CN105694746B - 晶片加工用带 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其可以减少标签痕迹的产生、且可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；胶粘剂层(12)，设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖胶粘剂层(12)、且在胶粘剂层(12)的周围与脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上，且设置于脱模膜(12)的短边方向的任意一个端部、并且设置在与第1面中的标签部(13a)的接触于脱模膜(12)的区域所达到的区域对应的区域。

Description

晶片加工用带

技术领域

本发明涉及晶片加工用带，特别是涉及具有芯片切割带和芯片接合膜的2个功能的晶片加工用带。

背景技术

最近，正在开发一种芯片切割-芯片接合带，其兼具将半导体晶片切断分离(芯片切割)为各个芯片时用于固定半导体晶片的芯片切割带、和用于将切断后的半导体芯片粘接于引线框或封装基板等、或者在堆叠封装中用于将半导体芯片彼此层叠、粘接的芯片接合膜(也称为芯片贴装膜)的2个功能。

作为这样的芯片切割-芯片接合带，考虑到向晶片的贴附、芯片切割时的向贴片环框的安装等的操作性，有时实施了预切割加工。

在图4和图5中示出预切割加工后的芯片切割-芯片接合带的例子。图4是表示将芯片切割-芯片接合带卷绕为卷筒状的状态的图，图5(a)是芯片切割-芯片接合带的俯视图，图5(b)是基于图5(a)的线B-B的剖面图。芯片切割-芯片接合带50包含脱模膜51、胶粘剂层52和粘合膜53。胶粘剂层52加工为与晶片的形状对应的圆形，具有圆形标签形状。粘合膜53中除去了与芯片切割用的贴片环框的形状对应的圆形部分的周边区域，如图所示，具有圆形标签部53a和包围其外侧的周边部53b。胶粘剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a以将其中心对齐的方式层叠，另外，粘合膜53的圆形标签部53a覆盖胶粘剂层52且在其周围与脱模膜51接触。

将晶片芯片切割时，从层叠状态的胶粘剂层52和粘合膜53剥离脱模膜51，如图6所示，在胶粘剂层52上贴附半导体晶片W的背面，在粘合膜53的圆形标签部53a的外周部粘合固定芯片切割用贴片环框R。在该状态下将半导体晶片W芯片切割，之后，对粘合膜53实施紫外线照射等固化处理后拾取半导体芯片。此时，粘合膜53由于固化处理而粘合力降低，因此容易从胶粘剂层52剥离，在背面附着了胶粘剂层52的状态下拾取半导体芯片。附着于半导体芯片的背面的胶粘剂层52在之后将半导体芯片粘接于引线框、封装基板、或其他半导体芯片时，作为芯片接合膜起作用。

另外，就像上述那样的芯片切割-芯片接合带50而言，胶粘剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a层叠的部分比粘合膜53的周边部53b厚。因此，作为制品卷绕成卷筒状时，胶粘剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a的层叠部分、与粘合膜53的周边部53a的高度差相互重叠，发生在柔软的胶粘剂层52表面转印高度差的现象，即图7所示的那样的转印痕(也称为标签痕迹、皱纹、或卷绕痕迹)。这样的转印痕的产生特别是在胶粘剂层52由柔软的树脂形成的情况、存在厚度的情况和芯片切割-芯片接合带50的卷绕数多的情况等显著。然后，若产生转印痕，则存在由胶粘剂层与半导体晶片的粘接不良导致在晶片的加工时产生不良情况的可能性。

为了解决这样的问题，正在开发一种晶片加工用带，其为脱模膜的与设置了胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且在脱模膜的短边方向的两端部设置了支承构件(例如，参照专利文献1)。这样的晶片加工用带设置了支承构件，因此在将晶片加工用带卷绕为卷筒状时，可以将对带施加的卷绕压力分散、或集中于支承构件，因此，可以抑制向胶粘剂层的转印跡的形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4360653号公报

发明内容

发明要解决的课题

粘合膜覆盖胶粘剂层、且在其周围与脱模膜接触，但根据胶粘剂层的厚度，有时在脱模膜与粘合膜之间产生极小的空隙、残留空气(air)。上述专利文献1中记载的晶片加工用带在脱模膜的短边方向两端部设置了支承构件，因此在将晶片加工用带卷绕成卷筒状的状态下，标签部与在其上卷绕的脱模膜之间成为中空结构，因此出现了存在上述空气(air)移动而侵入胶粘剂层与粘合膜之间的可能性的问题。在胶粘剂层与粘合膜之间侵入的空气(air)也称为孔隙(void)，其存在使对于半导体晶片W的贴合不良发生、造成之后的半导体晶片W的芯片切割工序或芯片的拾取工序、接合工序的成品率的降低的可能性。

因此，本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，其可以减少标签痕迹的产生，且可以不论胶粘剂层的厚度如何地选择支承构件，同时可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气(air)。

解决课题的方法

为了解决以上的课题，本发明所涉及的晶片加工用带的特征在于具有：长的脱模膜；胶粘剂层，设置在所述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜，具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件，设置在所述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且设置于所述脱模膜的短边方向的任意一个端部、并且设置在与所述第1面中的所述标签部的接触于所述脱模膜的区域所达到的区域对应的区域。

另外，上述半导体加工用带的上述支承构件的厚度T与上述胶粘剂层的厚度t之比T/t优选为1.2以上。

另外，优选上述半导体加工用带的上述支承构件的宽度为20mm以上，并且上述支承构件不到达与所述胶粘剂层对应的区域。

发明效果

根据本发明，可以减少标签痕迹的产生且可以减少在胶粘剂层与粘合膜之间卷入空气。

附图说明

图1的(a)是本发明的实施方式所涉及的晶片加工用带的俯视图，(b)是(a)的基于线A-A的剖面图。

图2是本发明的另一实施方式所涉及的晶片加工用带的剖面图。

图3是本发明的进一步另一实施方式所涉及的晶片加工用带的剖面图。

图4是以往的晶片加工用带的立体图。

图5的(a)为以往的晶片加工用带的俯视图，(b)为(a)的基于线B-B的剖面图。

图6为显示晶片加工用带与芯片切割用贴片环框贴合的状态的剖面图。

图7为用于说明以往的晶片加工用带的不良情况的示意图。

具体实施方式

以下基于附图对本发明的实施方式详细地说明。图1(a)是本发明的实施方式所涉及的晶片加工用带(芯片切割-芯片接合带)的俯视图，图1(b)是图1(a)的基于线A-A的剖面图。

如图1(a)和图1(b)所示，晶片加工用带10具有长的脱模膜11、胶粘剂层12、粘合膜13和支承构件14。

胶粘剂层12设置于脱模膜的第1面上，具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。粘合膜13具有圆形标签部13a和包围该圆形标签部13a的外侧的周边部13b，所述圆形标签部13a以覆盖胶粘剂层12、且在胶粘剂层12的周围与脱模膜接触的方式设置。周边部13b包括将圆形标签部13a的外侧完全包围的形态、和如图所示的不完全包围的形态。圆形标签部13a具有与切割用的贴片环框对应的形状。而且，支承构件14设置在脱模膜11的与设置有胶粘剂12和粘合膜13的第1面11a相反的第2面11b上、且设置在脱模膜11的短边方向的任意一个端部。

以下，对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素详细地说明。

(脱模膜)

作为本发明的晶片加工用带10中使用的脱模膜11，可以使用聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烃(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系、或将这些材料一部分置换从而进一步将粘接性、机械强度提高了的膜。另外，可以为这些膜的层叠体。

脱模膜的厚度没有特别限制，可以适当设定，但优选25～50μm。

(胶粘剂层)

本发明的胶粘剂层12如上所述，具有在脱模膜11的第1面11a上形成、与晶片的形状对应的圆形标签形状。

胶粘剂层12在贴合并芯片切割半导体晶片等后，在拾取芯片时，附着于芯片背面，作为将芯片固定于基板、引线框时的胶粘剂使用。作为胶粘剂层12，可以优选使用含有选自环氧系树脂、丙烯酸系树脂，酚醛系树脂中的至少1种的粘胶粘剂等。除此以外，也可以使用聚酰亚胺系树脂、硅酮系树脂。其厚度可以适当设定，但优选5～100μm左右。

(粘合膜)

本发明的粘合膜13如上所述，具有与芯片切割用的贴片环框的形状对应的圆形标签部13a和包围其外侧的周边部13b。可以通过预切割加工，从膜状粘合剂除去圆形标签部13a的周边区域来形成这样的粘合膜。

作为粘合膜13，没有特别限制，只要具有将晶片芯片切割时晶片不剥离的充分的粘合力，在芯片切割后拾取芯片时表现出可以容易地从胶粘剂层剥离的低的粘合力即可。例如，可以适宜地使用在基材膜设置了粘合剂层的粘合膜。

作为粘合膜13的基材膜，只要为以往公知的基材膜就可以没有特别限制地使用，但使用放射线固化性的材料作为后述的粘合剂层时，优选使用具有放射线透射性的基材膜。

例如，作为其材料，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体、和它们的混合物。另外，基材膜可以为选自它们的组中的2种以上的材料混合而成的基材膜，也可以是将它们单层或多层化而成的基材膜。

基材膜的厚度没有特别限制，可以适当设定，但优选50～200μm。

作为粘合膜13的粘合剂层中使用的树脂，没有特别限制，可以使用粘合剂中使用的公知的氯代聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。

优选在粘合剂层13的树脂中适当配合丙烯酸系粘合剂、放射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等来制备粘合剂。粘合剂层13的厚度没有特别限制而可以适当设定，但优选5～30μm。

可以在粘合剂层中配合放射线聚合性化合物并通过放射线固化而使得容易从胶粘剂层剥离。该放射线聚合性化合物可以使用例如能通过光照射而三维网状化的在分子内具有至少2个以上光聚合性碳-碳双键的低分量化合物。

具体地，能应用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等。

另外，除了像上述那样的丙烯酸酯系化合物以外，也可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。可以使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-亚二甲苯基二异氰酸酯、1，4-亚二甲苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应而得的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应来得到氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。

在粘合剂层中，可以为选自上述的树脂中的2种以上混合而成的混合物。

使用光聚合引发剂时，可以使用例如苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯偶酰二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量相对于丙烯酸系共聚物100质量份优选0.01～5质量份。

(支承构件)

支承构件14设置于脱模膜11的与设置有胶粘剂12和粘合膜13的第1面11a相反的第2面11b、且设置于脱模膜11的短边方向的任意一个端部。通过像这样设置支承构件14，在将晶片加工用带10卷绕为卷筒状时，可以将对带施加的卷绕压力分散、或集中于支承构件14，因此变得能抑制对胶粘剂层12的转印跡的形成。

另外，通过将支承构件14设置于脱模膜11的短边方向上的任意一个端部，可以从另一端部侧利用胶粘剂层12的厚度将在脱模膜11与圆形标签部13a之间产生的间隙中残留的空气(air)向圆形标签部13a的外侧排出。

另外，在设置有胶粘剂12和粘合膜13的第1面11a形成支承构件时，对于支承构件的宽度存在限制，与此相对，本实施方式的构成中，可以广泛确保支承构件14的宽度，可以更有效地抑制转印痕的产生。另外，优选支承构件14的宽度为20mm以上且不到达与胶粘剂层12对应的区域。支承构件14的宽度尽可能宽可以可靠地防止转印痕的产生，但若到达与胶粘剂层12对应的区域，则仅该区域仅仅增厚了胶粘剂层12的厚度，因此在将晶片加工用带10卷绕为卷筒状时卷绕变得难以稳定。

进一步，通过将支承构件14设置于脱模膜11的第2面11b，可以得到对于支承构件14的位置偏移的容许度变大的效果。

支承构件14优选设置于脱模膜11的第2面11b上的、与设置于第1面的胶粘剂层12的外侧对应的区域，即设置在第2面11b中、图1(a)所示的从脱模膜11的端部直至胶粘剂层12为止的区域r。通过这样的结构，在卷绕带10时，胶粘剂层12不会与设置于脱模膜11的第2面11b的支承构件14重叠，因此可以防止在粘接层12印上支承构件14的痕迹。此外，支承构件14在图1中设置于纸面右侧的一端部，但只要为脱模膜11的短边方向的任意一个端部即可，也可以设置于纸面左侧。

作为支承构件14的厚度，与脱模膜11上的胶粘剂层12与粘合膜13的圆形标签部13a的层叠部分、与粘合膜13的周边部13b的高度差相当的厚度、即胶粘剂层12相同或其以上即可，但从更可靠地抑制转印痕的观点考虑，优选支承构件14的厚度T与胶粘剂层12的厚度t之比T/t为1.2以上。图2为显示比胶粘剂剂层12厚的支承构件14’的例子的剖面图。

通过支承构件具有这样的厚度，在卷绕带10时，粘合膜13和与其表面重叠的脱模膜11的第2面11b接触、或不接触地在它们之间形成空间，因此不会经由粘合膜13向柔软的胶粘剂层12强烈按压脱模膜11的第2面11b。由此，可以更有效地抑制转印痕的产生。

支承构件14可以沿脱模膜11的长边方向间断地或连续地设置，但从更有效地抑制转印痕的产生的观点考虑，优选沿基材膜11的长边方向连续地设置。

另外，支承构件14从防止晶片加工用带10的卷绕偏移的观点考虑，优选对粘合膜13具有某种程度的摩擦系数的材质。由此，可以防止晶片加工用带10的卷绕偏移，得到可以高速卷绕、使卷绕数增大的效果。

支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数优选为0.2～2.0，更优选为0.6～1.6。若将晶片加工用带卷绕为卷筒状，则在脱模膜11的第1面11a侧设置的粘合膜13的周边部13a与在脱模膜11的第2面11b侧设置的支承构件14接触，因此支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数小至低于0.2时，在制造时、使用时变得容易发生卷绕偏移而操作性恶化。另一方面，大于2.0时，粘合膜13的基材膜与支承构件14之间的阻力过大，成为制造工序的操作性恶化、或高速卷绕时等弯曲行进的原因。因此，通过将两者间的静摩擦系数设置为上述范围，可以防止晶片加工用带10的卷绕偏移，得到使得能高速卷绕、可以使卷绕数增大的效果。

本发明中，可以依据JIS K7125，通过以下那样的测定方法得到支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数。

使分别切割为25mm(宽度)×100mm(长度)的粘合膜13的基材膜与支承构件14的两膜样品重合，固定下侧的膜。接着，在层叠的膜上载置重量200g的重物作为载荷W，将上侧的膜以200mm/min的速度拉伸，测定滑出时的力Fd(g)，通过以下的式求出静摩擦系数(μd)。

μd＝Fd/W

作为支承构件14，例如可以适宜地使用在树脂膜基材涂布了粘胶粘剂的胶粘接带。通过在脱模膜11的第2面11b的两端部分的规定位置贴附这样的胶粘接带，可以形成本实施方式的晶片加工用带10。

作为胶粘接带的基材树脂，只要满足上述线性膨胀系数的范围且能耐卷绕压力就没有特别限定，但从耐热性、平滑性、和获得容易度方面考虑，优选从聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯、和高密度聚乙烯中选择。

关于胶粘接带的粘合剂的组成和物性，没有特别限定，只要在晶片加工用带10的卷绕工序和保管工序中不从脱模膜11剥离即可。

另外，作为支承构件14，可使用着色后的支承构件。通过使用这样的着色支承构件，在将晶片加工用带卷绕为卷筒状时，可以明确地识别带的种类。例如，通过根据晶片加工用带的种类、厚度而使着色支承构件14的颜色不同，可以容易地识别带的种类、厚度，可以抑制、防止人为的错误的发生。

实施例

接着，对本发明的实施例进行说明，但本发明不限于这些实施例。

(1)粘合膜的制作

(粘合膜1A)

在溶剂甲苯400g中适当调整滴入量而滴入丙烯酸正丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰的混合液，调整反应温度和反应时间，得到具有官能团的化合物(1)的溶液。

接着在该聚合物溶液中，适当调整滴入量而加入作为具有放射线固化性碳-碳双键和官能团的化合物(2)的、另行由甲基丙烯酸和乙二醇合成的甲基丙烯酸-2-羟基乙酯2.5g、作为阻聚剂的氢醌并调整反应温度和反应时间，得到具有放射线固化性碳-碳双键的化合物(A)的溶液。接着，在化合物(A)溶液中相对于化合物(A)溶液中的化合物(A)溶液中的化合物(A)100质量份加入作为多异氰酸酯(B)的日本聚氨酯公司制：coronate L 1质量份、作为光聚合引发剂的日本汽巴嘉基公司制：Irgacure-184 0.5质量份、作为溶剂的乙酸乙酯150质量份并混合，制备了放射线固化性的粘合剂组合物。

接着，在厚度100μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物基材膜以干燥膜厚为20μm的方式涂敷制备的粘合剂层组合物，在110℃干燥3分钟，制作了粘合膜1A。

(2)脱模膜

使用了以下所示的脱模膜2A。

脱模膜2A：厚度38μm的脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜

(3)胶粘剂层的形成

(胶粘剂层3A)

在包含作为环氧树脂的甲酚线性酚醛型环氧树脂(环氧当量197，分子量1200，软化点70℃)50质量份、作为硅烷偶联剂的γ-巯基丙基三甲氧基硅烷1.5质量份、γ-酰脲丙基三乙氧基硅烷3质量份、平均粒径16nm的二氧化硅填料30质量份的组合物中加入环己酮并搅拌混合，进一步使用珠磨机混炼90分钟。

在其中加入丙烯酸类树脂(质均分子量：80万，玻璃化转变温度-17℃)100质量份、作为6官能丙烯酸酯单体的二季戊四醇六丙烯酸酯5质量份、作为固化剂的六亚甲基二异氰酸酯的加合体0.5质量份、Curezol 2PZ(四国化成(株)制商品名，2-苯基咪唑)2.5质量份，搅拌混合，真空脱气，得到胶粘剂。

在脱模膜2A上涂布上述胶粘剂，在110℃加热干燥1分钟，形成膜厚为20μm的B阶段状态(热固性树脂的固化中间状态)的涂膜，在脱模膜2A上形成胶粘剂层3A，冷藏保管。

(胶粘剂层3B)

在脱模膜2A上涂布上述胶粘剂，在110℃加热干燥1分钟，形成膜厚为60μm的B阶段状态(热固性树脂的固化中间状态)的涂膜，在脱模膜2A上形成胶粘剂层3B，冷藏保管。

(胶粘剂层3C)

在脱模膜2A上涂布上述胶粘剂，在110℃加热干燥1分钟，形成膜厚为120μm的B阶段状态(热固性树脂的固化中间状态)的涂膜，在脱模膜2A上形成胶粘剂层3C，冷藏保管。

(4)支承构件的制作

(支承构件4A)

将丙烯酸类树脂(质均分子量：60万，玻璃化转变温度-20℃)100质量份、作为固化剂的多异氰酸酯化合物(日本聚氨酯(株)制，商品名：coronate L)10质量份混合而得到粘合剂组合物。

在厚度30μm的聚四氟乙烯膜涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥膜厚为5μm，在110℃干燥3分钟，将得到的胶粘接带切断为宽度25mm，制作了支承构件4A。

(支承构件4B)

在厚度40μm的低密度聚乙烯膜涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥膜厚为32μm，在110℃干燥3分钟，将得到的胶粘接带切断为宽度25mm，制作了支承构件4B。

(支承构件4C)

在厚度40μm的低密度聚乙烯膜涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥膜厚为20μm，在110℃干燥3分钟，将得到的胶粘接带切断为宽度25mm，制作了支承构件4C。

(支承构件4D)

在厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥膜厚为45μm，在110℃干燥3分钟，将得到的胶粘接带切断为宽度25mm，制作了支承构件4D。

(实施例1)

使冷藏保管后的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2A恢复至常温，对于胶粘剂层，以向脱模膜的切入深度为10μm以下的方式调整而进行了直径220mm的圆形预切割加工。之后，除去胶粘剂层的不需要部分，以使粘合膜1A的粘合剂层与胶粘剂层接触的方式，在室温层压脱模膜2A。然后，对于粘合膜1A，以向脱模膜的切入深度为10μm以下的方式调节而以与胶粘剂层同心圆状进行了直径290mm的圆形预切割加工。接着，在脱模膜2A的与设置有胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面、且在脱模膜2A的短边方向一端部贴合支承构件4A，制作了具有图1所示的结构的实施例1的晶片加工用带。

(实施例2)

除了使用支承构件4B来代替支承构件4A以外，与实施例1同样地，制作了实施例2的晶片加工用带。

(实施例3)

除了使用支承构件4C来代替支承构件4A、使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3A以外，与实施例1同样地，制作了实施例3的晶片加工用带。

(实施例4)

除了使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3A以外，与实施例2同样地，制作了实施例4的晶片加工用带。

(实施例5)

除了使用支承构件4D来代替支承构件4C以外，与实施例3同样地，制作了实施例5的晶片加工用带。

(实施例6)

除了使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3B以外，与实施例5同样地，制作了实施例6的晶片加工用带。

(比较例1)

使冷藏保管后的形成有胶粘剂层3A的脱模膜2A恢复至常温，对于胶粘剂层，以向脱模膜的切入深度为10μm以下的方式调整而进行了直径220mm的圆形预切割加工。之后，除去胶粘剂层的不需要部分，以使粘合膜1A的粘合剂层与胶粘剂层接触的方式，在室温层压脱模膜2A。然后，对于粘合膜1A，以向脱模膜的切入深度为10μm以下的方式调节而以与胶粘剂层同心圆状进行直径290mm的圆形预切割加工，留下圆形标签部和周边部，除去了其他不需要部分。接着，在脱模膜2A的与设置了胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面、且在脱模膜2A的短边方向两端部贴合支承构件4A，制作了现有专利文献1的具有图1所示的结构的比较例1的晶片加工用带。

(比较例2)

除了使用支承构件4B来代替支承构件4A、使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3A以外，与比较例1同样地，制作了比较例2的晶片加工用带。

(比较例3)

除了使用支承构件4D来代替支承构件4A、使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3A以外，与比较例1同样地，制作了比较例3的晶片加工用带。

(比较例4)

除了不设置支承构件以外，与比较例1同样地，制作了比较例4的晶片加工用带。

(比较例5)

除了使用胶粘剂层3B来代替胶粘剂层3A以外，与比较例4同样地，制作了比较例5的晶片加工用带。

(比较例6)

除了使用胶粘剂层3C来代替胶粘剂层3A以外，与比较例4同样地，制作了比较例6的晶片加工用带。

[标签痕迹的抑制性的评价]

以圆形形状的粘合膜的数目为300张的方式，将实施例和比较例的晶片加工用带卷绕为卷筒状，制作了晶片加工用带卷筒。在冰箱内(5℃)保管得到的晶片加工用带卷筒1个月。之后，使晶片加工用带卷筒恢复至室温后解开卷筒，目视观察标签痕迹的有无，基于以下的评价基准，以◎、○、△、×的4个等级评价了晶片加工用带的转印痕的抑制性。在表1和表2中示出结果。

◎(优良品)：从各种角度目视观察也无法确认标签痕迹

○(良品)：可以确认标签痕迹但没到对半导体装置的加工工序造成影响的程度

△(不良品)：可以确认存在对半导体装置的加工工序造成影响的可能性的标签痕迹

×(不良品)：产生较深的标签痕迹并将半导体晶片贴合于胶粘剂层后，存在在半导体晶片与胶粘剂层之间卷入空气的可能性

[空气的卷入的抑制性的评价]

以圆形形状的粘合膜的数目为200张的方式，将实施例和比较例的晶片加工用带卷绕为卷筒状，制作了晶片加工用带卷筒。将得到的晶片加工用带卷筒放入包装袋，在冰箱内(5℃)保管1个月后，在带表面成为-50℃的干冰气氛下保管3天。之后，使晶片加工用带卷筒恢复至常温后将包装袋开封，解开卷筒，目视观察在胶粘剂层与粘合膜的圆形标签部之间是否有空气的卷入，将没有空气的卷入的评价为○(良品)，将有空气的卷入的评价为×(不良品)，进行了晶片加工用带的空气的卷入的抑制性的评价。在表1和表2中示出结果。

[表1]

[表2]

如表1所示，实施例1～6所涉及的晶片加工用带中，在脱模膜的与第1面相反的第2面上、且在脱模膜的短边方向的任意一个端部设置了支承构件，因此标签痕迹的抑制性、空气卷入的抑制性都成为优异的结果。

与此相对，在脱模膜的两端部设置了支承构件的比较例1～3所涉及的晶片加工用带如表2所示，在空气卷入的抑制性方面成为差的结果。没有设置支承构件的比较例4～6所涉及的晶片加工用带在空气卷入的抑制性方面成为优异的结果，但标签痕迹的抑制性中成为差的结果。

[符号说明]

10：晶片加工用带

11：脱模膜

12：胶粘剂层

13：粘合膜

13a：圆形标签部

13b：周边部

14、14'、14"：支承构件

Claims (3)

1.一种晶片加工用带，其特征在于，具有：

长的脱模膜，

胶粘剂层，设置在所述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状，

粘合膜，具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状，以及

支承构件，设置在所述脱模膜的与设置有所述胶粘剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且设置于所述脱模膜的短边方向的任意一个端部、并且设置在与所述第1面中的所述标签部的接触于所述脱模膜的区域所达到的区域对应的区域。

2.根据权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件的厚度T与所述胶粘剂层的厚度t之比T/t为1.2以上。

3.根据权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件的宽度为20mm以上，并且不到达与所述胶粘剂层对应的区域。