳細地說明。圖1(a)是本發明的實施方式所涉及的晶圓加工用膠帶(切割-晶粒接合膠帶)的平面圖，圖1(b)是圖1(a)的基於線A-A的剖面圖。

如圖1(a)及圖1(b)所示，晶圓加工用膠帶10具有長條脫模薄膜11、接著劑層12、黏著薄膜13及支承構件14。

接著劑層12設置於脫模薄膜的第1面上，具有與晶圓的形狀對應的圓形標籤形狀。黏著薄膜13具有圓形標籤部13a和包圍該圓形標籤部13a的外側的周邊部13b，前述圓形標籤部13a以覆蓋接著劑層12、且在接著劑層12的周圍與脫模薄膜接觸的方式設置。周邊部13b包括將圓形標籤部13a的外側完全包圍的形態、和如圖所示的不完全包圍的形態。圓形標籤部13a具有與切割用的環框對應的形狀。而且，支承構件14設置在脫模薄膜11的與設置有接著劑12及黏著薄膜13的第1面11a相反的第2面11b上，並且包含與接著劑層12對應的部分、且不包含與圓形標籤部13a的在脫模薄膜11的短邊方向上的端部對應的部分的區域r。

以下，對本實施方式的晶圓加工用膠帶10的各構成要素詳細地說明。

(脫模薄膜)

作為本發明的晶圓加工用膠帶10中使用的脫模薄膜11，可以使用聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烴(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系、或將這些材料一部分置換從而進一步將接著性、機械強度提升的膜。另外，亦可為該些膜的層疊體。

脫模薄膜的厚度沒有特別限制，可以適當設定，25~50μm為較佳。

(接著劑層)

本發明的接著劑層12如上前述，具有在脫模薄膜11的第1面11a上形成、與晶圓的形狀對應的圓形標籤形狀。

當半導體晶圓等被貼合並切割後，在拾取晶片時，接著劑層12作為附著於晶圓背面且將晶片固定於基板、引線框時的接著劑來使用。作為接著劑層12，較佳係亦可以使用含有選自環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂，酚醛系樹脂中的至少1種的黏接著劑等。除此以外，也可以使用聚醯亞胺系樹脂、矽酮系樹脂。其厚度可以適當設定，但5~100μm左右為較佳。

(黏著薄膜)

本發明的黏著薄膜13如上前述，具有與切割用的環框的形狀對應的圓形標籤部13a和包圍其外側的周邊部13b。可以通過預切割加工，從薄膜狀黏著劑去除圓形標籤部13a的周邊區域來形成這樣的黏著薄膜。

作為黏著薄膜13，沒有特別限制，只要具有將晶圓切割時晶圓不剝離的充分的黏著力，在切割後拾取晶圓時表現出可以容易地從接著劑層剝離的低的黏著力即可。例如，可以適宜地使用在基材薄膜設置了黏著劑層的黏著薄膜。

作為黏著薄膜13的基材薄膜，只要為以往公知的基材薄膜就可以沒有特別限制地使用，但使用放射線固化性的材料作為後述的黏著劑層時，係使用具有放射線透射性者為較佳。

例如，作為其材料，可列舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物等之α-烯烴的均聚物或共聚物或該等的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體、及該等的混合物。另外，基材薄膜亦可為從該等的群所選的2種以上的材料混合者，該等亦可為單層或多層化者。

基材薄膜的厚度沒有特別限制，可以適當設定，但50~200μm為較佳。

使用於黏著薄膜13的黏著劑層的樹脂並沒有特別限制，可使用被使用於黏著劑之公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂等。

在黏著劑層13的樹脂中適當地混合丙烯酸系黏著劑、放射線聚合性化合物、光聚合引發劑、固化劑等來調製黏著劑為較佳。黏著劑層13的厚度沒有特別限制而可以適當設定，但5~30μm為較佳。

將放射線聚合性化合物混合於黏著劑層，可容易藉由放射線固化來從接著劑層剝離。該放射線聚合性化合物，可以使用例如藉由光照射而可實現三維網狀化之在分子內具有至少2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。

具體而言，可適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁烯乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡酯丙烯酸酯等。

又，除了像上述那樣的丙烯酸酯系化合物以外，也可以使用胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物。胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物，係可在使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物(例如，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二亞甲基二異氰酸酯、1,4-苯二亞甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而獲得之末端異氰酸酯氨基甲酸乙酯預聚物中，使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、甲基丙烯酸-2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應而獲得。

亦在黏著劑層中，混合由上述的樹脂中所選擇的2種以上者。

使用光聚合引發劑時，可以使用例如異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮(Michler’s ketone)、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苯偶醯二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。該等光聚合引發劑的混合量，較佳的係相對於丙烯酸系共聚物100質量份，為0.01~5質量份。

(支承構件)

支承構件14設置在脫模薄膜11的與設置有接著劑12和黏著薄膜13的第1面11a相反的第2面11b上，並且包含與接著劑層12對應的部分、且不包含與圓形標籤部13a的在脫模薄膜11的短邊方向上的端部對應的部分的區域r內沿脫模薄膜11的長邊方向設置。以設置像這樣的支承構件14的方式，在將晶圓加工用膠帶10捲繞成捲筒狀時，由於是對存在支承構件14的部分施加壓力，因此不會出現下述情況：接著劑層12與黏著薄膜13的圓形標籤部13a的層疊部分；及黏著薄膜13的周邊部13a的高度差相互重疊，高度差作為標籤痕跡而被轉印至接著劑層12表面。另外，在將晶圓加工用膠帶10捲繞成捲筒狀的狀態中，由於是對存在支承構件14的部分施加壓力，圓形標籤部13a的在脫模薄膜11的短邊方向上的端部不受拘束，因此藉由接著劑層12的厚度，殘留於脫模薄膜11與圓形標籤部13a之間產生的間隙內的空氣(air)會被排出至圓形標籤部13a的外側。

設置支承構件14的位置只要為區域r內即可，如圖1所示，亦可設置於區域r的整個區域，也可設置於區域r之一部分的任意位置。在設置於區域r的一部分時，如圖2、3所示，在脫模薄膜的短邊方向的中央部設置支承構件14'、14"為較佳。此外，在區域r的一部分設置支承構件14時，雖有時在接著劑層12產生支承構件14的轉印痕，但此時的轉印痕在脫模薄膜11的長邊方向以直線狀產生，因此在晶圓貼合時，即使在捲入孔隙的情況下亦會被貼合輥擠壓，孔隙從而被排出至標籤外，因此與隨機產生的標籤痕跡不同，不會成為問題。

此外，區域r，雖亦可包含比圖1所示更靠外側、亦即直到與圓形標籤部13a的在脫模薄膜11的短邊方向上的端部對應的部分附近為止，但為了藉由接著劑層12的厚度使殘留於脫模薄膜11與圓形標籤部13a之間產生的間隙內的空氣(air)更快速且容易向圓形標籤部13a的外側排出，而不過度遠離接著劑層12為較佳。

脫模薄膜的短邊方向的寬度只要為與區域r內相當的大小即可，沒有特別限制，但10~50mm為較佳。

支承構件14的厚度無需與相當於接著劑層12與黏著薄膜13的圓形標籤部13a的層疊部分、與黏著薄膜13的周邊部13b的高度差的厚度、亦即接著劑層12相同或更大，可以適當選擇。晶圓加工用膠帶10，係由於在捲繞成捲筒狀時，對存在支承構件14的部分施加壓力，因此對不與支承構件14接觸的標籤部分不施加壓力，成為中空狀態，故可不論接著劑層12的厚度為何而防止標籤痕跡。不過，也可以設置為與接著劑層12相同、或其以上的厚度。另外，如圖3所示，也可以設置層疊了薄的黏著膠帶的支承構件14"。

支承構件14雖係可沿著脫模薄膜11的長邊方向間斷地或連續地設置，但從更有效地抑制轉印痕產生的觀點來看，沿著基材薄膜11的長邊方向連續地設置為較佳。

另外，支承構件14從防止晶圓加工用膠帶10的捲繞偏移的觀點來看，對黏著薄膜13具有某種程度的摩擦係數的材質者為較佳。由此，可以防止晶圓加工用膠帶10的捲繞偏移，得到可以高速捲繞、使捲繞數增大的效果。

支承構件14與黏著薄膜13的基材薄膜之間的靜摩擦係數，係0.2~2.0為較佳，0.6~1.6為更佳。若將晶圓加工用膠帶捲繞成捲筒狀，則設置於脫模薄膜11的第1面11a側的黏著薄膜13的圓形標籤部13a與設置於脫模薄膜11的第2面11b側的支承構件14會接觸，因此支承構件14與黏著薄膜13的基材薄膜之間的靜摩擦係數小至低於0.2時，在製造時或使用時變得容易發生捲繞偏移而操作性會發生惡化。另一方面，大於2.0時，黏著薄膜13的基材薄膜與支承構件14之間的阻力過大，而成為製造工程中的操作性會發生惡化，或高速捲繞時等蛇行的原因。因此，藉由將兩者間的靜摩擦係數設定為上述範圍的方式，可以防止晶圓加工用膠帶10的捲繞偏移，且可得到能夠高速捲繞、使捲繞數增大的效果。

本發明中，支承構件14與黏著薄膜13的基材薄膜之間的靜摩擦係數，係可依據JIS K7125，藉由如以下般的測定方法而獲得。

使分別被切割成25mm(寬度)×100mm(長度)的黏著薄膜13的基材薄膜與支承構件14的兩薄膜樣品重合，且固定下側的薄膜。接著，將重量200g的重物作為載荷W而載置於層疊的薄膜上，且以200mm/min的速度拉伸上側的薄膜，測定滑出時的力Fd(g)，通過以下的式子求出靜摩擦係數(μd)。

μd=Fd/W

作為支承構件14，例如可以適宜地使用在樹脂薄膜基材塗布了黏接著劑的黏接著膠帶。通過在脫模薄膜11的第2面11b的預定位置黏貼像這樣的黏接著膠帶，可以形成本實施形態的晶圓加工用膠帶10。

作為黏接著膠帶的基材樹脂，雖然只要滿足上述線性膨脹係數的範圍且能承受捲繞壓力就沒有特別限定，但從耐熱性、平滑性、和容易取得的方面來看，從聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯及高密度聚乙烯中選擇為較佳。

關於黏接著膠帶的黏著劑的組成及物性，沒有特別限定，只要在晶圓加工用膠帶10的捲繞工程和保管工程中，不會從脫模薄膜11剝離即可。

另外，作為支承構件14，亦可使用已著色的支承構件。通過使用像這樣的著色支承構件，在將晶圓加工用膠帶捲繞成捲筒狀時，可以明確地識別膠帶的種類。例如，通過使著色支承構件14的顏色，隨著晶圓加工用膠帶的種類或厚度而不同，可以容易地識別膠帶的種類或厚度，且可以抑制、防止人為的錯誤的發生。

實施例

接著，對本發明的實施例進行說明，但本發明不限於該等實施例。

(1)黏著薄膜的製作 (黏著薄膜1A)

在溶劑甲苯400g中，適當地調整滴入量而加入丙烯酸正丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作為聚合引發劑的過氧化苯甲醯的混合液，調整反應溫度和反應時間，由此得到具有官能團的化合物(1)的溶液。

接著在該聚合物溶液中，適當調整滴入量而加入作為具有放射線固化性碳-碳雙鍵及官能團的化合物(2)的、另外由甲基丙烯酸與乙二醇合成的甲基丙烯酸-2-羥基乙酯2.5g、作為阻聚劑的氫醌並調整反應溫度及反應時間，由此得到具有放射線固化性碳-碳雙鍵的化合物(A)的溶液。接著，在化合物(A)溶液中，加入相對於化合物(A)溶液中的化合物(A)100質量份為1質量份之作為多異氰酸酯(B)的日本聚氨酯公司製：coronate L、作為光聚合引發劑的日本CHIBAGAIGI公司製：Irgacure-1840.5質量份、作為溶劑的乙酸乙酯150質量份並予以混合，調製放射線固化性的黏著劑組合物。

接著，將調製好黏著劑層組合物以乾燥膜厚為20μm的方式塗佈於厚度100μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材薄膜，且以110℃乾燥3分鐘，製作成黏著薄膜1A。

(2)脫模薄膜

使用了以下所示的脫模薄膜2A。

脫模薄膜2A：厚度38μm的經脫模處理後的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜

(3)接著劑層的形成 (接著劑層3A)

在由作為環氧樹脂的甲酚酚醛型環氧樹脂(環氧當量197，分子量1200，軟化點70℃)50質量份、作為矽烷偶聯劑的γ-巰基丙基三甲氧基矽烷1.5質量份、γ-脲基丙基三乙氧矽烷3質量份、平均粒徑16nm的二氧化矽填料30質量份所構成的組合物中，加入環己酮並予以攪拌混合，進一步使用珠磨機混煉90分鐘。

在其中加入丙烯酸類樹脂(質量平均分子量：80萬，玻璃轉移溫度-17℃)100質量份、作為6官能丙烯酸酯單體的二季戊四醇六丙烯酸酯5質量份、作為固化劑的六亞甲基二異氰酸酯的加成體0.5質量份、Curezol 2PZ(四國化成(公司)製商品名，2-苯基咪唑)2.5質量份，予以攪拌混合，進行真空脫氣，來得到接著劑。

在脫模薄膜2A上塗佈上述接著劑，以110℃加熱乾燥1分鐘，形成膜厚為20μm的B階段狀態(熱固性樹脂的固化中間狀態)的塗膜，在脫模薄膜2A上形成接著劑層3A，並進行冷藏保管。

(接著劑層3B)

在脫模薄膜2A上塗佈上述接著劑，以110℃加熱乾燥1分鐘，形成膜厚為60μm的B階段狀態(熱固性樹脂的固化中間狀態)的塗膜，在脫模薄膜2A上形成接著劑層3B，並進行冷藏保管。

(接著劑層3C)

在脫模薄膜2A上塗布上述接著劑，以110℃加熱乾燥1分鐘，形成膜厚為120μm的B階段狀態(熱固性樹脂的固化中間狀態)的塗膜，在脫模薄膜2A上形成接著劑層3C，並進行冷藏保管。

(4)支承構件的製作 (支承構件4A)

混合丙烯酸類樹脂(質量平均分子量：60萬，玻璃轉移溫度-20℃)100質量份、作為固化劑的聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯(公司)製，商品名：coronate L)10質量份來得到黏著劑組合物。

將上述黏著劑組合物以乾燥膜厚成為20μm的方式塗佈於厚度40μm的低密度聚乙烯薄膜，以110℃乾燥3分鐘，將所得到的黏接著膠帶切斷成寬度10mm，製作了支承構件4A。

(支承構件4B)

將上述黏著劑組合物以乾燥膜厚成為30μm的方式塗佈於厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，以110℃乾燥3分鐘，將所得到的黏接著膠帶切斷成寬度25mm，製作了支承構件4B。

(支承構件4C)

除了將所得到的黏接著膠帶切斷成寬度25mm以外，其餘與支承構件4A同樣地，製作了支承構件4C。

(支承構件4D)

除了將所得到的黏接著膠帶切斷成寬度50mm以外，其餘與支承構件4A同樣地，製作了支承構件4D。

(實施例1)

使形成有冷藏保管之接著劑層3A的脫模薄膜2A恢復至常溫，且對對於接著劑層，將對脫模薄膜的切入深度調整為10μm以下而進行直徑220mm的圓形預切割加工。之後，去除接著劑層的不要部分，將黏著薄膜1A以其黏著劑層與接著劑層接觸的方式，使脫模薄膜2A在室溫下分層。然後，相對於黏著薄膜1A，將對脫模薄膜的切入深度調節為10μm以下，而與接著劑層同心圓狀地進行直徑290mm的圓形預切割加工。接著，在脫模薄膜2A之與設置有接著劑層及黏著薄膜的第1面相反的第2面、且位於脫模薄膜2A的短邊方向中央部貼合支承構件4A，製作了具有圖2所示的構造的實施例1的晶圓加工用膠帶。

(實施例2)除了使用支承構件4B來代替支承構件4A以外，其餘與實施例1同樣地，製作了實施例2的晶圓加工用膠帶。

(實施例3)

除了使用接著劑層3B來代替接著劑層3A以外，其餘與實施例1同樣地，製作了實施例3的晶圓加工用膠帶。

(實施例4)

除了使用接著劑層3B來代替接著劑層3A以外，其餘與實施例2同樣地，製作了實施例4的晶圓加工用膠帶。

(實施例5)

除了使用接著劑層3C來代替接著劑層3A以外，其餘與實施例1同樣地，製作了實施例5的晶圓加工用膠帶。

(實施例6)

除了使用接著劑層3C來代替接著劑層3A以外，其餘與實施例2同樣地，製作了實施例6的晶圓加工用膠帶。

(實施例7)

除了使用支承構件4C來代替支承構件4A以外，其餘與實施例3同樣地，製作了實施例7的晶圓加工用膠帶。

(實施例8)

除了使用支承構件4D來代替支承構件4C以外，其餘與實施例7同樣地，製作了實施例8的晶圓加工用膠帶。

(比較例1)

使形成有冷藏保管之接著劑層3A的脫模薄膜2A恢復至常溫，相對於接著劑層，將對脫模薄膜的切入深度調整為10μm以下，而進行直徑220mm的圓形預切割加工。之後，去除接著劑層的不要部分，將黏著薄膜1A以其黏著劑層與接著劑層接觸的方式，使脫模薄膜2A在室溫下分層。然後，相對於黏著薄膜1A，將對脫模薄膜的切入深度調節為10μm以下，而與接著劑層同心圓狀地進行直徑290mm的圓形預切割加工，留下圓形標籤部和周邊部，去除了其他不要部分。接著，在脫模薄膜2A之與設置有接著劑層和黏著薄膜的第1面相反的第2面、且位於脫模薄膜2A的短邊方向兩端部貼合支承構件4A，製作了現有專利文獻1的具有圖1所示的構造的比較例1的晶圓加工用膠帶。

(比較例2)

除了使用支承構件4B來代替支承構件4A以外，其餘與比較例1同樣地，製作了比較例2的晶圓加工用膠帶。

(比較例3)

除了使用接著劑層3B來代替接著劑層3A以外，其餘與比較例1同樣地，製作了比較例3的晶圓加工用膠帶。

(比較例4)

除了使用支承構件4B來代替支承構件4A以外，其餘與比較例3同樣地，製作了比較例4的晶圓加工用膠帶。

(比較例5)

除了使用接著劑層3C來代替接著劑層3A以外，其餘與比較例2同樣地，製作了比較例5的晶圓加工用膠帶。

(比較例6)

除了不設置支承構件以外，其餘與比較例3同樣地，製成了比較例6的晶圓加工用膠帶。

(比較例7)

除了不設置支承構件以外，其餘與比較例5同樣地，製成了比較例7的晶圓加工用膠帶。

[標籤痕跡的抑制性的評價]

以圓形形狀的黏著薄膜的數目成為300張的方式，將實施例和比較例的晶圓加工用膠帶捲繞成捲筒狀，製作了晶圓加工用膠帶捲筒。將所得到的晶圓加工用膠帶捲筒在冰箱內(5℃)保管1個月。之後，使晶圓加工用膠帶捲筒恢復至室溫後解開捲筒，以目視觀察有無標籤痕跡，基於以下的評價基準，以○、△、×的3個等級來評價晶圓加工用膠帶的轉印痕的抑制性。在表1和表2中示出結果。

○(良品)：即使從各種角度目視觀察也無法確認標籤痕跡

△(容許品)：雖然可以確認標籤痕跡，但不足以對半導體裝置的加工工程造成影響的程度

×(不良品)：可以確認對半導體裝置的加工工程帶來影響的標籤痕跡

[空氣的捲入的抑制性的評價]

以圓形形狀的黏著薄膜的數目成為200張的方式，將實施例和比較例的晶圓加工用膠帶捲繞成捲筒狀，製作了晶圓加工用膠帶捲筒。將所得到的晶圓加工用膠帶捲筒放入包裝袋，在冰箱內(5℃)保管1個月後，在膠帶表面成為-50℃的乾冰環境下保管3天。之後，使晶圓加工用膠帶捲筒恢復至常溫後將包裝袋開封，解開捲筒，以目視觀察在接著劑層與黏著薄膜的圓形標籤部之間是否有空氣的捲入，將沒有空氣的捲入的評價為○(良品)，將有空氣的捲入的評價為×(不良品)，進行晶圓加工用膠帶的空氣的捲入的抑制性的評價。在表1和表2中示出結果。

如表1所示，實施例1~8所涉及的晶圓加工用膠帶，係由於在脫模薄膜的與第1面相反的第2面上、且包含與接著劑層對應的部分、不包含與標籤部的在脫模薄膜的短邊方向上的端部對應的部分的區域內，沿脫模薄膜的長邊方向而設置有支承構件，因此成為在標籤痕跡的抑制性、空氣的捲入的抑制性方面皆優異的結果。

與此相對，支承構件設置於脫模薄膜的兩端部之比較例1~4所涉及的晶圓加工用膠帶，係如表2所示，成為空氣的捲入的抑制性差的結果。沒有設置支承構件的比較例6、7所涉及的晶圓加工用膠帶，係雖空氣的捲入的抑制性成為優異的結果，但標籤痕跡的抑制性中成為差的結果。

此外，確認到：接著劑層與支承構件的厚度相同的比較例3所涉及的晶圓加工用膠帶，係不足以對半導體裝置的加工工程造成影響的程度的標籤痕跡。與此相對，實施例3所涉及的晶圓加工用膠帶中，即使接著劑層與支承構件的厚度相同，也不產生標籤痕跡。

10‧‧‧晶圓加工用膠帶

11‧‧‧脫模薄膜

11a‧‧‧第1面

11b‧‧‧第2面

12‧‧‧接著劑層

13‧‧‧黏著薄膜

13a‧‧‧圓形標籤部

13b‧‧‧周邊部

14‧‧‧支承構件

r‧‧‧區域

Claims

一種晶圓加工用膠帶，其特徵在於，具有：長的脫模薄膜；接著劑層，設置在前述脫模薄膜的第1面上、且具有預定的平面形狀；黏著薄膜，具有標籤部和包圍前述標籤部的外側的周邊部，前述標籤部以覆蓋前述接著劑層、且在前述接著劑層的周圍與前述脫模薄膜接觸的方式設置，並且具有預定的平面形狀；以及支承構件，在前述脫模薄膜的與設置有前述接著劑層和黏著薄膜的第1面相反的第2面上，並且包含與前述接著劑層對應的部分、且不包含與前述標籤部的在前述脫模薄膜的短邊方向上的端部對應的部分的區域內，沿著前述脫模薄膜的長邊方向而設置。
如申請專利範圍第1項之晶圓加工用膠帶，其特徵在於，前述支承構件設置於前述脫模薄膜的短邊方向的中央部。
如申請專利範圍第1或2項之晶圓加工用膠帶，其特徵在於，前述支承構件中，前述脫模薄膜的短邊方向的寬度為10~50mm。