CN1864248A - 晶片加工带及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种晶片加工带，其中接合层(1)和粘性粘合层(2)设置在基体材料膜(3)表面上。该晶片加工带具有满足B＞A的区域和满足A＞B的区域，其中A是基体材料膜(3)与接合层(1)之间的分离力，B是被附着的体(4)与接合层(1)之间以及被附着的体(5)与粘性粘合层(2)之间的分离力。在拾取中，在满足B＞A的区域中接合层(1)移到芯片侧，在带的分离中，在满足A＞B的区域中粘性粘合层(2)不移到体(5)上。

Description

晶片加工带及其制造方法
技术领域
本发明涉及至少具有形成在基膜上的粘合层的晶片加工带。
背景技术
半导体器件例如IC等的组装工艺包括步骤：构图之后，将半导体晶片等切割和分离(切片(dicing))成各个芯片；将芯片安装在基板等上；以及用树脂等密封它们。
在切片步骤中，半导体晶片预先被粘着且因此被固定到晶片加工带上，然后它被切片成芯片的形状。在随后的安装步骤中，具有包含在可与基膜分离的可去除粘合或粘附层(removable adhesive or adhesion layer)中的可去除粘合或粘附剂的切片了的芯片被从基膜(base film)上剥离(被拾取)，然后通过用于粘合和固定的所述可去除粘合或粘附剂被固定到例如基板上，所述粘合或粘附剂已经粘附在所述芯片上。
作为用于上述目的的晶片加工带，可使用：具有层叠在基膜上的一可去除粘合层和一粘合层的带；具有还用作可去除粘合层的粘合层(即可去除粘合或粘附剂层)的带，该层层叠在基膜上，等等。可用于上述目的的可去除粘合层包括常规压敏粘合型、以及当它通过辐照例如紫外(UV)线、电子射线等而被硬化或固化时具有减小的粘合或粘附强度的带。这两种类型都需要具有足够的粘合或粘附强度，使得晶片在切片时不从带剥离，且它们还需要具有剥离能力从而在拾取时容易被剥离。
此外，在安装步骤中，在芯片之间或者芯片与基板之间需要足够的粘合力。已经提出了多种晶片加工带。
能用在上述步骤中的晶片加工带一般具有粘合剂、基膜、以及分离物(separator)；且，粘合层(或者可去除粘合或粘附层)与可去除粘合层(或者在以上可去除粘合或粘附层的情况下为基膜)之间的粘合强度(粘合力)通常设计为极低，以在上述拾取步骤中减少拾取错误；且，上述层的剥离力(peeling force)被设计为非常低，足以使它们容易地被剥离。此外，在切片期间，晶片加工带应当通过被粘附到环形框架(ring frame)上来使用；且，带应与粘合剂(或者可去除粘合或粘附剂)一起从环形框架剥离，使得使用后没有粘合剂留在其上。然而，粘合剂层(或者可去除粘合或粘附剂层)易于被弱的力从可去除粘附剂层(或者基膜)分离或剥离，留下粘附到环形框架的粘合剂(或者可去除粘合或粘附剂)，即粘合剂残留。
结果，在能用于这样的应用的晶片加工带中，与环形框架接触的部分需要特殊处理，例如粘合剂(或者可去除粘合或粘附剂)的改变或者基膜的表面改性条件(surface-modification condition)的改变，以及/或者特殊带结构，导致技术复杂和相应增加的制造成本。
为了改变用于环形框架的部分中的粘合剂(或者可去除粘合或粘附剂)，需要在从其它部分冲压出用于环形框架的部分后，将带精确地叠置在特定位置。
供选地，提出通过改变用于环形框架的部分中的粘合层(或者可去除粘合或粘附层)与可去除粘合层(或者基膜)之间的剥离力来消除粘合剂残留。剥离力是指将各个层剥离开所需的力。控制基膜的表面能的方法包括通过高能辐照例如电晕处理来对表面进行改性、以及在膜表面上提供底胶处理(primer treatment)。尽管电晕处理通常应用于各种膜而与基膜的种类无关，但是被处理部分的边界不明确，因此难以清楚地区分仅通过电晕处理加工了的未处理部分和处理部分。
另一方面，在底胶处理中，需要根据将使用的基膜的材料选择合适的底胶材料，且在使用聚烯烃系膜时，通常难以将基膜与底胶之间的粘合强度保持在高水平，经常在晶片加工带从环形框架取下时导致底胶层与基膜之间的剥离，并相应地导致环形框架上粘合剂残留的出现。
为了控制可去除粘合层的剥离力，需要例如改变将被使用的可去除粘合剂的额外步骤，使得工艺非常复杂。
本发明的其它和进一步的特征和优点将因结合附图的以下描述而更充分地显现。
附图说明
图1是从晶片粘附侧观察的示例1的晶片加工带的平面图；
图2是示例1的晶片加工带的横截面图，其粘附在晶片和环形框架上；
图3是示例3的晶片加工带的横截面图，其粘附在晶片和环形框架上；
图4是示例4的晶片加工带的横截面图，其粘附在晶片和环形框架上；
图5是平面图，示出以一图案设置有粘合层的PET膜带，其中与环形框架将粘附的部分相应的部分被以八边形形状反复冲除。
发明内容
根据本发明，提供以下措施：
(1)一种晶片加工带，例如用于晶片切片和芯片接合，其具有至少在基膜的一面上形成的粘合层和可去除粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件制造中的接合工艺，包括：粘附晶片；切片晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框(lead frame)或半导体芯片上，且
所述晶片加工带包括：
晶片粘附的其表面上的具有可去除粘合层的区域和不具有可去除粘合层的区域，
其中在拾取期间在不具有所述可去除粘合层的区域中所述粘合层转移到芯片侧，在剥离所述带期间在具有所述可去除粘合层的区域中所述粘合层保留在基膜侧；
(2)一种晶片加工带，例如用于晶片切片和芯片接合，其具有至少在基膜的一面上形成的粘合层和可去除粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件制造中的接合工艺，包括：粘附晶片；切片晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框或半导体芯片上，且
所述晶片加工带包括：
B＞A的区域；以及
A＞B的区域，
其中所述基膜(或设置在所述基膜上的层)与所述粘合层之间的剥离力指定为A，被接合的目标(target)与所述粘合层之间的剥离力以及被接合的目标与所述可去除粘合层之间的剥离力指定为B，
其中在拾取期间在B＞A的区域中所述粘合层转移到芯片侧上，在剥离所述带期间在A＞B的区域中所述可去除粘合层未转移到被接合的目标上；
(3)如项(2)所述的晶片加工带，其中所述A＞B的区域形成在除粘附所述晶片的部分之外的部分中；
(4)如项(2)或(3)所述的晶片加工带，其中所述A＞B的区域被染色；
(5)如项(1)或(2)所述的晶片加工带，具有至少在所述基膜的一面上形成的所述粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件制造中的接合工艺，包括：粘附晶片；切片晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框或者半导体芯片上，
其中所述晶片加工带在除粘附所述晶片的部分之外的部分中具有层叠在所述粘合层上的所述可去除粘合层，且
其中在拾取期间在不具有所述可去除粘合层的区域中所述粘合层转移到所述芯片侧上，在剥离所述带期间所述层叠的可去除粘合层保留在所述基膜侧；
(6)如项(5)所述的晶片加工带，其中所述粘合层层叠在形成在所述基膜上的可去除粘合层上，
其中在除了粘附所述晶片的部分之外的部分中，所述晶片加工带具有层叠在所述粘合层上的另一可去除粘合层，且
其中在不具有层叠在所述粘合层上的所述可去除粘合层的区域中在拾取期间所述粘合层转移到所述芯片侧上，在剥离所述带期间层叠在所述粘合层上的所述可去除粘合层保留在基膜侧；以及
(7)如项(1)或(2)所述的晶片加工带，具有至少在所述基膜的一面上顺序形成的所述可去除粘合层和所述粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件制造中的接合工艺，包括：粘附晶片；切片晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框或者半导体芯片上，
其中所述晶片加工带具有层叠在粘附所述晶片的部分上的所述粘合层，且其中在拾取期间所述层叠的粘合层转移到芯片侧上，在剥离所述带期间所述可去除粘合层保留在基膜侧。
此外，提供所述晶片加工带的方法和所述晶片加工带的优选示例包括：
(8)一种制造晶片加工带的方法，包括步骤：
提供在基膜上具有粘合层的带(a)；
提供用作分离物膜的带(b)，其具有形成在其给定区域中的可去除粘合层；以及
将带(a)的粘合层侧与带(b)的可去除粘合层侧直接粘附，从而制造复合晶片加工带；
(9)如项(8)所述的制造晶片加工带的方法，其中所述带(a)设置有顺序形成在基膜上的可去除粘合层和所述粘合层；
(10)一种晶片加工带，其通过如项(9)的方法制造，其中在剥离所述分离物期间所述可去除粘合层转移且粘附到所述粘合层侧；
(11)一种制造晶片加工带的方法，包括步骤：
提供在基膜上具有可去除粘合层的带(c)；
提供用作分离物膜的带(d)，其具有形成在其给定区域中的粘合层；以及
将带(c)的所述可去除粘合层侧与带(d)的所述粘合层侧直接粘附，从而制造复合晶片加工带；
(12)一种晶片加工带，其通过根据项(11)的方法制造，其中在剥离所述分离物期间所述粘合层转移且粘附到可去除粘合层侧；以及
(13)如项(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)、(7)、(10)或(12)所述的晶片加工带，其中所述粘合层是可去除粘合或粘附层，其也具有可去除粘附功能。
这里，术语“粘合层”或“可去除粘合或粘附层”是指这样的层，当半导体晶片等被安装并被切片，然后芯片被拾取时，其能够自可去除粘合层剥离且保持粘附在芯片上，当所述芯片被安装且被固定在基板或引线框上时，其能用作粘合剂。
此外，术语“可去除粘合层”是指这样的层，与粘合层的相比，其与被接合的目标具有更小的剥离力，且其能用于临时粘附。此外，术语“可去除粘合或粘附剂”是指这样的粘合剂，其通常具有足以也用于临时粘附的粘合性，并且尤其通过激励(stimulation)例如加热等，其获得对被接合的目标的强的粘合强度，且因此能起到半永久性粘合剂的作用。
此外，术语“剥离力”是指将粘合的表面剥离开所需的力，可根据JISz0237中规定的方法确定。
具体实施方式
下面详细说明本发明。
在为了解决传统技术中的上述问题而深入研究之后，本发明人发现，在上面描述的晶片加工带中，通过考虑可去除粘合层的存在或不存在、以及被接合的目标、粘合层(或者可去除粘合或粘附层)和基膜之间的各剥离力，可以防止切片之后带去除步骤中粘合剂转移到环形框架上；结果，本发明人成功开发了一种晶片加工带而没有使带结构更复杂化。
本发明的晶片加工带具有形成在基膜的表面上的粘合层(或者可去除粘合或粘附层)和可去除粘合层，且通常具有作为层叠的外层的分离物。
本领域公知的分离物中的任何一种可用作该分离物，公知的分离物包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基膜、聚乙烯基膜、以及其它剥离处理膜(peel-apart treated film)。
用在本发明的晶片加工带中的粘合剂不特别限制，可以是通常用在切片和芯片接合带中的粘合剂的任何一种。粘合剂的优选示例包括丙烯酸粘合剂、环氧树脂/酚醛树脂/丙烯酸树脂的混合粘合剂等。粘合剂层的厚度可以任意确定，但优选约5至100μm。
当使用可去除粘合或粘附剂时，该可去除粘合或粘附剂也不特别限制，可以是在切片和芯片接合带中通常使用的可去除粘合或粘附剂中的任何一种。可去除粘合或粘附剂的优选示例包括丙烯酸可去除粘合或粘附剂、环氧树脂/丙烯酸树脂的混合可去除粘合或粘附剂等。如果可去除粘合或粘附剂是可辐照(尤其是UV)固化的，则它是有利的，因为切片期间的碎屑(chipping)更小。
可去除粘合层或可去除粘合或粘附剂层可形成在基膜的两侧，每层的厚度可以任意确定，但是优选约5至50μm。
能用在本发明的晶片加工带中的基膜可以是具有透辐射能力的任何材料的膜。该膜材料的示例包括：α-石蜡的均聚物或共聚物，例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯/丙稀共聚物、聚丁烯(polybuten)、乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸酯共聚物、或者离子交联聚合物(ionomer)；工程塑料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、或者聚(甲基丙烯酸甲酯)；或者热塑性弹性体，例如聚亚氨酯、苯乙烯/乙烯/丁烯(buten)或五亚乙基六胺系共聚物。
供选地，基膜可由选自上述化合物组的两种或更多种材料的混合物形成；且基膜可由选自上述化合物组的任何材料的单层、双层或更多层形成。
被使用的基膜的厚度不特别限制，可以任意地确定，但是优选为50至200μm。
在用于本发明的晶片加工带的可去除粘合层中使用的有机化合物不特别限制，可以从用作可去除粘合剂的任何树脂中选择，例如氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚亚氨酯树脂、以及环氧树脂。
可去除粘合剂优选通过将丙烯酸可去除粘合剂、可辐照聚合化合物(radiation-polymerizable compound)、光聚合引发剂(initiator)、固化剂等以给定的量混合到用于可去除粘合层的树脂来制备。可去除粘合层的厚度不特别限制，可以任意确定，但优选为5至30μm。
可辐照聚合化合物可混合在可去除粘合或粘附层中或者在可去除粘合层中，或者在这两种层中。此外，作为上述可辐照聚合化合物，可使用例如均在分子中具有至少两个可光聚合碳-碳双键的低分子质量化合物中的任意种，其通过光的照射能具有三维网络。更具体地，可使用例如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、季戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、季戊四醇四丙烯酸酯(pentaerythritol tetraacrylate)、二季戊四醇一羟基五丙烯酸酯(dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、1，4-丁二醇二丙烯酸酯(1，4-butyleneglycol diacrylate)、1，6-己二醇二丙烯酸酯(1，6-hexanediolediacrylate)、聚乙二醇二丙烯酸酯(polyethylenegrycol diacrylate)、以及丙烯酸低聚酯(origoester acrylate)。
与以上丙烯酸酯系化合物一样，尿烷丙烯酸酯系低聚物也能使用。尿烷丙烯酸酯系低聚物能通过使端异氰酸酯尿烷预聚物(terminal isocyanateurethaneprepolymer)与具有羟基的甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯(例如2-羟乙基丙烯酸酯、2-羟乙基甲基丙烯酸酯、2-羟丙基丙烯酸酯、2-羟丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯)反应来获得，所述端异氰酸酯尿烷预聚物能通过多羟基化合物(polyol compound)，例如聚酯型或聚醚型，与聚异氰酸酯化合物(例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-二甲苯二异氰酸酯(1，3-xylilenediisocyanate)、1，4-二甲苯二异氰酸酯(1，4-xylilenediisocyanate)、二苯甲烷-4，4-二异氰酸酯)的反应来获得。
可去除粘合层可含有选自以上树脂的两种或更多种树脂。
此外，当使用光聚合引发剂时，可使用例如异丙基二苯乙醇酮乙醚、异丁基二苯乙醇酮乙醚、苯甲酮、米希勒酮(Michler′s ketone)、氯噻吨酮(chlorothioxanthone)、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯甲基二甲基缩酮(benzyl dimethyl ketal)、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。被混合的光聚合引发剂的量优选为0.01至5质量份，对100质量份的丙烯酸系共聚物。
在一个示例中，根据本发明的在基膜表面上具有粘合层和可去除粘合层的晶片加工带不具有在膜的粘附晶片的整个表面上的可去除粘合层，替代地，在基膜表面或者设置在基膜上的底胶层上具有粘合层，还仅在除了粘附作为被接合的目标之一的晶片的部分之外的部分中具有可去除粘合层。因此，在粘附晶片的表面上存在具有可去除粘合层的区域和不具有可去除粘合层的区域。使基膜(或者设置在基膜上的层)与粘合层之间的剥离力A小于晶片与粘合层之间的剥离力B。另外，可去除粘合剂与粘合剂相比具有更小的粘合强度，且切片环形框架与可去除粘合层之间的剥离力B小于基膜与粘合层之间的剥离力A。这样，提供了形成在同一晶片加工带上的B＞A的区域和A＞B的区域。
当晶片加工带被使用时，晶片被紧紧地接合到带上，允许晶片的平稳切片，当所得的切片了的芯片被拾取时，剥离发生在基膜与粘合层之间，将粘合层转移到芯片侧，因为基膜与粘合层之间的剥离力A小于晶片与粘合层之间的剥离力B。在随后的带剥离期间，因为切片环形框架与可去除粘合层之间的剥离力B小于基膜与粘合层之间的剥离力A，所以剥离发生在切片环形框架与可去除粘合层之间，留下可去除粘合层以及粘合层在基膜侧，阻止了可去除粘合剂转移到作为被接合的目标之一的切片环形框架上。
因为以上A＞B的区域形成在除了粘附晶片的部分之外的部分中，相对于环形框架定位的晶片位于框架中的中心圆中，于是A＞B的区域，即具有可去除粘合层的区域，位于与晶片对应的带的中心部分处的中心圆以外的区域中。
此外，A＞B的区域可以被染色，以使晶片加工带的A＞B的区域，即具有可去除粘合剂的区域，更可机械地识别。添加到可去除粘合剂成分中用于染色的染料不特别限制，但优选为透射UV光的染料。如上的染色使得能够更容易地辨别A＞B的区域，使得使用时定位本发明的晶片加工带更容易。
在本发明的晶片加工带的另一示例中，可去除粘合或粘附层不在晶片加工带的粘附晶片的整个表面上形成，且可去除粘合层形成在基膜表面上，粘合层层叠在粘附晶片的部分中。
当晶片加工带被使用时，晶片紧紧地接合到带上，允许晶片的平稳切片。因为可去除粘合层与粘合层之间的剥离力小于晶片与粘合层之间的剥离力，所以拾取期间剥离发生在可去除粘合层与粘合层之间，将粘合层转移到芯片侧上。在随后剥离带期间，因为切片环形框架与可去除粘合层之间的剥离力小于基膜与可去除粘合层之间的剥离力，所以剥离发生在切片环形框架与可去除粘合层之间，阻止了可去除粘合剂转移到切片环形框架上。
在本发明的晶片加工带的再一示例中，可去除粘合层(2)和另外的粘合层层叠在基膜表面上，可去除粘合层(1)仅形成在与粘合晶片的部分不同的部分中。因此，因为相对于环形框架定位的晶片位于框架中的中心圆中，所以可去除粘合层形成在与晶片对应的带的中心部分处的中心圆以外的部分中，具有可去除粘合层的区域和不具有可去除粘合层的区域形成在安装晶片的表面上。
此外，可去除粘合层可被染色，以使层叠在晶片加工带(粘合或粘附带)上的可去除粘合剂上的部分和未层叠在其上的部分更可机械地识别。添加到可去除粘合剂成分中用于染色的染料不特别限制，但优选为透射UV光的染料。如上的染色使得能够更容易地辨别具有可去除粘合层的区域和不具有可去除粘合层的区域，进一步使得使用时定位本发明的粘合或粘附带更容易。
本发明还涉及制造晶片加工带的方法。
具有形成在选自上述材料的带形基膜上的粘合层的带(a)通过包括涂覆、喷射等的公知方法中的任意一种制备。类似地，制备具有用作分离物的带形膜的给定区域中形成的可去除粘合层的带(b)。上述给定区域优选为以一间隔定位的每个具有所需直径的圆以外的区域，所述圆优选以相同间隔定位，其每一个具有带形膜的横向方向上的中心处的圆心。这样制备的带(a)的粘合层侧和带(b)的可去除粘合层侧彼此直接接合，从而给出复合晶片加工带。
当上述分离物被剥离时，可去除粘合层转移且粘附到粘合层侧。
在另一制造方法中，具有形成在带形基膜上的可去除粘合层的带(c)以与上述制造工艺类似的方式被制备。另外地，具有用作分离物的带形膜的特定区域中形成的粘合层的带(d)被类似地制备。上述特定区域优选为以给定间隔定位的每个具有所需直径的圆以外的区域，所述圆优选以相同间隔定位，其每一个具有在横向方向上的带形膜的中心处的圆心。这样制备的带(c)的可去除粘合层侧与带(d)的粘合层侧彼此直接接合，从而给出复合晶片加工带。
当上述分离物被剥离时，粘合层转移且粘附到可去除粘合层侧。
在以上描述中，具有形成在基膜的一个面上的粘合层和可去除粘合层的晶片加工带被描述了，但是本发明还包括双面晶片加工带，其具有形成在基膜的两个面上的粘合层和可去除粘合层的类似组合。
本发明的晶片加工带具有足够高的粘合强度，在切片期间其阻止了粘合层从晶片剥离以及可去除粘合层从环形框架剥离；在拾取期间，其允许可去除粘合或粘附层与切片了的芯片的背表面(backing surface)的紧密粘附，如果需要的话通过辐照固化，从而它使得芯片能够更容易地从基膜分离；在带去除期间，它允许从环形框架剥离带而没有粘合剂残留。此外，当可去除粘合或粘附剂用作粘合剂时，切片之后拾取期间在可去除粘合或粘附层与芯片的背表面如果需要的话通过辐照固化被紧密接合之后，芯片可被拾取。
本发明的晶片加工带优选用于切片和芯片接合，因为它具有在切片期间不导致剥离晶片的足够高的粘合强度，它能用作切片带，且在切片了的芯片被安装在基板等上时它可用作粘合剂，由于基膜的轻易去除而在带被剥离之后不导致环形框架上的粘合剂残留。此外，由于其简单的结构，该晶片加工带能在其简单和低成本的制造中被提供，而不引起阻滞。
当可去除粘合层被染色时，在晶片加工带的适当位置上定位晶片变得更容易。
示例
将基于下面给出的示例更详细地描述本发明，但是本发明不限于这些示例。
在下面的示例中，根据JIS Z0237中规定的方法，测量剥离力的值。术语“份”意味着质量份。
示例1
128g n-丙烯酸丁酯、307g 2-乙基己基丙烯酸酯、67g甲基丙烯酸甲酯、1.5g甲基丙烯酸、以及作为聚合引发剂的过氧苯甲酰的混合溶液以适当调整的添加速度逐滴地添加到400g甲苯溶剂中，接着是通过适当调整反应温度和反应时间的这些物质的反应，从而产生具有给定官能团的聚合物化合物(1)的溶液。
然后，向如此获得的溶液逐滴添加具有可辐照固化的碳-碳双键和给定官能团的化合物(2)，其是由甲基丙烯酸和乙二醇单独合成的2.5g 2-羟乙基甲基丙烯酸酯，以及作为聚合抑制剂的氢醌，接着是这些物质的反应，从而给出具有可辐照固化的碳-碳双键的化合物(A)的溶液。然后，向如此获得的化合物(A)溶液中的100质量份的化合物(A)，添加1质量份的Coronate L(商品名，由Nippon Polyurethane Industry制造)的聚异氰酸酯(B)，且向其添加0.5质量份的IRGACURE 184(商品名，由Nippon Ciba Geigy制造)作为光聚合引发剂、以及150质量份的乙酸乙酯作为溶剂，接着混合所得溶液，从而制备可辐照固化的可去除粘合剂(1)。
如图1所示，在具有210mm直径的中心圆以外的部分中，具有50μm厚度和300mm宽度的PET系分离物膜的中间部分利用凹版涂覆器(gravurecoater)被涂覆以如此获得的可去除粘合剂。这样涂覆的膜在热空气干燥炉中被干燥，从而在干燥后形成具有厚度为10μm的可去除粘合层2的PET膜带(b)。在实际制造工艺中，具有连续且重复设置的这样的圆的图案化膜可被制造。此处，每幅图中相同的附图标记具有同样的含义以表示相同的部件。
然后，厚度为100μm的表面未改性的聚烯烃系基膜3被涂覆以通过混合下列成分得到的可去除粘合或粘附剂(1)。这样涂覆的膜在加热条件下被干燥，从而形成提供具有25μm厚度的可去除粘合或粘附剂层1的带(a)。丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物(固相含量：35质量％)
                        100质量份
                      (按固相的质量)
        双酚系缩水甘油基型环氧树脂(数均分子量：500)
                        600质量份
     可光聚合环氧丙烯酸酯系低聚物(具有两个双键的化合物)
                        100质量份
           光聚合引发剂(2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)
                         5质量份
这样制备的可去除粘合或粘附层带(a)和PET膜带(b)被层叠，从而形成晶片加工带，如图1所示。
基体(base)上可去除粘合层和与上述基体不同的另一基体上可去除粘合或粘附层的形成使得在特定区域上形成层的可去除粘合剂的涂覆更容易，其还允许可去除粘合或粘附剂层与可去除粘合剂层的分开的干燥，从而导致更容易控制产品的质量。
通过使用该晶片加工带，作为被接合的一个目标的直径为8英寸(20.32cm)的硅半导体晶片4被安装在用于切片的不锈钢环形框架5上，其是被接合的另一目标，如图2所示。此时，分离物膜被剥离，硅半导体晶片4被粘附到可去除粘合或粘附层1的一部分上，用于切片的环形框架5粘附到形成可去除粘合层2的部分。
然后，在利用80-W/cm高压水银灯，从基膜3侧以40mW/cm2紫外光照射12秒后，硅晶片被切片成5mm见方的芯片；芯片被拾取芯片接合器(bonder)拾取；然后所使用的晶片加工带被从环形框架5剥离。已证实，用裸眼观察，没有粘合剂(粘合剂残留)保留在环形框架5上。
尽管可去除粘合层2具有将晶片加工带粘附到环形框架5所需的粘合强度，但是可去除粘合层与可去除粘合或粘附层1相比具有更弱的粘性，因此可以用一剥离力(0.12N/25mm)将可去除粘合层从环形框架5剥离，该剥离力比可去除粘合或粘附层1与基膜3之间的剥离力(0.30N/25mm)弱。此外，硅半导体晶片4的芯片和可去除粘合或粘附层1被粘合得如此紧使得不可能将它们剥离开。因此，该晶片加工带是在除粘附晶片的部分之外的部分上，即在粘附环形框架的部分上，具有可去除粘合层的晶片加工带。当基膜与可去除粘合或粘附层之间的剥离力被指定为A，且被接合的目标与可去除粘合或粘附层之间以及被接合的目标与可去除粘合层之间的剥离力被指定为B时，在粘合晶片的部分中B大于A，在粘合环形框架的部分中A大于B。因此，可以的是，在拾取期间，可去除粘合或粘附层转移到芯片侧，在带剥离期间环形框架不具有粘合剂残留。
示例2
通过利用与示例1类似的材料和制备方法以与示例1相同的方式制备晶片加工带，除了可去除粘合层由一材料制备，所述材料中示例1的可去除粘合剂成分被添加以0.5质量份的染色剂(Kayaset Blue N(商品名)，由NipponKayaku制造)。
通过使用该晶片加工带，直径8英寸(20.32cm)的硅晶片以与示例1中相同的方式安装在不锈钢环形框架上。安装期间，晶片加工带中具有可去除粘合层的部分被染色，允许安装工艺容易且有把握地实施。然后，硅晶片被切片之后，芯片被拾取；所使用的晶片加工带从环形框架剥离。已证实，用裸眼观察在环形框架上没有粘合剂残留。此时，可去除粘合层与环形框架之间的剥离力为0.12N/25mm，可去除粘合或粘附层与基膜之间的剥离力为0.30N/25mm，硅半导体晶片的芯片和可去除粘合或粘附层被如此强地粘附使得不可能将它们剥离开。
示例3
利用与示例1的那些类似的基膜、粘合剂、可去除粘合或粘附剂、以及分离物膜制备示例3的晶片加工带。但是，示例1中的晶片加工带具有顺序的基膜、可去除粘合或粘附层、可去除粘合层、以及分离物膜的结构，而示例3中的晶片加工带具有基膜、可去除粘合层、可去除粘合或粘附层、以及分离物膜的按此顺序的结构。
即，通过制备借助混合与示例1的那些类似的可去除粘合成分获得的复合物，将该复合物施加到100μm厚的电晕处理过的聚烯烃系基膜上，以及在加热的情况下干燥被涂覆的膜，获得具有5μm厚的可去除粘合层的可去除粘合层带(c)。
然后，在直径210mm的圆内，具有50μm厚度和300mm宽度的PET系分离物膜的中间部分利用凹版涂覆器涂覆以通过混合与示例1中的那些类似的可去除粘合或粘附剂成分获得的复合物。这样涂覆的膜在热空气干燥炉中被干燥，从而在干燥之后形成具有厚度为10μm的可去除粘合或粘附层的PET膜带(d)。
这样制备的可去除粘合层带(c)与PET膜带(d)层叠，从而形成晶片加工带。
通过利用该晶片加工带，直径8英寸(20.32cm)的硅半导体晶片4被以与示例1中相同的方式安装在用于切片的不锈钢环形框架5上，如图3所示。然后，切片且拾取芯片之后，所使用的晶片加工带以与示例1中相同的方式从环形框架剥离。已证实，用裸眼观察，在环形框架上没有粘合剂残留。此时，可去除粘合层2与环形框架5之间的剥离力为0.12N/25mm，可去除粘合或粘附层1与可去除粘合层2之间的剥离力为0.21N/25mm，硅半导体晶片4的芯片与可去除粘合或粘附层1被如此强地粘附以致不可能将它们剥离开。
示例4
以与示例1中相同的方式，具有50μm厚度和300mm宽度的PET系分离物膜的中间部分利用凹版涂覆器在直径210mm的中心圆以外的部分中被涂覆以可去除粘合剂(1)，如图1所示。这样涂覆的膜在热空气干燥炉中干燥，从而在干燥之后形成具有10μm厚的可去除粘合层6的PET膜带(b)。在实际制造工艺中，可以制备具有连续且重复设置的这样的圆的图案化膜。
然后，具有100μm的厚度的表面未改性的聚烯烃系基膜3被涂覆以通过混合下列成分而获得的复合物。这样涂覆的膜在加热的情况下被干燥，从而形成设置有厚度为10μm的可去除粘合剂层7的带(e)。
具有可辐照聚合的官能团的丙烯酸酯共聚物(固相含量：35质量％)
                        100质量份
                     (按固相的质量)
    可光聚合环氧丙烯酸酯系低聚物(具有两个双键的化合物)
                        100质量份
        光聚合引发剂(2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)
                        5质量份
然后，带(e)被涂以按与示例1中相同的方式获得的可去除粘合或粘附剂(1)。这样涂覆的膜在加热情况下被干燥，从而形成设置有25μm厚的可去除粘合或粘附剂层1的带(f)。这样制备的带(f)和PET膜带(b)被层叠，从而形成晶片加工带。通过使用该晶片加工带，直径8英寸(20.32cm)的硅半导体晶片4被安装在用于切片的不锈钢环形框架5上，如图4所示。此时，可去除粘合层6与环形框架5之间的剥离力为0.12N/25mm，可去除粘合或粘附层1与可去除粘合层7之间的剥离力为0.14N/25mm，硅半导体晶片4的芯片与可去除粘合或粘附层1被粘附得如此强以致不可能将它们剥离开。
可去除粘合层在基体上以及可去除粘合或粘附层在与上述基体不同的另一基体上的形成使在特定区域上形成层的可去除粘合剂的涂覆更容易，其还允许可去除粘合或粘附剂层与可去除粘合剂层的分开干燥，从而导致更容易控制产品的质量。
示例5
通过制备借助混合与示例1的类似的可去除粘合剂成分获得的复合物，将该复合物施加到厚100μm的电晕处理过的聚烯烃系基膜3上，以及在加热的情况下干燥所涂覆的膜，获得具有厚度为5μm的可去除粘合层2的可去除粘合层带(c)。
然后，如下所述，粘合层1形成在分离物膜上。
向50质量份的甲酚酚醛型环氧树脂(环氧当量：197，分子量：1200，软化点：70℃)、作为硅烷偶联剂的1.5质量份的γ-巯基丙基三甲氧基硅烷(γ-mercaptopropyltrimethoxysilane)和3质量份的γ-脲基丙基三乙氧基甲硅烷(γ-ureidopropyltriethoxysilane)、以及30质量份的平均颗粒直径为16nm的硅石(silica)填料的环氧树脂复合物添加环己酮，所得混合物被搅拌和混合，且进一步在球磨机(bead mill)中揉混90分钟。
向所得混合物添加100质量份的丙烯酸树脂(质量平均分子量：800000，玻璃转变温度：-17℃)、5份作为六官能丙烯酸酯单体的二季戊四醇六丙烯酸酯、0.5份作为固化剂的己撑二异氰酸酯的加合物、以及2.5份Curezole 2PZ(2-苯基咪唑，商品名，由Shikoku Corp.制造)，该混合物被搅拌和混合，接着在真空下脱气，从而形成粘合剂。
预先被脱模处理(release process)的25μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜3被涂敷以如此获得的粘合剂。这样涂覆的膜在加热情况下在110℃干燥1分钟，从而形成具有粘合层1的PET膜带(g)，该粘合层1是以直径210mm的圆形和B级状态(B stage state)下40μm膜厚形成的涂层。
这样制备的可去除粘合层带(c)和PET膜带(g)被层叠，从而形成用于晶片加工的带。
通过使用该晶片加工带，直径8英寸(20.32cm)的硅半导体晶片4以与示例1中相同的方式安装在用于切片的不锈钢环形框架5上，如图3所示。然后，切片且拾取芯片之后，所使用的晶片加工带以与示例1中相同的方式从环形框架剥离。已证实，用裸眼观察在环形框架上没有粘合剂残留。此时，可去除粘合层2与环形框架5之间的剥离力为0.12N/25mm，粘合层1与可去除粘合层2之间的剥离力为0.13N/25mm，硅半导体晶片4的芯片和粘合层1被牢固粘附以致不可能将它们剥离开。
此示例5利用了示例3的结构，除了代替示例3中使用的可去除粘合或粘附剂而使用该粘合剂。
此处，形成粘合层的粘合剂不特别限制，可以是在切片和芯片接合带中通常使用的膜形粘合剂中的任一种。粘合剂的优选示例包括丙烯酸粘合剂、环氧/苯酚/丙烯酸树脂的混合粘合剂等。粘合层的厚度可以任意设置，但是优选约5至100μm。
在此示例中，相对于圆的晶片形状(直径：20.32cm)，晶片粘附到其表面上的粘合层的形状以直径21cm的圆的形状形成。但是，粘合层形状不限于此，只要在粘附晶片的部分上有粘合层且在粘附环形框架的部分上有可去除粘合层，因此粘合层可以为例如多边形。此外，代替所制备的具有粘合层的PET膜带(g)，例如通过在PET膜带上均匀地形成粘合层且重复地冲除该粘合层，可制造和使用在与粘合环形框架的部分对应的部分中没有粘合层的PET膜带(g′)。例如，如图5所示，以一图案设置有粘合层的PET膜带可被使用，该图案中与粘附环形框架的部分对应的部分被以八边形形状重复冲除。
比较例1
以与示例1中相同的方式制备晶片加工带，除了代替如示例1所描述的其上涂覆有可去除粘合剂的PET膜带(b)，使用与示例1中的类似但不具有可去除粘合层的PET膜(50μm厚，300mm宽)外。
以与示例1中相同的方式，这样获得的晶片加工带被使用，使用之后其自环形框架的剥离性能被检测和评估，表明从基膜剥离的可去除粘合或粘附剂仍粘附在环形框架上。此时，可去除粘合或粘附剂层和环形框架被牢固粘合，以致不可能将它们剥离开。可去除粘合或粘附层与基膜之间的剥离力为0.30N/25mm。硅半导体晶片的芯片和可去除粘合或粘附层被牢固粘合以致不可能将它们剥离开。
工业适用性
本发明的晶片加工带能更适宜地应用于半导体器件例如硅晶片的制造中的粘合晶片等，切片晶片、以及将所得的切片晶片安装到引线框或半导体芯片上的粘合工艺中。
已经相关于当前实施例描述了我们的发明，我们的意图是本发明不受限于说明的任何细节，除非以其它方式特别说明，更确切地，本发明可在所附权利要求定义的其思想和范围内宽泛地构建。

Claims (13)

1.一种晶片加工带，具有至少在基膜的一个面上形成的粘合层和可去除粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件的制造中的接合工艺中，包括：粘附晶片；切片该晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框或半导体芯片上，且
所述晶片加工带包括：
在粘附所述晶片的其表面上具有所述可去除粘合层的区域和不具有所述可去除粘合层的区域，
其中，在拾取期间在不具有所述可去除粘合层的所述区域中该粘合层转移到芯片侧，在剥离所述带期间在具有所述可去除粘合层的所述区域中所述粘合层保留在基膜侧。
2.一种晶片加工带，具有至少在基膜的一个面上形成的粘合层和可去除粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件的制造中的接合工艺中，包括：粘合晶片；切片该晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框或半导体芯片上，且
所述晶片加工带包括：
B＞A的区域；以及
A＞B的区域，
其中所述基膜(或设置在所述基膜上的层)与所述粘合层之间的剥离力被指定为A，被接合的目标与所述粘合层之间的剥离力以及被接合的目标与所述可去除粘合层之间的剥离力被指定为B，
其中在拾取期间在B＞A的所述区域中所述粘合层转移到芯片侧，在剥离所述带期间在A＞B的所述区域中所述可去除粘合层不转移到所述被接合的目标上。
3.如权利要求2所述的晶片加工带，其中所述A＞B的区域形成在除了粘附该晶片的部分之外的部分中。
4.如权利要求2或3所述的晶片加工带，其中所述A＞B的区域被染色。
5.如权利要求1或2所述的晶片加工带，具有至少在所述基膜的一个面上形成的所述粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件的制造中的接合工艺中，包括：粘合晶片；切片该晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框或半导体芯片上，
其中所述晶片加工带在除了粘附所述晶片的部分之外的部分中具有层叠在所述粘合层上的所述可去除粘合层，且
其中，在拾取期间在不具有所述可去除粘合层的所述区域中所述粘合层转移到芯片侧，在剥离所述带期间所述层叠的可去除粘合层保留在基膜侧。
6.如权利要求5所述的晶片加工带，其中所述粘合层层叠在形成在所述基膜上的可去除粘合层上，
其中所述晶片加工带在除了粘附所述晶片的部分之外的部分中具有层叠在所述粘合层上的另一可去除粘合层，且
其中在拾取期间在不具有层叠在所述粘合层上的所述可去除粘合层的所述区域中所述粘合层转移到芯片侧，在剥离所述带期间层叠在所述粘合层上的所述可去除粘合层保留在基膜侧。
7.如权利要求1或2所述的晶片加工带，具有至少在所述基膜的一个面上顺序形成的所述可去除粘合层和所述粘合层，
所述晶片加工带可用于半导体器件的制造中的接合工艺中，包括：粘附晶片；切片该晶片；以及将切片了的晶片安装到引线框或半导体芯片上，
其中所述晶片加工带具有层叠在粘附所述晶片的部分上的所述粘合层，且其中在拾取期间所述层叠的粘合层转移到芯片侧，在剥离所述带期间所述可去除粘合层保留在基膜侧。
8.一种制造晶片加工带的方法，包括步骤：
提供在基膜上具有粘合层的带(a)；
提供具有形成在其给定区域中的可去除粘合层的用作分离物膜的带(b)；以及
将所述带(a)的粘合层侧与所述带(b)的可去除粘合层侧直接粘附，从而制造复合晶片加工带。
9.如权利要求8所述的制造晶片加工带的方法，其中所述带(a)设置有顺序形成在所述基膜上的可去除粘合层和所述粘合层。
10.一种晶片加工带，其通过根据权利要求9的方法制造，其中在剥离所述分离物期间所述可去除粘合层转移且粘附到粘合层侧。
11.一种制造晶片加工带的方法，包括步骤：
提供在基膜上具有可去除粘合层的带(c)；
提供具有形成在其给定区域中的粘合层的用作分离物膜的带(d)；以及
将所述带(c)的可去除粘合层侧与所述带(d)的粘合层侧直接粘附，从而制造复合晶片加工带。
12.一种晶片加工带，其通过根据权利要求11的方法制造，其中在剥离所述分离物期间所述粘合层转移且粘附到可去除粘合层侧。
13.如权利要求1、2、3、4、5、6、7、10或12所述的晶片加工带，其中所述粘合层是可去除粘合或粘附层，其还具有可去除粘合功能。
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