TWI320799B - Wafer processing tape - Google Patents

Description

1320799 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種晶圓加工用膠帶，尤其是關於一種 具有切割膠帶與黏晶薄膜之二種功能的晶圓加工用膠帶。 【先前技術】 近來有開發一種同時具有切割膠帶（dicing tape)以及 黏晶薄膜（die bonding film 或 die attach film)之二種功能 的切割及黏晶膠帶（dicing· die bonding tape)，其中該切 割膠帶係在將半導體晶圓切斷分離（dicing，切割）成各個 晶片時用以固定半導體晶圓，該黏晶膠帶係用以將被切斷 的半導體晶片接著於導線架或封裝基板等，或在堆疊封裝 (stacked package)中，用以層積及接著半導體晶片彼此 間。 作爲如此的切割及黏晶膠帶，有考慮對晶圓之貼附、 或對切割時的環形框（ring frame)之安裝等的作業性，而 施予預先切割（pre-cut)加工者。 第8圖、第9圖（a)及第9圖（b)係顯示經預先切割加 工後的切割及黏晶膠帶之例。第8圖係顯示將切割及黏晶 膠帶捲繞成滾筒狀的狀態之示意圖：第9圖（a)係切割及 黏晶膠帶之俯視圖；第9圖（b)係第9圖（a)之線B-B的剖 視圖。切割及黏晶膠帶5 0，係由脫模薄膜5 1、接著劑層 52以及黏著薄膜53所構成。接著劑層52，係被加工成對 應晶圓之形狀的圓形，且具有圓形標籤形狀。黏著薄膜 -5- 1320799 53,係將切割用之對應環形框形狀的圓形部分之周邊 去除後而成者，且如圖所示，具有圓形標籤部53a、以 如包圍標籤部53a之外側的周邊部53b。接著劑層52 黏著薄膜53之圓形標籤部53a，係使其中心成爲一致 層積，又，黏著薄膜53之圓形標籤部53a，係覆蓋接 劑層52，且在其周圍接觸於脫模薄膜51。 在切割晶圓時，從處於層積狀態的接著劑層5 2及 著薄膜53剝離脫模薄膜51，且如第1〇圖所示，將半 體晶圓W之背面貼附在接著劑層52上，在黏著薄膜 的圓形標籤部53a之外周部黏著固定切割用環形框R。 此狀態下切割半導體晶圓W，之後，在黏著薄膜5 3施 紫外線照射等的硬化處理並拾取（pick up)半導體晶片。 時，黏著薄膜53’由於會因硬化處理而使黏著力降低 所以可容易地從接著劑層5 2剝離，半導體晶片會在背 附著有接著劑層52之狀態下被拾取。附著於半導體晶 之背面的接著劑層5 2 ’之後在將半導體晶片接著於導 框或封裝基板、或者其他的半導體晶片時，具有作爲黏 薄膜的功能。 然而’如第8圖、第9圖（a)及第9圖（b)所示，如 述的切割及黏晶膠帶50，層積有接著劑層52與黏著薄 53之圓形標籤部53a的部分，係比黏著薄膜53之周邊 5 3b還厚。因此’當捲成滾筒狀作爲製品時，接著劑層 與黏著薄膜53之圓形標籤部53a的層積部分、與黏著 膜53之周邊部53b的階差會相互重疊，且發生在柔軟 域 及 與 而 著 黏 導 53 在 予 此 面 片 線 晶 上 膜 部 52 薄 的 -6 - 1320799 接著劑層5 2表面轉印有階差的現象，即如第丨i圖所示的 轉印痕跡（亦稱爲標籤痕跡、皺紋、或捲繞痕跡）。如此的 轉印痕跡之發生，尤其是在接著劑層5 2以柔軟的樹脂所 形成之情況或有厚度之情況、以及膠帶50之捲數較多的 情況等更爲顯著。然後，一旦發生轉印痕跡，就有因接著 劑層與半導體晶圓之接著不良，而在晶圓加工時發生狀況 不佳之虞。 爲了抑制上述轉印痕跡之發生，雖可考慮減弱膠帶之 捲繞壓力，但是此方法中，會發生製品之捲繞偏移，例如 很難對膠帶安裝機進行設定等，在膠帶之實際使用時有帶 來障礙之虞。 又，專利文獻1中，有揭示一種接著薄片，係爲了抑 制如上述的標籤痕跡之發生，而在剝離基材上的接著劑層 及黏著薄膜之外側，設置具有與接著劑層及黏著薄膜之合 計膜厚相等或該合計膜厚以上之膜厚的支撐層。專利文獻 1之接著薄片，係具備支撐層，用以將施加至接著薄片的 捲繞壓力予以分散或集中於支撐層，且藉此抑制接著劑層 以及黏著薄膜之層積部分與只有黏著薄膜之部分的階差轉 印於其他的接著劑層。 然而，上述專利文獻1之接著薄片中，由於在剝離基 板上之製造半導體裝置的情況等所需要之接著劑層及黏著 薄膜以外的部分，形成有支撐層，所以在支撐層之寬度上 會有所限制，且支撐層之寬度相對於接著劑層及黏著薄膜 之外徑較窄，轉印痕跡之抑制效果是不充分的。 1320799 作爲提高上述轉印痕跡之抑制效果的對策，在專利文 獻2中’有揭示一種層積薄片，係爲了在光碟片之受光面 層積覆蓋薄片（cover sheet)而使用的層積薄片，其在長條 狀之剝離薄片，分別於不同的位置層積有接著薄片、及保 護材’保護材（支撐構件），係設置於剝離薄片之背面寬度 方向兩側部（參照專利文獻2之第1 1圖）。若依據如此地 將支撐構件設置於背面側的構成，則由於支撐構件之寬度 的限制變少，且可加寬支撐構件之寬度，所以可期待有效 抑制轉印痕跡之形成。 (專利文獻1)日本特開2007-2173號公報 (專利文獻2)日本特開2004-35836號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之問題） 然而，由於晶圓加工用膠帶，係被置放於從保管時及 運送時之低溫狀態（例如-20 °C〜5 °C )回到使用時之常溫狀 態時、或貼合至晶圓時之加熱時等溫度變化較大的特殊使 用環境下，所以單純地只在脫模薄膜之背面側設置支撐構 件，並不適合作爲晶圓加工用途。亦即，在溫度變化大的 使用環境下，支撐構件之尺寸變化會因溫度變化而變大， 且在脫模薄膜與黏著薄膜之間、以及接著劑層與黏著薄膜 之間侵入空氣而發生空隙（void)，而有發生相對於晶圓之 貼合不良之虞。一旦發生貼合不良，就有造成之後的晶圓 之切割步驟或膠帶之展延步驟、進而晶片之拾取步驟或安 -8- 1320799 裝步驟的良率降低之虞。 又’習知的晶圓加工用膠帶，會有如第8圖所示一旦 捲繞成滾筒狀作爲製品就很難識別製品之種類的問題。爲 了解決此問題’雖然可考慮在例如第9圖（a)所示的切割 及黏晶膠帶5 0之圓形標籤部5 3 a印刷製品之名稱等的方 法’但是爲了不對前述切割步驟帶來影響由於印刷在沒有 圓形標籤部5 3 a之接著劑層5 2的範圍爲宜，故而可印刷 的空間會受到限制，且文字的大小或文字數會受到限制。 因此’會有發生拿錯切割及黏晶膠帶等人爲失誤之虞。 又’此方法中’在捲繞成滾筒狀之狀態下，且只從膠帶捲 側面來看（以紙面看第8圖係從上方向或下方向來看）並無 法判別製品之種類。爲了解決此問題，雖然可考慮針對每 一製品種類而改變膠帶捲之捲心（core)的顏色等的方法， 但是著色捲心除了高價且關係著成本提高，也有需要事先 持有較多的捲心之庫存等的問題。 本發明之一目的，在於提供一種晶圓加工用膠帶，係 在將於脫模薄膜上具有接著劑層及黏著薄膜的晶圓加工用 膠帶捲繞成滾筒狀時，可充分地抑制對接著劑層之轉印痕 跡的發生，而且可抑制起因於溫度變化之空隙發生。本發 明之另一目的，在於提供一種晶圓加工用膠帶，係在將於 脫模薄膜上具有接著劑層及黏著薄膜的晶圓加工用膠帶捲 繞成滚筒狀時，可充分地抑制對接著劑層之轉印痕跡的發 生，而且可明確地識別膠帶之種類。 1320799 (解決問題之手段） 本發明的晶圓加工用膠帶之一態樣’其特徵在於 具有： 長條狀之脫模薄膜；及 接著劑層，其具有設置於前述脫模薄膜之第1面 預定的平面形狀；及 黏著薄膜，其具備：具有預定的平面形狀之標籤 如包圍前述標籤部之外側般的周邊部’其中該標籤部 覆蓋前述接著劑層，且在前述接著劑層之周圍接觸於 脫模薄膜的方式而設置；以及 支撐構件，其設置於前述脫模薄膜之與設置有前 著劑層及黏著薄膜的第1面相反之第2面’且位於前 模薄膜之短邊方向兩端部，且 前述支撐構件之線膨脹係數爲300ppmrC以下。 較佳爲，前述支撐構件之線膨脹係數與前述脫模 之線膨脹係數的差爲250ppmTC以下，又，較佳爲， 前述黏著薄膜之基材薄膜與前述支撐構件之間的靜摩 數爲0.2〜2.0。 又，較佳爲，前述支撐構件，係設置於前述脫模 之前述第2面上之與設置於前述第1面的前述接著劑 外側相對應的區域、沿著前述脫模薄膜之長邊方向連 地設置、以及具有前述接著劑層之厚度以上的厚度。 更且，前述支撐構件亦可爲著色構件，該情況， 爲，前述著色構件，係因應晶圓加工用膠帶之種類或 上之 部與 係以 前述 述接 述脫 薄膜 構成 擦係 薄膜 層之 續性 較佳 厚度 -10- 1320799 而著色。 又，前述支撐構件，亦可具有二層以上的層積構造。 作爲前述支撐構件，可適當地使用在選自由聚對苯二 甲酸乙烯酯、聚丙烯、及高密度聚乙烯所組成之群的薄膜 基材上塗佈黏接著劑而成的黏接著膠帶。 本發明的晶圓加工用膠帶之另一態樣，其特徵在於： 具有： 長條狀之脫模薄膜；及 接著劑層，其設置於前述脫模薄膜之第1面上且具有 預定的平面形狀；及 黏著薄膜，其具備具有預定的平面形狀之標籤部及如 包圍前述標籤部之外側的周邊部，其中該標籤部係以覆蓋 前述接著劑層，且在前述接著劑層之周圍接觸於前述脫模 薄膜的方式而設置：以及 著色支撐構件，其設置於前述長條狀之脫模薄膜的短 邊方向兩端部。 前述著色支撐構件，雖然亦可設置於前述脫模薄膜之 設置有前述接著劑層及黏著薄膜的第1面、及與該第1面 相反之第2面的其中一面，但是較佳爲設置於第2面。 又，較佳爲，前述著色支撐構件，係設置於前述脫模 薄膜之前述第2面上之與設置於前述第1面的前述接著劑 層之外側相對應的區域、沿著前述脫模薄膜之長邊方向連 續性地設置、以及具有前述接著劑層之厚度以上的厚度。 又，前述著色支撐構件，亦可具有二層以上的層積構 -11 - 1320799 造。 作爲前述著色支撐構件，係可適當地使用在聚對苯二 甲酸乙烯酯或聚酯的薄膜基材上塗佈黏接著劑而成的黏接 著膠帶。 較佳爲，前述著色支撐構件，係因應晶圓加工用膠帶 之種類或厚度而有不同的顏色。 (發明效果） 依據本發明，則藉由在脫模薄膜之背面設置具有特定 之物性値的支撐構件，除了可獲得充分地抑制對接著劑層 之轉印痕跡的發生之效果，亦可獲得即使在溫度變化大的 使用環境下支撐構件之尺寸變化少，且可抑制空隙（void) 之發生的優異效果。 依據本發明，則藉由在脫模薄膜之表面或背面設置著 色支撐構件，除了可獲得抑制對接著劑層之轉印痕跡的發 生之效果，亦可獲得可明確識別切割及黏晶膠帶之種類的 優異效果。 【實施方式】 (第1實施形態） 以下根據圖式詳細說明本發明的第1實施形態。 第1圖（a)係本發明第1實施形態的晶圓加工用膠帶 (切割及黏晶膠帶）1 0之俯視圖；第1圖（b)爲第1圖（a)之 線A-A的剖視圖。 -12- 1320799 如第1圖（a)及第1圖（b)所示，晶圓加工用膠帶l〇， 係具有長條狀之脫模薄膜11、接著劑層12、黏著薄膜13 以及支撐構件1 4。 接著劑層12，係設置在脫模薄膜之第1面11a上， 且具有對應晶圓之形狀的圓形標籤形狀。黏著薄膜13, 係具有：圓形標籤部13a，其覆蓋接著劑層12，且以在接 著劑層12之周圍接觸於脫模薄膜而設置；以及周邊部 1 3 b ’其如包圍該圓形標籤部丨3 a之外側。周邊部〗3 b， 係包含完全地包圍圓形標籤部3 a之外側的形態；以及如 圖示不完全地包圍的形態。圓形標籤部i 3 a，係具有對應 切割用之環形框的形狀。然後，支撐構件1 4，係設置於 脫模薄膜11之與設置有接著劑層12及黏著薄膜13的第 1面11a相反之第2面lib，且設置於脫模薄膜11之短邊 方向兩端部。 以下’就本實施形態的晶圓加工用膠帶1 〇之各構成 要素加以詳細說明。 (脫模薄膜） 作爲用於晶圓加工用膠帶10的脫模薄膜11，係可使 用聚對苯二甲酸乙烯酯（PET)系、聚乙烯、及其他可進行 脫模處理的薄膜等周知物。 脫模薄膜之厚度’雖非被特別限定，而可適當地設 定，但是較佳爲25〜50μιη。 (接著劑層） 接著劑層12’係如上述地形成於脫模薄膜η之第i -13-

1320799 面1 1 a上’且具有對應晶圓之形狀的圓形標籤形 接著劑層1 2 ’係當半導體晶圓等被貼合 後，拾取晶片時，當作附著於晶片背面，且將晶 基板或導線架時之接著劑來使用。作爲接著劑, 可較佳地使用包含選自環氧系樹脂、丙稀酸系棱 樹脂之至少一種的黏接著劑等。此外，亦可使用 系樹脂或矽酮系樹脂。其厚度雖可適當地設定， 爲5〜ΙΟΟμιη左右。 (黏著薄膜） 本發明的黏著薄膜13，係如上述地具有： 用之環形框形狀的圓形標籤部1 3 a ;以及如包匱 周邊部13b。如此的黏著薄膜，係可藉由預先切 從薄膜狀黏著劑去除圓形標籤部13a之周邊區域 作爲黏著薄膜13，並無特別限制，可使用 的黏著力俾於切割晶圓時不會使晶圓剝離，且顯 黏著力俾當切割後拾取晶片時可容易地從接著 者。例如，可適合地使用在基材薄膜設置黏著劑 作爲黏著薄膜13之基材薄膜，係在使用輻 性之材料作爲後述的黏著劑層時，較佳爲使用具 穿透性者。 例如，作爲其材料，可列舉聚乙烯、聚丙烧 烯共聚合物、聚丁烯-1、聚4-甲基戊烯-1、乙丨 烯共聚合物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚合物、乙嫌 甲酯共聚合物、乙烯-丙烯酸共聚合物 '離 :狀。 及切割之 k片固定於 層12，係 ί脂、酚系 丨聚醯亞胺 但是較佳 對應切割 丨其外側的 丨割加工， 而形成。 具有充分 丨示較低的 劑層剝離 層者。 |射線硬化 .有輻射線 '乙烯丙 睹-醋酸乙 一丙燒酸 子聚合物 -14- 1320799 (ionomer)等的α -烯烴之單體聚合物或共聚合物或者此 等的混合物、聚胺酯、乙烯一乙烯—丁烯或戊烯系共聚合 物、聚酿fee -多經醇共聚合物等的熱可塑性彈性物、以及 此等的混合物。又’基材薄膜係可爲選自此等之群的二種 以上之材料所混合者’此等可爲單層或多層化者。 基材薄膜之厚度，雖非被特別限定，而可適當地設 定，但是較佳爲50~200μιη。 作爲被用於黏著薄膜13之黏著劑層的樹脂，並非被 特別限定’可使用被用於黏著劑之公知的氯化聚丙烯樹 脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂等。 在黏著劑層13之樹脂中，較佳爲適當地配合丙烯系 黏著劑、輻射線聚合性化合物、光聚合起始劑、硬化劑等 來調製黏著劑。黏著劑層1 3之厚度雖非被特別限定，而 可適當地設定，但是較佳爲5〜30μηι。 可將輻射線聚合性化合物配合黏著劑層並藉由輻射線 硬化容易地從接著劑層剝離。該輻射線聚合性化合物，係 例如採用在藉由光照射而可三維網狀化的分子內具有至少 二個以上之光聚合性碳-碳雙重結合的低分子量化合物。 具體而言，可適用三甲基丙烷三丙稀酸酯、季戊四醇 三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單氫氧五 丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸 酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、或寡 酯丙烯酸酯等。 又，除了如上述的丙烯酸系化合物，亦可使用丙烯酸 •15- 1320799 肢醋寡聚體（urethane acrylate oligomer)。丙稀酸胺醋寡 聚體’係在使多價異氫酸化合物（例如，2,4-甲苯二異氫 酸、2,6-甲苯二異氫酸、丨，3-二甲苯二異氫酸、ι，4-二甲 苯二異氫酸、二苯基甲烷-4,4’ -二異氰酸酯等），與聚酯 型或聚醚型等的多元醇化合物起反應所得的終端異氫酸胺 酯預聚合物中，使具有羥基的丙烯酸或是甲基丙烯酸（例 如’丙烯酸-2-羥基乙酯、羥乙基甲丙烯酸酯、羥基丙烯 酸丙酯、2-甲基丙烯酸羥基丙酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、 聚乙二醇丙烯酸甲酯等）反應而得。 在黏著劑層上，亦可混合有選自上述樹脂的二種以 上。 在使用光聚合起始劑時，例如可使用異丙酯安息香 醚、異丁酯安息香醚、二苯酮、四甲基二氨基二苯酮 (Michler's Ketone)、氯基塞吨酮（Chlorothioxanthone)、十 二基塞吨酮、二甲基塞吨酮、二乙基塞吨酮、苯偶醯二甲 基縮酮、α -羥基環己苯酮、2-羥基甲苯酮等。此等光聚 合起始劑之配合量係對於丙烯系共聚合物100質量份較佳 爲0.01〜5質量份。 (支撐構件） 支撐構件14，係設置於脫模薄膜11之與設置有接著 劑12及黏著薄膜13的第1面11a相反之第2面lib，且 設置於脫模薄膜11之短邊方向兩端部。如此，藉由設置 支撐構件14，則在將晶圓加工用膠帶10捲繞成滾筒狀 時，由於可將施加於膠帶上的捲繞壓力予以分散、或集中 -16- 1320799 於支撐構件1 4，所以可抑制對接著劑層1 2之轉印痕跡的 形成》 又，在將支撐構件形成於設置有接著劑12及黏著薄 膜13的第1面11a時，在支撐層之寬度上會有所限制’ 相對於此，本實施形態之構成中，可將支撐構件14之寬 度確保較寬，且可更有效地抑制轉印痕跡之發生。 更且，藉由將支撐構件14設置於脫模薄膜U之第2 面1 1 b，則可獲得相對於支撐構件1 4之位置偏移的容許 度變大的效果。 支撐構件14，較佳係設置在脫模薄膜11之第2面 lib上之與設置於第1面的接著劑層12之外側對應的區 域、即第2面1 lb，如第1圖（a)所示之從脫模薄膜11之 端部至接著劑層12的區域R。藉由如此的構造，當捲繞 膠帶1 〇時，由於接著劑層1 2、與設置於脫模薄膜1 1之 第2面lib的支撐構件14不會重疊，所以可防止在接著 劑層1 2沾上支撐構件1 4之痕跡。 支撐構件14，雖然可沿著脫模薄膜11之長邊方向， 斷斷續續或連續地設置，但是從更有效地抑制轉印痕跡之 發生的觀點來看，較佳爲沿著脫模薄膜11之長邊方向連 續地設置。 作爲支撐構件14之厚度，只要爲相當於脫模薄膜11 中之接著劑層12以及黏著薄膜13之圓形標籤部13a的層 積部分、與黏著薄膜13之周邊部13b的階差之厚度，即 與接著劑層1 2相同，或是該厚度以上即可。第2圖係顯 -17-

1320799 示支撐構件14’之厚度比接著劑層12之厚度還厚之例 剖視圖。 藉由支撐構件具有如此的厚度，則當捲繞膠帶 時，由於黏著薄膜13與重疊於其表面的脫模薄膜11之 2面lib會接觸、或不接觸地在此等之間形成有空間， 以不會夾介黏著薄膜13將脫模薄膜11之第2面lib強 地按壓於柔軟的接著劑層12。因而，可更有效地抑制 印痕跡之發生。 本發明的支撐構件14，係具有3 0 Oppm/t以下的線 脹係數。晶圓加工用膠帶，係例如在保管時或運送時， 以保持-20t〜5 °C左右的低溫狀態，又當將晶圓加工用 帶之接著劑層貼合於晶圓時，爲了使接著劑加熱軟化而 局接著性’可利用加熱器工作台（heater table)進行70-°C左右之加熱貼合等，晶圓加工用膠帶就可置放於溫度 化大的環境下。一旦支撐構件14之尺寸隨著溫度變化 變化，在脫模薄膜1 1與黏著薄膜1 3之間、以及接著劑 12與黏著薄膜13之間就會侵入空氣而發生空隙，且發 對晶圓的貼合不良，而有帶來之後的晶圓之切割步驟或 帶之展延步驟、進而晶片之拾取步驟或安裝步驟中的良 降低之虞。本發明中，藉由使用300ppm/°C以下之線膨 係數較低的支撐構件，即可充分地抑制對接著劑層12 轉印痕跡的發生，並且即使在溫度變化大的使用環境下 可使支撐構件1 3之尺寸變化較少，且可抑制空隙之 生。 的 10 第 所 制 轉 膨 可 膠 提 80 變 而 層 生 膠 率 脹 之 亦 發 -18- 1320799 爲了更有效地抑制轉印痕跡之發生以及空隙之發生， 支撐構件14之線膨脹係數，較佳爲150ppm/°C以下，更 佳爲70ppm/°C以下。線膨脹係數之下限並無特別限制， 通常爲 0.1ppnW°C。 又，支撐構件1 4之線膨脹係數與脫模薄膜1 1之線膨 脹係數的差，較佳爲250ppm/°C以下。在線膨脹係數之差 爲大於25 0ppm/°C時，由於會因保管時以及運送時之低溫 狀態與使用時之常溫狀態的溫度變化，而發生支撐構件 14與脫模薄膜11之尺寸差，所以會有如下之各種的不佳 狀況。 (1) 一旦因溫度變化而發生尺寸差時，就有如上述在 脫模薄膜11與黏著薄膜13之間、以及接著劑層12與黏 著薄膜1 3之間發生空隙之虞。 (2) 在使用者以滚筒狀處理時，將增加捲繞不完整之 可能性。更詳言之，例如在製造、出貨時即使正常地被捲 繞，仍會從使用者側之冷藏保管至常溫使用時、以及從常 溫使用至冷藏保管時發生尺寸差，而增加捲繞不完整之可 能性。 (3) 因尺寸差而在被捲繞成滾筒狀的薄片間發生間 隙，且增加從膠帶捲側面混入異物之可能性。 (4) 在晶圓加工用膠帶之捲數較多的情況或製品寬度 較寬的情況，當從常溫進行冷藏保管時，在捲心側與膠帶 捲外周側的冷卻速度有所不同。因此，捲心側與膠帶捲外 周側起因於線膨脹差的支撐構件14與脫模薄膜11之尺寸 -19- 1320799 差會不同，且膠帶捲整體之形狀產生變化的可能性高。 本發明中，所謂線膨脹係數，係指當在恆壓下改變溫 度時增加物體在空間上之擴展的比例。一旦將溫度設爲 τ，將其固定的長度設爲L ’則該線膨脹係數α可以如下 數式來提供。 a =(1/L)x(a L/σ Τ) 又，本發明中的線膨脹係數之測定，係例如以JIS K7 191塑膠之熱機械分析的線膨脹率試驗方法爲基準，並 使用熱機械分析裝置（ΤΜΑ)，安裝切斷成長度15mm、寬 度5mm、夾頭間距離l〇mm的試料，可在拉伸荷重l〇g、 升溫速度5 °C / m i η、N 2氣體環境下，以測定溫度範圍-2 0 °C〜50°C之條件進行測定。 又’支撐構件14與黏著薄膜13之基材薄膜之間的靜 摩擦係數，較佳爲0.2〜2.0，更佳爲0.6〜1.6。一旦將晶圓 加工用膠帶捲繞成滾筒狀，由於設置於脫模薄膜11之第 1面11a側的黏著薄膜13之周邊部13a、與設置於脫模薄 膜1 1之第2面1 1 b側的支撐構件1 4會接觸，所以在支撐 構件1 4與黏著薄膜1 3之基材薄膜之間的靜摩擦係數小到 未滿0.2的情況，就容易在製造時或使用時發生捲繞偏移 且處理性會惡化。另一方面，在大於2.0的情況，黏著薄 膜13之基材薄膜與支撐構件之間的阻抗會過大，而造成 製造步驟中之處理性惡化，或高速捲繞時等蛇行的原因。 -20- 1320799 因而，藉由將兩者間之靜摩擦係數設定在上述範圍，即可 防止晶圓加工用膠帶ίο之捲繞偏移，且可獲得進行高速 捲繞，使捲繞數增大的效果。 本發明中，支撐構件14與黏著薄膜13之基材薄膜之 間的靜摩擦係數，係以JIS K7 125爲基準，可藉由如下的 測定方法而得。 使分別被切斷成25111111(寬度）><10〇111111(長度）的黏著薄 膜13之基材薄膜與支撐構件14之兩薄膜取樣重合，且固 定下側的薄膜。接著，將重量200g之配重當作荷重W載 置於被層積的薄膜之上，且以200mm/min之速度拉伸上 側的薄膜，並測定滑出時之力Fd(g)，且從以下之數式中 求出靜摩擦係數（μ£ΐ)。

pd=Fd/W 作爲支撐構件1 4，係例如可適合地使用在樹脂薄膜 基材經塗敷黏接著劑的黏接著膠帶。藉由將如此的黏接著 膠帶，貼附於脫模薄膜11之第2面lib的兩端部分之預 定位置’即可形成本實施形態的晶圓加工用膠帶1 〇。黏 接著膠帶’亦可只貼附一層，或可如第3圖所示，層積較 薄的膠帶。 作爲黏接著膠帶之基材樹脂，雖然只要滿足上述線膨 脹係數之範圍，且可承受捲繞壓力則無特別限定，但是從 耐熱性、平滑性、以及容易取得之點來看，較佳爲選自聚 -21 - 1320799 對苯二甲酸乙烯酯（PET)、聚丙烯、以及高密度聚乙烯。 有關黏接著膠帶之黏著劑的組成及物性，並無特別限 定’只要在膠帶10之捲繞步驟及保管步驟中，不會從脫 模薄膜11剝離即可。 又，作爲支撐構件14，亦可使用被著色過的支撐構 件。藉由使用如此的著色支撐構件，則在將晶圓加工用膠 帶捲繞成滾筒狀時，可明確地識別膠帶之種類。例如，藉 由使著色支撐構件14之顏色，隨著晶圓加工用膠帶之種 類或厚度而不同，即可容易地識別膠帶之種類或厚度，且 可抑制、防止人爲的失誤之發生。 (第2實施形態） 其次，根據圖式詳細說明本發明的第2實施形態。 第4圖（a)係本發明第2實施形態的晶圓加工用膠帶 (切割及黏晶膠帶）20之俯視圖；第4圖（b)爲第4圖（a)之 線A-A的剖視圖。 如第4圖（a)及第4圖（b)所示，晶圓加工用膠帶20， 係具有長條狀之脫模薄膜21、接著劑層22、黏著薄膜23 以及著色支撐構件23。 接著劑層22，係設置在脫模薄膜之第1面上，且具 有對應晶圓之形狀的圓形標籤形狀。黏著薄膜23 ’係具 有：圓形標籤部23a，其覆蓋接著劑層22’且以在接著劑 層22之周圍接觸於脫模薄膜而設置；以及周邊部23b， 其如包圍該圓形標籤部23a之外側。周邊部23b ’係包含 -22- 1320799 完全地包圍圓形標籤部2 3 a之外側的形態：以及如 完全地包圍的形態。圓形標籤部23a，係具有對應 之環形框的形狀。然後，著色支撐構件24，係設 模薄膜21之與設置有接著劑層22及黏著薄膜23 面21a相反之第2面21b，且設置於脫模薄膜21 方向兩端部。 以下’就本實施形態的晶圓加工用膠帶20之 要素加以詳細說明。 (脫模薄膜） 作爲用於晶圓加工用膠帶20的脫模薄膜21， 用聚對苯二甲酸乙烯酯（PET)系、聚乙烯、及其他 脫模處理的薄膜等周知物。 脫模薄膜之厚度，雖非被特別限定，而可適 定’但是較佳爲25~50μιη。 (接著劑層） 接著劑層22，係如上述地形成於脫模薄膜2 1 面2 1 a上’且具有對應晶圓之形狀的圓形標籤形狀 接著劑層22，係當半導體晶圓等被貼合及 後，拾取晶片時，當作附著於晶片背面，且將晶片 基板或導線架時之接著劑來使用。作爲接著劑層 可較佳地使用包含選自環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂 樹脂之至少一種的黏接著劑等。此外，亦可使用聚 系樹脂或矽酮系樹脂。其厚度雖可適當地設定，但 爲5〜ΙΟΟμιη左右。 圖示不 切割用 置於脫 的第1 之短邊 各構成 係可使 可進行 當地設 之第1 Θ 切割之 固定於 22，係 、酚系 醯亞胺 是較佳 -23 - 1320799 (黏著薄膜） 黏著薄膜23，係如上述地具有：對應切割用之環形 框形狀的圓形標籤部23a ;以及如包圍其外側的周邊部 23b。如此的黏著薄膜’係可藉由預先切割加工’從薄膜 狀黏著劑去除圓形標籤部23a之周邊區域而形成。 作爲黏著薄膜23 ’並無特別限制’只要具有充分的 黏著力俾於切割晶圓時不會使晶圓剝離’且顯示較低的黏 著力俾當切割後拾取晶片時可容易地從接著劑層剝離者β 例如，可適合地使用在基材薄膜設置黏著劑層即可。例如 可適當地使用在基材薄膜設置黏著劑層者。 作爲黏著薄膜23之基材薄膜，雖然只要其爲習知公 知物則可無特別限定地使用，但是在使用輻射線硬化性之 材料作爲後述的黏著劑層時，較佳爲使用具有輻射線穿透 性者。 例如’作爲其材料，可列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙 稀共聚合物、聚丁烯-1、聚4-甲基戊烯-1、乙烯—醋酸乙 稀共聚合物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚合物、乙烯一丙烯酸 甲酯共聚合物、乙烯一丙烯酸共聚合物、離子聚合物等的 « -稀烴之單體聚合物或共聚合物或者此等的混合物、聚 胺醋、乙稀-乙烯-丁烯或戊烯系共聚合物、聚醯胺一多 趣醇共聚合物等的熱可塑性彈性物、以及此等的混合物。 又，基材薄膜係可爲選自此等之群的二種以上之材料所混 !=>者，此寺可爲單層或多層化者。 基材薄膜之厚度，雖非被特別限定，而可適當地設 -24- 1320799 定，但是較佳爲50〜200μιη。 作爲被用於黏著薄膜23之黏著劑層的樹脂，並非被 特別限定，可使用被用於黏著劑之公知的氯化聚丙烯樹 脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂等。 在黏著劑層23之樹脂中，較佳爲適當地配合丙烯系 黏者劑、輻射線聚合性化合物、光聚合起始劑、硬化劑等 來調製黏著劑。黏著劑層23之厚度並非被特別限定，雖 然可適當地設定，但是較佳爲5〜3 Ομιη。 可將輻射線據核性化合物配合黏著劑層並藉由輻射線 硬化容易地從接著劑層剝離。該輻射線聚合性化合物，係 例如採用在藉由光照射而可三維網狀化的分子內具有至少 二個以上之光聚合性碳一碳雙重結合的低分子量化合物。 具體而言’可適用三甲基丙烷三丙稀酸酯、季戊四醇 三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單氫氧五 丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、I，4-丁二醇二丙烯酸 酯' 1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、或寡 酯丙烯酸酯等。 又，除了如上述的丙烯酸系化合物，亦可使用丙烯酸 胺酯寡聚體。丙烯酸胺酯寡聚體，係在使多價異氫酸化合 物（例如，2,4-甲苯二異氫酸、2,6-甲苯二異氫酸、1，3-二 甲苯二異氫酸、1,4-二甲苯二異氫酸、二苯基甲烷-4，4’ -二異氰酸酯等），來與聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物 起反應所得的終端異氫酸胺酯預聚合物，使具有羥基的丙 烯酸或是甲基丙烯酸（例如，丙烯酸-2-羥基乙酯、羥乙基 -25- 1320799 甲丙烯酸酯、羥基丙烯酸丙酯、2·甲基丙烯酸羥基丙酯、 聚乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸甲酯等）反應而 得。 在黏著劑層上’亦可混合有選自上述樹脂的二種以 上。 在使用光聚合起始劑時’例如可使用異丙酯安息香 醚、異丁酯安息香醚、二苯酮、四甲基二氨基二苯酮、氯 基塞吨酮、十二基塞吨酮、二甲基塞吨酮、二乙基塞吨 酮、苯偶醯二甲基縮酮、α —羥基環己苯酮、2-羥基甲苯 酮等。此等光聚合起始劑之配合量係對於丙烯系共聚合物 1〇〇質量份較佳爲0.01~5質量份。 (著色支撐構件） 藉由在脫模薄膜21之短邊方向兩端部設置支撐構件 24，即可在將晶圓加工用膠帶20捲繞成滾筒狀時，明確 地識別膠帶之種類。 例如，藉由使著色支撐構件24之顏色，隨著晶圓加 工用膠帶之種類或厚度而不同，即可容易地識別膠帶之種 類或厚度，且可抑制、防止人爲的失誤之發生。 晶圓加工用膠帶20，雖然係以使用者所要的長度捲 繞成滾筒狀而進行製品出貨，或以相當於使用者所要的切 割及黏晶膠帶之片數的量捲繞成滾筒狀而進行製品出貨， 但是由於製品時的長度、與用於製品的前述脫模薄膜21 或接著劑層22及黏著薄膜等之素材（original fabric)的長 度會有所不同，所以有時會在素材或中間製品中發生剩餘 -26- 1320799 而降低良率。雖然可藉由串接製品而提高良率，但是在所 串接的製品與被串接的製品之顏色有微妙不同的情況’從 膠帶捲側面來看（以紙面觀看第8圖並從上方向或下方向 來看），有時會顯著地出現膠帶捲側面之顔色差異，此等 會損害製品之外觀，亦可能因使用者而造成每一膠帶捲都 要退貨的事態，而造成問題。 如此的問題，亦可藉由設置著色支撐構件24，由著 色膠帶的顏色來吸收膠帶捲側面之微妙的顏色差異，而可 改善外觀。 又，如第4圖（b)所示，接著劑層22與黏著薄膜23 之圓形標籤部23a所層積而成的部分，係比黏著薄膜23 之周邊部23b還厚。因此，當捲繞成滾筒狀作爲製品時， 接著劑層22與黏著薄膜23之圓形標籤部23a的層積部 分、與黏著薄膜23之周邊部23b的階差會相互重疊，且 發生在柔軟的接著劑層22表面轉印有階差的現象，即如 第1 1圖所示的轉印痕跡（亦稱爲標籤痕跡、皺紋、或捲繞 痕跡）。如此的轉印痕跡之發生，尤其是在接著劑層2 2以 柔軟的樹脂所形成之情況或有厚度之情況、以及膠帶20 之捲數較多的情況等更爲顯著。然後，一旦發生轉印痕 跡，就有因接著劑層與半導體晶圓之接著不良，而在晶圓 加工時發生狀況不佳之虞。 如此的問題，由於亦可藉由設置著色支撐構件24， 來將當將晶圓加工用膠帶20捲繞成滾筒狀時施加至膠帶 的捲繞壓力予以分散、或集中於著色支撐構件24，所以 -27- 1320799 可抑制對接著劑層22之轉印痕跡的形成。 第4圖（a)及第4圖（b)之例中，雖然顯示將著色支撐 構件24設置於脫模薄膜之第2面21b側的情況’但是從 使膠帶之種類的目視性提高的觀點來看，亦可將著色支撐 構件設置於脫模薄膜之第1面2 1 a側。例如’如第5圖所 示，可採用在黏著薄膜周邊部23b上，設置著色支撐構件 34的構成。 另一方面，從如上述之抑制對接著劑層22之轉印痕 跡的發生之觀點來看，較佳爲，著色支撐構件24，係設 置於脫模薄膜2 1之第2面2 1 b側。此係在將著色支撐構 件24形成於設置有接著劑層22及黏著薄膜23之第1面 2 1 a的狀態時，在支撐層之寬度上有所限制，相對於此， —旦設置於脫模薄膜21之第2面21b，且設置於脫模薄 膜21之短邊方向兩端部，由於可將著色支撐構件24之寬 度確保較寬，所以可更有效地抑制轉印痕跡之發生所致。 更且，藉由將著色支撐構件24設置於脫模薄膜21之第2 面2 1b，則亦可獲得相對於著色支撐構件24之位置偏移 的容許度變大的效果。 在將著色支撐構件24設置於脫模薄膜21之第2面 2 1 b側的情況，著色支撐構件24，較佳係設置在脫模薄膜 21之第2面21b上之與設置於第1面21a的接著劑層22 之外側對應的區域、即第2面2 1 b上，如第4圖（a)所示 之從脫模薄膜21之端部至接著劑層22的區域R。藉由如 此的構造，當捲繞膠帶20時，由於設置於脫模薄膜21之 -28- 1320799 第1面21a的黏著薄膜23之圓形標籤部23a、與設置於 脫模薄膜21之第2面21b的著色支撐構件24不會重疊， 所以可防止在接著劑層22沾上著色支撐構件24之痕跡。 著色支撐構件24，雖然可沿著脫模薄膜21之長邊方 向’斷斷續續或連續地設置，但是從更有效地抑制轉印痕 跡之發生的觀點來看，較佳爲沿著脫模薄膜21之長邊方 向連續地設置。 作爲支撐構件24之厚度，只要爲相當於脫模薄膜21 上之接著劑層22以及黏著薄膜23之圓形標籤部23a的層 積部分、與黏著薄膜23之周邊部23b的階差之厚度，即 與接著劑層22相同，或是該厚度以上即可。第6圖係顯 示著色支撐構件24’之厚度比接著劑層22之厚度還厚之 例的剖視圖》 藉由著色支撐構件具有如此的厚度，則當捲繞膠帶 2〇時，由於黏著薄膜23與重疊於其表面的脫模薄膜21 之第2面21b會接觸、或不接觸地在此等之間形成有空 間’所以不會夾介黏著薄膜23將脫模薄膜21之第2面 2 1 b強制地按壓於柔軟的接著劑層22。因而，可更有效地 抑制轉印痕跡之發生。 著色支撐構件24，較佳係具有3 00ppm/°C以下的線膨 脹係數。在線膨脹係數大於300ppmrc時，在後段步驟之 加熱時、或從保管時以及運送時之低溫狀態（例如-20 °C〜5 °C )回到使用時之室溫時等，尺寸變化相對於溫度變化會 變大而不佳。 -29- 1320799 又，著色支撐構件24,從防止晶圓加工用膠帶20之 捲繞偏移的觀點來看，較佳爲，相對於黏著薄膜23具有 某程度之摩擦係數的材質者。藉此，可防止晶圓加工用膠 帶20之捲繞偏移，且可獲得能增大高速捲繞或捲繞數的 效果。 作爲著色支撐構件24，係例如可適合地使用在經著 色之樹脂薄膜基材，塗佈上黏接著劑後的黏接著膠帶。藉 由將如此的黏接著膠帶，貼附於脫模薄膜21之第2面 21b的兩端部分之預定位置，或是貼附於脫模薄膜之第！ 面21a上的黏著薄膜周邊部23b上之預定位置，即可形成 本實施形態的晶圓加工用膠帶2 0 »黏接著膠帶，亦可只 貼附一層’或可如第7圖所示，層積較薄的膠帶。 作爲黏接著膠帶之著色基材樹脂，雖然只要如上述地 相對於黏著薄膜23具有某程度的摩擦係數，且可承受捲 繞壓力則無特別限定，但是從耐熱性、平滑性、以及容易 取得之點來看，較佳爲聚對苯二甲酸乙烯酯（PET)以及聚 酯。 有關黏接著膠帶之黏著劑的組成及物性，並無特別限 定，只要在膠帶20之捲繞步驟及保管步驟中，不會從脫 模薄膜2 1剝離即可。 其次’雖就本發明的實施例加以說明，但是本發明並 非被限定於此等實施例。 (1)黏著薄膜之製作 (黏著薄膜1 A) -30- 1320799 在溶劑之甲苯4〇〇g中，將η -丙烯酸丁酯128g、2 -丙 烯酸辛酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、丙烯酸甲酯1.5g、 作爲聚合起始劑的過氧化苯之混合液，適當地調整滴下 量’且調整反應溫度及反應時間，來獲得具有官能機的化 合物（1)之溶液。 其次作爲在此聚合物溶液中，具有輻射線硬化性碳-碳雙重結合及官能機的化合物（2)，係另外將由丙烯酸甲 酯與乙二醇所合成的2 -甲基丙烯酸羥乙酯2.5g、作爲聚 合禁止劑的對苯二酚適當地調整施加滴下量並調整反應溫 度及反應時間，來獲得具有輻射線硬化性碳-碳雙重結合 及官能機的化合物（A)。接著，對化合物（A)溶液中的化合 物（A) 100質量份加入1質量份之作爲聚異氰酸酯（B)的日 本聚胺酯公司製之CORONATE L，且將0.5質量份之作爲 光聚合起始劑的日本CHIBAGAIGI公司製之IRGACURE 184、以及150質量份之作爲溶劑的醋酸乙酯施加於化合 物（A)中並予以混合，來調製成輻射線硬化性之黏著劑組 成物。 接著，將經調製的黏著劑層組成物以乾燥膜厚成爲 20μιη之方式塗敷於厚度ΙΟΟμιη的乙烯—醋酸乙烯共聚合 物基材薄膜’且以110 °C乾燥3分鐘，以製作成黏著薄膜 1A。 (黏著薄膜1B) 作爲基材薄膜，除了使用以厚度100 μηι對其中一方 之面進行鼓風處理後的乙烯-醋酸乙烯共聚合物基材薄膜 -31 - 1320799 以外’其餘以與黏著薄膜1A相同的方式，來製作成黏著 薄膜1B。 (黏著薄膜1C) 作爲基材薄膜’除了使用以厚度ΙΟΟμπι對其中一方 之面進行脫模處理後的乙烯-醋酸乙烯共聚合物基材薄膜 以外’其餘以與黏著薄膜1Α相同的方式，來製作成黏著 薄膜1 C。 (2) 脫模薄膜 使用以下所示的脫模薄膜2Α及2Β。 脫模薄膜2Α :厚度25 μιη之經脫模處理的聚對苯二 甲酸乙烯酯薄膜 脫模薄膜2Β :厚度25 μιη之經脫模處理的聚丙烯薄膜 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）測定此等脫模 薄膜 2Α 及 2Β 時，分別爲 δΟρρηΐ/Ί、120ppm/°C。 (3) 接著劑層3 A之形成 將環己酮加在由作爲環氧樹脂的鄰甲酚醛型環氧樹脂 (環氧當量197'分子量1200、軟化點70 °C)50質量份、 作爲矽烷耦合劑的7-硫醇基丙基三甲氧基矽烷1.5質量 份、T -醯脲基丙基三甲氧基矽烷3質量份、平均粒徑 1 6nm之二氧化矽充塡劑3〇質量份所構成的組成物中並予 以攪拌混合’進而使用珠磨機（beads mill)進行90分鐘的 混練。 於此加入100質量份之丙烯酸樹脂（質量平均分子 量：80萬、玻璃轉移溫度_17°C)、5質量份之作爲6官能 -32- 1320799 丙烯酸單體的六丙烯酸二異戊四醇酯、〇·5質量份之作爲 硬化劑的六亞甲基二異氰酸酯之中間體（adduct)、2.5質量 份之Curezol 2PZ(四國化成公司製商品名、2 -苯基咪唑）， 且予以攪拌混合，並進行真空脫氣，來獲得接著劑。 將上述接著劑塗敷在脫模薄膜2A及2B上，且以1 1〇 °C進行1分鐘加熱乾燥，形成膜厚20μηι之B級（stage)狀 態（熱硬化性樹脂之硬化中間狀態）的塗膜，且在脫模薄膜 2A及2B上形成接著劑層3A，並進行冷藏保管。 (4)支撐構件之製作 (支撐構件4A) 混合100質量份之丙烯酸樹脂（質量平均分子量：60 萬、玻璃轉移溫度-2 0 °C )、1 〇質量份之作爲硬化劑的聚異 氰酸酯化合物（日本聚胺酯公司製、商品名：CRON ATE L) 來獲得黏著劑組成物。 將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成爲25μιη之方式塗 敷在厚度75μιη之聚對苯二甲酸乙烯酯薄膜，且以11〇 °C 進行3分鐘乾燥，製作成支撐構件4A。 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）來測定支撐構 件4A之線膨脹係數時，線膨張係數爲60ppm/r。 (支撐構件4B) 將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成爲25μηα之方式塗 敷在厚度75μιη之聚丙烯薄膜，且以11〇 〇C進行3分鐘乾 燥，製作成支撐構件4B。 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）來測定支撐構 -33- 1320799 件4B之線膨脹係數時，線膨脹係數爲120PPm/°C。 (支撐構件4C) 將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成爲50μιη之方式塗 敷在厚度50μιη之高密度聚乙烯薄膜，且以110°C進行3 分鐘乾燥，製作成支撐構件4C。 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）來測定支撐構 件4C之線膨脹係數時，線膨脹係數爲300PPmrc。 (支撐構件4D) 將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成爲50μιη之方式塗 敷在厚度50μηι之低密度聚乙烯薄膜，且以1 l〇°C進行3 分鐘乾燥，製作成支撐構件4D。 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）來測定支撐構 件4D之線膨脹係數時，線膨脹係數爲35〇PPm/°C。 (支撐構件4E) 將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成爲50μιη之方式塗 敷在厚度50μιη之超高分子量聚乙烯薄膜，且以ll〇°C進 行3分鐘乾燥，製作成支撐構件4E。 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）來測定支撐構 件4E之線膨脹係數時，線膨脹係數爲400ppm/°C。 (支撐構件4F) 將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成爲25 之方式塗 敷在以厚度75μιη對其中一方之面進行鼓風處理後的聚丙 烯薄膜，且以110 °C進行3分鐘乾燥，製作成支撐構件 4F 〇 -34- 1320799 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）來測定支撐構 ' 件4F之線膨脹係數時’線膨脹係數爲12〇PPm/°C。 ' (支撐構件4G) 將上述黏著劑組成物以乾燥膜厚成爲50卩m之方式塗 敷在以厚度50μπι對其中一方之面進行脫模處理後的高密 度聚乙烯薄膜，且以11〇 °C進行3分鐘乾燥’製作成支撐 構件4G。 當以熱機械分析裝置（理學電氣公司製）來測定支撐構 ® 件4G之線膨脹係數時，線膨脹係數爲300ppm/°C。 (實施例1 ) 將形成有冷藏保管著的接著劑層3A之脫模薄膜2A 回到常溫，且對接著劑層，調整成對脫模薄膜之切口深度 爲ΙΟμιη以下’並進行直徑220mm之圓形預先切割加工。 之後’去除接著劑層的不要部份，且將黏著薄膜1A以其 φ 黏著劑層與接著劑層相接的方式，在脫模薄膜2A室溫下 層疊。然後’對黏著薄膜1A，調節成對脫模薄膜之切口 深度成爲ΙΟμιη以下，並與接著劑層同心圓狀地進行直徑 2 9 0mm之圓形預先切割加工。其次，將支撐構件4Α貼合 於脫模薄膜2A之與設置有接著劑層及黏著薄膜之第1面 相反的第2面’且貼合於脫模薄膜2A之短邊方向兩端 部’來製作成具有第i圖所示之構造的實施例1之晶圓加 工用膠帶。 -35- 1320799 (實施例2) 除了使用支撐構件4B來取件 小取代支撐構件4A以外，其 餘與實施例1同樣，製作成實施俐 的 與她例2的晶圓加工用膠帶。 (實施例3) 除了使用脫模薄膜2B來取代脫模薄膜2A，且使用支 擦構件4C來取代支撑構件4A以外，其餘與實施例〗同 樣’製作成實施例3的晶圓加工用膝帶。 (實施例4) 除了使用支擦構件4C來取代支撐構件4A以外，其 餘與實施例1同樣，製作成實施例4的晶圓加工用膠帶。 (實施例5 ) 除了使用黏著膠帶丨8來取代黏著膠帶1A，且使用支 撐構件4C來取代支撐構件4A以外，其餘與實施例1同 樣’製作成實施例5的晶圓加工用膠帶。 (實施例6) 除了使用黏著膠帶1C來取代黏著膠帶1A，且使用支 撐構件4B來取代支撐構件4A以外，其餘與實施例1同 樣，製作成實施例6的晶圓加工用膠帶。 (實施例7) -36- 1320799 除了使用黏著薄膜1B來取代黏著薄 撐構件4G來取代支撐構件4a以外，其 樣，製作成實施例7的晶圓加工用膠帶。 1 A，且使用支 與實施例1同 (實施例8) 除了使用脫模薄膜1C來取代脫模薄f 撐構件4F來取代支撐構件4A以外，其 φ 樣，製作成貫施例8的晶圓加工用膠帶。 又，另外有關實施例1〜8的晶圓加工 定各支撐構件與黏著薄膜之基材薄膜之間 將結果顯示於表1。 1 A，且使用支 與實施例1同 膠帶，係已測 靜摩擦係數。 (比較例1 ) 除了使用脫模薄膜2B來取代脫模薄膜 撐構件4D來取代支撐構件4A以外，其餘 樣’製作成比較例1的晶圓加工用膠帶。 2 A，且使用支 與實施例1同 (比較例2 ) 除了使用支撐構件4D來取代支撐構 餘與實施例1同樣，製作成比較例2的晶 (比較例3 ) 除了使用支撐構件4E來取代支撐構 餘與實施例1同樣，製作成比較例3的晶 4A以外，其 加工用膠帶。 4 A以外，其 加工用膠帶。 -37- 1320799 (比較例4 ) 除了未設置支撐構件以外，其餘與實施例1同樣，製 作成比較例4的晶圓加工用膠帶。 又，另外有關比較例1〜3的晶圓加工用膠帶，係已測 定各支撐構件與黏著薄膜之基材薄膜之間的靜摩擦係數。 將結果顯不於表2。 [轉印痕跡（標籤痕跡、皺紋、或捲繞痕跡）以及空隙 之抑制性評估] 將實施例1〜8及比較例1 ~4之晶圓加工用膠帶，以圓 形形狀之黏著薄膜的數目成爲3 00片的方式，捲繞成滾筒 狀’來製作成晶圓加工用膠帶捲。將所得的晶圓加工用膠 帶捲在電冰箱內（5 °C )保管1個月。之後，在將晶圓加工 用膠帶捲回到室溫之後解開膠帶捲，以目視觀察有無轉印 痕跡，且按照以下的評估基準，以〇、△、X之三階段來 評估晶圓加工用膠帶之轉印痕跡與空隙之抑制性。將結果 顯示於表1及表2。 〇：即使從各種角度目視觀察亦無法確認轉印痕跡或 空隙。 △:依角度，可確認稍微的轉印痕跡或空隙。 x ··即使從哪個角度目視觀察，亦可確認薄膜上的轉 印痕跡或空隙。 -38- 1320799 [有無發生捲繞偏移] 有關實施例1~8及比較例1〜4之 在製造時、冷藏保管時、以及常溫使 捲繞偏移。將結果顯示於表1及表2 [處理性及生產性之評估] 有關實施例1〜8及比較例1〜4之 在製造時、冷藏保管時、以及常溫使 評估基準，並以◎、〇、X之三階段 性。將結果顯示於表1及表2。 ◎:非常容易處理，且處理性及 〇：容易處理，且處理性及生產 X :很難處理，且處理性及生產它 晶圓加工用膠帶，係 用時已確認有無發生 晶圓加工用膠帶，係 用時，已按照以下的 來評估處理性、生產 生產性優異。 性佳。 巨差。

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[表l] 實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例 7 實施例 8 支驅件 4A 4B 4C 4C 4C 4Β 4G 4F 支撐構件之線膨 脹係數(ppm/〇C) 60 120 300 300 300 120 300 120 黏著薄膜 1A 1A 1A 1A 1B 1C 1Β 1C 脫模薄膜 2A 2A 2B 2A 2A 2Α 2Α 2Α 脫模薄膜之線膨 脹係數(ppm/。。） 60 60 120 60 60 60 60 60 接著劑層 3A 支撐構件與脫模 薄膜之線膨脹係 數的差(Ppm/°C) 0 60 180 240 240 60 240 60 支撐構件與黏著 薄膜之基材薄膜 之間的靜摩擦係 數㈠ 0.9 0.9 0.6 0.6 0.4 1.8 0.1 2.5 實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例 7 實施例 8 轉印痕跡抑制效 果 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 空隙抑制效果 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 捲繞偏移之發生 姐 y v \\ /»\\ 並 j»\\ •frrr- Μ /\\\ 姐 j»w 有 處理性及生產性 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 〇 X X -40- 1320799 [表2] 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 支翻件 4D 4D 4E — 支撐構件之線膨脹係數 (ppm/°C) 350 350 400 — 黏著薄膜 1A 1A 1A 1Α 脫模薄膜 2B 2A 2A 2Α 脫模薄膜之線膨脹係數 (ppm/°C) 120 60 60 60 接著劑層 3A 支撐構件與脫模薄膜之線膨脹 係數的差(ppm/°C) 230 290 340 — 支撐構件與黏著薄膜之基材薄 膜之間的靜摩擦係數㈠ 1.1 1.1 1.6 — ^^ 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 轉印痕跡抑制效果 〇 〇 〇 X 空隙抑制效果 Δ X X 〇 捲繞偏移之發生 無 Μ Μ Μ 處理性及生產性 ◎ ◎ ◎ ◎ 在將支撐構件設置於晶圓加工用膠帶之背面的實施例 1〜8及比較例1〜3中，均未發生轉印痕跡，相對於此，在 未設置支撐構件之比較例4中發生轉印痕跡，且明白可藉 由支撐構件來抑制轉印痕跡之發生。 又，在支撐構件之線膨脹係數爲3 00ppmrc以下的實 施例i〜8中，並未發生空隙，相對於此，有關支撐構件之 線膨脹係數大於300ppm/°C的比較例1〜3則發生了空隙。 結果，可明白藉由設置線膨脹係數爲3 00ppm/°C以下的支 撐構件，可抑制起因於溫度變化的空隙之發生。 尤其是，在經被確認有發生空隙之比較例1 ~3之中， -41 - 1320799 支撐構件與脫模薄膜之線膨脹係數的差比250ppm/°C還大 的比較例2及3中，由於多有發生空隙，所以可明白在支 撐構件與脫模薄膜之線膨脹係數的差較大的情況，更容易 發生空隙。 又，在黏著薄膜之基材薄膜與支撐構件之間的靜摩擦 係數於0.2〜2.0之範圍內的實施例1〜6及比較例1〜3中， 處理性及生產性佳，相對於此，在未滿0.2之實施例7與 超過2.0之實施例8中，處理性及生產性差。尤其是，在 靜摩擦係數未滿0.2之實施例7的情況，亦會發生捲繞偏 移。 從以上之結果可明白，依據本發明的晶圓加工用膠帶 (實施例1〜8)，則可確認在捲繞成滾筒狀的情況，可充分 地抑制轉印痕跡之發生，並且可抑制起因於溫度變化的空 隙之發生。 【圖式簡單說明】 第1圖（a)係本發明實施形態的晶圓加工用膠帶之俯 視圖；（b)爲（a)之線A-A的剖視圖。 弟2圖係第1圖所不的晶圓加工用膠帶之變化例的晶 圓加工用膠帶之剖視圖。 弟3圖係弟1圖所不的晶圓加工用膠帶之另一變化例 的晶圓加工用膠帶之剖視圖。 第4圖（a)係本發明另一實施形態的晶圓加工用膠帶 之俯視圖；（b)爲（a)之線A - A的剖視圖。 -42- 1320799 第5圖係本發明更另一實施形態的晶圓加工用膠帶之 俯視圖。 第6圖係第4圖所示的晶圓加工用膠帶之變化例的晶 圓加工用膠帶之剖視圖。 第7圖係第4圖所示的晶圓加工用膠帶之另一變化例 的晶圓加工用膠帶之剖視圖。 第8圖係習知晶圓加工用膠帶之立體圖。 第9圖（a)係習知晶圓加工用膠帶之俯視圖；（b)爲其 剖視圖。 第1 0圖係顯示貼合有晶圓加工用膠帶與切割用環形 框之狀態的剖視圖。 第11圖係說明習知晶圓加工用膠帶之狀況不佳用的 示意圖。 【主要元件符號說明】 1 〇、2 0 :晶圓加工用膠帶 1 1、2 1 :脫模薄膜 11a :第1面 1 1 b :第2面 12、 22 :接著劑層 13、 23 :黏著薄膜 13a、23a:圓形標籤部 13b 、 23b :周邊部 1 4、1 4 ’、1 4 ” ：支撐構件 -43- 1320799 24、24’、24”、34 :著色支撐構件

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Claims (1)

1320799 十、申請專利範圍 第097126953號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國98年10月19日修正 1· 一種晶圓加工用膠帶，其特徵在於： 具有： 長條狀之脫模薄膜；及

接著劑層，其設置於前述脫模薄膜之第1面上且具有 預定的平面形狀；及 黏著薄膜，其具備具有預定的平面形狀之標籤部以及 如包圍前述標籤部之外側般的周邊部，其中該標籤部係以 覆蓋前述接著劑層，且在前述接著劑層之周圍接觸於前述 脫模薄膜的方式而設置：以及

支撐構件，其設置於前述脫模薄膜之與設置有前述接 著劑層及黏著薄膜的第1面相反之第2面上，而且，是設 置於前述脫模薄膜之短邊方向兩端部，並設置在與前述第 1面的區域相對應的區域，該第1面的區域爲覆及：與前 述脫模薄膜接觸之前述標籤部的區域，且 前述支撐構件之線膨脹係數與前述脫模薄膜之線膨脹 係數的差爲250PPm/°C以下。 2.—種晶圓加工用膠帶，其特徵在於： 具有： 長條狀之脫模薄膜；及 接著劑層，其設置於前述脫模薄膜之第1面上且具有 1320799 預定的平面形狀；及 黏著薄膜，其具備具有預定的平面形狀之標籤部以及 如包圍前述標籤部之外側般的周邊部，其中該標籤部係以 覆蓋前述接著劑層，且在前述接著劑層之周圍接觸於前述 脫模薄膜的方式而設置；以及 支撐構件，其設置於前述脫模薄膜之與設置有前述接 著劑層及黏著薄膜的第1面相反之第2面上，而且，設置 在包含前述脫模薄膜之短邊方向兩端部並與前述第1面的 區域相對應的區域，該第1面的區域是從前述短邊方向兩 端部到覆及：與沒有覆及前述接著劑層之前述脫模薄膜相 接觸之前述標籤部的區域爲止， 前述支撐構件之線膨脹係數與前述脫模薄膜之線膨脹 係數的差爲250ppm/°c以下。 3 .如申請專利範圍第1或2項所記載的晶圓加工用膠 帶，其中， 前述黏著薄膜，係具有黏著劑層與基材薄膜， 前述黏著薄膜之基材薄膜與前述支撐構件之間的靜摩 擦係數爲0.2〜2.0。 4·如申請專利範圍第1或2項所記載的晶圓加工用膠 帶’其中，前述支撐構件，係設置於前述脫模薄膜之前述 第2面上之與設置於前述第〗面的前述接著劑層之外側相 對應的區域》 5.如申請專利範圍第1或2項所記載的晶圓加工用膠 帶’其中，前述支撐構件，係沿著前述脫模薄膜之長邊方 -2-

1320799 向連續性地設置。 6.如申請專利範圍第1或2項所記載的晶圓加工 帶，其中，前述支撐構件，係具有前述接著劑層之厚 上的厚度。 7.如申請專利範圍第1或2項所記載的晶圓加工 帶，其中，前述支撐構件，係爲著色構件。 8 ·如申請專利範圍第7項所記載的晶圓加工用膠 其中，前述著色構件，係因應晶圓加工用膠帶之種類 色。 9 .如申請專利範圍第7項所記載的晶圓加工用膠 其中，前述著色構件，係因應晶圓加工用膠帶之厚度 色。 10.如申請專利範圍第1或2項所記載的晶圓加 膠帶，其中，前述支撐構件，係具有二層以上的層 造。 U ·如申請專利範圍第1或2項所記載的晶圓加 膠帶’其中，前述支撐構件係在選自由聚對苯二甲酸 酯' 聚丙烯、及高密度聚乙烯所組成之群的薄膜基材 佈黏接著劑而成的黏接著膠帶。 用膠 度以 用膠 帶， 而著 帶， 而著 工用 積構 工用 乙烯 上塗