CN101569002B - 晶片加工用带 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶片加工用带(10)，其具有：长条状的分型膜(11)；粘接剂层(12)，其设于分型膜(11)的第一表面(11a)上且具有平面形状；粘合膜(13)，其具备：具有平面形状的标签部(13a)与包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)；支承构件(14)，其设于与分型膜(11)的第一表面(11a)相反的第二表面(11b)且位于分型膜(11)的短边方向两端部，其中，支承构件(14)的线膨胀系数为300ppm/℃以下。

Description

晶片加工用带
技术领域
本发明涉及一种晶片加工用带，尤其是涉及一种具有切割带与管芯焊接膜的二种功能的晶片加工用带。
背景技术
近来有开发一种同时具有切割带(dicing tape)以及管芯焊接膜(diebonding film)的二种功能的切割-管芯焊接带(dicing-die bonding tape)，其中，该切割带在将半导体晶片切断分离(切割)成各个芯片时用于固定半导体晶片，该管芯焊接带用于将被切断的半导体晶片粘接于引线框或封装基板等或在堆叠封装中用于半导体晶片彼此层叠及粘接。
作为这样的切割-管芯焊接带，考虑到对晶片的贴附或对切割时的环形框的安装等的作业性，而实施预切割(pre-cut)加工。
图8、图9(a)及图9(b)是表示预切割加工后的切割-管芯焊接带的例子。图8是表示将切割-管芯焊接带卷绕成辊卷状的状态的图；图9(a)是切割-管芯焊接带的俯视图；图9(b)是图9(a)的线B-B的剖视图。切割-管芯焊接带50包括分型膜51、粘接剂层52以及粘合膜53。粘接剂层52被加工成对应晶片的形状的圆形，且具有圆形标签形状。粘合膜53将对应切割用的环形框的形状的圆形部分的周边区域除去而成，如图所示，具有圆形标签部53a与包围其外侧的周边部53b。使粘接剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a的中心一致并层叠，或者使粘合膜53的圆形标签部53a覆盖粘接剂层52且在其周围与分型膜51接触。
在切割晶片时，从层叠状态的粘接剂层52及粘合膜53剥离分型膜51，如图10所示，将半导体晶片W的背面贴附在粘接剂层52上，在粘合膜53的圆形标签部53a的外周部粘合固定切割用环形框R。在该状态下，对半导体晶片W进行切割，之后，对粘合膜53实施紫外线照射等固化处理并拾取半导体晶片。此时，粘合膜53因固化处理而粘合力降低，因此，容易从粘接剂层52剥离，半导体晶片在背面附着了粘接剂层52的状态下被拾取。附着于半导体晶片的背面的粘接剂层52，在之后将半导体晶片粘接于引线框或封装基板或其他半导体芯片时，发挥作为管芯焊接膜的功能。
然而，如图8、图9(a)及图9(b)所示，在上述的切割-管芯焊接带50中，粘接剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a层叠的部分比粘合膜53的周边部53b厚。因此，当作为产品卷成辊卷状时，粘接剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a的层叠部分、和粘合膜53的周边部53b的台阶相互重叠，且发生在柔软的粘接剂层52表面转印有台阶的现象，即图11所示的转印痕迹(也称为标签痕迹、皱纹或卷绕痕迹)。尤其是，在粘接剂层52以柔软的树脂形成的情况或具有厚的情况、以及带50的卷数较多的情况等，这样的转印痕迹的发生更为显著。并且，当发生转印痕迹时，因粘接剂层与半导体晶片的粘接不良，导致在晶片加工时存在产生不良状况的担心。
为了抑制上述转印痕迹的发生，考虑了减弱带的卷绕压力，但在这种方法中，存在如下的担心：因产品的卷绕偏移，导致给例如难以对带安装机进行设定等带的实际使用时带来障碍。
另外，在专利文献1中公开了一种粘接片，其为了抑制上述那样的标签痕迹的发生，在剥离基材上的粘接剂层及粘合膜的外侧设置具有与粘接剂层及粘合膜的合计膜厚相等或该合计膜厚以上的膜厚的支承层。在专利文献1的粘接片中，通过具备支承层，将施加于粘接片的卷绕压力分散或集中于支承层，抑制粘接剂层与粘合膜的层叠部分和仅有粘合膜的部分的台阶转印于其他粘接剂层。
然而，在上述专利文献1的粘接片中，在剥离基板上的制造半导体装置的情况等所需的粘接剂层及粘合膜以外的部分形成有支承层，因此，支承层的宽度具有限制，且支承层的宽度相对粘接剂层及粘合膜的外径较窄，从而，转印痕迹的抑制效果是不充分的。
作为提高上述转印痕迹的抑制效果的对策，在专利文献2中公开了一种层叠片，其是用于在光盘的受光面层叠保护片的层叠片，在长条状的剥离片上，分别在不同的位置层叠粘接片及保护件，保护件(支承构件)设于剥离片的背面宽度方向两侧部(参照专利文献2的图11)。根据这样将支承构件设于背面侧的构成，由于支承构件的宽度的限制变少，且可加宽支承构件的宽度，所以可期待有效抑制转印痕迹的形成。
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2004-35836号公报
然而，由于晶片加工用带被置于从保管时及运送时的低温状态(例如-20℃～5℃)返回使用时的常温状态时或向晶片贴合的加热时等温度变化很大的特殊的使用环境下，所以单纯地只在分型膜的背面侧设置支承构件，并不适合作为晶片加工用途。即，在温度变化大的使用环境下，支承构件的尺寸变化因温度变化而变大，导致在分型膜与粘合膜之间及粘接剂层与粘合膜之间侵入空气而发生空隙(void)，存在发生对晶片的贴合不良的担心。当发生贴合不良时，存在给之后的晶片的切割工序或带的展延工序进而晶片的拾取工序或安装工序的成品率带来降低的担心。
另外，在公知的晶片加工用带中，如图8所示，存在若卷绕成辊卷状作为产品就难以识别产品的种类的问题。为了解决此问题，虽然可考虑在例如图9(a)所示的切割-管芯焊接带50的圆形标签部53a印刷产品的名称等方法，但是为了不对上述切割工序带来影响，印刷在没有圆形标签部53a的粘接剂层52的范围为宜，因此，可印刷的空间受到限制，且文字的大小或文字数受到限制。由此，存在发生拿错切割-管芯焊接带等人为失误的担心。另外，在这种方法中，在卷绕成辊卷状的状态下且只从辊卷侧面观察(以纸面看图8是从上方向或下方向观察)，无法判别产品的种类。为了解决此问题，虽然可考虑针对每一产品种类而改变辊卷的卷心(core)的颜色等方法，但是存在如下问题：着色卷心高价且关系成本提高，还需要持有较多的卷心的库存等。
发明内容
本发明的一个目的，在于提供一种晶片加工用带，当将在分型膜具有粘接剂层及粘合膜的晶片加工用带卷绕成辊卷状时，可充分地抑制对粘接剂层的转印痕迹的发生，而且可抑制起因于温度变化的空隙的发生。本发明的另一目的，在于提供一种晶片加工用带，当将在分型膜具有粘接剂层及粘合膜的晶片加工用带卷绕成辊卷状时，可充分地抑制对粘接剂层的转印痕迹的发生，而且可明确地识别带的种类。
本发明的晶片加工用带的一方式，其特征在于：
具有：
长条状的分型膜；
粘接剂层(接着剤
Figure G2008800012887D00041
)，其设于上述分型膜的第一表面上且具有规定的平面形状；
粘合膜，其具有标签部与周边部，上述标签部以覆盖上述粘接剂层且在上述粘接剂层的周围与上述分型膜接触的方式而设置且具有规定的平面形状，上述周边部包围上述标签部的外侧，
支承部件，其设于上述分型膜的与设有上述粘接剂层及粘合膜的第一表面相反的第二表面且位于上述分型膜的短边方向两端部，
其中，
所述支承部件的线膨胀系数为300ppm/℃以下。
优选为，上述支承构件的线膨胀系数与上述分型膜的线膨胀系数之差为250ppm/℃以下，另外，优选为，构成上述粘合膜的基材膜与上述支承构件之间的静摩擦系数为0.2～2.0。
另外优选为，上述支承构件设于上述分型膜的上述第二表面上的与设于上述第一表面的上述粘接剂层的外侧对应的区域、沿着上述分型膜的长边方向连续设置、以及具有上述粘接剂层的厚度以上的厚度。
进而，上述支承构件也可以为着色构件，在该情况下，优选为，上述着色构件按照晶片加工用带的种类或厚度而着色。
另外，上述支承构件也可以具有二层以上的层叠构造。
作为上述支承构件，可适当地使用在选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯及高密度聚乙烯构成的组中的膜基材上涂敷了胶粘剂(粘接着剤)的胶粘带(粘接着テ一プ)。
本发明的晶片加工用带的另一方式，其特征在于：
具有：
长条状的分型膜；
粘接剂层，其设于上述分型膜的第一表面上且具有规定的平面形状；
粘合膜，其具有标签部与周边部，上述标签部以覆盖上述粘接剂层且在上述粘接剂层的周围与上述分型膜接触的方式而设置且具有规定的平面形状，上述周边部包围上述标签部的外侧，
着色支承构件，其设于上述长条状的分型膜的短边方向两端部。
上述着色支承构件也可以设于上述分型膜的设有上述粘接剂层及粘合膜的第一表面、及与该第一表面相反的第二表面的任一面，优选设于第二表面。
另外优选为，上述着色支承构件设于上述分型膜的上述第二表面上的与设于上述第一表面的上述粘接剂层的外侧对应的区域、沿着上述分型膜的长边方向连续设置、以及具有上述粘接剂层的厚度以上的厚度。
另外，上述着色支承构件也可以具有二层以上的层叠构造。
作为上述着色支承构件也可以适当地使用在聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酯的膜基材上涂敷了胶粘剂的胶粘带。
优选为，上述着色支承构件基于晶片加工用带的种类或厚度而颜色不同。
根据本发明，通过在分型膜的背面设置具有特定的物性值的支承构件，除了可获得充分地抑制对粘接剂层的转印痕迹的发生的效果，也可以获得即使在温度变化大的使用环境下支承构件的尺寸变化少，且可抑制空隙的发生的优良效果。
根据本发明，通过在分型膜的表面或背面设置着色支承构件，除了可获得抑制对粘接剂层的转印痕迹的发生的效果，也可以获得可明确识别切割-管芯焊接带的种类的优良效果。
附图说明
图1(a)是本发明实施方式的晶片加工用带的俯视图，(b)为(a)的线A-A的剖视图。
图2是图1所示的晶片加工用带的变形例的晶片加工用带的剖视图。
图3是图1所示的晶片加工用带的另一变形例的晶片加工用带的剖视图。
图4(a)是本发明另一实施方式的晶片加工用带的俯视图；(b)为(a)的线A-A的剖视图。
图5是本发明再一实施方式的晶片加工用带的俯视图。
图6是图4所示的晶片加工用带的变形例的晶片加工用带的剖视图。
图7是图4所示的晶片加工用带的另一变形例的晶片加工用带的剖视图。
图8是现有晶片加工用带的立体图。
图9(a)是现有晶片加工用带的俯视图；(b)为其剖视图。
图10是表示贴合有晶片加工用带与切割用环形框的状态的剖视图。
图11是用于说明现有晶片加工用带的不正常状况的示意图。
附图标号说明
10、20：晶片加工用带
11、21：分型膜
12、22：粘接剂层
13、23：粘合膜
13a、23a：圆形标签部
13b、23b：周边部
14、14’、14”：支承构件
24、24’、24”、34：着色支承构件
具体实施方式
(第1实施方式)
以下根据附图详细说明本发明的第1实施方式。
图1(a)是本发明的第1实施方式的晶片加工用带(切割-管芯焊接带)10的俯视图；图1(b)为图1(a)的线A-A的剖视图。
如图1(a)及图1(b)所示，晶片加工用带10具有长条状的分型膜11、粘接剂层12、粘合膜13以及支承构件14。
粘接剂层12设置在分型膜的第一表面11a上，且具有对应晶片的形状的圆形标签形状。粘合膜13具有：圆形标签部13a，其覆盖粘接剂层12且以在粘接剂层12的周围与分型膜接触的方式而设置；周边部13b，其包围该圆形标签部13a的外侧。周边部13b包含完全地包围圆形标签部3a的外侧的形态和如图所示的不完全地包围的形态。圆形标签部13a具有对应切割用的环形框的形状。并且，支承构件14设于分型膜11的与设有粘接剂层12及粘合膜13的第一表面11a相反的第二表面11b，且位于分型膜11的短边方向两端部。
以下，对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素加以详细说明。
(分型膜)
作为用于晶片加工用带10的分型膜11，可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯、及其他可进行分型处理的膜等公知物。
分型膜的厚度未被特别限定，但可适当设定，优选为25～50μm。
(粘接剂层)
粘接剂层12如上述地形成于分型膜11的第一表面11a上，且具有对应晶片的形状的圆形标签形状。
当半导体晶片等被贴合及切割后拾取晶片时，粘接剂层12作为附着于晶片背面且将晶片固定于基板或引线框时的粘接剂来使用。作为粘接剂层12，可优选使用包含选自环氧系树脂、丙烯酸系树脂、酚醛树脂的至少一种的胶粘剂等。此外，也可使用聚酰亚胺系树脂或硅酮系树脂。其厚度虽可适当地设定，但是优选为5～100μm左右。
(粘合膜)
本发明的粘合膜13如上所述，具有：对应切割用的环形框的形状的圆形标签部13a；以及包围其外侧的周边部13b。对于这样的粘合膜而言，能够通过预切割加工，从膜状粘合剂去除圆形标签部13a的周边区域而形成。
作为粘合膜13并无特别限制，可使用在切割晶片时具有充分的粘合力以使晶片不会剥离且在切割后拾取晶片时显示较低的粘合力以可容易从粘接剂层剥离的粘合膜。例如，可适合地使用在基材膜设有粘合剂层的粘合膜。
作为粘合膜13的基材膜，优选使用在作为后述的粘合剂层使用辐射固化性的材料时具有辐射透过性的基材膜。
例如，作为其材料，可列举聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性物、以及它们的混合物。另外，基材膜也可以混合选自这些的组中的二种以上材料而成，这些材料可为单层或多层化的材料。
基材膜的厚度虽没有特别的限定，但可适当地设定，优选为50～200μm。
作为用于粘合膜13的粘合剂层的树脂，没有特别的限定，可使用用于粘合剂的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。
优选在粘合剂层13的树脂中适当地配合丙烯酸系粘合剂、辐射聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等来配制粘合剂。对于粘合剂层13的厚度而言，虽没有特别的限定，但可适当地设定，优选为5～30μm。
将辐射聚合性化合物配合于粘合剂层并利用辐射固化，能够容易从粘接剂层剥离。对于该辐射聚合性化合物而言，例如采用在可经光照射三维网状化的分子内具有至少二个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
具体而言，可适用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡聚酯丙烯酸酯等。
另外，除了如上所述的丙烯酸酯系化合物以外，还可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物是向使多价异氰酸酯化合物(例如，2，4-亚苄基二异氰酸酯、2，6-亚苄基二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4，4-二异氰酸酯等)与聚酯型或聚醚型等多元醇化合物反应得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，反应具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)而得到的。
在粘合剂层中也可以混合有选自上述树脂中的二种以上。
在使用光聚合引发剂时，例如可使用异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮(Michler’s Ketone)、氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量相对于丙烯酸系共聚物100质量份，优选为0.01～5质量份。
(支承构件)
支承构件14设于分型膜11的与设置有粘接剂12及粘合膜13的第一表面11a相反的第二表面11b，且设于分型膜11的短边方向两端部。这样，通过设置支承构件14，在将晶片加工用带10卷绕成辊卷状时，由于可将施加于带上的卷绕压力予以分散或集中于支承构件14，所以可抑制对粘接剂层12的转印痕迹的形成。
另外，在将支承构件形成于设置有粘接剂12及粘合膜13的第一表面11a时，在支承层的宽度上会有所限制，相对于此，在本实施方式的构成中，可将支承构件14的宽度确保较宽，且可更有效地抑制转印痕迹的发生。
进而，通过将支承构件14设于分型膜11的第二表面11b，则可获得相对于支承构件14的位置偏移的容许误差变大的效果。
优选的是，支承构件14设置在分型膜11的第二表面11b上的与设于第一表面的粘接剂层12的外侧对应的区域、即在第二表面11b上，如图1(a)所示的从分型膜11的端部至粘接剂层12的区域R。通过这样的构造，当卷绕带10时，由于粘接剂层12与设于分型膜11的第二表面11b的支承构件14不会重叠，所以可防止在粘接剂层12上附带支承构件14的痕迹。
支承构件14，虽然可沿着分型膜11的长边方向断续或连续设置，但是从更有效地抑制转印痕迹的发生的观点来看，优选为沿着分型膜11的长边方向连续设置。
作为支承构件14的厚度，只要为相当于分型膜11上的粘接剂层12及粘合膜13的圆形标签部13a的层叠部分、与粘合膜13的周边部13b的台阶的厚度，即与粘接剂层12相同，或是该厚度以上即可。图2是表示支承构件14’的厚度比粘接剂层12的厚度还厚的例子的剖视图。
支承构件具有这样的厚度，则当卷绕带10时，由于粘合膜13与重叠于其表面的分型膜11的第二表面11b接触、或不接触地在它们之间形成有空间，所以不会隔着粘合膜13将分型膜11的第二表面11b强制地按压于柔软的粘接剂层12。因而，可更有效地抑制转印痕迹的发生。
本发明的支承构件14具有300ppm/℃以下的线膨胀系数。对于晶片加工用带而言，例如在保管时或运送时，可以保持-20℃～5℃左右的低温状态，另外，当将晶片加工用带的粘接剂层贴合于晶片时，为了使粘接剂加热软化而提高粘接性，可利用加热器工作台(heater table)进行70～80℃左右的加热贴合等，晶片加工用带被置放于温度变化大的环境下。如果支承构件14的尺寸随着温度变化而变化，则在分型膜11与粘合膜13之间以及粘接剂层12与粘合膜13之间就会侵入空气而发生空隙，且发生对晶片的贴合不良，存在给之后的晶片的切割工序或带的展延工序进而晶片的拾取工序或安装工序中的成品率带来降低的担心。在本发明中，通过使用300ppm/℃以下的线膨胀系数较低的支承构件，即可充分地抑制对粘接剂层12的转印痕迹的发生，并且即使在温度变化大的使用环境下也可使支承构件13的尺寸变化较少，且可抑制空隙的发生。
为了更有效地抑制转印痕迹的发生以及空隙的发生，支承构件14的线膨胀系数，优选为150ppm/℃以下，更优选为70ppm/℃以下。线膨胀系数的下限并无特别限制，通常为0.1ppm/℃。
另外，支承构件14的线膨胀系数与分型膜11的线膨胀系数之差优选为250ppm/℃以下。在线膨胀系数的差为大于250ppm/℃时，由于会因保管时以及运送时的低温状态与使用时的常温状态的温度变化，而发生支承构件14与分型膜11的尺寸差，所以会有如下的各种的不佳状况。
(1)当因温度变化而发生尺寸差时，存在如上所述的在分型膜11与粘合膜13之间、以及粘接剂层12与粘合膜13之间发生空隙的担心。
(2)在使用者以辊卷状进行处理时，捆卷走样的可能性增加。更具体地，例如在制造、出厂时即使正常地被卷绕，仍会从使用者侧的冷藏保管至常温使用时以及从常温使用至冷藏保管时发生尺寸差，导致捆卷走样的可能性增加。
(3)因尺寸差而在被卷绕成辊卷状的片之间发生间隙，导致从辊卷侧面混入异物的可能性增加。
(4)在晶片加工用带的卷数较多的情况或产品宽度较宽的情况下，当从常温进行冷藏保管时，在卷心侧与辊卷外周侧，冷却速度不同。因此，在卷心侧与辊卷外周侧，起因于线膨胀差的支承构件14与分型膜11的尺寸差不同，导致辊卷整体的形状变化的可能性高。
在本发明中，所谓线膨胀系数，是指当在恒压下改变温度时增加物体在空间上的扩展的比例。若将温度设为T，将其固定的长度设为L，则该线膨胀系数α可以由如下的公式来赋予。
α＝(1/L)×(σL/σT)
另外，本发明中的线膨胀系数的测定，是例如以JIS K7191塑胶的热机械分析的线膨胀率试验方法为基准，并使用热机械分析装置(TMA)，安装切断成长度15mm、宽度5mm、夹头间距10mm的试料，可在拉伸荷重10g、升温速度5℃/min、N2气体环境下，以测定温度范围-20℃～50℃的条件进行测定。
另外，支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数优选为0.2～2.0，更优选为0.6～1.6。当将晶片加工用带卷绕成辊卷状时，由于设于分型膜11的第一表面11a侧的粘合膜13的周边部13a、与设于分型膜11的第二表面11b侧的支承构件14会接触，所以在支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数小到不足0.2的情况下，就容易在制造时或使用时发生卷绕偏移且处理性会恶化。另一方面，在大于2.0的情况下，粘合膜13的基材膜与支承构件之间的阻力过大，而成为制造工序中的处理性恶化或高速卷绕时等蛇行的原因。因而，通过将两者间的静摩擦系数设定在上述范围内，即可防止晶片加工用带10的卷绕偏移，且可获得能够高速卷绕以及使卷绕数增大的效果。
在本发明中，支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数，是以JIS K7125为基准，由如下的测定方法而获得。
使分别被切断成25mm(宽度)×100mm(长度)的粘合膜13的基材膜与支承构件14的两膜取样重合，且固定下侧的膜。接着，将重量200g的配重当作荷重W载置于被层叠的膜之上，且以200mm/min的速度拉伸上侧的膜，测定滑出时的力Fd(g)，从以下的公式中求出静摩擦系数(μd)。
μd＝Fd/W
作为支承构件14，例如可适合地使用在树脂膜基材上涂敷了胶粘剂的胶粘带。通过将这样的胶粘带贴附于分型膜11的第二表面11b的两端部分的规定位置，即可形成本实施方式的晶片加工用带10。胶粘带也可只贴附一层，或也可如图3所示层叠较薄的带。
作为胶粘带的基材树脂，虽然只要满足上述线膨胀系数的范围且可承受卷绕压力则无特别限定，但是从耐热性、平滑性以及容易取得的方面来看，优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯以及高密度聚乙烯。
有关胶粘带的粘合剂的组成及物性，并无特别限定，只要在带10的卷绕工序及保管工序中，不会从分型膜11剥离即可。
另外，作为支承构件14，也可使用被着色的支承构件。通过使用这样的着色支承构件，则在将晶片加工用带卷绕成辊卷状时，可明确地识别带的种类。例如，通过使着色支承构件14的颜色，随着晶片加工用带的种类或厚度而不同，即可容易地识别带的种类或厚度，从而可抑制并防止人为的失误的发生。
(第2实施方式)
其次，根据附图详细说明本发明的第2实施方式。
图4(a)是本发明第2实施方式的晶片加工用带(切割-管芯焊接带)20的俯视图；图4(b)为图4(a)的线A-A的剖视图。
如图4(a)及图4(b)所示，晶片加工用带20具有长条状的分型膜21、粘接剂层22、粘合膜23以及着色支承构件23。
粘接剂层22设置在分型膜的第一表面上，且具有对应晶片的形状的圆形标签形状。粘合膜23具有：圆形标签部23a，其覆盖粘接剂层22且以在粘接剂层22的周围与分型膜接触的方式而设置；周边部23b，其包围该圆形标签部23a的外侧。周边部23b包含完全地包围圆形标签部23a的外侧的形态和如图所示的不完全地包围的形态。圆形标签部23a具有对应切割用的环形框的形状。并且，着色支承构件24设于分型膜21的与设有粘接剂层22及粘合膜23的第一表面21a相反的第二表面21b，且位于分型膜21的短边方向两端部。
以下，对本实施方式的晶片加工用带20的各构成要素加以详细说明。
(分型膜)
作为用于晶片加工用带20的分型膜21，可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)系、聚乙烯、及其他可进行分型处理的膜等公知物。
分型膜的厚度未被特别限定，但可适当设定，优选为25～50μm。
(粘接剂层)
粘接剂层22如上所述地形成于分型膜21的第一表面21a上，且具有对应晶片的形状的圆形标签形状。
当半导体晶片等被贴合及切割后拾取晶片时，粘接剂层22作为附着于晶片背面且将晶片固定于基板或引线框时的粘接剂来使用。作为粘接剂层22，可优选使用包含选自环氧系树脂、丙烯酸系树脂、酚醛树脂的至少一种的胶粘剂等。此外，也可使用聚酰亚胺系树脂或硅酮系树脂。其厚度虽可适当地设定，但是优选为5～100μm左右。
(粘合膜)
粘合膜23如上述，具有：对应切割用的环形框形状的圆形标签部23a；以及包围其外侧的周边部23b。对于这样的粘合膜而言，能够通过预切割加工，从膜状粘合剂去除圆形标签部23a的周边区域而形成。
作为粘合膜23并无特别限制，可使用在切割晶片时具有充分的粘合力以使晶片不会剥离且在切割后拾取晶片时显示较低的粘合力以可容易从粘接剂层剥离的粘合膜。例如，可适合地使用在基材膜设有粘合剂层的粘合膜。
作为粘合膜23的基材膜，虽然只要其为现有公知物则可无特别限定地使用，但是优选使用在作为后述的粘合剂层使用辐射固化性的材料时具有辐射透过性的基材膜。
例如，作为其材料，可列举聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性物、以及它们的混合物。另外，基材膜也可以混合选自这些的组中的二种以上材料而成，这些材料可为单层或多层化的材料。
基材膜的厚度虽未被特别限定，但可适当地设定，优选为50～200μm。
作为被用于粘合膜23的粘合剂层的树脂，并未被特别限定，可使用被用于粘合剂的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。
在粘合剂层23的树脂中，优选为适当地配合丙烯系粘合剂、辐射聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等来配制粘合剂。粘合剂层23的厚度虽未被特别限定，但可适当地设定，优选为5～30μm。
将辐射聚合性化合物配合于粘合剂层并借助辐射固化，能够容易从粘接剂层剥离。该辐射聚合性化合物例如采用，在借助光照射而能够三维网状化的分子内具有至少二个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
具体而言，可适用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡聚酯丙烯酸酯等。
另外，除了如上所述的丙烯酸酯系化合物以外，还可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物是向使多价异氰酸酯化合物(例如，2，4-亚苄基二异氰酸酯、2，6-亚苄基二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4，4-二异氰酸酯等)与聚酯型或聚醚型等多元醇化合物反应得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，反应具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)而得到的。
在粘合剂层中也可以混合有选自上述树脂中的二种以上。
在使用光聚合引发剂时，例如可使用异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量相对于丙烯酸系共聚物100质量份，优选为0.01～5质量份。
(着色支承构件)
通过在分型膜21的短边方向两端部设置支承构件24，即可在将晶片加工用带20卷绕成辊卷状时，明确地识别带的种类。
例如，通过使着色支承构件24的颜色，按照晶片加工用带的种类或厚度而不同，即可容易地识别带的种类或厚度，从而可抑制并防止人为的失误的发生。
对于晶片加工用带20而言，虽然是以使用者期望的长度卷绕成辊卷状而进行产品出厂，或以相当于使用者期望的切割-管芯焊接带的片数的量卷绕成辊卷状而进行产品出厂，但是由于产品时的长度、与用于产品的上述分型膜21或粘接剂层22及粘合膜等坯材的长度会有所不同，所以有时会在坯材或中间产品中发生剩余而降低成品率。虽然可借助串接产品而提高成品率，但是在所串接的产品与被串接的产品的颜色有微妙不同的情况下，从辊卷侧面来看(以纸面看图8是从上方向或下方向来看)，有时会显著地出现辊卷侧面的颜色差异，这些会损害产品的外观，也可能因使用者而造成每一辊卷都要退货的事态，而造成问题。
这样的问题，也可通过设置着色支承构件24，将辊卷侧面的微妙的颜色差异吸收于着色带的颜色中，从而能够改善外观。
另外，如图4(b)所示，粘接剂层22与粘合膜23的圆形标签部23a所层叠而成的部分，比粘合膜23的周边部23b还厚。因此，当作为产品卷绕成辊卷状时，粘接剂层22与粘合膜23的圆形标签部23a的层叠部分、与粘合膜23的周边部23b的台阶会相互重叠，导致发生在柔软的粘接剂层22表面转印有台阶的现象，即如图11所示的转印痕迹(也称为标签痕迹、皱纹或卷绕痕迹)。尤其是，在粘接剂层22以柔软的树脂所形成的情况或具有厚的情况以及带20的卷数较多的情况等，这样的转印痕迹的发生更为显著。并且，当发生转印痕迹时，因粘接剂层与半导体晶片的粘接不良，导致在晶片加工时存在产生不良状况的担心。
这样的问题，由于也可通过设置着色支承构件24，使当将晶片加工用带20卷绕成辊卷状时施加于带的卷绕压力予以分散或集中于着色支承构件24，因此，可抑制对粘接剂层22的转印痕迹的形成。
在图4(a)及图4(b)的例子中，虽然示出了将着色支承构件24设于分型膜的第二表面21b侧的情况，但是从使带的种类的识别性提高的观点来看，也可将着色支承构件设于分型膜的第一表面21a侧。例如，如图5所示，可采用在粘合膜周边部23b上设置着色支承构件34的构成。
另一方面，从如上所述的抑制对粘接剂层22的转印痕迹的发生的观点来看，优选为，着色支承构件24设于分型膜21的第二表面21b侧。其原因在于，在将着色支承构件24形成于设有粘接剂层22及粘合膜23的第一表面21a的情况下，在支承层的宽度上存在限制，相对于此，当设于分型膜21的第二表面21b且位于分型膜21的短边方向两端部，由于可将着色支承构件24的宽度确保较宽，所以可更有效地抑制转印痕迹的发生。进而，通过将着色支承构件24设于分型膜21的第二表面21b，则也可获得相对于着色支承构件24的位置偏移的容许误差增大的效果。
在将着色支承构件24设于分型膜的第二表面21b侧的情况下，着色支承构件24优选为，设置在分型膜21的第二表面21b上的与设于第一表面21a的粘接剂层22的外侧对应的区域、即在第二表面21b上，如图4(a)所示的从分型膜21的端部至粘接剂层22的区域R。借助这样的构造，当卷绕带20时，由于设于分型膜21的第一表面21a的粘合膜23的圆形标签部23a、与设于分型膜21的第二表面21b的着色支承构件24不会重叠，所以可防止在粘接剂层22上附带着色支承构件24的痕迹。
着色支承构件24，虽然可沿着分型膜21的长边方向断续或连续地设置，但是从更有效地抑制转印痕迹的发生的观点来看，优选为沿着分型膜21的长边方向连续设置。
作为支承构件24的厚度，只要为相当于分型膜21上的粘接剂层22及粘合膜23的圆形标签部23a的层叠部分、与粘合膜23的周边部23b的台阶的厚度，即与粘接剂层22相同，或是该厚度以上即可。图6是表示着色支承构件24’的厚度比粘接剂层22的厚度还厚的例子的剖视图。
着色支承构件具有这样的厚度，则当卷绕带20时，由于粘合膜23与重叠于其表面的分型膜21的第二表面21b接触、或不接触地在它们之间形成有空间，所以不会隔着粘合膜23将分型膜21的第二表面21b强制地按压于柔软的粘接剂层22。因而，可更有效地抑制转印痕迹的发生。
着色支承构件24优选具有300ppm/℃以下的线膨胀系数。在线膨胀系数大于300ppm/℃时，在后工序中的加热时或从保管时及运送中的低温状态(例如-20℃～5℃)返回到使用时的室温时等，尺寸变化相对于温度变化增大，因此其是不优选的。
另外，从防止晶片加工用带20的卷绕偏移的观点来看，着色支承构件24优选为相对于粘合膜23具有一定程度的摩擦系数的材质。由此，可防止晶片加工用带20的卷绕偏移，且可获得能增大高速卷绕或卷绕数的效果。
作为着色支承构件24例如，可适合地使用在被着色的树脂膜基材上涂敷了胶粘剂的胶粘带。通过将这样的胶粘带贴附于分型膜21的第二表面21b的两端部分的规定位置，或是贴附于分型膜的第一表面21a上的粘合膜周边部23b上的规定位置，即可形成本实施方式的晶片加工用带20。胶粘带也可只贴附一层，或可如图7所示，层叠较薄的带。
作为胶粘带的着色基材树脂，虽然只要如上述地相对于粘合膜23具有一定程度的摩擦系数且可承受卷绕压力则无特别限定，但是从耐热性、平滑性以及容易取得的方面来看，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)以及聚酯。
有关胶粘带的粘合剂的组成及物性，并无特别限定，只要在带20的卷绕工序及保管工序中，不会从分型膜21剥离即可。
其次，虽然就本发明的实施例进行了说明，但是本发明并非局限于这些实施例。
(1)粘合膜的制作
(粘合膜1A)
在作为溶剂的甲苯400g中，按照适宜地调节滴加量的方式，加入丙烯酸-n-丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己基酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰的混合液，调节反应温度及反应时间，由此获得具有官能团的化合物(1)的溶液。
接着，在该聚合物溶液中，按照适宜地调节滴加量的方式，加入作为具有辐射固化性碳-碳双键及官能团的化合物(2)的另外由甲基丙烯酸与乙二醇合成的甲基丙烯酸-2-羟基乙酯2.5g、作为阻聚剂的对苯二酚，并调节反应温度及反应时间，由此获得具有辐射固化性碳-碳双键的化合物(A)的溶液。接着，在化合物(A)中，加入相对于化合物(A)溶液中的化合物(A)100质量份为1质量份的作为聚异氰酸酯(B)的日本聚氨酯公司制的CORONATE(コロネ一ト)L、0.5质量份的作为光聚合引发剂的日本CHIBAGAIGI公司制的IRGACURE(イルガキユア一)184以及150质量份的作为溶剂的乙酸乙酯并予以混合，由此配制辐射固化性的粘合剂组合物。
接着，将配制好的粘合剂层组合物以干燥膜厚成为20μm的方式涂布于厚度100μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜，且以110℃干燥3分钟，制作成粘合膜1A。
(粘合膜1B)
作为基材膜，除了采用厚度100μm且对一侧表面进行鼓风处理后的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜以外，以与粘合膜1A相同的方式，来制作成粘合膜1B。
(粘合膜1C)
作为基材膜，除了采用厚度100μm且对一侧表面进行分型处理后的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜以外，以与粘合膜1A相同的方式，来制作成粘合膜1C。
(2)分型膜
采用以下所示的分型膜2A及2B。
分型膜2A：厚度25μm的经分型处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜
分型膜2B：厚度25μm的经分型处理的聚丙烯膜
当以热机械分析装置(理学电气公司制)测定这些分型膜2A及2B的线膨胀系数时，分别为60ppm/℃、120ppm/℃。
(3)粘接剂层3A的形成
在由作为环氧树脂的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(环氧当量197、分子量1200、软化点70℃)50质量份、作为硅烷偶合剂的γ-巯基丙基三甲氧基硅烷1.5质量份、γ-脲基丙基三甲氧基硅烷3质量份、平均粒径16nm的二氧化硅填料30质量份构成的组合物中，加入环己酮并予以搅拌混合，进而使用珠磨机(beads mill)进行90分钟的混练。
在其中加入100质量份的丙烯酸树脂(质均分子量：80万、玻璃化转变温度-17℃)、5质量份的作为6官能丙烯酸单体的二季戊四醇六丙烯酸酯、0.5质量份的作为固化剂的六亚甲基二异氰酸酯的加合物、2.5质量份的Curezol 2PZ(四国化成公司制商品名、2-苯基咪唑)，予以搅拌混合，并进行真空脱气，来获得粘接剂。
将上述粘接剂涂敷在分型膜2A及2B上，且以110℃进行1分钟加热干燥，形成膜厚20μm的B级(stage)状态(热固化性树脂的固化中间状态)的涂膜，且在分型膜2A及2B上形成粘接剂层3A，并进行冷藏保管。
(4)支承构件的制作
(支承构件4A)
混合100质量份的丙烯酸树脂(质均分子量：60万、玻璃转移温度-20℃)、10质量份的作为硬化剂的聚异氰酸酯化合物(日本聚胺酯公司制、商品名：CRONATE L)来获得粘合剂组合物。
将上述粘合剂组合物以干燥膜厚成为25μm的方式涂布在厚度75μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，且以110℃进行3分钟干燥，制作成支承构件4A。
当以热机械分析装置(理学电气公司制)来测定支承构件4A的线膨胀系数时，线膨胀系数为60ppm/℃。
(支承构件4B)
将上述粘合剂组合物以干燥膜厚成为25μm的方式涂布在厚度75μm的聚丙烯膜，且以110℃进行3分钟干燥，制作成支承构件4B。
当以热机械分析装置(理学电气公司制)来测定支承构件4B的线膨胀系数时，线膨胀系数为120ppm/℃。
(支承构件4C)
将上述粘合剂组合物以干燥膜厚成为50μm的方式涂布在厚度50μm的高密度聚乙烯膜，且以110℃进行3分钟干燥，制作成支承构件4C。
当以热机械分析装置(理学电气公司制)来测定支承构件4C的线膨胀系数时，线膨胀系数为300ppm/℃。
(支承构件4D)
将上述粘合剂组合物以干燥膜厚成为50μm的方式涂布在厚度50μm的低密度聚乙烯膜，且以110℃进行3分钟干燥，制作成支承构件4D。
当以热机械分析装置(理学电气公司制)来测定支承构件4D的线膨胀系数时，线膨胀系数为350ppm/℃。
(支承构件4E)
将上述粘合剂组合物以干燥膜厚成为50μm的方式涂布在厚度50μm的超高分子量聚乙烯膜，且以110℃进行3分钟干燥，制作成支承构件4E。
当以热机械分析装置(理学电气公司制)来测定支承构件4E的线膨胀系数时，线膨胀系数为400ppm/℃。
(支承构件4F)
将上述粘合剂组合物以干燥膜厚成为25μm的方式涂布在厚度75μm且对一侧表面进行鼓风处理后的聚丙烯膜，且以110℃进行3分钟干燥，制作成支承构件4F。
当以热机械分析装置(理学电气公司制)来测定支承构件4F的线膨胀系数时，线膨胀系数为120ppm/℃。
(支承构件4G)
将上述粘合剂组合物以干燥膜厚成为50μm的方式涂布在厚度50μm且对一侧表面进行分型处理后的高密度聚乙烯膜，且以110℃进行3分钟干燥，制作成支承构件4G。
当以热机械分析装置(理学电气公司制)来测定支承构件4G的线膨胀系数时，线膨胀系数为300ppm/℃。
(实施例1)
将形成有冷藏保管者的粘接剂层3A的分型膜2A回到常温，且相对于粘接剂层而将对分型膜的切口深度调整为10μm以下，并进行直径220mm的圆形预切割加工。之后，去除粘接剂层的不要部份，且将粘合膜1A以其粘合剂层与粘接剂层相接的方式，在分型膜2A室温下分层。然后，相对于粘合膜1A而将对分型膜的切口深度调整为10μm以下，并与粘接剂层同心圆状地进行直径290mm的圆形预切割加工。其次，将支承构件4A贴合于分型膜2A的与设有粘接剂层及粘合膜的第一表面相反的第二表面且位于分型膜2A的短边方向两端部，来制作成具有图1所示的构造的实施例1的晶片加工用带。
(实施例2)
除了使用支承构件4B来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成实施例2的晶片加工用带。
(实施例3)
除了使用分型膜2B来取代分型膜2A，且使用支承构件4C来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成实施例3的晶片加工用带。
(实施例4)
除了使用支承构件4C来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成实施例4的晶片加工用带。
(实施例5)
除了使用粘合带1B来取代粘合带1A，且使用支承构件4C来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成实施例5的晶片加工用带。
(实施例6)
除了使用粘合带1C来取代粘合带1A，且使用支承构件4B来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成实施例6的晶片加工用带。
(实施例7)
除了使用粘合膜1B来取代粘合膜1A，且使用支承构件4G来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成实施例7的晶片加工用带。
(实施例8)
除了使用分型膜1C来取代分型膜1A，且使用支承构件4F来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成实施例8的晶片加工用带。
另外，另行对实施例1～8的晶片加工用带进行测定各支承构件与粘合膜的基材膜之间的静摩擦系数。其结果示于表1。
(比较例1)
除了使用分型膜2B来取代分型膜2A，且使用支承构件4D来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成比较例1的晶片加工用带。
(比较例2)
除了使用支承构件4D来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成比较例2的晶片加工用带。
(比较例3)
除了使用支承构件4E来取代支承构件4A以外，其余与实施例1同样，制作成比较例3的晶片加工用带。
(比较例4)
除了未设置支承构件以外，其余与实施例1同样，制作成比较例4的晶片加工用带。
另外，另行对比较例1～3的晶片加工用带进行测定各支承构件与粘合膜的基材膜之间的静摩擦系数。其结果示于表2。
[转印痕迹(标签痕迹、皱纹、或卷绕痕迹)以及空隙的抑制性评价]
将实施例1～8及比较例1～4的晶片加工用带，以圆形形状的粘合膜的数目成为300片的方式，卷绕成辊卷状，来制作成晶片加工用带卷。将所得的晶片加工用带卷在冷藏库内(5℃)保管1个月。之后，在使晶片加工用带卷返回至室温之后解开辊卷，以目视观察有无转印痕迹，按照以下的评价基准，以○、△、×的三等级来评价晶片加工用带的转印痕迹与空隙的抑制性。其结果示于表1及表2。
○：即使从各种角度以目视观察也无法确认转印痕迹或空隙。
△：基于角度而可确认稍微的转印痕迹或空隙。
×：即使从哪个角度目视观察也可确认膜上的转印痕迹或空隙。
[有无发生卷绕偏移]
对于实施例1～8及比较例1～4的晶片加工用带，进行了在制造时、冷藏保管时以及常温使用时确认有无发生卷绕偏移。其结果示于表1及表2。
[处理性及生产性的评价]
对于实施例1～8及比较例1～4的晶片加工用带，在制造时、冷藏保管时以及常温使用时，按照以下的评价基准，并以◎、○、×的三等级来评价处理性和生产性。其结果显示于表1及表2。
◎：非常容易处理，且处理性及生产性优异。
○：容易处理，且处理性及生产性佳。
×：很难处理，且处理性及生产性差。
[表1]
Figure G2008800012887D00231
[表2]
Figure G2008800012887D00241
在将支承构件设于晶片加工用带的背面的实施例1～8及比较例1～3中，均未发生转印痕迹，相对于此，在未设置支承构件的比较例4中发生转印痕迹，从而可知，通过支承构件，能够抑制转印痕迹的发生。
另外，在支承构件的线膨胀系数为300ppm/℃以下的实施例1～8中，并未发生空隙，相对于此，支承构件的线膨胀系数大于300ppm/℃的比较例1～3则发生了空隙。其结果是，可知通过设置线膨胀系数为300ppm/℃以下的支承构件，能够抑制起因于温度变化的空隙的发生。
尤其是，在经被确认有发生空隙的比较例1～3中的支承构件与分型膜的线膨胀系数之差比250ppm/℃还大的比较例2及3中，发生很多空隙，因此，可知，在支承构件与分型膜的线膨胀系数之差较大的情况下，更容易发生空隙。
另外，在粘合膜的基材膜与支承构件之间的静摩擦系数在0.2～2.0的范围内的实施例1～6及比较例1～3中，处理性及生产性较好，相对于此，在不足0.2的实施例7与超过2.0的实施例8中，处理性及生产性差。尤其是，在静摩擦系数不足0.2的实施例7的情况下，也会发生卷绕偏移。
从以上的结果可知，根据本发明的晶片加工用带(实施例1～8)，则可确认，在卷绕成辊卷状的情况，能够充分地抑制转印痕迹的发生，并且能够抑制起因于温度变化的空隙的发生。

Claims (11)

1.一种晶片加工用带，其特征在于，
其具有：
长条状的分型膜；
粘接剂层，其设于所述分型膜的第一表面上且具有规定的平面形状；
粘合膜，其具有标签部与周边部，所述标签部以覆盖所述粘接剂层且在所述粘接剂层的周围与所述分型膜接触的方式而设置且具有规定的平面形状，所述周边部包围所述标签部的外侧，
支承部件，其设于所述分型膜的与设有所述粘接剂层及粘合膜的第一表面相反的第二表面上，并且设置于所述分型膜的短边方向两端部，且设置在与所述分型膜接触的所述标签部的区域涉及到的所述第一表面的区域对应的区域，
其中，
所述支承部件的线膨胀系数与所述分型膜的线膨胀系数之差为250ppm/℃以下。
2.一种晶片加工用带，其特征在于，
其具有：
长条状的分型膜；
粘接剂层，其设于所述分型膜的第一表面上且具有规定的平面形状；
粘合膜，其具有标签部与周边部，所述标签部以覆盖所述粘接剂层且在所述粘接剂层的周围与所述分型膜接触的方式而设置且具有规定的平面形状，所述周边部包围所述标签部的外侧，
支承部件，其设于所述分型膜的与设有所述粘接剂层及粘合膜的第一表面相反的第二表面上，并且设置在包含所述分型膜的短边方向两端部，且与从所述短边方向两端部至所述粘接剂层未涉及到的而与所述分型膜接触的所述标签部的区域涉及到的所述第一表面的区域对应的区域，
所述支承部件的线膨胀系数与所述分型膜的线膨胀系数之差为250ppm/℃以下。
3.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述粘合膜具有粘合剂层与基材膜，
所述粘合膜的基材膜与所述支承部件之间的静摩擦系数为0.2～2.0。
4.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述支承部件设于所述分型膜的所述第二表面上的与设于所述第一表面的所述粘接剂层的外侧对应的区域。
5.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述支承部件沿着所述分型膜的长边方向连续设置。
6.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述支承部件具有所述粘接剂层的厚度以上的厚度。
7.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述支承部件为着色部件。
8.如权利要求7所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述着色部件按照晶片加工用带的种类而着色。
9.如权利要求7所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述着色部件按照晶片加工用带的厚度而着色。
10.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述支承部件具有二层以上的层叠构造。
11.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，
所述支承部件为在选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯及高密度聚乙烯构成的组中的膜基材上涂敷了胶粘剂的胶粘带。
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