KR101828135B1 - 웨이퍼 가공용 테이프 - Google Patents

웨이퍼 가공용 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR101828135B1
KR101828135B1 KR1020150170535A KR20150170535A KR101828135B1 KR 101828135 B1 KR101828135 B1 KR 101828135B1 KR 1020150170535 A KR1020150170535 A KR 1020150170535A KR 20150170535 A KR20150170535 A KR 20150170535A KR 101828135 B1 KR101828135 B1 KR 101828135B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
adhesive layer
release film
tape
adhesive
Prior art date
Application number
KR1020150170535A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160067754A (ko
Inventor
마사미 아오야마
사또시 오따
가즈히로 기무라
노보루 사꾸마
지로우 스기야마
Original Assignee
후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 filed Critical 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20160067754A publication Critical patent/KR20160067754A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101828135B1 publication Critical patent/KR101828135B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/006—Presence of (meth)acrylic polymer in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • C09J2461/006—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • C09J2463/006—Presence of epoxy resin in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H01L2924/35121—Peeling or delaminating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 라벨 자국의 발생을 저감할 수 있고, 또한 접착제층과 이형 필름 사이에 공기(에어)가 혼입하는 것을 저감할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것이다.
장척의 이형 필름(11)과, 이형 필름(11)의 제1 면 위에 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층(12)과, 접착제층(12)을 덮고, 또한 접착제층(12)의 주위에서 이형 필름(11)에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부(13a)와, 라벨부(13a)의 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는 점착 필름(13)과, 이형 필름(11)의 제1 면과는 반대의 제2 면 위이며, 또한 이형 필름(12)의 짧은 방향 양단부이며, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치된 지지 부재(14)를 갖는 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 가공용 테이프 {WAFER PROCESSING TAPE}
본 발명은 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것으로, 특히 다이싱 테이프와 다이 본딩 필름의 2개의 기능을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.
최근, 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단 분리(다이싱)할 때에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위한 다이싱 테이프와, 절단된 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하기 위해, 또는 스택드 패키지에 있어서는, 반도체 칩끼리를 적층, 접착하기 위한 다이 본딩 필름(다이 어태치 필름이라고도 함)의 2개의 기능을 겸비하는 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프가 개발되고 있다.
이와 같은 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프로서는, 웨이퍼로의 부착이나, 다이싱 시의 링 프레임의 설치 등의 작업성을 고려하여, 프리컷 가공이 실시된 것이 있다.
프리컷 가공된 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프의 예를, 도 4 및 도 5에 도시한다. 도 4는 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프를 롤 형상으로 권취한 상태를 도시하는 도면이고, 도 5의 (a)는 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프의 평면도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 선 B-B에 의한 단면도이다. 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프(50)는 이형 필름(51)과, 접착제층(52)과, 점착 필름(53)을 포함한다. 접착제층(52)은 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형으로 가공된 것이고, 원형 라벨 형상을 갖는다. 점착 필름(53)은 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 부분의 주변 영역이 제거된 것이고, 도시한 바와 같이, 원형 라벨부(53a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(53b)를 갖는다. 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는 그 중심을 정렬시켜 적층되고, 또한 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)는 접착제층(52)을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름(51)에 접촉하고 있다.
웨이퍼를 다이싱할 때에는, 적층 상태의 접착제층(52) 및 점착 필름(53)으로부터 이형 필름(51)을 박리하고, 도 6에 도시한 바와 같이, 접착제층(52) 위에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 부착하고, 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 외주부에 다이싱용 링 프레임 R을 점착 고정한다. 이 상태에서 반도체 웨이퍼(W)를 다이싱하고, 그 후, 점착 필름(53)에 자외선 조사 등의 경화 처리를 실시하여 반도체 칩을 픽업한다. 이때, 점착 필름(53)은 경화 처리에 의해 점착력이 저하되어 있으므로, 접착제층(52)으로부터 용이하게 박리되고, 반도체 칩은 이면에 접착제층(52)이 부착된 상태에서 픽업된다. 반도체 칩의 이면에 부착된 접착제층(52)은, 그 후, 반도체 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판, 혹은 다른 반도체 칩에 접착할 때에, 다이 본딩 필름으로서 기능한다.
그런데, 상기와 같은 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프(50)는 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)가 적층된 부분은 점착 필름(53)의 주변부(53b)보다도 두껍다. 이로 인해, 제품으로서 롤 형상으로 권취되었을 때에, 접착제층(52)과 점착 필름(53)의 원형 라벨부(53a)의 적층 부분과, 점착 필름(53)의 주변부(53a)의 단차가 겹치고, 유연한 접착제층(52) 표면에 단차가 전사되는 현상, 즉 도 7에 도시한 바와 같은 전사 자국(라벨 자국, 주름, 또는 권취 자국이라고도 함)이 발생한다. 이와 같은 전사 자국의 발생은, 특히, 접착제층(52)이 유연한 수지로 형성되는 경우나 두께가 있는 경우 및 다이싱ㆍ다이 본딩 테이프(50)의 권취수가 많은 경우 등에 현저하다. 그리고, 전사 자국이 발생하면, 접착제층과 반도체 웨이퍼의 접착 불량에 의해, 웨이퍼의 가공 시에 문제가 생길 우려가 있다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해, 이형 필름의, 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1 면과는 반대의 제2 면 위이며, 또한 이형 필름의 짧은 방향 양단부에 지지 부재를 설치한 웨이퍼 가공용 테이프가 개발되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이와 같은 웨이퍼 가공용 테이프는 지지 부재가 설치되어 있으므로, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취했을 때에, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은 지지 부재에 모을 수 있으므로, 접착제층으로의 전사 자국의 형성을 억제할 수 있다.
일본 특허 제4360653호 공보
그런데, 일반적으로 점착 필름(53)은 접착제층(52)을 덮고, 또한 그 주위에서 이형 필름(51)에 접촉하고 있지만, 접착제층(52)의 두께에 의해, 접착제층(52)의 주연부에는 이형 필름(51)과 점착 필름(53) 사이에 극히 약간의 공극이 생겨, 공기(에어)가 남는 경우가 있다. 이와 같은 이형 필름(51)과 점착 필름(53) 사이의 에어는 이동하여 원형 라벨부(53a)의 외측으로 릴리프되는 경우도 있고, 그와 같은 경우에는 물성에는 큰 영향은 미치지 않는다.
그러나, 특허문헌 1의 웨이퍼 가공용 테이프와 같이 전사 자국을 방지하기 위해, 접착제층의 두께 이상의 두께를 갖는 지지 부재를 설치한 경우, 접착제층의 외측의 쪽이 큰 두께를 갖게 되므로, 접착제층 주연부의 에어를 접착제층의 내측으로 유인하기 쉬워진다는 리스크가 있다.
따라서, 본 발명은 라벨 자국의 발생을 저감시킬 수 있고, 또한 접착제층과 점착 필름 사이에 공기(에어)가 혼입(말려 들어가는 것)하는 것을 저감할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것을 과제로 한다.
이상의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는 장척의 이형 필름과, 상기 이형 필름의 제1 면 위에 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층과, 상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 설치된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과, 상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 점착 필름이 설치된 제1 면과는 반대의 제2 면 위이며, 또한 상기 이형 필름의 짧은 방향 양단부이며, 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 지지 부재의 폭의 합계를 sD, 상기 접착제층의 직경을 aφ, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, 0㎜<[(sD+aφ)-L]<20㎜인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재의 선팽창 계수가 300ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재의 선팽창 계수와 상기 이형 필름의 선팽창 계수의 차가 250ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프의 상기 점착 필름은 점착제층과 기재 필름을 갖고, 상기 기재 필름과 상기 지지 부재 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 내지 2.0인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재는 상기 이형 필름의 긴 (길이)방향을 따라 연속적으로 설치되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재가, 상기 접착제층의 두께 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재가, 착색되어 있어도 된다. 이때, 지지 부재는 웨이퍼 가공용 테이프의 종류에 따라 착색되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프의 두께에 따라 착색되어 있어도 된다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 지지 부재가 2층 이상의 적층 구조를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는, 상기 지지 부재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 23℃에 있어서의 상기 점착 필름의 인장 저장 탄성률 Eb와, 23℃에 있어서의 상기 이형 필름의 인장 저장 탄성률 Ea의 비 Eb/Ea가 0.001 내지 100인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 상기 이형 필름의 두께 Ta와, 상기 점착 필름의 두께 Tb의 비 Ta/Tb가 0.07 내지 2.5인 것이 바람직하다.
또한, 상기 반도체 가공용 테이프는 온도 23±2℃, 박리 속도 300㎜/min의 조건 하에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 상기 접착제층과 상기 이형 필름 사이의 박리력 F1이 0.025 내지 0.075N/100㎜이고, 상기 접착제층과 상기 점착 필름 사이의 박리력 F2가 0.08 내지 10N/100㎜이고, F1<F2인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 라벨 자국의 발생을 저감할 수 있고, 또한 접착제층과 점착 필름 사이에 공기(에어)가 혼입하는 것을 저감할 수 있다.
도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이고, (b)는 (a)의 선 A-A에 의한 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프의 단면도.
도 4는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 사시도.
도 5의 (a)는 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 평면도이고, (b)는 (a)의 선 B-B에 의한 단면도.
도 6은 웨이퍼 가공용 테이프와 다이싱용 링 프레임이 접합된 상태를 도시하는 단면도.
도 7은 종래의 웨이퍼 가공용 테이프의 문제를 설명하기 위한 모식도.
이하에 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1의 (a)는 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프(다이싱ㆍ다이 본딩 테이프)의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 선 A-A에 의한 단면도이다.
도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 장척의 이형 필름(11)과, 접착제층(12)과, 점착 필름(13)과, 지지 부재(14)를 갖는다.
접착제층(12)은 이형 필름의 제1 면 위에 설치되고, 웨이퍼의 형상에 대응한 원형 라벨 형상을 갖고 있다. 점착 필름(13)은 접착제층(12)을 덮고, 또한 접착제층(12)의 주위에서 이형 필름에 접촉하도록 설치된 원형 라벨부(13a)와, 이 원형 라벨부(13a)의 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 주변부(13b)는 원형 라벨부(13a)의 외측을 완전히 둘러싸는 형태와, 도시한 바와 같은 완전히 둘러싸지는 않은 형태를 포함한다. 원형 라벨부(13a)는 다이싱용의 링 프레임에 대응하는 형상을 갖는다. 그리고, 지지 부재(14)는 이형 필름(11)의, 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1 면(11a)과는 반대의 제2 면(11b)이며, 또한 이형 필름(11)의 짧은 방향 양단부이며, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있다.
이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.
(이형 필름)
본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 사용되는 이형 필름(11)으로서는, 폴리에스테르(PET, PBT, PEN, PBN, PTT)계, 폴리올레핀(PP, PE)계, 공중합체(EVA, EEA, EBA)계, 또한 이들 재료를 일부 치환하여, 접착성이나 기계적 강도를 더욱 향상시킨 필름을 사용할 수 있다. 또한, 이들 필름의 적층체여도 된다.
이형 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 적절히 설정해도 되지만, 25 내지 50㎛가 바람직하다.
(접착제층)
본 발명의 접착제층(12)은, 상술한 바와 같이 이형 필름(11)의 제1 면(11a) 위에 형성되고, 웨이퍼의 형상에 대응하는 원형 라벨 형상을 갖는다.
접착제층(12)은 반도체 웨이퍼 등이 접합되어 다이싱된 후, 칩을 픽업할 때에, 칩 이면에 부착되어 있고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 접착제층(12)으로서는, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 페놀계 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 점접착제 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 이밖에, 폴리이미드계 수지나 실리콘계 수지를 사용할 수도 있다. 그 두께는 적절히 설정해도 되지만, 5 내지 100㎛ 정도가 바람직하다.
(점착 필름)
본 발명의 점착 필름(13)은, 상술한 바와 같이 다이싱용의 링 프레임의 형상에 대응하는 원형 라벨부(13a)와, 그 외측을 둘러싸는 주변부(13b)를 갖는다. 이와 같은 점착 필름은 프리컷 가공에 의해, 필름 형상 점착제로부터 원형 라벨부(13a)의 주변 영역을 제거함으로써 형성할 수 있다.
점착 필름(13)으로서는, 특별히 제한은 없고, 웨이퍼를 다이싱할 때에는 웨이퍼가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 칩을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층으로부터 박리될 수 있도록 낮은 점착력을 나타내는 것이면 된다. 예를 들어, 기재 필름에 점착제층을 형성한 것을 적절히 사용할 수 있다.
점착 필름(13)의 기재 필름으로서는, 종래 공지의 것이면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 점착제층으로서 방사선 경화성의 재료를 사용하는 경우에는, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 그 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름은 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다.
기재 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 적절히 설정해도 되지만, 50 내지 200㎛가 바람직하다.
점착 필름(13)의 점착제층에 사용되는 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 점착제에 사용되는 공지의 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다.
점착제층(13)의 수지에는 아크릴계 점착제, 방사선 중합성 화합물, 광중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제를 제조하는 것이 바람직하다. 점착제층(13)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니고, 적절히 설정해도 되지만, 5 내지 30㎛가 바람직하다.
방사선 중합성 화합물을 점착제층에 배합하여 방사선 경화에 의해 접착제층으로부터 박리되기 쉽게 할 수 있다. 그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광조사에 의해 삼차원 그물 형상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분량 화합물이 사용된다.
구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나, 올리고에스테르아크릴레이트 등이 적용 가능하다.
또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트계 올리고머는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌이소시아네이트, 1,4-크실릴렌이소시아네이트, 디페닐메탄(4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 예비 중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다.
점착제층에는 상기의 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.
광중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대해 0.01 내지 5질량부가 바람직하다.
(지지 부재)
지지 부재(14)는 이형 필름(11)의, 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1 면(11a)과는 반대의 제2 면(11b)이며, 또한 이형 필름(11)의 짧은 방향 양단부이며, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있다. 이와 같이, 지지 부재(14)를 설치함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취했을 때에, 테이프에 가해지는 권취압을 분산하거나, 혹은 지지 부재(14)에 모을 수 있으므로, 접착제층(12)으로의 전사 자국의 형성을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 지지 부재(14)가 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있으므로, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a) 사이에 공기(에어)가 혼입하는 것을 저감할 수 있다. 즉, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 롤 형상으로 권취되기 때문에, 에어는 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부 주연의 이형 필름(11)과 원형 라벨부(13a) 사이에 집중되기 쉽다. 본원 발명에서는 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 롤 형상으로 권취되었을 때, 라벨부(13a)를 통해, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 지지 부재(14)가 걸려 있으므로, 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부의 대응하는 웨이퍼 가공용 테이프(10) 전체의 두께가, 접착제층(12)의 외측의 부분에 대응하는 웨이퍼 가공용 테이프(10) 전체의 두께보다도, 접착제층(12)의 두께 분만큼 두껍게 되어 있다. 따라서, 에어가 접착제층(12)의 내측의 영역이며 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a) 사이에 침입하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 지지 부재를 접착제(12) 및 점착 필름(13)이 설치된 제1 면(11a)에 형성하는 경우에는, 지지층의 폭에 제한이 있는 것에 비해, 본 실시 형태의 구성에서는 지지 부재(14)의 폭을 넓게 확보할 수 있어, 보다 효과적으로 전사 자국의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 지지 부재(14)를 이형 필름(11)의 제2 면(11b)에 설치함으로써, 지지 부재(14)의 위치 어긋남에 대한 허용도가 커진다는 효과가 얻어진다.
또한, 지지 부재(14)를 이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 접착제층(12)의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치함으로써, 접착제층(12)의 단부에 지지 부재(14)에 의한 전사 자국이 발생할 가능성이 있지만, 접착제층(12)은 일반적으로 웨이퍼(W)로의 접합 마진을 고려하여, 웨이퍼(W)보다 크게 되어 있고, 접착제층(12)의 단부에는 웨이퍼(W)가 접합되지 않으므로, 문제가 되지 않는다. 또한, 지지 부재(14)에 의한 전사 자국이 발생하는 경우에는, 이형 필름(11)의 길이 방향을 따라 발생하지만, 이형 필름(11)의 길이 방향은 웨이퍼(W)에 접합될 때의 진행 방향으로 되므로, 접착제층(12)의 단부에 웨이퍼(W)가 접합되는 경우라도, 지지 부재(14)에 의한 전사 자국에 기인하는 에어는 접합 시에 빠지기 쉽고, 웨이퍼(W)와의 계면에 보이드로서 남기 어렵다.
이형 필름(11)의 짧은 방향에 있어서의 지지 부재(14)의 폭이나 개수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 지지 부재(14)의 폭의 합계를 sD, 접착제층(12)의 직경을 aφ, 이형 필름(11)의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, 0㎜<[(sD+aφ)-L]<20㎜인 것이 바람직하고, 상한값이 15㎜ 이내인 것이 보다 바람직하고, 또한 상한값이 10㎜ 이내인 것이 보다 바람직하다. [(sD+aφ)-L]<20㎜로 함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 롤 형상으로 권취되었을 때에, 접착제층(12)에 있어서 라벨부(13a)를 통해 지지 부재(14)가 권취되어 있던 영역에는, 일반적으로는 웨이퍼(W)가 접합되지 않게 된다. 지지 부재(14)의 폭의 합계 sD는 각 지지 부재의 폭 d1, d2, d3…의 합계값이다. 또한, 각 지지 부재의 폭 D는 5㎜ 이상 45㎜ 이내인 것이 바람직하다.
지지 부재(14)의 두께로서는, 이형 필름(11) 위에 있어서의, 접착제층(12)과 점착 필름(13)의 원형 라벨부(13a)의 적층 부분과, 점착 필름(13)의 주변부(13b)의 단차에 상당하는 두께, 즉 접착제층(12)과 동일하거나, 또는 그 이상인 것이 바람직하고, 접착제층(12)의 1.0배 이상 4.0배 이하인 것이 보다 바람직하다. 지지 부재(14)가 접착제층(12)의 1.0배 이상의 두께를 가짐으로써, 테이프(10)를 권취했을 때에, 점착 필름(13)과 그 표면에 겹치는 이형 필름(11)의 제2 면(11b)이 접촉하거나, 또는 접촉하지 않고 이들 사이에 공간이 형성되므로, 점착 필름(13)을 통해 유연한 접착제층(12)에 이형 필름(11)의 제2 면(11b)이 강하게 가압되는 경우가 없다. 따라서, 전사 자국의 발생을 한층 효과적으로 억제할 수 있다. 한편, 지지 부재가 접착제층의 4.0배 이하의 두께를 가짐으로써, 상기 공간의 크기를 제어하여, 공간이 지나치게 커짐으로써, 접착제층(12), 점착 필름(13), 이형 필름(11)의 각 층 사이에 대해, 공기의 침입을 초래하기 쉬워지는 상태를 방지할 수 있다. 도 2는 접착제층(12)보다도 두꺼운 지지 부재(14')의 예를 도시하는 단면도이다.
지지 부재(14)는 이형 필름(11)의 긴 방향을 따라, 단속적 또는 연속적으로 설치할 수 있지만, 전사 자국의 발생을 보다 효과적으로 억제하는 관점에서는, 기재 필름(11)의 긴 방향을 따라 연속적으로 설치하는 것이 바람직하다.
본 발명의 지지 부재(14)는 300ppm/℃ 이하의 선팽창 계수를 갖는 것이 바람직하다. 웨이퍼 가공용 테이프는, 예를 들어 보관 시나 운송 시에는, -20℃ 내지 5℃ 정도로 저온 상태가 유지되고, 또한 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 웨이퍼에 접합할 때에는, 접착제를 가열 연화시켜 접착성을 높이기 위해, 히터 테이블에서 70 내지 80℃ 정도의 가열 접합이 행해지는 등, 웨이퍼 가공용 테이프는 온도 변화가 큰 환경 하에 놓인다. 온도 변화에 따라 지지 부재(14)의 치수가 변화되면, 이형 필름(11)과 점착 필름(13) 사이 및 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이에 공기가 침입하여 보이드가 발생하고, 웨이퍼에 대한 접합 불량이 발생하여, 그 후의 웨이퍼의 다이싱 공정이나 테이프의 익스팬드 공정, 또한 칩의 픽업 공정이나 마운트 공정에서의 수율의 저하를 초래할 우려가 있다. 본 발명에 있어서는, 300ppm/℃ 이하의 선팽창 계수가 낮은 지지 부재를 사용함으로써, 접착제층(12)으로의 전사 자국의 발생을 충분히 억제함과 함께, 온도 변화가 큰 사용 환경 하에 있어서도 지지 부재(13)의 치수 변화가 적어, 보이드의 발생을 억제할 수 있다.
전사 자국의 발생 및 보이드의 발생을 보다 효과적으로 억제하기 위해서는, 지지 부재(14)의 선팽창 계수는 150ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 70ppm/℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 선팽창 계수의 하한은 특별히 제한은 없고, 통상 0.1ppm/℃이다.
또한, 지지 부재(14)의 선팽창 계수와 이형 필름(11)의 선팽창 계수의 차는 250ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다. 선팽창 계수의 차가 250ppm/℃보다 큰 경우에는 보관 시 및 운송 시의 저온 상태와 사용 시의 상온 상태의 온도 변화에 따라, 지지 부재(14)와 이형 필름(11)의 치수의 차가 발생하므로, 이하와 같은 다양한 문제가 있다.
(1) 온도 변화에 따라 치수차가 발생하면, 상술한 바와 같은, 이형 필름(11)과 점착 필름(13) 사이 및 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이에 보이드가 발생할 우려가 있다.
(2) 유저가 롤 형상으로 핸들링할 때에 권취가 무너질 가능성이 증가한다. 보다 상세하게는, 예를 들어 제조, 출하 시에 정상적으로 권취되어 있어도, 유저측에서의 냉장 보관으로부터 상온 사용 시 및 상온 사용으로부터 냉장 보관 시에 치수차가 발생하여, 권취가 무너질 가능성이 증가한다.
(3) 치수차에 의해 롤 형상으로 권취된 시트 사이에 간극이 생겨, 롤 측면으로부터의 이물 혼입의 가능성이 증가한다.
(4) 웨이퍼 가공용 테이프의 권취수가 많은 경우나 제품 폭이 넓은 경우에는, 상온으로부터 냉장 보관할 때에, 롤 중심측과 롤 외주측에서는 냉각 속도가 상이하이다. 이로 인해, 롤 중심측과 롤 외주측에서 선팽창차에 기인하는 지지 부재(14)와 이형 필름(11)의 치수차가 상이하여, 롤 전체에서의 형상이 변화될 가능성이 높다.
본 발명에 있어서, 선팽창 계수란, 정압 하에서 온도를 바꾸었을 때에 물체의 공간적 확대의 증가하는 비율을 말한다. 온도를 T, 그 고체의 길이를 L로 하면, 그 선팽창 계수 α는 이하의 식으로 주어진다.
α=(1/L)ㆍ(∂L/∂T)
또한, 본 발명에 있어서의 선팽창 계수의 측정은, 예를 들어 JIS K7197, 플라스틱의 열기계 분석에 의한 선팽창률 시험 방법에 준거하여, 열기계적 분석 장치(TMA)를 사용하여, 길이 15㎜, 폭 5㎜, 척간 거리 10㎜로 절단한 시료를 설치하여, 인장 하중 10g, 승온 속도 5℃/min, N2 가스 분위기 하에서, 측정 온도 범위 -20℃ 내지 50℃의 조건으로 측정할 수 있다.
또한, 지지 부재(14)는 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지하는 관점에서, 점착 필름(13)에 대해 어느 정도의 마찰 계수를 갖는 재질의 것이 바람직하다. 이에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취나 권취수를 증대시킬 수 있는 등의 효과가 얻어진다.
지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름과의 사이의 정지 마찰 계수는 0.2 내지 2.0인 것이 바람직하고, 0.6 내지 1.6인 것이 보다 바람직하다. 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취하면, 이형 필름(11)의 제1 면(11a)측에 설치된 점착 필름(13)의 주변부(13a)와, 이형 필름(11)의 제2 면(11b)측에 설치된 지지 부재(14)가 접촉하므로, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름과의 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 미만으로 작은 경우에는, 제조 시나 사용 시에 권취 어긋남이 발생하기 쉬워져 핸들링성이 악화된다. 한편, 2.0보다 큰 경우에는, 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14) 사이의 저항이 지나치게 커서, 제조 공정에서의 핸들링성이 악화되거나, 고속 권취 시 등에 사행되는 원인이 된다. 따라서, 양자간의 정지 마찰 계수를 상기 범위로 설정함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 어긋남을 방지할 수 있고, 고속 권취를 가능하게 하여, 권취수를 증대시킬 수 있는 등의 효과가 얻어진다.
본 발명에 있어서, 지지 부재(14)와 점착 필름(13)의 기재 필름과의 사이의 정지 마찰 계수는 JIS K7125에 준거하며, 이하와 같은 측정 방법에 의해 얻을 수 있다.
25㎜(폭)×100㎜(길이)로 각각 컷트된 점착 필름(13)의 기재 필름과 지지 부재(14)의 양 필름 샘플을 중첩하여, 하측의 필름을 고정한다. 계속해서, 적층된 필름 위에 중량 200g의 추를 하중 W로서 얹고, 상측의 필름을 200㎜/min의 속도로 인장하여, 미끄러져 나올 때의 힘 Fd(g)를 측정하고, 이하의 식으로부터 정지 마찰 계수(μd)를 구한다.
μd=Fd/W
지지 부재(14)로서는, 예를 들어 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프를 적절히 사용할 수 있다. 이와 같은 점접착 테이프를, 이형 필름(11)의 제2 면(11b)의 양단부 부분의 소정 위치에 부착함으로써, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 형성할 수 있다.
점접착 테이프의 기재 수지로서는, 상기 선팽창 계수의 범위를 만족시키고, 또한 권취압에 견딜 수 있는 것이면 특별히 한정은 없지만, 내열성, 평활성 및 입수의 용이의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
점접착 테이프의 점착제의 조성 및 물성에 대해서는, 특별히 한정은 없고, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 권취 공정 및 보관 공정에 있어서, 이형 필름(11)으로부터 박리되지 않는 것이면 된다.
또한, 지지 부재(14)로서는, 착색된 지지 부재를 사용해도 된다. 이와 같은 착색 지지 부재를 사용함으로써, 웨이퍼 가공용 테이프를 롤 형상으로 권취했을 때에, 테이프의 종류를 명확하게 식별할 수 있다. 예를 들어, 착색 지지 부재(14)의 색을, 웨이퍼 가공용 테이프의 종류나 두께에 따라 상이하게 함으로써, 용이하게 테이프의 종류나 두께를 식별할 수 있고, 인위적인 미스의 발생을 억제, 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 23℃에 있어서의 점착 필름(13)의 인장 저장 탄성률 Eb와, 23℃에 있어서의 이형 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea의 비 Eb/Ea가 0.001 내지 100의 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 Eb/Ea는 값이 클수록 상대적으로 점착 필름(13)이 단단하고, 이형 필름(11)이 유연하다. 한편, 상기 Eb/Ea는 값이 작을수록 상대적으로 점착 필름(13)이 유연하고, 이형 필름(11)이 단단하다. 상기 구성에 의하면, Eb/Ea가 0.001 이상이기 때문에, 점착 필름의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이상으로 된다. 따라서, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 구성하는 접착제층(12)에 전사 자국이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 Eb/Ea가 0.001 이상이고, 점착 필름(13)의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이상으로 되기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)로의 접합 시에, 점착 필름(13)과 이형 필름(11)을 적절히 박리할(픽킹할) 수 있다.
또한, 상기 Eb/Ea가 100 이하이기 때문에, 이형 필름(11)의 경도(인장 저장 탄성률 Ea)는 일정 이상으로 되는 한편, 점착 필름(13)의 경도(인장 저장 탄성률 Eb)는 일정 이하로 된다. 따라서, 접착제층(12)의 이형 필름(11)으로의 접합 시에 이형 필름(11)에 꺾임이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 접착제층(12) 표면을 손상시키거나, 필름 사이에 기포가 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 이형 필름(11)의 필름 들뜸이나 반도체 웨이퍼(W)의 마운트 시에 접착제층(12)과 반도체 웨이퍼(W) 사이에서 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
이와 같이, 상기 구성에 의하면, 롤 형상으로 권취했을 때에, 전사 자국이 접착제층(12)에 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 이형 필름(11)의 필름 들뜸이나, 반도체 웨이퍼(W)의 마운트 시에 접착제층(12)과 반도체 웨이퍼(W) 사이에서 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 이형 필름(11)의 두께는 10 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 점착 필름(13)의 두께는 25 내지 180㎛인 것이 바람직하다.
또한, 상기 구성에 있어서, 23℃에 있어서의 점착 필름(13)의 인장 저장 탄성률 Eb는 1 내지 500㎫인 것이 바람직하고, 23℃에 있어서의 이형 필름(11)의 인장 저장 탄성률 Ea는 1 내지 5000㎫인 것이 바람직하다.
또한, 상기 구성에 있어서, 접착제층(12)은 유리 전이 온도가 0 내지 100℃의 범위 내이고, 또한 경화 전 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률이 50㎫ 내지 5000㎫의 범위인 것이 바람직하다. 접착제층(12)의 유리 전이 온도를 0℃ 이상으로 함으로써, B 스테이지 상태에서의 접착제층(12)의 점착성이 커지는 것을 억제하여, 양호한 취급성을 유지할 수 있다. 또한, 다이싱 시에, 접착제층(12)의 일부가 용융되어 점착제가 반도체 칩에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 양호한 픽업성을 유지할 수 있다. 한편, 유리 전이 온도를 100℃ 이하로 함으로써, 접착제층(12)의 유동성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)와의 양호한 접착성도 유지할 수 있다. 또한, 접착제층(12)이 열경화형인 경우, 접착제층(12)의 유리 전이 온도란, 열경화 전의 것을 말한다. 또한, 접착제층(12)의 경화 전 23℃에 있어서의 인장 저장 탄성률을 50㎫ 이상으로 함으로써, 다이싱 시에, 접착제층(12)의 일부가 용융되어 점착제가 반도체 칩에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 인장 저장 탄성률을 5000㎫ 이하로 함으로써, 반도체 웨이퍼(W)나 기판과의 양호한 접착성도 유지할 수 있다.
또한, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 이형 필름(11)의 두께를 Ta로 하고, 점착 필름(13)의 두께를 Tb로 했을 때, Ta/Tb가 0.07 내지 2.5의 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 Ta/Tb는, 예를 들어 이형 필름(11)의 두께 Ta를 일정하게 하면, 값이 작을수록, 점착 필름(13)이 두꺼워진다. 상기 구성에 의하면, Ta/Tb가 0.07 이상이므로, 점착 필름(13)이 적층되어 있는 부분과, 적층되어 있지 않은 부분의 단차는 일정 이하이다. 따라서, 전사 자국의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 상기 Ta/Tb가 0.07 이상이고, 이형 필름(11)에 비해 점착 필름(13)의 두께가 두껍기 때문에, 이형 필름(11)의 두께에 따라 응력을 흡수할 수 있어, 전사 자국의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 상기 Ta/Tb가 0.07 이상이고, 이형 필름(11)에 비해 점착 필름(13)의 두께가 두껍기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)로의 접합 시에, 점착 필름(13)과 이형 필름(11)을 적절히 박리할(픽킹할) 수 있다. 또한, 상기 Ta/Tb는, 예를 들어 점착 필름(13)의 두께 Tb를 일정하게 하면, 값이 작을수록, 이형 필름(11)의 두께는 얇아진다. 상기 Ta/Tb가 2.5 이하이므로, 이형 필름(11)의 두께는 일정 이하이다. 따라서, 점착 필름(13)이 적층되어 있는 부분과, 적층되어 있지 않은 부분의 단차로의 추종성이 양호하다. 또한, 상기 Ta/Tb가 2.5 이하이고, 이형 필름(11)의 두께는 일정 이하이므로, 점착 필름(13)을 이형 필름에 라미네이트할 때의 압력을 균일하게 할 수 있어, 기포의 혼입을 방지할 수 있다. 이와 같이, 상기 구성에 의하면, 점착 필름(13) 위에 접착제층(12) 및 이형 필름(11)이 순차 적층된 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취했을 때에, 전사 자국이 접착제층(12)에 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.
상기 구성에 있어서는, 온도 23±2℃, 박리 속도 300㎜/min의 조건 하에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 접착제층(12)과 이형 필름(11) 사이의 박리력 F1은 0.025 내지 0.075N/100㎜의 범위 내이고, 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이의 박리력 F2는 0.08 내지 10N/100㎜의 범위 내이고, 상기 F1과 상기 F2는 F1<F2의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.
웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 이완이나 권취 어긋남, 위치 어긋남, 보이드(기포) 등의 발생 방지의 관점에서, 점착 필름(13)이나 접착제층(12), 이형 필름(11)에 인장 장력을 가하면서 제조된다. 그 결과, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 그것을 구성하는 필름 중 어느 하나에 인장 잔류 변형이 존재한 상태에서 제조된다. 이 인장 잔류 변형은, 예를 들어 -30 내지 10℃의 저온 상태에서 수송하거나 장시간 보관했을 경우에, 각 필름에서 수축을 일으킨다. 또한, 각 필름은 물성이 상위하므로 수축의 정도도 상위하다. 예를 들어, 점착 필름(13)은 각 필름 중에서 가장 수축의 정도가 크고, 이형 필름(11)은 가장 수축의 정도가 작다. 그 결과, 점착 필름(13)과 접착제층(12) 사이에서 계면 박리를 발생시키거나, 이형 필름(11)의 필름 들뜸 현상을 일으킨다.
상기 구성은 접착제층(12)과 이형 필름(11) 사이의 박리력 F1을 0.025 내지 0.075N/100㎜의 범위로 하고, 또한 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이의 박리력 F2를 0.08 내지 10N/100㎜의 범위 내로 한 후, F1<F2의 관계를 만족시키는 구성으로 하는 것이다. 전술한 바와 같이, 각 필름에 있어서의 수축은 점착 필름이 가장 크기 때문에, 접착제층(12)과 이형 필름(11) 사이의 박리력 F1보다도, 접착제층(12)과 점착 필름(13) 사이의 박리력 F2를 크게 함으로써, 가장 수축률이 큰 점착 필름(13)의 수축을 억제하여, 점착 필름(13)과 접착제층(12) 사이의 계면 박리나, 이형 필름(11)의 필름 들뜸 현상을 방지하는 것이다. 또한, 접착제층(12)의 일부 또는 전부가 이형 필름(11)에 전사하는 것도 방지할 수 있다.
[실시예]
다음에, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
(1) 이형 필름
이하에 나타내는 이형 필름을 준비하였다.
이형 필름 A1: 두께 25㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 4070㎫, 선팽창 계수는 60ppm)
이형 필름 A2: 두께 100㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 3910㎫, 선팽창 계수는 60ppm)
이형 필름 A3: 두께 12㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 4020㎫, 선팽창 계수는 60ppm)
이형 필름 A4: 두께 38㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(인장 저장 탄성률은 4020㎫, 선팽창 계수는 60ppm)
이형 필름 A5: 두께 25㎛, 폭 390㎜의 실리콘 이형 처리한 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름(인장 저장 탄성률은 105㎫, 선팽창 계수는 230ppm)
(2) 점착 필름의 제작
<점착 필름 B1>
관능기를 갖는 아크릴계 공중합체로서, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 및 메타크릴산을 포함하고, 2-에틸헥실아크릴레이트의 비율이 60몰%, 질량 평균 분자량 70만의 공중합체를 제조하였다. 다음에, 요오드가가 20으로 되도록, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트를 첨가하고, 유리 전이 온도 -50℃, 수산기값 10㎎KOH/g, 산가 5㎎KOH/g의 아크릴계 공중합체 (b-1)을 제조하였다.
아크릴계 공중합체 (b-1) 100질량부에 대해, 폴리이소시아네이트로서 코로네이트 L(닛본 폴리우레탄제)을 5질량부 가하고, 광중합 개시제로서 Esacure KIP 150(Lamberti사제)을 3질량부 가한 혼합물을, 아세트산에틸에 용해시키고, 교반하여 점착제 조성물을 제조하였다.
다음에, 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 이 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ아세트산 비닐 공중합체(도소 1제, 울트라 센서 636)를 포함하는 기재 필름(두께 50㎛)과 접합하여, 두께 60㎛의 점착 필름 B1을 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 40㎫이었다.
<점착 필름 B2>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 5㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 이형 처리 없음)을 포함하는 기재 필름(두께 40㎛)과 접합하여, 두께 45㎛의 점착 필름 B2를 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 105㎫이었다.
<점착 필름 B3>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체의 아이오노머(미츠이ㆍ듀퐁 폴리케미컬제, 하이밀란 1554)를 포함하는 기재 필름(두께 150㎛)과 접합하여, 두께 160㎛의 점착 필름 B3을 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 301㎫이었다.
<점착 필름 B4>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체의 아이오노머(미츠이ㆍ듀퐁 폴리케미컬제, 하이밀란 1554)를 포함하는 기재 필름(두께 110㎛)과 접합하여, 두께 120㎛의 점착 필름 B4를 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 289㎫이었다.
<점착 필름 B5>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 에틸렌ㆍ프로필렌 블록 공중합체(프라임 중합체 1제, 프라임 폴리프로 F707W)를 포함하는 기재 필름(두께 110㎛)과 접합하여, 두께 120㎛의 점착 필름 B5를 제작하였다. 인장 저장 탄성률은 980㎫이었다.
(3) 접착제층의 형성
<접착제층 C1>
에폭시 수지 「YX4000」(미츠비시 가가쿠제, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 185) 15.0질량부, 페놀 수지 「LF-6161」(DIC제, 노볼락 페놀 수지, 수산기 당량 118) 40.0질량부, 에폭시 수지 「에피코트 828」(미츠비시 가가쿠제, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 190) 45.0중량부, 실리카 필러인 「에어로실 R972」(닛본 에어로실제, 1차 입경의 평균 입경 0.016㎛) 5질량부를 포함하는 조성물에 MEK를 가하고, 교반 혼합하여, 균일한 조성물로 하였다.
이것에, 관능기를 포함하는 중합체로서 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트에서 유래하는 단량체 단위를 포함하는 아크릴 공중합체(중량 평균 분자량 85만, Tg20℃) 66.7질량부, 커플링제로서 「KBM-802」(신에츠 실리콘제, 머캅토프로필트리메톡시실란) 0.6질량부 및 경화 촉진제로서의 「큐어졸 2PHZ-PW」(시코쿠 가세이제, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 분해 온도 230℃) 0.1질량부를 가하여, 균일해질 때까지 교반 혼합하였다. 또한, 이것을 100메쉬의 필터로 여과하여, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물의 바니시 (c-1)을 얻었다.
이 바니시 (c-1)을, 이형 필름 A1 위에 코터로 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 5분간 건조하여, 두께 30㎛의 접착제층 C1을 제작하였다.
<접착제층 C2>
바니시 (c-1)을, 이형 필름 A2 위에 코터로 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 5분간 건조하여, 두께 30㎛의 접착제층 C2를 제작하였다.
<접착제층 C3>
바니시 (c-1)을, 이형 필름 A1 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C3을 제작하였다. 그 후, 접착제층 C3을 이형 필름 A1로부터 이형 필름 A3으로 전사하였다.
<접착제층 C4>
바니시 (c-1)을, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조한 것을 2매 준비하고, 그들을 70℃에서 적층함으로써, 두께 120㎛의 접착제층 C4를 제작하고, 한쪽의 이형 필름 A4는 박리하였다.
<접착제층 C5>
바니시 (c-1)을, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C5를 제작하였다.
<접착제층 C6>
바니시 (c-1)을, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C6을 제작하였다. 그 후, 이형 필름 A4로부터 전사하고, 이형 필름 A5와 접착제층 C6의 조합을 얻었다.
<접착제층 C7>
바니시 (c-1)을, 이형 기재 A1 위에 코터로 건조 막 두께가 30㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 5분간 건조하여, 두께 20㎛의 접착제층 C7을 제작하였다.
<접착제층 C8>
에폭시 수지 「1002」(미츠비시 가가쿠제, 고형 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 600) 40질량부, 에폭시 수지 「806」(미츠비시 가가쿠제, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 에폭시 당량 160, 비중 1.20) 100질량부, 경화제 「Dyhard 100SF」(데구사제, 디시안디아미드) 5질량부, 실리카 필러 「SO-C2」(애드마파인제, 평균 입경 0.5㎛) 200질량부 및 실리카 필러인 「에어로실 R972」(닛본 에어로실제, 1차 입경의 평균 입경 0.016㎛) 3질량부를 포함하는 조성물에 MEK를 가하고, 교반 혼합하여, 균일한 조성물로 하였다.
이것에, 페녹시 수지 「PKHC」(INCHEM제, 질량 평균 분자량 43,000, 유리 전이 온도 89℃) 100질량부, 커플링제로서 「KBM-802」(신에츠 실리콘제, 머캅토프로필트리메톡시실란) 0.6질량부 및 경화 촉진제로서의 「큐어졸 2PHZ-PW」(시코쿠 가세이제, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 분해 온도 230℃) 0.5질량부를 가하여, 균일해질 때까지 교반 혼합하였다. 또한 이것을 100메쉬의 필터로 여과하여, 진공 탈포함으로써, 접착제 조성물의 바니시 (c-2)를 얻었다.
이 바니시 (c-2)를, 이형 필름 A4 위에 코터로 건조 막 두께가 60㎛로 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 8분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착제층 C8을 제작하였다.
(4) 지지 부재의 제작
<지지 부재 D1>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 5㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 25㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 30㎛, 폭 36㎜의 지지 부재 D1을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.
<지지 부재 D2>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리프로필렌(OPP, 이형 처리 없음)을 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 36㎜의 지지 부재 D2를 제작하였다. 선팽창 계수는 120ppm이었다.
<지지 부재 D3>
클린룸용의 시판의 클린 라인 테이프인 TW-PLT(다니무라제)를 폭 36㎜로 슬릿하여 지지 부재 D3으로서 사용하였다. 두께 75㎛의 폴리염화비닐층과 두께 12㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트층이 적층되어 이루어지는 수지 필름 기재를 갖고, 총 두께 142㎛, 선팽창 계수는 80ppm이었다.
<지지 부재 D4>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 이형 처리 없음)을 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 36㎜의 지지 부재 D4를 제작하였다. 선팽창 계수는 230ppm이었다.
<지지 부재 D5>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 44㎜의 지지 부재 D5를 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.
<지지 부재 D6>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 50㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 75㎛, 폭 40㎜의 지지 부재 D6을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.
<지지 부재 D7>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 75㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 100㎛, 폭 40㎜의 지지 부재 D7을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.
<지지 부재 D8>
이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 박리 라이너에 상기 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시킨 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이형 처리 없음)를 포함하는 수지 필름 기재(두께 75㎛)와 접합하고 전사하여, 두께 100㎛, 폭 35㎜의 지지 부재 D8을 제작하였다. 선팽창 계수는 60ppm이었다.
(실시예 1)
냉장 보관하고 있던 이형 필름 A1 위에 형성된 접착제층 C1을 상온으로 복귀시키고, 접착제층 C1에 대해, 이형 필름 A1의 두께의 1/2 이하의 컷팅(절입) 깊이가 되도록 조정하여 직경 320㎜의 원형 프리컷 가공을 행하였다. 그 후, 접착제층 C1의 불필요 부분을 제거하여, 점착 필름 B1을 그 점착제층이 접착제층 C1과 접하도록, 이형 필름 A1에 실온에서 라미네이트하였다. 그리고, 점착 필름 B1에 대해, 이형 필름 A1의 두께의 1/2 이하의 컷팅 깊이가 되도록 조절하여 접착제층 C1과 동심원 형상으로 직경 370㎜의 원형 프리컷 가공을 행하여, 15N의 장력으로 300매를 권취하였다. 다음에, 이형 필름 A1 위의 접착제층 C1 및 점착 필름 B1이 설치된 면과는 반대의 면이며, 또한 이형 필름 A1의 짧은 방향 양단부에 지지 부재 D1을 접합하여, 실시예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다. 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 지지 부재의 폭의 합계를 sD, 접착제층의 직경을 aφ, 이형 필름의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, [(sD+aφ)-L]=2㎜이고, 지지 부재가, 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 2㎜ 걸리도록 설치하였다.
(실시예 2 내지 8, 비교예 1)
실시예 1과 동일한 방법으로, 표 1의 조합으로, 실시예 2 내지 8 및 비교예 1의 웨이퍼 가공용 테이프를 제작하였다. 또한, 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 지지 부재가 걸리는 양은 겹침 A(㎜)로 하여 표 2에 기재하였다.
Figure 112015117876662-pat00001
[공기의 침입과 전사 자국의 유무의 평가]
실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를 폴리에틸렌제의 주머니에 수납하고, 탈기 후, 히트 시일하여 폴리프로필렌제의 측판을 양단부에 설치하였다. 또한, PP 밴드 2개가 십자로 되도록 걸고 융착하여 접합하였다. 그 후, 각 곤포체를 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관 후, 냉장고로부터 취출하여, 판 형상의 드라이 아이스와 함께 곤포 상자에 수납하고, 수송용 트랙에 적재하여 히라츠카부터 아키타 사이를 왕복하였다(약 1000㎞). 이때, 곤포 상자의 최저 온도는 -43℃, 최고 온도는 7℃였다. 그 후, 각 곤포체를 곤포 개방하고, 롤을 상온으로 복귀시킨 후 포장 주머니를 개봉하여 롤을 풀고, 육안으로 접착제층과 점착 필름 사이로의 공기의 침입 및 MD, TD 각 방향으로의 전사 자국의 유무를 관찰하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
[마운트 후의 보이드의 억제성 평가]
실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를 폴리에틸렌제의 주머니에 수납하고, 탈기 후, 히트 시일하여 폴리프로필렌제의 측판을 양단부에 설치하였다. 또한, PP 밴드 2개가 십자로 되도록 걸고 융착하여 접합하였다. 그 후, 각 곤포체를 1개월간 냉장고 내(5℃)에서 보관 후, 냉장고로부터 취출하여, 판 형상의 드라이 아이스와 함께 곤포 상자에 수납하고, 수송용 트랙에 적재하여 히라츠카부터 아키타 사이를 왕복하였다(약 1000㎞). 이때, 곤포 상자의 최저 온도는 -43℃, 최고 온도는 7℃였다. 그 후, 각 곤포체를 곤포 개방하고, 롤을 상온으로 복귀시킨 후 포장 주머니를 개봉하여, 반도체 웨이퍼로의 마운트를 행하였다. 반도체 웨이퍼로서는 크기가 12인치, 두께 50㎛인 것을 사용하였다. 반도체 웨이퍼의 마운트 조건은 하기와 같다.
<접합 조건>
부착 장치: 웨이퍼 마운터 DAM-812M(가부시키가이샤 타카트리제)
부착 속도계: 50㎜/sec
부착 압력: 0.1㎫
부착 온도: 60℃, 90℃
계속해서, 웨이퍼 가공용 테이프와 반도체 웨이퍼의 접합면의 보이드(기포)의 유무를, 현미경에 의해 확인하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112015117876662-pat00002
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예에 따른 웨이퍼 가공용 테이프는 지지 부재가, 이형 필름의 짧은 방향 양단부이며 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 걸리도록 설치되어 있으므로, 접착제층의 내측으로의 공기의 침입은 보이지 않았다. 또한, TD 방향으로 지지 부재에 기인하는 전사 자국은 보였지만, MD 방향, TD 방향으로 랜덤하게 발생하는 라벨 자국은 보이지 않았다. 또한, TD 방향으로 지지 부재에 기인하는 전사 자국은 발생하였지만, 웨이퍼 접합 영역의 외측이었으므로, 웨이퍼 접합 시에 보이드가 발생하는 일은 없었다.
이에 비해, 비교예에 관한 웨이퍼 가공용 테이프는 지지 부재가, 이형 필름의 짧은 방향 양단부이며 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 접착제층의 단부에 대응하는 영역에 걸리지 않도록 설치되어 있으므로, MD 방향, TD 방향 모두 전사 자국은 보이지 않았지만, 접착제층의 내측으로 공기가 침입해 버려, 웨이퍼 접합 시에 일부에 보이드가 발생하였다.
10 : 웨이퍼 가공용 테이프
11 : 이형 필름
12 : 접착제층
13 : 점착 필름
13a : 원형 라벨부
13b : 주변부
14, 14', 14" : 지지 부재

Claims (15)

  1. 장척의 이형 필름과,
    상기 이형 필름의 제1 면 위에 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 접착제층과,
    상기 접착제층을 덮고, 또한 상기 접착제층의 주위에서 상기 이형 필름에 접촉하도록 형성된 소정의 평면 형상을 갖는 라벨부와, 상기 라벨부의 외측을 둘러싸는 주변부를 갖는 점착 필름과,
    상기 이형 필름의, 상기 접착제층 및 점착 필름이 형성된 제1 면과는 반대인 제2 면 위에 설치되며, 또한 상기 이형 필름의 짧은 방향 양단부에 설치되며, 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 접착제층의 단부에 대응하는 영역과 겹치도록 설치된 지지 부재를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이형 필름의 짧은 방향에 있어서의 상기 지지 부재의 폭의 합계를 sD, 상기 접착제층의 직경을 aφ, 상기 이형 필름의 짧은 방향의 길이를 L로 했을 때, 0㎜<[(sD+aφ)-L]<20㎜인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재의 선팽창 계수가 300ppm/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재의 선팽창 계수와 상기 이형 필름의 선팽창 계수의 차가 250ppm/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점착 필름은, 점착제층과 기재 필름을 갖고,
    상기 기재 필름과 상기 지지 부재 사이의 정지 마찰 계수가 0.2 내지 2.0인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재는 상기 이형 필름의 긴 방향을 따라 연속적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재는 상기 접착제층의 두께 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재는 착색되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  9. 제8항에 있어서, 상기 지지 부재는 웨이퍼 가공용 테이프의 종류에 따라 착색되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  10. 제8항에 있어서, 상기 지지 부재는 웨이퍼 가공용 테이프의 두께에 따라 착색되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재는 2층 이상의 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌 및 고밀도 폴리에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 필름 기재에 점접착제를 도포한 점접착 테이프인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 23℃에 있어서의 상기 점착 필름의 인장 저장 탄성률 Eb와, 23℃에 있어서의 상기 이형 필름의 인장 저장 탄성률 Ea의 비 Eb/Ea가 0.001 내지 100인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이형 필름의 두께 Ta와, 상기 점착 필름의 두께 Tb의 비 Ta/Tb가 0.07 내지 2.5인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서, 온도 23±2℃, 박리 속도 300㎜/min의 조건 하에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 상기 접착제층과 상기 이형 필름 사이의 박리력 F1이 0.025 내지 0.075N/100㎜이고, 상기 접착제층과 상기 점착 필름 사이의 박리력 F2가 0.08 내지 10N/100㎜이고, F1<F2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
KR1020150170535A 2014-12-04 2015-12-02 웨이퍼 가공용 테이프 KR101828135B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-246308 2014-12-04
JP2014246308A JP6382088B2 (ja) 2014-12-04 2014-12-04 ウェハ加工用テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160067754A KR20160067754A (ko) 2016-06-14
KR101828135B1 true KR101828135B1 (ko) 2018-02-09

Family

ID=56124797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150170535A KR101828135B1 (ko) 2014-12-04 2015-12-02 웨이퍼 가공용 테이프

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6382088B2 (ko)
KR (1) KR101828135B1 (ko)
CN (1) CN105694748B (ko)
TW (1) TWI613716B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102238757B1 (ko) * 2019-02-26 2021-04-09 구자규 반도체 웨이퍼의 보호필름 제조방법 및 이에 따라 제조된 보호필름

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5276063B2 (ja) 2010-07-16 2013-08-28 古河電気工業株式会社 半導体ウエハのダイシング及びダイボンディング加工用シート

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04360653A (ja) 1991-06-06 1992-12-14 Tochigi Pref Gov 麻の実の多価不飽和脂肪酸高含有鶏卵の生産方法
JP4360653B2 (ja) * 2007-09-14 2009-11-11 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
CN101569002B (zh) * 2007-09-14 2012-03-28 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP4976532B2 (ja) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
JP4991921B2 (ja) * 2010-09-06 2012-08-08 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置
JP2012082285A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Hitachi Chemical Co Ltd 接着シート

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5276063B2 (ja) 2010-07-16 2013-08-28 古河電気工業株式会社 半導体ウエハのダイシング及びダイボンディング加工用シート

Also Published As

Publication number Publication date
TW201633387A (zh) 2016-09-16
CN105694748B (zh) 2019-07-30
CN105694748A (zh) 2016-06-22
KR20160067754A (ko) 2016-06-14
JP2016111157A (ja) 2016-06-20
JP6382088B2 (ja) 2018-08-29
TWI613716B (zh) 2018-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2192611B9 (en) Wafer processing tape
JP4360653B2 (ja) ウエハ加工用テープ
TWI507336B (zh) Adhesive sheet
TWI504720B (zh) Adhesive sheet
JP2016111158A (ja) ウェハ加工用テープ
KR101828135B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
KR101847246B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
KR101809331B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
KR101808922B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
KR101819292B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
KR20160067756A (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
JP2016111165A (ja) ウエハ加工用テープ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant