CN102157422A - 卷芯及卷绕于卷芯的晶片加工用带 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种在脱模膜上具有胶粘剂层及粘合膜的晶片加工用带卷取为卷轴状的情况下，将可以充分抑制向胶粘剂层的转印痕的产生的晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯。本发明的将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，是将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，所述晶片加工用带包括脱模膜；设置于所述脱模膜的表面上且具有规定的平面形状的胶粘剂层；具有标签部和周边部的粘合膜，所述标签部覆盖所述胶粘剂层并在所述胶粘剂层的周围按照与所述脱模膜接触的方式设置且具有规定的平面形状，所述周边部按照包围所述标签部的外侧的方式设置，其中，所述卷芯具有缓和部和支持部，所述缓和部在至少对应于所述胶粘层的位置形成且缓和卷绕压力，所述支持部在被卷绕的晶片加工用带的宽度方向且所述缓和部的外侧形成并支持晶片加工用带。

Description

卷芯及卷绕于卷芯的晶片加工用带

技术领域

本发明涉及一种将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，特别是涉及一种将具有切割·芯片焊接膜的晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，所述切割·芯片焊接膜具备切割胶带(dicing tape)和芯片焊接膜(die bonding film)两种功能。

背景技术

近年来，开发有一种切割·芯片焊接膜，其兼具在将半导体晶片切割分离(dicing)成各个芯片时用于固定半导体晶片的切割胶带、和用于将切割的半导体芯片粘接于引线架及封装基板等或用于在层叠封装中用于层叠、粘接半导体芯片之间的芯片焊接膜(也称为芯片贴装薄膜)两个功能。

作为这样的切割·芯片焊接膜，考虑到向晶片贴付及切割时向环形框架安装等的作业性，存在实施预切加工等情况。

实施预切加工的切割·芯片焊接膜的例如图4及图5所示。图4、图5(A)及图5(B)分别为具备切割·芯片焊接膜40的晶片加工用带30的简图、平面图、剖面图。晶片加工用带30包括脱模膜31、胶粘剂层32、粘合膜33。胶粘剂层32加工成对应晶片形状的圆形，具有圆形标签形状。粘合膜33为除去与切割用环形框架的形状对应的圆形部分的周边区域的部分，如图所示，具有圆形标签部33a和包围其外侧的周边部33b。胶粘剂层32和粘合膜33的圆形标签部33a以它们的中心一致的方式层叠，另外，粘合膜33的圆形标签部33a覆盖胶粘剂层32，且在其周围与脱模膜31接触。而且，通过由胶粘剂层32和粘合膜33的圆形标签部33a构成的层叠构造，构成切割·芯片焊接膜40。

在对晶片切割时，将脱模膜31从层叠状态的胶粘剂层32及粘合膜33剥离，如图6所示，将半导体晶片W的背面贴付在胶粘剂层32上，将切割用环形框架R粘合固定在粘合膜33的圆形标签部33a的外周部。在该状态下，对半导体晶片W进行切割，其后，对粘合膜33实施紫外线照射等固化处理，拾取半导体芯片。此时，粘合膜33由于通过固化处理而粘合力降低，容易从胶粘剂层32剥离，半导体芯片在背面附着胶粘剂层32的状态下进行拾取。在半导体芯片的背面附着的胶粘剂层32其后在将半导体芯片粘接于引线架及封装基板或其它的半导体芯片时，具有作为芯片焊接膜的功能。

如图4及图5所示，如上所述的晶片加工用带30中，胶粘剂层32与粘合膜33的圆形标签部33a层叠的部分比其它部分厚。因此，使用如图7所示的现有的卷芯50即在旋转中心形成圆筒状空洞部53的卷芯50，如图8所示，将晶片加工用带30作为制品而卷绕成卷轴状时，在胶粘剂层32和粘合膜33的圆形标签部33a的层叠部分，由于除去粘合膜33而形成的粘合膜33与脱模膜的阶梯差叠加，产生在柔软的胶粘剂层32的表面转印阶梯差的现象即如图9所示的转印痕(也称为标签痕、褶皱、或卷痕等)。这样的转印痕的产生，特别是在胶粘剂层32由柔软的树脂形成的情况及较厚的情况，以及胶带30的卷数较多的情况等下显著。而且，产生转印痕时，在胶粘剂层和半导体晶片之间卷入空气而不密接，其结果，可能会引起粘接不良而在晶片的加工时产生不便。

为了抑制上述转印痕的产生，考虑减弱薄膜的卷取压，在该方法中，可能会产生制品的卷绕间隙，例如向贴带设备的安装变难等，在该薄膜的实际安装时带来障碍。

另外，在专利文献1中公开了一种为了抑制上述那样的标签痕的产生，而在剥离基材上的胶粘剂层级粘合膜的外方设置具有与胶粘剂层及粘合膜的合计的膜厚相同或在其以上的膜厚的支持层的粘接片。专利文献1的粘接片通过具备支持层而将施加于粘接片的卷取压力分散或集中于支持层，抑制转印痕的产生。

专利文献1：(日本)特开2007-2173号公报

但是，在上述专利文献1的粘接片中，由于在剥离基板上的在制造半导体装置时需要的胶粘剂层及粘合膜以外的部分形成支持层，因此支持层的宽度受到限制，相对于胶粘剂层及粘合膜的外径，支持层的宽度狭窄，产生对标签痕的抑制效果不充分这样的问题。另外，由于支持层通常不具有粘合性而不与剥离基材(PET薄膜)充分贴付，在支持层的最狭窄的部分容易从剥离基材浮起，而在晶片上粘合切割·芯片焊接膜时，上述的浮起部分影响到装置而产生了损伤晶片的问题。

另外，也考虑扩大支持层的宽度，但由于晶片加工用带整体的宽度变宽，而使现有装备的使用变得困难。另外，由于支持层为最终废弃的部分，如果扩大支持层的宽度关系到材料成本的上升。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种在将具备在脱模膜上具有胶粘剂层及粘合膜的切割·芯片焊接膜的晶片加工用带卷取为卷轴状的情况下，将具有可以充分抑制向胶粘剂层的转印痕的产生的切割·芯片焊接膜的晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯。

为了达成上述的目的，本发明提供一种将本发明的晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，所述晶片加工用带包括脱模膜；设置于所述脱模膜的表面上且具有规定的平面形状的胶粘剂层；具有标签部和周边部的粘合膜，所述标签部覆盖所述胶粘剂层并在所述胶粘剂层的周围按照与所述脱模膜接触的方式设置且具有规定的平面形状，所述周边部按照包围所述标签部的外侧的方式设置，其中，所述卷芯具有缓和部和支持部，所述缓和部在至少对应于所述胶粘层的位置形成且缓和卷绕压力，所述支持部在被卷绕的晶片加工用带的宽度方向且所述缓和部的外侧形成并支持晶片加工用带。

根据上述发明的将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，由于在对应于使用由具有规定的平面形状的胶粘剂层、覆盖胶粘剂层且在胶粘剂层的周围按照接触脱模膜的方式设置且具有规定的平面形状的标签部构成的切割·芯片焊接膜的部分的位置，未形成卷芯的支持部，所以卷绕压力被减轻(缓和)，因此，可以充分抑制在胶粘剂层上产生转印痕。

另外，作为本发明的将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，优选的是，缓和部及支持部具有圆筒形状，且缓和部通过将所述支持部作成大的直径而形成。

根据上述发明的将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，相对于在被卷绕的晶片加工用带的宽度方向且在缓和部的外侧形成的直径大的支持部，可以形成直径小的缓和部，不是将缓和部和支持部作为各自独立的部件进行设置，而是可以根据卷芯的形状形成缓和卷绕压力的缓和部。

另外，优选的是，缓和部的形状，除了使缓和部和支持部形成台阶状的情况外，缓和部与支持部通过曲面连接。

进而，作为本发明的将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，理想的是，用于安装于卷取辊或送出辊的圆筒状的空洞部形成于旋转中心。

根据上述发明的将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，可以不影响缓和部及支持部的形状而形成空洞部。

另外，本发明的卷绕于卷芯的晶片加工用带卷绕成所述的卷芯。

根据将本发明的晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，在将具备在脱模膜上具有胶粘剂层及粘合膜的切割·芯片焊接膜的晶片加工用带卷取为卷轴状的情况下，可以充分抑制在胶粘剂层上的转印痕的产生。另外，根据本发明的卷绕于卷芯的晶片加工用带，充分抑制在胶粘剂层上的转印痕的产生，在胶粘剂层和半导体晶片之间卷入空气、且将半导体芯片粘接于引线架及封装基板或另外的半导体芯片时，不会引起粘接不良而产生晶片加工时的不便。

附图说明

图1中(A)为本实施方式的卷芯的剖面图，(B)为简图；

图2为说明使用本实施方式的卷芯卷绕晶片加工用带的状态的图；

图3是另外的实施方式的卷芯的剖面图；

图4是目前的晶片加工用带的简图；

图5中(A)为现有的晶片加工用带的平面图，(B)为剖面图；

图6是表示粘合了切割·芯片焊接膜和切割用环形框架的状态的剖面图；

图7中(A)为现有的卷芯的剖面图，(B)为侧面图；

图8是说明使用现有的卷芯卷绕晶片加工用带的状态的图；

图9是用于说明现有的晶片加工用带的不便的示意图。

符号说明

10，50：卷芯

11，21：缓和部

12，22：支持部

13，23，53：空洞部

14，24：缓和部侧部

30：晶片加工用带

31：脱模膜

32：胶粘剂层

33：粘合膜

33a：圆形标签部

33b：周边部

40：切割·芯片焊接膜

d₁，d₁’：支持部宽度

d₂，d₂’：从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1是说明将本实施方式的晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯的图，其中，图1(A)是本实施方式的卷芯的剖面图，图1(B)是简图。图2是说明使用本实施方式的卷芯卷绕晶片加工用带的状态的图。图3是另外的实施方式的卷芯的剖面图。首先，对本实施方式的卷绕于卷芯的晶片加工用带进行说明。另外，本实施方式的卷绕于卷芯的晶片加工用带为图4及图5所示的长条状的晶片加工用带30。

<晶片加工用带>

下面，对本实施方式的卷绕于卷芯的晶片加工用带的各构成要素进行详细说明。

(脱模膜)

作为用于晶片加工用带的脱模膜，可以使用公知的聚对苯二甲酸乙酯(PET)系、聚乙烯系，之外还有被脱模处理了的薄膜。脱模膜的厚度没有特别限定，可以适当设定，优选为25～50μm。

(胶粘剂层)

胶粘剂层在粘合半导体晶片等并切割后而拾取芯片时，从粘合膜剥离而附着于芯片，作为将芯片固定于基板及引线架时的粘接剂使用。因此，胶粘剂层在拾取芯片时具有以附着于单片化的半导体的状态可以从粘合膜剥离的剥离性，且在芯片焊接时具有为了将芯片粘接固定于基板及引线架而充分的粘接可靠性。

胶粘剂层是将粘接剂预先膜化所得的层，例如，可以使用粘接剂中使用的公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂等及其混合物。另外，为了强化对芯片及引线架的粘接力，优选将硅烷偶联剂或钛偶联剂作为添加剂添加到上述材料及其混合物中。

胶粘剂层的厚度没有特别限定，通常优选为5～100μm程度。另外，胶粘剂层可以层叠在粘合膜的整个，但也可以层叠切断(预切)为对应预先粘合的晶片的形状的粘合膜。如图6所示，在层叠对应于晶片的粘合膜的情况下，在粘合晶片W的部分存在胶粘剂层32，在粘合切割用的环形框架R的部分没有胶粘剂层32，只存在粘合膜的圆形标签部33a。通常，由于胶粘剂层难以与被粘体剥离，通过使用被预切了的胶粘剂层，环形框架R可以粘合于粘合膜，得到在使用后的薄膜剥离时难以对环形框架产生残糊这样的效果。

(粘合膜)

粘合膜具有充分的粘合力，以在切割晶片时晶片不剥离，且具有低的粘合力，以在切割后拾取芯片时能够容易从胶粘剂层剥离。例如可以适合使用在基材膜上设置胶粘剂层的粘合膜。

作为粘合膜的基材膜，如果是目前公知的基材膜则可以没有特别限制地使用，但作为后述的胶粘剂层使用射线固化性的材料的情况下，优选使用具有射线透过性的材料。

例如，作为其材料，可以列举：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物；聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体及它们的混合物。另外，基材膜可以为将选自上述组中的2种以上的材料混合所得的薄膜，也可以为将它们单层化或多层化所得的层。基材膜的厚度没有特别限定，可以适当设定，优选为50～200μm。

作为粘合膜的胶粘剂层中使用的树脂，没有特别限定，可以使用粘接剂中使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。

在胶粘剂层的树脂中，优选适当配合丙烯系粘接剂、射线聚合性化合物、光聚合起始剂、固化剂等来调制粘接剂。胶粘剂层的厚度没有特别限定可以适当设定，优选为5～30μm。

将射线聚合性化合物配合于胶粘剂层，可以通过射线固化而容易从胶粘剂层剥离。该射线聚合性化合物例如使用通过光照射在可以三维网状化的分子内至少具有两个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。

具体而言，可以使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯及低聚酯丙烯酸酯等。

另外，除上述的丙烯酸酯系化合物外，还可以使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物。聚氨酯丙烯酸酯系低聚物是使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羟乙酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯、丙烯酸2-羟丙酯、甲基丙烯酸2-羟丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)与末端异氰酸酯聚氨酯预聚物反应而得到的，上述末端异氰酸酯聚氨酯预聚物是聚酯型或聚醚型等多元醇化合物和多元异氰酸酯化合物(例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-亚二甲苯基二异氰酸酯、1，4-亚二甲苯基二异氰酸酯、二苯甲烷-4，4-二异氰酸酯等)反应而得到的。需要说明的是，胶粘剂层可以为将选自上述树脂的2种以上树脂混合而得的层。

使用光聚合引发剂时，例如，可以使用安息香异丙醚、安息香异丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基甲酮、2-羟甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量优选相对于丙烯酸系共聚物100质量份为0.01～5质量份。

<第一实施方式>

如图1所示，本实施方式的卷芯10为在晶片加工用带的卷绕面侧形成直径小的缓和部11和直径大的支持部12的哑铃型卷芯。缓和部11设置在对应于晶片加工用带的(由胶粘剂层和覆盖胶粘剂层的粘合膜的标签部构成)的位置，支持部12在缓和部11的外侧按照支持粘合膜的周边部33b的方式形成。另外，在卷芯的旋转中心形成有圆筒状的空洞部13。

卷芯的材料没有特别限定，可以从操作容易度及重量等的观点而选择ABS树脂、氯乙烯树脂、铁等。

(缓和部11)

如图1所示，缓和部11由相对于卷芯10的旋转中心轴直径比支持部12小的圆筒面形成。而且，在缓和部11的两端形成有与缓和部11垂直的缓和部侧部14。因此，缓和部11和比缓和部11直径大的支持部12按照形成为台阶状的方式形成。由于缓和部11的深度(d₂)在未满1mm时不能得到抑制转印痕的效果，超过40mm时，晶片加工用带30的卷取变难，因此，优选为1mm以上40mm以下。

(支持部12)

支持部12相对于卷芯10的旋转中心轴方向形成在卷芯的外侧方向两方，将比缓和部11直径大的外筒面作为外面。因此，不作为与包含支持部12的另外的部件分别独立的部件来进行设置，可以使缓和卷绕压力的缓和部11仅根据卷芯10的形状而形成。由于支持部12的宽度(d₁)在未满1mm时，晶片加工用带30的卷取变得困难，因此，优选为1mm以上。另外，缓和部11对应于胶粘剂层32进行设置，考虑半导体加工用带30的宽度(图5中的d₅)时，从不超过需要以上的卷芯10整体的大小的观点，没有必要超过35mm。

(空洞部13)

空洞部13为圆筒状的空洞部，卷芯10的旋转中心轴和中心轴相同。而且，为了安装于卷取辊或送出辊而使用。从卷芯10的旋转中心轴到空洞部13的曲面的距离形成为比到缓和部11的距离小。因此，空洞部13不会影响缓和部11及支持部12的形状。

图2表示使用本实施方式的卷芯10卷绕晶片加工用带30的状态。由于通过形成在卷芯10的外侧的两个支持部12支持晶片加工用带，因此，对晶片加工用带施加希望的卷取压，另一方面，由于通过对应于粘接剂位置的缓和部11对于晶片加工用带(胶粘剂层)不会按压卷芯，故而可以减轻(缓和)卷绕压力。其结果是，可以抑制在胶粘剂层的转印痕的产生。

<第二实施方式>

第二实施方式的卷芯20为使第一实施方式的卷芯10的缓和部侧部14形成曲面的卷芯。图3表示第二实施方式的卷芯20的剖面图。卷芯20为在晶片加工用带的卷绕面侧形成直径小的缓和部21和直径大的支持部22的变形哑铃型的卷芯。如图3所示，缓和部21由作为相对于卷芯20的旋转中心轴比支持部22直径小的圆筒面的缓和部21、和作为从缓和部21连续弯曲的曲面的缓和部侧24形成。

另外，缓和部21设置在对应于晶片加工用带的切割·芯片焊接膜的胶粘剂层的位置，支持部22在缓和部21的外侧按照支持粘合膜的周边部33b的方式形成。另外，在卷芯的旋转中心形成有圆筒状的空洞部23。

《实施例》

接着，对本发明的实施例进行说明，本发明不限定于这些实施例。卷绕于卷芯的晶片加工用带如下制作：首先，在调整支持基材(基材膜)及粘接剂组合物1后，在支持基材上按照粘接剂组合物1的干燥后的厚度为20μm的方式涂敷上述粘接剂组合物，在110℃下干燥3分钟制作粘合膜。接着，调整粘接剂组合物1，在由对粘接剂组合物进行脱模处理的聚对苯二甲酸乙酯膜构成的剥离衬板上按照干燥后的厚度为20μm的方式涂敷上述粘接剂组合物，在110℃下干燥3分钟在剥离衬板上制作粘合膜。然后，将上述粘合膜及上述粘合膜裁剪为图4所示的形状后，在上述粘合膜的胶粘剂层侧粘合上述粘合膜，制作晶片加工用带1。下面，显示支持基材、粘接剂组合物1及粘接剂组合物1的调整方法。

(支持基材的调整)

将由市售的低密度聚乙烯构成的树脂珠(日本聚乙烯(株)制NOVATEC-LL)在140℃下熔融，使用挤压机将其成形为厚度100μm的长条薄膜形状。

(粘接剂组合物的调整)

首先，作为具有射线固化性碳-碳双键及具有官能团的化合物(0)，制作由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸-2-羟基乙酯及甲基丙烯酸甲酯构成且具有质量平均分子量70万，玻璃转移温度-64℃、射线固化性碳-碳双键键合量0.9meq/g的共聚合体化合物。相对于100质量份的该化合物(0)添加作为固化剂的聚异氰酸酯化合物Cornet-L(日本聚氨酯株式会社制、商品名)3质量份，进而通过添加作为光聚合起始剂的Irgacure 184(日本气巴精化株式会社制、商品名)5质量份，得到射线固化性的粘接剂组合物1。

(粘接剂组合物的调整)

<粘接剂组合物>

在包含作为环氧树脂的甲酚酚醛型环氧树脂(环氧当量197、分子量1200、软化点70℃)50质量份、作为硅烷偶联剂的γ-巯丙基三甲氧基硅烷1.5质量份、γ-脲丙基三乙氧基硅烷3质量份、平均粒径为16nm的硅微粉30质量份的组合物中添加环己酮并搅拌混合，进而使用珠粉碎机混炼90分钟。在其中，作为丙烯树脂，仅添加100重量份的化合物1的溶液(1)，作为固化剂，添加1质量份的Cornet-L，搅拌混合得到粘接剂组合物1。

(晶片加工用带1)

使用支持基材、粘接剂组合物1、粘接剂组合物1按照上述的方法制作依次层叠支持基材、能量线固化型胶粘剂层、粘合膜的晶片加工用带1。制作的晶片加工用带1的形状如图5所示，按照带宽度(d₅)为290mm、胶粘剂层的直径(d₆)为220mm、标签部的直径为270mm，进而在晶片加工用带的中心线上重叠胶粘剂层及标签部的中心的方式形成。

(卷芯)

如图1及图3所示，将支持部的宽度(d₁，d₁’)、支持部的直径(d₃，d₃’)、空洞部的直径(d₄，d₄’)、卷芯长度方向的长度设定为一定，将从支持部表面到缓和部表面的缓和部深度(d₂，d₂’)变化的哑铃型卷芯(实施例1～5)和变形哑铃型卷芯(实施例6～10)由ABS树脂制作成以下的形状。

(实施例1)

制作支持部的直径(d₃)设定为148mm、支持部的宽度(d₁)设定为30mm、从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂)设定为1.0mm、空洞部的直径(d₄)设定为76.2mm、卷芯长度方向的长度设定为290mm，进而，使支持部、缓和部和空洞部的中心与卷芯旋转中心一致的哑铃型卷芯作为实施例1。

(实施例2)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂)设定为5.0mm外，制作与实施例1的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例2。

(实施例3)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂)设定为15.0mm外，制作与实施例1及2的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例3。

(实施例4)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂)设定为30.0mm外，制作与实施例1～3的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例4。

(实施例5)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂)设定为40.0mm外，制作与实施例1～4的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例5。

(实施例6)

制作作为弯曲缓和部侧部的曲面，支持部的直径(d₃’)设定为148mm、支持部的宽度(d₁’)设定为30mm、从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂’)设定为1.0mm、空洞部的直径(d₄’)设定为76.2mm、卷芯长度方向的长度设定为290mm，进而，使支持部、缓和部和空洞部的中心与卷芯旋转中心一致的变形哑铃型卷芯作为实施例6。

(实施例7)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂’)设定为5.0mm外，制作与实施例6的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例7。

(实施例8)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂’)设定为15.0mm外，制作与实施例6及7的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例8。

(实施例9)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂’)设定为30.0mm外，制作与实施例6～8的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例9。

(实施例10)

除将从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂’)设定为40.0mm外，制作与实施例6～9的哑铃型卷芯同样制作的哑铃型卷芯作为实施例10。

(比较例1)

制作支持部的直径(d₃)设定为148mm、支持部的宽度(d₁)设定为30mm、从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂)设定为0.8mm、空洞部的直径(d₄)设定为76.2mm、卷芯长度方向的长度设定为290mm，由ABS树脂制作，进而使支持部、缓和部和空洞部的中心与卷芯旋转中心一致的哑铃型卷芯作为比较例1。

(比较例2)

另外，制作作为弯曲缓和部侧部的曲面，支持部的直径(d₃’)设定为148mm、支持部的宽度(d₁’)设定为30mm、从支持部表面到缓和部表面的缓和部的深度(d₂’)设定为0.8mm、空洞部的直径(d₄’)设定为76.2mm、卷芯长度方向的长度设定为290mm，进而，使支持部、缓和部和空洞部的中心与卷芯旋转中心一致的哑铃型卷芯作为比较例2。

通过下面所示的评价方法，评价对转印痕的抑制性。

(转印痕的抑制性的评价方法)

使用实施例1～5的哑铃型卷芯、实施例6～10的变形哑铃型卷芯、比较例1的哑铃型卷芯、比较例2的变形哑铃型卷芯，将290mm宽的晶片加工用带1～3用15N的一定张力卷取300枚，制作卷轴体。然后，将卷轴体在5℃的环境下冷藏保管14日的时间。其后，通过目测观察，判定有无褶皱。

表1表示评价结果。表中○表示没有产生褶皱，×表示产生了褶皱，△表示即使稍有褶皱，但不是在晶片接合时卷入空气等的褶皱。

【表1】

	缓和部深度d2【mm】	晶片加工用带1
			实施例1	1.0	△
实施例2	5.0	△
			实施例3	15.0	○
实施例4	30.0	○
			实施例5	40.0	○
实施例6	1.0	△
			实施例7	5.0	△
实施例8	15.0	○
			实施例9	30.0	○
实施例10	40.0	○
			比较例1	0.8	×
比较例2	0.8	×

在从支持部表面到缓和部表面的缓和部深度(d₂，d₂’)为未满1.0mm的哑铃型卷芯的比较例1和变形哑铃型卷芯的比较例2中，确认了产生褶皱。进而，在从支持部表面到缓和部表面的缓和部深度(d₂，d₂’)为1.0mm以上且未满5.0mm的哑铃型卷芯的实施例1～2和变形哑铃型卷芯的实施例6～7中，确认了有稍微的褶皱，但不是在晶片接合时卷入空气等的褶皱。另一方面，在从支持部表面到缓和部表面的缓和部深度(d₂，d₂’)在15.0mm以上的哑铃型卷芯的实施例3～5和变形哑铃型卷芯的实施例8～10中，不能确认褶皱的产生。因此，在从支持部表面到缓和部表面的缓和部深度(d₂，d₂’)未满1.0mm的情况下，确认了没有抑制转印痕的产生的效果。另一方面，无论本实施方式的哑铃型卷芯及变形哑铃型卷芯如何，在超过40mm的情况下晶片加工用带的卷取都困难。

另外，在支持部宽度(d₁，d₁’)不足1.0mm的情况下，晶片加工用带的卷取变难。

如上所述，根据本实施方式的将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，通过将从支持部表面到缓和部表面的缓和部深度(d₂，d₂’)设定为规定的值，在将晶片加工用带卷取为卷轴状的情况下，可以充分抑制在胶粘剂层的转印痕的产生。

Claims (5)

1.一种卷芯，其特征在于，是将晶片加工用带卷绕成卷轴状的卷芯，所述晶片加工用带包括脱模膜；设置于所述脱模膜的表面上且具有规定的平面形状的胶粘剂层；具有标签部和周边部的粘合膜，所述标签部覆盖所述胶粘剂层并在所述胶粘剂层的周围按照与所述脱模膜接触的方式设置且具有规定的平面形状，所述周边部按照包围所述标签部的外侧的方式设置，

其中，所述卷芯具有缓和部和支持部，所述缓和部在至少对应于所述胶粘层的位置形成且缓和卷绕压力，所述支持部在被卷绕的晶片加工用带的宽度方向且所述缓和部的外侧形成并支持晶片加工用带。

2.如权利要求1所述的卷芯，其特征在于，

所述缓和部及所述支持部具有圆筒形状，

所述缓和部通过将所述支持部作成大的直径而形成。

3.如权利要求1或2所述的卷芯，其特征在于，

所述缓和部与所述支持部通过曲面连接。

4.如权利要求1～4中任一项所述的卷芯，其特征在于，

用于安装于卷取辊或送出辊的圆筒状的空洞部形成于旋转中心。

5.一种晶片加工用带，其卷绕于权利要求1～4中任一项所述的卷芯。

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