CN105694743B - 晶片加工用带 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶片加工用带，其能够降低标签痕迹的产生，且能够降低空气(air)在粘接剂层与脱模膜之间的卷入。其特征在于，具有：长的脱模膜(11)；粘接剂层(12)，其设置在脱模膜(11)的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜(13)，其具有标签部(13a)和包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)，标签部(13a)以覆盖粘接剂层(12)、且在粘接剂层(12)的周围与上述脱模膜(11)接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件(14)，其设置在脱模膜(11)的与第1面相反的第2面上、且设置在脱模膜(11)的短边方向的两端部，支承构件(14)具有粘接剂层(12)的厚度的0.3倍以上且小于1.0倍的厚度。

Description

晶片加工用带

技术领域

本发明涉及晶片加工用带，特别是涉及具有切割胶带和芯片接合膜这2个功能的晶片加工用带。

背景技术

近来，开发了兼具切割胶带和芯片接合膜(也称为芯片贴装膜)这2个功能的切割-芯片接合带，所述切割胶带在将半导体晶片切断分离(切割)为各个芯片时用于将半导体晶片固定，所述芯片接合膜用于将切断后的半导体芯片与引线框或封装基板等粘接，或者在堆叠封装中用于将半导体芯片之间层叠、粘接。

作为这样的切割-芯片接合带，考虑到与晶片的粘贴、切割时向贴片环框上的安装等作业性，有的实施了预切割加工。

预切割加工后的切割-芯片接合带的例子示于图3和图4。图3为示出将切割-芯片接合带卷取为辊筒状后的状态的图，图4(a)为切割-芯片接合带的俯视图，图4(b)为图4(a)的线B-B的剖视图。切割-芯片接合带50包含脱模膜51、粘接剂层52和粘合膜53。粘接剂层52被加工为与晶片的形状对应的圆形，具有圆形标签形状。粘合膜53是与切割用的贴片环框的形状对应的圆形部分的周边区域被除去后的膜，如图所示，具有圆形标签部53a和包围其外侧的周边部53b。粘接剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a的中心对齐层叠，并且粘合膜53的圆形标签部53a覆盖粘接剂层52，且在其周围与脱模膜51接触。

在切割晶片时，从层叠状态的粘接剂层52和粘合膜53剥离脱模膜51，如图5所示，在粘接剂层52上粘贴半导体晶片W的背面，在粘合膜53的圆形标签部53a的外周部粘合固定切割用贴片环框R。在该状态下切割半导体晶片W，之后，对粘合膜53实施紫外线照射等固化处理，拾取半导体芯片。此时，粘合膜53由于固化处理而粘合力下降，因此易于从粘接剂层52剥离，半导体芯片以在背面附着有粘接剂层52的状态被拾取。在半导体芯片的背面附着的粘接剂层52之后在将半导体芯片与引线框、封装基板或者其他半导体芯片粘接时，作为芯片接合膜发挥作用。

另外，如上所述的切割-芯片接合带50中，粘接剂层52与粘合膜53的圆形标签部53a层叠而成的部分比粘合膜53的周边部53b厚。因此，在作为产品卷为辊筒状时，粘接剂层52和粘合膜53的圆形标签部53a的层叠部分与粘合膜53的周边部53a的高差相互重合，产生在柔软的粘接剂层52表面转印高差的现象、即图6所示的转印痕迹(也称为标签痕迹、皱褶或卷印)。这样的转印痕迹的产生特别是在粘接剂层52由柔软的树脂形成时或具有厚度时、以及切割-芯片接合带50的卷数多时较为显著。而且，若产生转印痕迹，则由于粘接剂层与半导体晶片的粘接不良，在晶片的加工时有可能产生问题。

为了解决这样的问题，开发了如下的晶片加工用带：在脱模膜的与设置有粘接剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且脱模膜的短边方向的两端部设置支承构件(例如参照专利文献1)。这样的晶片加工用带由于设置有支承构件，因此在将晶片加工用带卷取为辊筒状时，能够将施加于胶带的卷取压分散、或者使该压力集中于支承构件，因此能够抑制转印跡在粘接剂层上的形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4360653号公报

发明内容

发明要解决的课题

一般而言，粘合膜53覆盖粘接剂层52、且在其周围与脱模膜51接触，由于粘接剂层52的厚度，有时在粘接剂层52的周缘部在脱模膜51与粘合膜53之间产生极微的空隙，从而残留空气(air)。这样的脱模膜51与粘合膜53之间的空气也有时发生移动而向圆形标签部53a的外侧逃逸，此时不会对物性造成显著影响。

但是，这样的空气有时在运送、保存晶片加工用带的途中侵入并滞留在粘接剂层52与脱模膜51之间，使粘接剂层52受空气挤压而变型，从而损害粘接剂层52的平滑性。这样的粘接剂层52的变型特别是在粘接剂层52由比较柔软的树脂形成时、粘接剂层52的厚度厚时以及脱模膜51与粘合膜53的弹性模量的差异大时较为显著地产生。

将平滑性存在缺陷的粘接剂层52粘贴于半导体晶片时，在半导体晶片与粘接剂层52之间会产生孔隙。这样的孔隙在半导体晶片加工时有可能会导致问题，使所制造的半导体装置的成品率下降。

为了抑制上述转印痕迹的产生，考虑了使晶片加工用带的卷取压减弱的方法，但该方法有可能产生卷绕偏移，从而在实际使用时导致例如难以向胶带贴装机安置等障碍。

在像专利文献1的晶片加工用带那样设置支承构件时，在为了有效地防止转印痕迹而使支承构件的厚度为与粘接剂层的厚度同等以上的情况下，已知，在将晶片加工用带卷为辊筒状时，卷压所致的挤压力相对于与粘接剂层对应的部分更大地施加于粘接剂层外侧的部分，因此，易于将粘接剂层周缘部的空气向粘接剂层的内侧引诱。

因此，本发明的课题在于提供一种晶片加工用带，所述晶片加工用带能够降低标签痕迹的产生，且能够降低粘接剂层与脱模膜之间的空气(air)的卷入。

解决课题的方法

为了解决以上的课题，本发明所涉及的晶片加工用带的特征在于，具有：长的脱模膜；粘接剂层，设置在上述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状；粘合膜，具有标签部和包围上述标签部的外侧的周边部，上述标签部以覆盖上述粘接剂层、且在上述粘接剂层的周围与上述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状；以及支承构件，设置在上述脱模膜的与设置有上述粘接剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且设置在上述脱模膜的短边方向的两端部，上述支承构件具有上述粘接剂层的厚度的0.3倍以上且小于1.0倍的厚度。

另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件的线性膨胀系数为300ppm/℃以下。

另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件的线性膨胀系数与上述脱模膜的线性膨胀系数之差为250ppm/℃以下。

另外，上述半导体加工用带的上述粘合膜优选：具有粘合剂层和基材膜，上述基材膜与上述支承构件之间的静摩擦系数为0.2～2.0。

另外，上述半导体加工用带优选：支承构件设置于上述脱模膜的上述第2面上的、与在上述第1面设置的上述粘接剂层的外侧对应的区域。

另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件支承构件沿上述脱模膜的长边方向连续地设置。

另外，上述半导体加工用带中，上述支承构件可以被着色。此时，支承构件优选根据晶片加工用带的种类被着色。另外，可以据晶片加工用带的厚度被着色。

另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件具有2层以上的层叠结构。

另外，上述半导体加工用带优选：上述支承构件为在选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和高密度聚乙烯中的树脂膜基材上涂布有粘接合剂的粘接合带。

另外，上述半导体加工用带优选：23℃条件下的上述粘合膜的拉伸储存弹性模量Eb与23℃条件下的上述脱模膜的拉伸储存弹性模量Ea之比Eb/Ea为0.001～100。

另外，上述半导体加工用带优选：上述脱模膜的厚度Ta与上述粘合膜的厚度Tb之比Ta/Tb为0.07～2.5。

另外，上述半导体加工用带优选：在温度23±2℃、剥离速度300mm/min的条件下的T型剥离试验中，上述粘接剂层与上述脱模膜之间的剥离力F1为0.025～0.075N/100mm，上述粘接剂层与上述粘合膜之间的剥离力F2为0.08～10N/100mm，F1＜F2。

发明效果

根据本发明，能够降低标签痕迹的产生，且能够降低粘接剂层与粘合膜之间的空气(air)的卷入。

附图说明

图1(a)为本发明的实施方式所涉及的晶片加工用带的俯视图，(b)为(a)的线A-A的剖视图。

图2为本发明的另一实施方式所涉及的晶片加工用带的剖视图。

图3为现有的晶片加工用带的立体图。

图4(a)为现有的晶片加工用带的俯视图，(b)为(a)的线B-B的剖视图。

图5为示出晶片加工用带与切割用贴片环框贴后的状态的剖视图。

图6为用于说明现有的晶片加工用带的问题的示意图。

具体实施方式

以下基于附图详细地说明本发明的实施方式。图1(a)为本发明的实施方式所涉及的晶片加工用带(切割-芯片接合带)的俯视图，图1(b)为图1(a)的线A-A的剖视图。

如图1(a)和图1(b)所示，晶片加工用带10具有长的脱模膜11、粘接剂层12、粘合膜13和支承构件14。

粘接剂层12设置在脱模膜的第1面上，具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。粘合膜13具有圆形标签部13a和包围该圆形标签部13a的外侧的周边部13b，所述圆形标签部13a以覆盖粘接剂层12、且在粘接剂层12的周围与脱模膜接触的方式设置。周边部13b包括将圆形标签部13a的外侧完全包围的形态、和如图所示的不完全包围的形态。圆形标签部13a具有与切割用的贴片环框对应的形状。而且，支承构件14设置在脱模膜11的与设置有粘接剂12和粘合膜13的第1面11a相反的第2面11b上、且设置在脱模膜11的短边方向的两端部，具有粘接剂层12的厚度的0.3倍以上且小于1.0倍的厚度。

以下对本实施方式的晶片加工用带10的各构成要素详细地进行说明。

(脱模膜)

作为本发明的晶片加工用带10中使用的脱模膜11，可以使用聚酯(PET、PBT、PEN、PBN、PTT)系、聚烯烃(PP、PE)系、共聚物(EVA、EEA、EBA)系以及将这些材料部分取代而进一步提高了粘接性、机械强度的膜。另外，也可以为这些膜的层叠体。

脱模膜的厚度没有特别限制，可以适宜地设定，优选25～50μm。

(粘接剂层)

本发明的粘接剂层12如上所述形成在脱模膜11的第1面11a上，具有与晶片的形状对应的圆形标签形状。

粘接剂层12在贴合并切割半导体晶片等后、在拾取芯片时，附着在芯片背面，作为将芯片固定于基板、引线框时的粘接剂使用。作为粘接剂层12，可以优选使用含有选自环氧系树脂、丙烯酸系树脂、酚醛系树脂中的至少1种的粘接合剂等。另外，也可以使用聚酰亚胺系树脂、硅酮系树脂。其厚度可以适宜设定，但优选5～100μm左右。

(粘合膜)

本发明的粘合膜13如上所述具有与切割用的贴片环框的形状对应的圆形标签部13a、和包围其外侧的周边部13b。这样的粘合膜可以通过预切割加工从膜状粘合剂除去圆形标签部13a的周边区域来形成。

作为粘合膜13，没有特别限制，只要在切割晶片时具有充分的粘合力而不使晶片剥离，在切割后拾取芯片时，显示出低粘合力以使能够容易地从粘接剂层剥离，就可以适当地使用例如在基材膜上设置有粘合剂层的膜。

作为粘合膜13的基材膜，只要是以往公知的膜，就可以没有特别限制地使用，但使用辐射线固化性的材料作为后述的粘合剂层时，优选使用具有辐射线透射性的膜。

例如，作为其材料，可以列举：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸类共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物、或者它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体、以及它们的混合物。另外，基材膜可以为选自这些中的2种以上材料混合而成的膜，也可以为它们单层或多层化而成的膜。

基材膜的厚度没有特别限制，可以适宜地设定，但优选50～200μm。

作为粘合膜13的粘合剂层中使用的树脂，没有特别限制，可以使用粘合剂中使用的公知的氯代聚丙烯树脂、丙烯酸类树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。

优选在粘合剂层13的树脂中适宜地配合丙烯酸系粘合剂、辐射线聚合性化合物、光聚合引发剂、固化剂等来制备粘合剂。粘合剂层13的厚度可以没有特别限制适宜地设定，但优选5～30μm。

在粘合剂层中配合辐射线聚合性化合物后，通过辐射线固化，可以容易地从粘接剂层进行剥离。该辐射线聚合性化合物，例如可以使用能够通过光照射能发生三维网状化的在分子内具有至少2个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。

具体地，能够应用：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯等。

另外，除如上所述的丙烯酸酯系化合物外，也可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物可以通过使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-亚二甲苯基二异氰酸酯、1，4-亚二甲苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二异氰酸酯等)反应来得到末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，再使该末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物与具有羟基的丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反应来得到。

粘合剂层中可以混合有选自上述的树脂中的2种以上。

使用光聚合引发剂时，例如可以使用：异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯偶酰二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量相对于丙烯酸系共聚物100质量份优选0.01～5质量份。

(支承构件)

支承构件14设置在脱模膜11的与设置有粘接剂12和粘合膜13的第1面11a相反的第2面11b、且设置在脱模膜11的短边方向的两端部，具有粘接剂层12的厚度的0.3倍以上且小于1.0倍的厚度。通过这样设置支承构件14，在将晶片加工用带10卷取为辊筒状时，能够使施加于胶带的卷取压分散，因此能够抑制转印跡在粘接剂层12上的形成。

另外，在设置有粘接剂层12和粘合膜13的第1面11a形成支承构件的情况下，支承层的宽度优选设为不接触到圆形标签部13a的范围内，有时存在限制，与此相对，本实施方式的构成中，能够较宽地确保支承构件14的宽度，能够更有效地抑制转印痕迹的产生。

另外，在设置有粘接剂12和粘合膜13的第1面11a形成支承构件的情况下，对支承层的宽度存在限制，与此相对，本实施方式的构成中，能够较宽地确保支承构件14的宽度，能够更有效地抑制转印痕迹的产生。

另外，通过在脱模膜11的第2面11b设置支承构件14，由此可得到使对支承构件14的位置偏移的允许度增大的效果。

支承构件14优选设置在脱模膜11的第2面11b上的、与设置在第1面的粘接剂层12的外侧对应的区域，即在第2面11b上如图1(a)所示的从脱模膜11的端部至粘接剂层12的区域r。利用这样的结构，在卷取胶带10时，粘接剂层12与设置在脱模膜11的第2面11b的支承构件14不会重叠，因此不仅能够抑制转印痕迹的产生，而且也能够防止支承构件14的痕迹附着于粘接剂层12。

支承构件14的厚度为粘接剂层12的厚度的0.3倍以上且小于1.0倍。通过使支承构件14具有小于粘接剂层的1.0倍的厚度，由此在卷取胶带10时，粘合膜13与重叠在其表面的脱模膜11的第2面11b接触而通过卷压使粘接剂层12被挤压，因此能够防止空气侵入到粘接剂层12与脱模膜11之间，抑制晶片贴合时的孔隙产生。为了进一步防止空气向粘接剂层12与脱模膜11之间的侵入本身，支承构件14的厚度更优选为小于粘合剂层的0.9倍。另外，通过使支承构件14具有粘接剂层的0.3倍以上的厚度，由此能够降低标签痕迹所致的粘接剂层12的变型量，能够通过晶片贴合时的热消灭标签痕迹，因此能够抑制孔隙产生。为了在低贴合温度下也消灭标签痕迹，支承构件14的厚度更优选为粘合剂层的0.5倍以上。

支承构件14可以沿脱模膜11的长边方向断续或连续地设置，但从更有效地抑制转印痕迹的产生的观点出发，优选沿基材膜11的长边方向连续地设置。

本发明的支承构件14优选具有300ppm/℃以下的线性膨胀系数。晶片加工用带被置于温度变化大的环境下，例如晶片加工用带在保存时、运送时以-20℃～5℃左右保持低温状态，另外在将晶片加工用带的粘接剂层与晶片粘合时，为了使粘接剂加热软化从而提高粘接性，用热板进行70～80℃左右的加热贴合等。支承构件14的尺寸根据温度变化而发生变化时，有可能在脱模膜11与粘合膜13之间、以及粘接剂层12与粘合膜13之间浸入空气而产生孔隙，产生对晶片的贴合不良，从而导致之后的晶片的切割工序、胶带的扩张工序以及芯片的拾取工序、安装工序中成品率的下降。本发明中，通过使用300ppm/℃以下的线性膨胀系数低的支承构件，能够充分地抑制粘接剂层12上的转印痕迹的产生，同时即使在温度变化大的使用环境下，支承构件13的尺寸变化也少，能够抑制孔隙的产生。

为了更有效地抑制转印痕迹的产生和孔隙的产生，支承构件14的线性膨胀系数优选为150ppm/℃以下，更优选为70ppm/℃以下。线性膨胀系数的下限没有特别限制，通常为0.1ppm/℃。

另外，支承构件14的线性膨胀系数与脱模膜11的线性膨胀系数之差优选为250ppm/℃以下。线性膨胀系数之差大于250ppm/℃时，由于保存时和运送时的低温状态和使用时的常温状态的温度变化而产生支承构件14与脱模膜11的尺寸差，因此存在以下的各种问题。

(1)由于温度变化而产生尺寸差时，如上所述有可能在脱模膜11与粘合膜13之间、以及粘接剂层12与粘合膜13之间产生孔隙。

(2)用户以辊筒状操作时，卷崩溃的可能性增加。更详细地，例如即使在制造、出货时正常地进行卷绕，用户方面在从冷藏保存到常温使用时、以及从常温使用到冷藏保存时也产生尺寸差，卷崩溃的可能性增加。

(3)由于尺寸差而在卷绕为辊筒状的片间产生间隙，异物自辊筒侧面混入的可能性增加。

(4)在晶片加工用带的卷数多时、制品宽度宽时，在从常温开始进行冷藏保存时，辊筒芯侧与辊筒外周侧的冷却速度不同。因此，在辊筒芯侧与辊筒外周侧，线膨胀差所致的支承构件14与脱模膜11的尺寸差不同，整个辊筒的形状发生变化的可能性高。

本发明中，线性膨胀系数是指在恒定压力下改变温度时物体的空间扩张所增加的比例。将温度设为T、将该固体的长度设为L时，其线性膨胀系数α由以下的公式给出。

另外，本发明中的线性膨胀系数的测定例如可以按照JIS K7197、塑料的热机械分析的线膨胀率试验方法，使用热机械分析装置(TMA)，安装切断为长度15mm、宽度5mm、卡盘间距离10mm的试样，在拉伸载荷10g、升温速度5℃/min、N₂气气氛下、测定温度范围-20℃～50℃的条件下进行测定。

另外，从防止晶片加工用带10的卷绕偏移的观点出发，支承构件14优选相对于粘合膜13具有某种程度的摩擦系数的材质。由此，可得到如下的效果：能够防止晶片加工用带10的卷绕偏移，进行高速卷取，能够增大卷取数。

支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数优选为0.2～2.0，更优选为0.6～1.6。将晶片加工用带卷取为辊筒状时，在脱模膜11的第1面11a侧设置的粘合膜13的周边部13a与在脱模膜11的第2面11b侧设置的支承构件14相接触，因此，支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数小于0.2时，在制造时、使用时变得容易产生卷绕偏移，从而操作性恶化。另一方面，大于2.0时，粘合膜13的基材膜与支承构件14之间的阻力过大，制造工序中的操作性恶化，或者在高速卷取时等导致弯曲行进。因此，通过将两者间的静摩擦系数设定为上述范围，由此可得到如下的效果：能够防止晶片加工用带10的卷绕偏移，能够进行高速卷取，能够增大卷取数。

本发明中，支承构件14与粘合膜13的基材膜之间的静摩擦系数可以基于JISK7125，通过以下的测定方法得到。

将分别切为25mm(宽度)×100mm(长度)的粘合膜13的基材膜与支承构件14的两膜样品重合，固定下侧的膜。接着，在层叠而成的膜的上方载置重量200g的重物，作为载荷W，以200mm/min的速度拉伸上侧的膜，测定滑出时的力Fd(g)，从以下的公式求出静摩擦系数(μd)。

μd＝Fd/W

作为支承构件14，例如可以适当地使用在树脂膜基材涂布有粘接合剂的粘接合带。通过将这样的粘接合带粘贴于脱模膜11的第2面11b的两端部分的规定位置，由此能够形成本实施方式的晶片加工用带10。

作为粘接合带的基材树脂，只要满足上述线性膨胀系数的范围、且能够耐受卷压，则没有特别限定，但从耐热性、平滑性和入手容易度的观点出发，优选选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯和高密度聚乙烯。

关于粘接合带的粘合剂的组成和物性，没有特别限定，只要在晶片加工用带10的卷取工序和保存工序中不从脱模膜11剥离即可。

另外，作为支承构件14，可使用被着色的支承构件。通过使用这样的着色支承构件，在将晶片加工用带卷取为辊筒状时，能够明确地识别晶片加工用带10的种类。例如，根据晶片加工用带10的种类、厚度改变着色支承构件14的颜色，由此能够容易地识别晶片加工用带10的种类、厚度，能够抑制、防止产生人为的错误。

另外，关于晶片加工用带10，23℃条件下的粘合膜13的拉伸储存弹性模量Eb与23℃条件下的脱模膜11的拉伸储存弹性模量Ea之比优选在Eb/Ea0.001～100的范围内。

上述Eb/Ea的值越大，则相对地粘合膜13越硬、脱模膜11越柔软。另一方面，上述Eb/Ea的值越小，则相对地粘合膜13越软、脱模膜11越硬。根据上述构成，Eb/Ea为0.001以上，因此粘合膜的硬度(拉伸储存弹性模量Eb)达到一定以上。因此，能够抑制在构成晶片加工用带10的粘接剂层12上产生转印痕迹。另外，上述Eb/Ea为0.001以上，粘合膜13的硬度(拉伸储存弹性模量Eb)达到一定以上，因此在贴合在半导体晶片W上时，能够适当地将粘合膜13与脱模膜11剥离(伸舌(ベ口出し))。

另外，上述Eb/Ea为100以下，因此脱模膜11的硬度(拉伸储存弹性模量Ea)达到一定以上，另一方面，粘合膜13的硬度(拉伸储存弹性模量Eb)为一定以下。因此，在粘接剂层12向脱模膜11贴合时，能够抑制脱模膜11产生折断，能够防止划伤粘接剂层12的表面、或者气泡混入膜间。结果，能够抑制脱模膜11的膜翘起、在半导体晶片W的安装时在粘接剂层12与半导体晶片W之间产生孔隙。

可见，根据上述构成，在卷取为辊筒状时能够抑制在粘接剂层12产生转印痕迹。另外，能够抑制脱模膜11的膜翘起、在半导体晶片W的安装时在粘接剂层12与半导体晶片W之间产生孔隙。

上述构成中，脱模膜11的厚度优选为10～100μm，粘合膜13的厚度优选为25～180μm。

另外，上述构成中，23℃条件下的粘合膜13的拉伸储存弹性模量Eb优选为1～500MPa，23℃条件下的脱模膜11的拉伸储存弹性模量Ea优选为1～5000MPa。

另外，上述构成中优选：粘接剂层12的玻璃化转变温度在0～100℃的范围内，且固化前23℃条件下的拉伸储存弹性模量为50MPa～5000MPa的范围。通过使粘接剂层12的玻璃化转变温度为0℃以上，由此能够抑制B阶段状态下的粘接剂层12的粘性增大，能够维持良好的操作性。另外，在切割时，能够防止一部分粘接剂层12发生熔融而使粘合剂附着于半导体芯片。结果，能够维持半导体芯片的良好的拾取性。另一方面，通过使玻璃化转变温度为100℃以下，由此能够防止粘接剂层12的流动性的下降。另外，也能够维持与半导体晶片W的良好的粘接性。此外，粘接剂层12为热固化型时，粘接剂层12的玻璃化转变温度是指热固化前的玻璃化转变温度。另外，通过使粘接剂层12的固化前23℃条件下的拉伸储存弹性模量为50MPa以上，由此在切割时，能够防止一部分粘接剂层12发生熔融而使粘合剂附着于半导体芯片。另一方面，通过使拉伸储存弹性模量为5000MPa以下，由此也能够维持与半导体晶片W、基板的良好的粘接性。

另外，将脱模膜11的厚度设为Ta、将粘合膜13的厚度设为Tb时，晶片加工用带10的Ta/Tb优选在0.07～2.5的范围内。

关于上述Ta/Tb，例如，使脱模膜11的厚度Ta一定时，其值越小，则粘合膜13越厚。根据上述构成，Ta/Tb为0.07以上，因此层叠有粘合膜13的部分与未层叠粘合膜13的部分的高差为一定以下。因此，能够抑制转印痕迹的产生。另外，上述Ta/Tb为0.07以上、粘合膜13的厚度厚于脱模膜11的厚度，因此通过脱模膜11的厚度能够吸收应力，能够抑制转印痕迹的产生。另外，上述Ta/Tb为0.07以上、粘合膜13的厚度厚于脱模膜11的厚度，因此在贴合在半导体晶片W上时，能够适当地将粘合膜13与脱模膜11剥离(伸舌)。另外，关于上述Ta/Tb，例如使粘合膜13的厚度Tb一定时，其值越小，则脱模膜11的厚度越薄。上述Ta/Tb为2.5以下，因此脱模膜11的厚度为一定以下。因此，对层叠有粘合膜13的部分与未层叠粘合膜13的部分的高差的追随性良好。另外，上述Ta/Tb为2.5以下、脱模膜11的厚度为一定以下，因此能够使将粘合膜13层压于脱模膜时的压力变得均匀，能够防止气泡的混入。可见，根据上述构成，将在粘合膜13上依次层叠粘接剂层12和脱模膜11而成的晶片加工用带10卷取为辊筒状时，能够抑制在粘接剂层12产生转印痕迹。

上述构成中，温度23±2℃、剥离速度300mm/min的条件下的T型剥离试验中，优选：粘接剂层12与脱模膜11之间的剥离力F1在0.025～0.075N/100mm的范围内，粘接剂层12与粘合膜13之间的剥离力F2在0.08～10N/100mm的范围内，上述F1和上述F2满足F1＜F2的关系。

从防止产生松弛、卷取偏移、位置偏移、孔隙(气泡)等的观点出发，在对粘合膜13、粘接剂层12、脱模膜11施加拉伸张力的同时来制造晶片加工用带10。结果，晶片加工用带10在构成其的任一膜中存在拉伸残余应变的状态下被制造。该拉伸残余应变例如在-30～10℃的低温状态下运送或者长时间保存时，在各膜中引起收缩。另外，各膜的物性不同，因此收缩的程度也不同。例如，在各膜中，粘合膜13的收缩程度最大，脱模膜11的收缩程度最小。结果，在粘合膜13与粘接剂层12之间产生界面剥离，或者引起脱模膜11的膜翘起现象。

上述构成为在使粘接剂层12与脱模膜11之间的剥离力F1为0.025～0.075N/100mm的范围、且使粘接剂层12与粘合膜13之间的剥离力F2为0.08～10N/100mm的范围内的基础上满足F1＜F2的关系的构成。如上所述，各膜中的收缩中，粘合膜最大，因此通过使粘接剂层12与粘合膜13之间的剥离力F2大于粘接剂层12与脱模膜11之间的剥离力F1，由此能够抑制收缩率最大的粘合膜13的收缩，防止粘合膜13与粘接剂层12之间的界面剥离、脱模膜11的膜翘起现象。另外，也能够防止一部分或全部粘接剂层12转印至脱模膜11。

实施例

接着，说明本发明的实施例，但本发明并不限于这些实施例。

(1)脱模膜

准备以下所示的脱模膜。

脱模膜A1：厚度25μm的硅酮脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(拉伸储存弹性模量为4070MPa，线性膨胀系数为60ppm)

脱模膜A2：厚度100μm的硅酮脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(拉伸储存弹性模量为3910MPa，线性膨胀系数为60ppm)

脱模膜A3：厚度12μm的硅酮脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(拉伸储存弹性模量为4020MPa，线性膨胀系数为60ppm)

脱模膜A4：厚度38μm的硅酮脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(拉伸储存弹性模量为4020MPa，线性膨胀系数为60ppm)

脱模膜A5：厚度25μm的硅酮脱模处理后的低密度聚乙烯(LDPE)膜(拉伸储存弹性模量为105MPa，线性膨胀系数为230ppm)

(2)粘合膜的制作

<粘合膜B1>

作为具有官能团的丙烯酸系共聚物，制备包含丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羟基乙酯和甲基丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯的比率为60摩尔％、质均分子量70万的共聚物。接着，添加甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯使得碘值达到20，制备玻璃化转变温度-50℃、羟基值10mgKOH/g、酸值5mgKOH/g的丙烯酸系共聚物(b-1)。

相对于丙烯酸系共聚物(b-1)100质量份，加入作为聚异氰酸酯的Coronate L(日本聚氨酯制)5质量份，加入作为光聚合引发剂的Esacure KIP 150(Lamberti公司制)3质量份，将所得混合物溶解于乙酸乙酯，搅拌，制备粘合剂组合物。

接着，在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷该粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为10μm，在110℃干燥3分钟后，与包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(东曹制，ウルトラセン636)的基材膜(厚度50μm)贴合，制作厚度60μm的粘合膜B1。拉伸储存弹性模量为40MPa。

<粘合膜B2>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为5μm，在110℃干燥3分钟后，与包含低密度聚乙烯(LDPE，未经脱模处理)的基材膜(厚度40μm)贴合，制作厚度45μm的粘合膜B2。拉伸储存弹性模量为105MPa。

<粘合膜B3>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为10μm，在110℃干燥3分钟后，与包含乙烯-甲基丙烯酸类共聚物的离聚物(三井杜邦聚合化学制，ハイミラン1554)的基材膜(厚度150μm)贴合，制作厚度160μm的粘合膜B3。拉伸储存弹性模量为301MPa。

<粘合膜B4>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为10μm，在110℃干燥3分钟后，与包含乙烯-甲基丙烯酸类共聚物的离聚物(三井杜邦聚合化学制，ハイミラン1554)的基材膜(厚度110μm)贴合，制作厚度120μm的粘合膜B4。拉伸储存弹性模量为289MPa。

<粘合膜B5>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为10μm，在110℃干燥3分钟后，与包含乙烯-丙烯嵌段共聚物(Prime Polymer制，Prime Polypro F707W)的基材膜(厚度110μm)贴合，制作厚度120μm的粘合膜B5。拉伸储存弹性模量为980MPa。

(3)粘接剂层的形成

<粘接剂层C1>

在包含环氧树脂“YX4000”(三菱化学制，联苯线性酚醛型环氧树脂、环氧当量185)15.0质量份、酚醛树脂“LF-6161”(DIC制，线性酚醛型酚醛树脂、羟基当量118)40.0质量份、环氧树脂“Epicoat 828”(三菱化学制，双酚A型环氧树脂、环氧当量190)45.0重量份、作为二氧化硅填料的“Aerosil R972”(日本Aerosil制，一次粒径的平均粒径0.016μm)5质量份的组合物中加入MEK，搅拌混合，得到均匀的组合物。

向其中加入作为含有官能团的聚合物的、含有来自丙烯酸缩水甘油基酯或甲基丙烯酸缩水甘油基酯的单体单元的丙烯酸类共聚物(重均分子量85万，Tg20℃)66.7质量份、作为偶联剂的“KBM-802”(信越硅酮制，巯基丙基三甲氧基硅烷)0.6质量份、以及作为固化促进剂的“Curezol 2PHZ-PW”(四国化成制，2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑，分解温度230℃)0.1质量份，搅拌混合直至均匀。然后用100目过滤器过滤所得物，并进行真空脱泡，由此得到粘接剂组合物的清漆(c-1)。

用涂布器将该清漆(c-1)涂敷在脱模膜A1上，使得干燥膜厚为30μm，在120℃干燥5分钟，制作厚度30μm的粘接剂层C1。

<粘接剂层C2>

用涂布器将清漆(c-1)涂敷在脱模膜A2上，使得干燥膜厚为30μm，在120℃干燥5分钟，制作厚度30μm的粘接剂层C2。

<粘接剂层C3>

用涂布器将清漆(c-1)涂敷在脱模膜A1上，使得干燥膜厚为60μm，在120℃干燥8分钟，制作厚度60μm的粘接剂层C3。之后，将粘接剂层C3从脱模膜A1转印至脱模膜A3。

<粘接剂层C4>

用涂布器将清漆(c-1)涂敷在脱模膜A4上，使得干燥膜厚为60μm，在120℃干燥8分钟，准备2片这样得到的膜，将它们在70℃进行层叠，由此制作厚度120μm的粘接剂层C4，剥离一个脱模膜A4。

<粘接剂层C5>

用涂布器将清漆(c-1)涂敷在脱模膜A4上，使得干燥膜厚为60μm，在120℃干燥8分钟，制作厚度60μm的粘接剂层C5。

<粘接剂层C6>

用涂布器将清漆(c-1)涂敷在脱模膜A4上，使得干燥膜厚为60μm，在120℃干燥8分钟，制作厚度60μm的粘接剂层C6。之后，将粘接剂层C6从脱模膜A4转印至脱模膜A5。

<粘接剂层C7>

用涂布器将清漆(c-1)涂敷在脱模基材A1上，使得干燥膜厚为30μm，在120℃干燥5分钟，制作厚度30μm的粘接剂层C7。

<粘接剂层C8>

在包含环氧树脂“1002”(三菱化学制，固形双酚A型环氧树脂、环氧当量600)40质量份、环氧树脂“806”(三菱化学制，双酚F型环氧树脂、环氧当量160，比重1.20)100质量份、固化剂“Dyhard100SF”(DEGUSSA制，双氰胺)5质量份、二氧化硅填料“SO-C2”(ADMAFINE(アドマフアイン)制，平均粒径0.5μm)200质量份、和作为二氧化硅填料的“Aerosil R972”(日本Aerosil制，一次粒径的平均粒径0.016μm)3质量份的组合物中加入MEK，搅拌混合，得到均匀的组合物。

在其中加入苯氧基树脂“PKHC”(INCHEM制，质均分子量43,000，玻璃化转变温度89℃)100质量份、作为偶联剂的“KBM-802”(信越硅酮制，巯基丙基三甲氧基硅烷)0.6质量份、以及作为固化促进剂的“Curezol 2PHZ-PW”(四国化成制，2-苯基-4，5-二羟基甲基咪唑，分解温度230℃)0.5质量份，搅拌混合直至均匀。然后用100目过滤器过滤所得物，并进行真空脱泡，由此得到粘接剂组合物的清漆(c-2)。

用涂布器将该清漆(c-2)涂敷在脱模膜A4上，使得干燥膜厚为60μm，在120℃干燥8分钟，制作厚度60μm的粘接剂层C8。

(4)支承构件的制作

<支承构件D1>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为10μm，在110℃干燥3分钟后，与包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(无脱模处理)的树脂膜基材(厚度16μm)贴合，制作厚度26μm的支承构件D1。拉伸储存弹性模量为980MPa，线性膨胀系数为60ppm。

<支承构件D2>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为10μm，在110℃干燥3分钟后，与包含聚丙烯(OPP，无脱模处理)的树脂膜基材(厚度25μm)贴合，制作厚度35μm的支承构件D2。线性膨胀系数为120ppm。

<支承构件D3>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为5μm，在110℃干燥3分钟后，与包含低密度聚乙烯(LDPE，未经脱模处理)的树脂膜基材(厚度50μm)贴合并转印，制作厚度55μm的支承构件D3。线性膨胀系数为230ppm。

<支承构件D4>

在脱模处理后的包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的剥离衬垫上涂敷上述粘合剂组合物，使得干燥后的厚度为10μm，在110℃干燥3分钟后，与包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(无脱模处理)的树脂膜基材(厚度40μm)贴合，制作厚度50μm的支承构件D4。线性膨胀系数为60ppm。

<支承构件D5>

使用作为无尘室用的市售的无尘生产线胶带的TW-PLT(TANIMURA制)作为支承构件D5。具有厚度75μm的聚氯乙烯层与厚度12μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯层层叠而成的树脂膜基材，总厚142μm，线性膨胀系数为80ppm。

(实施例1)

将冷藏保存的形成在脱模膜A1上粘接剂层C1恢复常温，对粘接剂层以达到脱模膜的厚度的1/2以下的切入深度的方式进行调整后，进行直径320mm的圆形预切割加工。之后，除去粘接剂层的不需要部分，将粘合膜B1以使其粘合剂层与粘接剂层接触的方式在室温下与脱模膜A1层压。然后，对粘合膜B1以达到脱模膜的厚度的1/2以下的切入深度的方式进行调节后，以与粘接剂层呈同心圆状进行直径370mm的圆形预切割加工，以20N的张力卷取300片。接着，在脱模膜A1上的与设置有粘接剂层和粘合膜的面相反的面、且在脱模膜A1的短边方向的两端部贴合支承构件D1，制作实施例1的晶片加工用带。

(实施例2～7、比较例1～3)

按照与实施例1同样的方法，以表1的组合制作实施例2～7和比较例1～3的晶片加工用带。

[表1]

[空气的侵入和转印痕迹的抑制性评价]

将实施例和比较例的粘接片收纳于聚乙烯制的袋，脱气后进行热密封，将聚丙烯制的侧板安装于两端部。然后，以成为十字的方式绑上2根PP带并进行熔融接合。将各包装体在冰箱内(5℃)保存1个月后，从冰箱取出，与板状的干冰一起收纳于包装箱，载置于运送用卡车，在保冷状态的情况下往返平琢～秋田之间(约1000km)。之后，再在冰箱内(5℃)保存3个月后，打开各包装体，将辊筒恢复至常温后打开包装袋，解开辊筒，目视观察空气向粘接剂层与脱模膜之间的侵入、和转印痕迹的有无。其结果如表2所示。

[安装后的孔隙的抑制性评价]

将实施例和比较例的粘接片收纳于聚乙烯制的袋，脱气后进行热密封，将聚丙烯制的侧板安装于两端部。然后，以成为十字的方式绑上2根PP带并进行熔融接合。将各包装体在冰箱内(5℃)保存1个月后，从冰箱取出，与板状的干冰一起收纳于包装箱，载置于运送用卡车，在保冷状态的情况下往返平琢～秋田之间(约1000km)。之后，再在冰箱内(5℃)保存3个月后，打开各包装体，将辊筒恢复至常温后打开包装袋，安装至半导体晶片。之后，通过显微镜确认粘接剂层与半导体晶片的贴合面有无孔隙(气泡)。其结果如表2所示。作为半导体晶片，使用大小为12英寸、厚度50μm的晶片。半导体晶片的安装条件如下所述。

<贴合条件>

粘贴装置：晶片贴装机DAM-812M(Takatori制)

粘贴速度计：50mm/sec

粘贴压力：0.1MPa

粘贴温度：60℃、90℃

[表2]

如表2所示，实施例1～3、7、8所涉及的晶片加工用带中，支承构件的厚度为粘接剂层的厚度的0.58倍以上且0.87倍以下，因此，虽然可看到转印痕迹，但为在与半导体晶片贴合时可通过贴合时的热消灭的程度。另外，在粘接剂层与脱模膜之间未见空气的侵入，在安装后的孔隙的抑制性评价中为良好的结果。实施例5、6所涉及的晶片加工用带中，支承构件的厚度为粘接剂层的厚度的0.92倍以上且小于1.0倍，因此在一部分中见到粘接剂层与脱模膜之间的空气的侵入和转印痕迹，但为在与半导体晶片贴合时可通过贴合时的热消灭的程度，在安装后的孔隙的抑制性评价中为良好的结果。实施例4所涉及的晶片加工用带中，支承构件的厚度为粘接剂层的厚度的0.46倍，因此，见到了稍强的转印痕迹，在60℃与半导体晶片贴合时，在一部分中见到孔隙的产生，但在90℃与半导体晶片贴合时，未产生孔隙，为实用上能够允许的范围。

与此相对，比较例1所涉及的晶片加工用带中，未设置支承构件，因此较强地残留转印痕迹，在90℃与半导体晶片贴合的情况下，一部分中也产生了孔隙。另外，比较例2所涉及的晶片加工用带中，支承构件的厚度大于粘接剂层的厚度，因此在粘接剂层与脱模膜之间看到空气的侵入，粘接剂层发生变型，因此在90℃与半导体晶片贴合的情况下，一部分中也产生了孔隙。比较例3所涉及的晶片加工用带中，虽不及比较例2的程度，但支承构件的厚度大于粘接剂层的厚度，因此在一部分粘接剂层与脱模膜之间看到空气的侵入，在90℃与半导体晶片贴合的情况下，也在一部分中也产生了孔隙。

符号说明

10：晶片加工用带

11：脱模膜

12：粘接剂层

13：粘合膜

13a：圆形标签部

13b：周边部

14、14″：支承构件

Claims (14)

1.一种晶片加工用带，其特征在于，

具有：

长的脱模膜，

粘接剂层，其设置在所述脱模膜的第1面上、且具有规定的平面形状，

粘合膜，其具有标签部和包围所述标签部的外侧的周边部，所述标签部以覆盖所述粘接剂层、且在所述粘接剂层的周围与所述脱模膜接触的方式设置，并且具有规定的平面形状，以及

支承构件，其设置在所述脱模膜的与设置有所述粘接剂层和粘合膜的第1面相反的第2面上、且设置在所述脱模膜的短边方向的两端部，

所述支承构件具有所述粘接剂层的厚度的0.3倍以上且小于1.0倍的厚度。

2.如权利要求1所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件的线性膨胀系数为300ppm/℃以下。

3.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件的线性膨胀系数与所述脱模膜的线性膨胀系数之差为250ppm/℃以下。

4.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述粘合膜具有粘合剂层和基材膜，

所述基材膜与所述支承构件之间的静摩擦系数为0.2～2.0。

5.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件设置于所述脱模膜的所述第2面上的、与在所述第1面设置的所述粘接剂层的外侧对应的区域。

6.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件沿所述脱模膜的长边方向连续地设置。

7.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件被着色。

8.如权利要求7所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件根据晶片加工用带的种类被着色。

9.如权利要求7所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件根据晶片加工用带的厚度被着色。

10.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件具有2层以上的层叠结构。

11.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述支承构件为在选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯和高密度聚乙烯中的树脂膜基材上涂布有粘接合剂的粘接合带。

12.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

23℃条件下的所述粘合膜的拉伸储存弹性模量Eb与23℃条件下的所述脱模膜的拉伸储存弹性模量Ea之比Eb/Ea为0.001～100。

13.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

所述脱模膜的厚度Ta与所述粘合膜的厚度Tb之比Ta/Tb为0.07～2.5。

14.如权利要求1或2所述的晶片加工用带，其特征在于，

在温度23±2℃、剥离速度300mm/min的条件下的T型剥离试验中，

所述粘接剂层与所述脱模膜之间的剥离力F1为0.025～0.075N/100mm，

所述粘接剂层与所述粘合膜之间的剥离力F2为0.08～10N/100mm，

F1<F2。