WO2005057644A1 - ウェハ加工用テープおよびその製造方法 - Google Patents

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WO2005057644A1
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adhesive layer
wafer
layer
film
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PCT/JP2004/018524
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Kenji Kita
Yasumasa Morishima
Shinichi Ishiwata
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The Furukawa Electric Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a tape for processing a wafer, which is provided with at least a base layer on a base film.
  • Half of IC etc. In the process of device sensitivity, half wafers, etc. after pattern formation are cut and separated (diced) into individual chips, chips are mounted on a substrate, etc., and shelves It consists of a process.
  • the semiconductor wafer is attached to a wafer and processing tape in advance and fixed, and then dicing is performed along the chip shape.
  • the adhesive layer and the base film layer are configured to be peelable, and the chip with the adhesive is peeled off from the base film (pick-up to adhere to the chip for fixing).
  • the adhesive is used to fix to the base, etc.
  • the wafer processing tape used for the above purpose is a tape in which an adhesive layer and an adhesive layer are laminated on a film, or an adhesive layer is formed on an adhesive film.
  • a tape that has a layer of visco-crazing agent, which also has the function of a pressure-sensitive adhesive layer, can be used.
  • Wafer processing tapes used in the above process include adhesives, Although it is composed of a parade, it has a female agent layer (base layer) and an adhesive layer (3 ⁇ 4 # film in the case of an adhesive layer) for the purpose of reducing pickup failure in the pickup process.
  • the mosquito is designed to be easily peeled off with a very small peeling force.
  • dicing it is necessary to fix the wafer and processing tape to the ring frame before use. After use, it is necessary to peel off the processing tape together with the adhesive (adhesive) from the ring frame without leaving any adhesive. 'is there.
  • the adhesive layer (film) and the base layer (mm) are easily peeled off by a small force, and the base agent (glue agent) is apt to form adhesive residue on the ring frame.
  • the base agent glue agent
  • special treatments such as changing the surface treatment conditions of the conversion film of ⁇ ⁇ im ⁇ ) are used for the part in contact with the ring frame.
  • Z or special tape configuration is required, which is technically complicated and increases the cost.
  • the peeling force between the adhesive layer (adhesive cap) and the pressure-sensitive adhesive layer ( ⁇ ⁇ film) can be changed at the ring frame to eliminate the adhesive residue.
  • a modification method using high energy radiation such as corona treatment and a 5t method using a primer treatment on the film surface.
  • Corona treatment Coronal treatment can be applied to many films regardless of the type of off-film, but the boundary of the treated part is clearly distinguished, and the corona treatment alone clearly distinguishes the untreated part from the treated part. It is difficult.
  • an appropriate primer material is selected according to the material of the base film.
  • Fig. 1 is a plan view of the tape for processing the wafer of mn ⁇ seen from the surface to be bonded to the wafer.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer processing tape of Example 1 is adhered to a wafer and a ring frame.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer processing tape in row 3 is attached to the wafer and the ring frame.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the wafer processing tape of Example 4 is bonded to the wafer and the ring frame.
  • FIG. 5 is a plan view showing a PET film tape provided with an adhesive layer of a pattern obtained by continuously punching a Pf standing portion corresponding to a portion to which a ring frame is to be pasted into an octagon.
  • a semiconductor device In doing so, an adhesive layer and an adhesive layer were provided on at least one side of the biofilm, which is used in the bonding process for fixing the wafer, dicing, and superimposing the wafer on a lead frame or semiconductor chip.
  • a tape for wafer processing in which a pressure-sensitive adhesive layer does not exist and a region where the pressure-sensitive adhesive layer does not exist is provided on the surface to be bonded to c, and an adhesive layer is provided in a region where the pressure-sensitive adhesive layer does not exist during pick-up. Characterized in that the adhesive layer is left on the biofilm side in the area where the adhesive layer is present when the tape is peeled off.
  • a crane agent layer is formed on at least one side of the base film, which is used in the bonding process for fixing and dicing the wafer and superimposing it on the lead frame or semiconductor chip.
  • a wafer processing tape provided with an adhesive layer, comprising a film
  • A is the peeling force between one adhesive layer and B is the peeling force between the adhesive layer and the adhesive layer and the adhesive layer is B.
  • a region with A> and a region with A> B are provided, and the pick-up layer moves to the chip side in the region with B> A, and occupies the region with A> B when the tape is peeled off.
  • the wafer In manufacturing the equipment, the wafer is fixed, diced, and the bonding process is performed on at least one side of the transflection film, which is used in the bonding process for overlapping the lead frame and the semi-chip.
  • a wafer processing tape provided with a layer, wherein a noble adhesive layer is provided at a portion of the adhesive layer where the wafer is to be bonded, and a pick-up.
  • ⁇ # indicates that the adhesive layer moves to the chip side in the area where the adhesive layer is not covered, and the laminated adhesive layer remains on the film side when the tape is peeled off (1) or (2) the tape for wafer processing according to (2),
  • Origami sickle is laminated on the adhesive layer provided on the Xie film, and another adhesive layer is further applied to the base layer where the wafer is bonded, and adhered to the pick-up.
  • the adhesive layer was moved to the chip side in the area where the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the adhesive layer was not present, so that the adhesive layer laminated on the base agent layer remained healthy when the tape was peeled off.
  • a small amount of base film is used in the bonding process for fixing, dicing, and superimposing wafers on lead frames and semiconductor chips.
  • At least one adhesive tape layer and crane agent layer are provided in this order on one side. This is a tape for processing, and a self-adhesive layer is layered on the part where the nano is bonded.
  • the Satsumi tape (a) is a tape in which an adhesive layer and ⁇ fiber are provided in this order on a Xie film.
  • Step of preparing a tape (c) provided with an adhesive on a film step of preparing a tape (d) provided with an adhesive layer in a predetermined area of the film used as a separator And a step of directly bonding the pressure-sensitive adhesive layer side of the tape (c) and the adhesive layer side of the tape (d) to form an integrated tape for wafer heating.
  • the adhesive layer is an adhesive layer having an adhesive function.
  • the chip or adhesive layer here means that when a chip is picked up after a half wafer or the like is pasted and diced, the chip is separated from the adhesive layer and adheres to the chip when picking up the chip. It is used as an adhesive for fixing to a lead frame.
  • the “adhesive layer” is used for temporary sticking, which has a smaller peeling force from the adherend than the base layer.
  • the “adhesive” has an adhesive function that can be used for temporary attachment, and has a strong adherence to an adherend, especially by stimulation such as heating. An adhesive that functions as a semi-permanent contact. '
  • peeling force is the force required to peel the joint surface H ”and can be measured based on JIS Z 0237. Best mode for carrying out the invention
  • the present inventors have conducted an ifct study to solve the problems in the above-mentioned method, and as a result, have found that in the above-mentioned wafer processing tape, the presence or absence of an adhesive layer and the adherend-to-adhesive layer (adhesive Agent layer) We found that by considering the magnitude of the peeling force between each of the base films, it was possible to prevent the transfer of glue to the ring frame in the tape peeling process after dicing was completed. This led to the development of tapes for processing wafers without using fiber.
  • the tape for processing a wafer of the present invention is provided with an adhesive layer (adhesive layer) and a pressure-sensitive adhesive layer on the surface of a base film.
  • the outer layer is provided with a separator cover layer.
  • any known separators such as polyethylene terephthalate (PET) -based, polyethylene-based, and release-treated films can be provided.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Adhesives used in the tape for the Ueno Ka of the present invention is not particularly limited, Any type of adhesive generally used for dicing dip tape may be used, and an acryl-based adhesive, an epoxy resin / phenol resin, and a Z-acrylic resin-based adhesive are preferable.
  • the thickness of the crane agent layer may be determined, but is preferably 5 to: about L 00 / im.
  • Adhesives are group U if they have radiation (especially UV) curability and have small die sink chipping.
  • the pressure-sensitive adhesive layer or the adhesive layer may be provided on both sides of the base film, and the thickness is preferably about 5 to 50 m although the thickness may be appropriately determined.
  • the off-film used for the tape for processing a wafer of the present invention any one can be used as long as it has radiolucency.
  • the materials include ⁇ -olefin homopolymers such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylate copolymer, and ionomer.
  • engineering plastics such as copolymers, polyethylene terephthalate, polycarbonate, and polymethyl methacrylate, and thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene, and pentene-based copolymers may be used.
  • O-film may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or a single-layer or multi-layer thereof.
  • the thickness of the film is not particularly limited and may be set as small as possible, but is preferably 50 to 200 m.
  • the adhesive compound used for the pressure-sensitive adhesive layer of the tape for processing a wafer of the present invention is not particularly limited, and any of a chlorine-containing polypropylene resin, an acrylic resin, and a poly-acrylic resin used for the pressure-sensitive adhesive can be used. Ester resin, polyurethane resin, epoxy resin and the like can be used.
  • the resin of the pressure-sensitive adhesive layer includes acrylic pressure-sensitive adhesives, radiation polymerizable compounds, photopolymerization initiators, curing agents, It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately compounding the same.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be set to 3 ⁇ 4 ⁇ , but is preferably 5 to 30 im.
  • the radiation-polymerizable compound may be blended in the adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive layer, or may be blended in both.
  • a low-quantity compound that has at least two or more T-reducible carbon-carbon disulfides within a range capable of forming a three-dimensional network by light irradiation is used.
  • trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentyl erythritol monohydroxypentaacrylate, dipentyl erythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol Diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate, poly (ethylene glycol diacrylate), oligoester acrylate, etc. are interchangeable.
  • urethane acrylate oligomers can also be used.
  • Urethane acrylate-based oligomers include polyester-type or polyether-type polyol compounds and decorative isocyanate compounds (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1 , 3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) (Eg, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl remethacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained in response.
  • decorative isocyanate compounds for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1 , 3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diis
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be a mixture of two or more selected from the above resins.
  • a photopolymerization initiator for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, black thioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, benzyl dimethyl methyl ketal, and para-hydroxycyclohexyl phenyl ketone , 2-hydroxymethylphenic Lupropane or the like can be used.
  • the compounding amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acryl-based copolymer.
  • the adhesive layer is not formed on the entire surface on the side to be bonded to the wafer.
  • An adhesive layer is provided on the material film surface or a primer layer provided on the film, and an adhesive layer is provided only on a portion to be bonded of a wafer which is one of the adherends. In other words, the area where the viscous layer is not present and the area where the viscous layer is present are provided on the surface to which the wafer is bonded.
  • the force A is smaller than the peeling force B between the wafer and the adhesive layer, and the viscous IJ has a smaller occupancy than the adhesive, and the peeling force B between the dicing ring frame and the adhesive layer is B.
  • the peeling force between the layers is smaller than A.
  • the wafer processing tape is provided with the region where B> A and the region where A> B.
  • the wafer When this wafer processing tape is used, the wafer is firmly fixed to the tape and the wafer can be diced satisfactorily.
  • the peeling force A between the base film and the adhesive layer is the peeling force between the wafer and the base material layer Since it is smaller than B, peeling occurs between the base film layers and the adhesive layer moves to the chip side.
  • the peeling force B between the dicing ring frame and the adhesive layer is smaller than the peeling force A between the ⁇ ⁇ f film and the crane agent layer.Therefore, peeling occurs between the dicing ring frame and the adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer remains on the base film together with the base material layer, and the pressure-sensitive adhesive does not transfer to the dicing ring frame, which is one of the adherends.
  • A> B The region where A> B is provided in a region other than the region where the wafer is bonded, and since the wafer aligned with the ring frame is within the center circle in the frame, A> B , That is, the area where the pressure-sensitive adhesive layer is located is the area outside the center circle at the center of the tape corresponding to the area.
  • the area where A> B of the wafer processing tape that is, the area where the adhesive exists, is mechanically
  • the areas where A> B can be colored.
  • the coloring agent added to the pressure-sensitive adhesive component for coloring is not particularly limited, but those having UV transmittance are more preferable. Since the region of A> B can be easily identified by coloring, the positioning of the tape for wafer processing of the present invention when used is easier.
  • the surface of the wafer processing tape to be bonded to the wafer is not formed with the adhesive layer on the entire surface thereof, but the adhesive film is formed on the surface of the film.
  • An adhesive layer is provided, and an adhesive layer is applied to a portion of the wafer to be bonded.
  • the wafer When this tape is used, the wafer is firmly fixed to the tape and the dicing of the wafer can be performed satisfactorily. Then, since the peeling force between the adhesive and the adhesive layer is smaller than the peeling force between the wafer contacting edges, at the time of pick-up, ⁇ peeling occurs between the occupant and the crane agent layer and the base agent layer moves to the chip side. . At the time of subsequent tape peeling, the peeling force between the dicing ring frame and the adhesive layer is smaller than the peeling force between the base film and the adhesive layer. The agent does not transfer to the dicing ring frame.
  • the pressure-sensitive adhesive layer (2) is further laminated on the surface of the base film, and the pressure-sensitive adhesive layer ( 1) is provided. That is, since the wafer aligned with the ring frame is within the center circle in the frame, the adhesive layer is provided in the center circle of the central part of the tape corresponding to the wafer, and the area where the adhesive layer does not exist The existing area is provided on the surface to which the wafer is bonded.
  • the adhesive layer can be colored to make it easier to mechanically recognize the part of the wafer processing tape (the tape on which the adhesive is not applied) and the part where the adhesive is not precious.
  • the dye added to the adhesive component for coloring is not particularly limited, but a dye having UV transmittance is more preferable. Since the presence or absence of the pressure-sensitive adhesive layer can be simplified by coloring, the adhesive tape of the present invention can be more easily positioned when used.
  • the present invention also relates to a method for manufacturing a tape for processing a wafer.
  • a tape (b) in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided in a predetermined area on a strip-shaped film used as a separator is prepared.
  • the predetermined region of the knitting 3 is preferably a region outside the circle in which circles having a desired diameter are provided at regular intervals.
  • the circle has a center at the center in the width direction of the band-shaped film, and preferably has equal intervals.
  • a tape (c) in which an adhesive layer is provided on a belt-like film as in the above-mentioned M method is prepared.
  • a tape (d) is prepared in which an adhesive layer is provided in the region of the band-shaped film used as a separator.
  • the predetermined area is preferably an area within a circle in which circles having a desired diameter are provided at appropriate intervals, and the circle has a center at the center in the width direction of the band-shaped film, and preferably has equal intervals.
  • the adhesive layer was attached to the adhesive layer side.
  • the wafer processing tape in which the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are provided on one side of the base film has been described.
  • the present invention provides the same adhesive layer and pressure-sensitive adhesive layer on both sides of the film.
  • the provided tape for processing a double-sided wafer can also be used.
  • the tape for processing a wafer of the present invention has sufficient adhesive strength so that the adhesive layer and the wafer and the ring frame and the adhesive layer do not peel off during dicing, and is radiation-cured if necessary when picking up.
  • the adhesive surface and the chip surface are in close contact with each other, and the tape can be easily peeled off from the film.
  • the tape can be peeled off without leaving any adhesive from the ring frame.
  • the adhesive layer may be brought into close contact with the chip surface by radiation curing, if necessary, at the time of picking up after dicing.
  • the tape for processing according to the present invention is sufficient to prevent the wafer from peeling during dicing. It has adhesive strength and can be used as a dicing tape.It can be used as an adhesive when mounting on a substrate, etc.
  • $ ⁇ It is a good tape for dicing dip polish because it does not cause damage. Then, the $ ⁇ can be easily and inexpensively provided by the simple ⁇ t, and no blocking occurs.
  • the values of the ⁇ -peeling force are values measured based on JISZ0237. Further, “part” means “part by mass”. Difficult case 1
  • a PET-based separator film with a thickness of 50 m and a width of 300 mm, and excluding the center circle with a diameter of 210 mm as shown in Fig. It was coated and dried in a thermal oven to obtain a PET film tape (b) having a dried adhesive layer 2 having a thickness of 10 m after drying.
  • a product in which such a pattern is repeatedly repeated is produced.
  • members having the same reference numerals represent the same members.
  • the conjugation agent (1) obtained by mixing the following components was applied to a 100-m-thick polyolefin-based film 3, which had not been coated, and was heated and dried.
  • the adhesive layer 1 having a thickness of 2 was formed to obtain a tape (a).
  • the adhesive layer tape (a) and the PET film tape (b) were attached to form an SSi tape for the Uenokae shown in Fig. 1.
  • Viscosity 2 has the adhesive strength required to secure the wafer processing tape to the ring frame 5, but has less adhesion than the adhesive layer 1 and the sharp layer 1 and the film Peeling force from the ring frame 5 with a peeling force (0.3 IS NZ SS mm) smaller than the peeling force with 0.3 (0.30 NZ 25 mm).
  • the silicon half (the chip of the wafer 4 and the adhesive layer 1 were firmly adhered and could not be peeled off.
  • the peeling force between the adhesive film and the adhesive layer is A.
  • the adherend is between the adhesive and the adhesive layer.
  • a wafer processing tape was obtained using the same material and method as in Example 1, but the difference from Example 1 was that the ttf occupant layer was replaced with a colorant (product made by Nippon Kayaku Co., Ltd. Name: Kaset Blue N] was added to 0.5 parts by mass.
  • a colorant product made by Nippon Kayaku Co., Ltd. Name: Kaset Blue N] was added to 0.5 parts by mass.
  • an 8-inch (20.32 cm) diameter silicon wafer was mounted on a stainless steel ring frame in the same manner as in Example 1. The colored parts are colored so that the bonding process can be performed easily and reliably.
  • the used wafer processing tape was peeled off from the ring frame. When inspected visually, it turns into a ring frame! ! It was confirmed that there was no difference.
  • the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the ring frame was 0.12 to 25 mm
  • the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the Si off-film was 0.30 NZ25 mm
  • the chip and one layer of the silicon semiconductor wafer were strongly bonded. I could not peel off.
  • Example 1 The same film, adhesive, adhesive, and separation film as in Example 1 were used.
  • the configuration of the ueno and the processing tape was a film, an m-layer, and a viscous film.
  • the film was composed of a base film, an adhesive layer, an adhesive layer, and a separator film in this difficult example.
  • a composition obtained by mixing the same components as the pressure-sensitive adhesive component of Example 1 was applied to a corona-treated polyolefin-based insulated film having a thickness of 100 m, dried by calo-heat drying, and dried to a thickness of 5 m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer was formed to obtain a pressure-sensitive adhesive layer tape (c).
  • the composition obtained by mixing the same components as the adhesive component of Difficulty Example 1 was placed in the center of a PET separator film having a thickness of 50 ⁇ and a width of 300 mm in a circular shape having a diameter of 210 mm. Then, the above adhesive is coated with a gravure adhesive all over, dried in a hot water oven, and dried to obtain a PET film tape (d) with a 10 m thick adhesive layer.
  • a gravure adhesive all over, dried in a hot water oven, and dried to obtain a PET film tape (d) with a 10 m thick adhesive layer.
  • the adhesive tape (c) and the PET film tape (d) were bonded together to produce a Ueno and processing tape.
  • an 8-inch (20.32 cm) diameter silicon semiconductor wafer 4 was mounted on a stainless steel dicing ring frame 5 in the same manner as in Example 1 as shown in FIG. .
  • the used wafer processing tape was peeled off from the ring frame. Visual inspection showed that there was no glue residue on the ring frame.
  • the peeling force between the adhesive layer 2 and the ring frame 5 is 0.12 NZ25 mm, and the peeling force between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 is 0.21 N /
  • the chip of the silicon semiconductor wafer 4 and the adhesive layer 1 were firmly adhered and could not be separated.
  • Example 1 an adhesive was applied to the center of a PET separator film having a thickness of 50 urn and a width of 300 mm, excluding the center circle having a diameter of 210 mm as shown in FIG. (1) was applied using a Daravia coater, and was heated and dried in an oven to obtain a PET film tape (b) having an adhesive layer 6 having a thickness of 10 m after drying. In the actual process, a product in which such a pattern is continuously repeated is manufactured.
  • the curd obtained by mixing the following components is applied to a surface-modified polyolefin-based film 3 having a thickness of 100 m, dried by calo-heat, and dried to a thickness of 100 m.
  • the tape (e) was obtained by forming an m-th adhesive layer 7.
  • Example 2 the adhesive (1) used in Example 1 was applied to the tape (e), and dried by calo-heat drying. An adhesive layer 1 of 25 xm was formed to obtain a tape (f). This tape (f) and PET film tape (b) were bonded to produce a tape for processing. Using this wafer processing tape, an 8-inch (20.32 cm) diameter silicon semiconductor wafer 4 was mounted on a stainless steel dicing ring frame 5 as shown in FIG.
  • the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 6 and the ring frame 5 is 0.12 N / 25 mm
  • the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 7 is 0.14 N / 25 mm
  • the chip of the silicon semiconductor wafer 4 and the adhesive layer 1 were strongly bonded to each other and could not be peeled off.
  • a composition obtained by mixing the same components as the pressure-sensitive adhesive component of Example 1 was applied to a corona-treated polyolefin-based off-film 3 having a thickness of 100 m, dried by calo-heat drying, and dried to a thickness of 5 m.
  • the adhesive layer 2 was formed to obtain an adhesive layer tape (c).
  • an adhesive layer 1 was formed on the separatory film as described below.
  • Cresol nopolak type epoxy resin as epoxy resin (epoxy equivalent 197, m-weight 1200, softening point 70 ° C) 50 parts by mass, silane coupling agent ⁇ -mercaptopyl pertrimethoxysilane 1.5 parts by mass, ⁇ Monoureidopropyltriethoxysilane 3 substance
  • silane coupling agent ⁇ -mercaptopyl pertrimethoxysilane 1.5 parts by mass
  • ⁇ Monoureidopropyltriethoxysilane 3 substance To a composition consisting of 30 parts by mass of silica filler having an average particle diameter of 16 nm, xanonone was added to the mouth of the cylinder, mixed with stirring, and kneaded with a bead mill for 90 minutes.
  • the adhesive was applied on a 25 m-thick release-treated polyethylene terephthalate (PET) film 3 and dried by heating at 110 ° C. for 1 minute. Was formed into a circular shape having a diameter of 200 mm to obtain a PET film tape (g) having an adhesive layer 1.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the adhesive tape (c) and PET film tape (g) were bonded together to form a tape for wafer processing.
  • This wafer processing tape was mounted on a stainless steel dicing ring frame 5 with an 8-inch (20.32 cm) diameter silicon semiconductor wafer 4 as shown in FIG. 3 ⁇ 4g
  • the used tape for processing ⁇ eight was peeled off from the ring frame.
  • Visual inspection revealed that the ring frame was intact.
  • the ijij separation force between the adhesive layer 2 and the ring frame 5 is 0.12 N / 25 mm
  • the peel force between the adhesive layer 1 and the adhesive layer 2 is 0.13 N / 25 mm
  • the chip of the silicon semiconductor wafer 4 and the adhesive layer 1 were firmly bonded and could not be separated.
  • an adhesive is used instead of the rice paste in the configuration of the third embodiment.
  • the base material forming the adhesive layer is not particularly limited, but may be a film adhesive generally used for dicing dip tape, and may be an acryl-based adhesive or an epoxy resin. Phenolic resin blend adhesives of phenol resin are preferred. The thickness may be determined by ICI, but is preferably about 5-100 xm.
  • the fiber of the crane agent layer on the surface to which the wafer is bonded is a circle having a diameter of 21 cm with respect to the wafer ⁇ (20.32 cm in diameter). It is only necessary that the disinfectant layer be present in the region where the ring frame is to be bonded and the adhesive layer be present in the region where the ring frame is to be bonded.
  • the adhesive layer may be a multi-purpose dog.
  • PET film tape g
  • the adhesive layer is applied to the part corresponding to the part where the ring frame is bonded by means such as continuous punching out of the adhesive layer.
  • a PET film tape (g,) that does not need to be used may be used.
  • a PET film tape provided with an adhesive layer in a pattern obtained by continuously punching an octagonal dog at a portion corresponding to a portion where a ring frame is to be bonded may be used. Comparative Example 1
  • Example 2 instead of the film tape (b) coated with the adhesive described in Example 1, a PET film (5 mm thick, 300 mm in width) similar to that in Example 1 without the adhesive layer was used. Outside, the tape for wafer processing was M in the same manner as in Difficult Example 1.
  • the obtained tape for processing was used in the same manner as in Example 1, and the peelability from the ring frame after use was similarly measured; ⁇ . Had adhered. At this time, the coating agent layer and the ring frame were firmly adhered and could not be peeled off.
  • the peeling force between the agent layer and the Si film was 0.30 NZ25 mm, and the chip of the silicon semi-wafer and the adhesive layer were firmly adhered to each other and could not be subjected to itf.
  • the tape for processing a wafer according to the present invention can be suitably used in a bonding step for fixing a wafer or the like, dicing, and further superimposing the tape on a lead frame or a semiconductor chip when manufacturing a semiconductor device such as a silicon wafer.

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Abstract

　基材フィルム（３）面に接着剤層（１）と粘着剤層（２）を設けたウェハ加工用テープであって、基材フィルム（３）−接着剤層（１）間の剥離力をＡ、被着体（４）−接着剤層（１）間および被着体（５）−粘着剤層（２）間の剥離力をＢとするとき、Ｂ＞Ａである領域と、Ａ＞Ｂである領域とを設け、ピックアップ時に、Ｂ＞Ａである領域では接着剤層（１）がチップ側に移り、テープ剥離時に、Ａ＞Ｂである領域では粘着剤層（２）が被着体（５）に移らないようにしたウェハ加工用テープ。

Description

明 細 書 ゥェ八加工用テープおょぴその M 方法
謹分野
本発明は、 謝フィルムに少なくとも據剤層を設けてなるウェハ加工用テープに関す るものである。
I Cなどの半 ##：装置の敏工程においては、 パターン形成後の半 本ウエノ、等は個々 のチップに切断分離（ダイシング） する工程と、 チップを基盤等にマウントする工程、 さ らに棚 でま扯する工程からなっている。
ダイシング工程は、 半雞ウェハをあらかじめウエノ、加工用テープに貼り付けて固定し た後、 チップ形状に沿ってダイシングを行う。 その後のマウント工程は、 ¾ί妾着剤層と基 材フィルム層が剥離可能に構成され、 粘接着剤付きのチップを基材フィルムから剥離 (ピックアツフ させ、 チップに付着した據固定用の粘接着剤で基盤等に固 る。 上記目的に使用するウェハ加工用テープとしては、 謝フィルム上に粘着剤層と接着剤 層を積層したテープ、 あるい オフィルム上に接着剤層が粘着剤層としての機能も財 る粘鶴剤層を積層したテープ等が使用できる。 粘歸矚としては、 通常の感圧鶴タイ プのものと紫外線、 電子線など放射線により硬化して粘着力が低下する性質を有するテー プがぁり、 レ れもダイシングする際にはゥェ八が剥離したりしない十分な粘着力を必要 とし、 ピックァップの際には容易に剥離できる性質が要求される。
また、 マウント工程においては、 チップ—チップ間およびチップ一基盤間において十分 な接着力が要求され 各種のウェハ加工用テープが驗されている。
上記工程に使用されるウェハ加工用テープは、 »的に接着剤と謝フィルムおよびセ パレー夕により構成されているが、 ピックアップ工程でのピックアップ不良を低減する目 的で婦剤層 （粘據剤層） と粘着剤層 （粘接着剤層の場合には¾#フィルム） の婦カ は極めて小さく僅かな剥離力により容易に剥离 t るように設計するのが通常である。 また、 ダイシング時にはリングフレームにウエノ、加工用テープを固定して使用し、 使用後には ゥェ八加工用テープを接着剤 （粘接着剤） ごと糊残りせずにリングフレームから剥離する 必要が'ある。 しかしながら、 粘着剤層 フィ レム） と ί¾¾剤層 ( mm) は僅か な力により剥離しやすぐ 據剤 （糊繞剤） はリングフレームに糊残りを生じやすい。 そのため、 このような用途に されるゥェ八加工用テープでは、 リングフレームに接 する部分にっレては、 ^ ^i m ^) の麵ゃ翻フィルムの表面処理条件の変更な どの特別な処理及び Z又は特別なテープ構成が必要となり、 技術的に複雑でありコスト アップの要因となっている。
リングフレーム部分の接 «I 剤） を変更するには、 リングフレーム部分とその 他の部分を予め打ち抜き成形した後に位置を決めて正確にテープをラミネートする必要が ある。
—方、 »剤層 （粘接歸帽） と粘着剤層 （¾ フィルム） との剥離力をリングフレー ム部分で変えて糊残りをなく «法も考えられる。 謝フィルム面の表面エネルギーをコ ントロールするためには、 コロナ処理などの高工ネルギー放射線による改質方法やフィル ム面上にプライマー処理を 5t 方法がある。 コロナ処珊^オフイルムの種類にかかわら ず多くのフィルムに汎用的に適用可能であるが処理部分の境界の区別カ坏明瞭である上に コロナ処理だけでは未処理部分と処理部分を明確に区別することが ¾しい。
一方、 プライマー処理では、 謝フィルムの材質に合せて適切なプライマー材料を選択 することになるが、 一般的にポリオレフィン系フィルムでは基材フィルムとプライマー間 の接着力を維持することが難しく、 リングフレームからの剥離時にプライマー層と基材 フィルム間で剥離が生じてリングフレームに糊残りを生じやすレ。
また、 粘着剤層の剥離カをコントロールする場合にも使用する粘着剤を変更する等のェ 程が必要となり、 非常に煩雑な工程となる。
本発明の上記及び他の浦及び利点は、 耐の図面とともに考慮することにより、 下記 の言己載からより明らかになるであろう。 図面の簡単な説明
図 1は、 mn ιのゥヱハ加工用テ一プをゥエノ、への貼り合わせ面から見た平面図であ る
図 2は、 ¾例 1のウェハ加工用テープがウエノ \及びリングフレームに貼り合わされた 状態を示す断面図である。
図 3は、 ¾ 列 3のウェハ加工用テープがウェハ及びリングフレームに貼り合わされた 状態を示す断面図である。
図 4は、 実施例 4のゥェハ加工用テープがゥヱハ及びリングフレームに貼り合わされた 状態を示す断面図である。
図 5は、 リングフレームが貼合される部分相当咅 Pf立を八角幵狱に連镜的に打ち抜いたパ ターンの接着剤層が設けられた P E Tフィルムテープを示す平面図である。 発明の開示 '
本発明によれば、 以下の手段が提供される：
( 1 ) 半導ィ機置を！^するにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半導体チヅプと重ね合わせるための接着工程に使用される、 ¾オフィルムの少な くとも片面に接着剤層と粘着剤層とを設けたウェハ加工用テープであって、 ゥヱハと貼り 合わされる面にぉ 、て粘着剤層が存在しなレ、領域と存在する領域を設け、 ピックアツプ時 に、 粘着剤層の存在しない領域では接着剤層がチヅプ側に移り、 テープ剥離時に、 粘着剤 層の存在する領域では接着剤層が ¾オフィルム側に残るようにしたことを特徴とするゥェ ハ加工用テープ、 (2) 半 ^装置を製造するにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用される、 基材フィルムの少な くとも片面に鶴剤層と粘着剤層とを設けたウェハ加工用テ一プであって、 観フィルム
(また〖灘オフイルム上に設けられた層） 一接着剤層間の剥離力を A、 被着体一歸剤層 間およ 皮着体一粘着剤層間の剥離力を Bとするとき、 B〉Aである領域と、 A>Bであ る領域とを設け、 ピックアツフ诗に、 B>Aである領域では鶴剤層がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 A>Bである領域で〖 占着剤層が被着体に移らないようにしたことを特 徵とするウエノ、加工用テープ、
(3) 嫌己 A〉Bである領域が、 ウェハの貼合される部位 に設けられていることを特 徵とする (2)記載のウエノ、加工用テープ、
(4) 編 BA>Bである領域が着色されていることを特徴とする （2 ) 又は （3 ) 記載の ウェハ加工用テープ、
( 5) 半^:装置を製造するにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半 ：チップと重ね合わせるための接着工程に麵される、 翻フィルムの少な くとも片面に ί繞剤層を設けたウェハ加工用テープであって、 前記歸剤層のウェハの貼 合される部位 に粘着剤層が貴層され、 ピックアツフ。 Β#に、 粘着剤層の雜しない領域 では接着剤層がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 積層された粘着剤層が斟才フィルム側 に残るようにしたことを體とする （1 ) または （2 ) に記載のウェハ加工用テープ、
(6 ) 鎌 織瞻が謝フィルム上に設けられた粘着剤層上に積層され 該據剤層の ウェハの貼合される部位 にさらに別の粘着剤層力 責層され、 ピックアツフ诗に、 接着. 剤層上に積層された粘着剤層の ¾しない領域では接着剤層がチップ側に移り、 テープ剥 離時に、 據剤層上に積層された粘着剤層が謝フィルム健こ残るようにしたことを特徴 とする （5) に記載のウェハ加工用テープ、
(7 ) 半導体装置を製造するにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用される、 基材フィルムの少な くとも片面に粘着剤層と鶴剤層とをこの順に設けたゥェ八加工用テープであって、 ゥェ ノの貼合される部位に l己接着剤層が 層され ピックアツフ诗に、 積層された鶴剤層 がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 粘着剤層が謝フィルム侧こ残るようにしたことを 難とする （1 ) または （2) に記載のウェハ加工用テープ。
さらには、 このようなウエノ、加工用テープを提供する方法とそのウエノ加工用テープの 好ましい例として、
(8)謝フィルム上に 層を設けたテープ（a) を作製する工程、 セパレ一夕とし て使用されるフィルムの所定の領域に粘着剤層を設けたテープ（b) を作製する工程、 お よびテープ（a) の接着剤層側とテープ（b) の粘着剤層側とを直接貼り合わせて一体の ウエノ \加ェ用テープとする工程とを^ rることを とするゥェ八加工用テープの製造方 法、 、
( 9) 薩己テープ（a) が謝フィルム上に粘着剤層と ί纖矚とをこの順に設けたテー プであることを髓とする （8) に記載のゥェ八加工用テープの $Si方法、
( 1 0) ( 9) に記載の方法によって されたウエノ、加工用テーフ。 あって、 前記セパ レー夕を剥離した際に粘着剤層が接着剤層側に されていることを特徴とするゥェ八加 ェ用テープ、
( 1 1 )謝フィルム上に粘 矚を設けたテープ（c ) を作製する工程、 セパレー夕と して使用されるフィルムの所定の領域に接着剤層を設けたテープ （d) を作製する工程、 およびテープ（c ) の粘着剤層側とテープ（d) の接着剤層側とを直接貼り合わせて一体 のウエノヽ加ェ用テープとする工程とを有することを'樹教とするウェハカロェ用テープの^ 方法、
( 1 2) ( 1 1 ) に記載の方法によって作製されたウェハ加工用テープであって、 爾己セ パレー夕を剥離した際に ί¾¾剤層が、粘着剤層側に転着されていることを特徴とするゥェハ 加工用テープ、 および
( 1 3 ) 前記接着剤層が粘着機能も有する粘接着剤層であることを特徴とする （1 ) 、 ( 2 ) 、 ( 3 ) 、 (4) 、 ( 5 ) 、 ( 6 ) 、 ( 7 ) 、 ( 1 0 ) または （1 2 ) に記載の ゥェ八加工用テープ
が挙げられる。
なお、 ここで 瞻または粘接着剤層とは半 ウェハ等が貼合されダイシングされ た後、 チップをピックアップする際に、 粘着剤層と剥離してチップに付着しており、 チッ プを基板ゃリ一ドフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
また、 「粘着剤層」 は、 據剤層よりも被着体との剥離力が小さぐ 一時的な貼着のた めに使用されるものである。 さらに、 「粘接着剤」 は、 通常は一時的な貼着のためにも使 用できる粘着機能を有し、 特に加熱等の刺激によって被着体と強固な據カを有するもの であって、 半永久的な接 «¾1として機能する接着剤のことである。 '
また、 「剥離力」 は、 その接合面を剥 H "るのに要する力であり、 J I S Z 0 2 3 7 に基づき測定できるものである。 発明を実旅するための最良の形態
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明者らは、 前述した «の手法における問題点を解決するために ifct食討した結果、 前述したウェハ加工用テープにおいて、 粘着剤層の有無や被着体一接着剤層 （粘接着剤 層） 一基材フィルムのそれぞれの間での剥離力の大小を考慮することにより、 ダイシング 終了後のテープ剥離工程でリングフレームへの糊転着が防止可能であることを見出し、 テープ構成をネ纖にすることのないウェハ加工用テープを開発するに至った。
本発明のウェハ加工用テープは、 基材フィルムの面に接着剤層 （粘接着剤層） と粘着剤 層とを設けたもので、 通常、 外層にはセパレータカ墻層されている。
セパレ一夕はポリエチレンテレフ夕レー卜 （P ET) 系、 ポリエチレン系、 その他剥離 処理フィルム等周知の任意のセパレー夕を設けることができる。
本発明のウエノ加ェ用テープに用いられる接着剤は、 特に限定されるものではないが、 ダイシングダィポンド用テープに一般的に使用される靖剤であれば良く、 ァクリル系接 着剤、 エポキシ樹脂/フエノール樹脂 Zァクリル樹脂のプレンド系接着剤等が好ましい。 鶴剤層の厚さは翻殳定してよいが、 5〜： L 0 0 /im程度が好ましい。
粘接着剤を使用する場合にも、 特に限定されるものではないが、 ダイシングダィボンド 用テープに ~¾的に使用される糊鎌剤であれば良ぐ アクリル系粘據剤、 エポキシ樹 脂 Zアクリル綳旨のブレンド系¾1歸剤等が好ましい。 粘接着剤は放射線 （特に、 UV) 硬化性であればダイシンク のチッビングが小さく群 Uである。
粘着剤層あるい 接截矚は基材フィルムの両面に設けてもよく、 その厚さは適 殳 定してよレが、 5〜 5 0 m程度が好ましい。
また、 本発明のウェハ加工用テープに用いられる オフイルムとしては、 放射線透過性 を るものであれば任意のものを使用することが きる。 例えばその材料には、 ポリエ チレン、 ポリプロピレン、 エチレン一プロピレン共重合体、 ポリブテン、 エチレン一酢酸 ビニル共重合体、 エチレン一アクリル酸エステル共重合体、 アイオノマ一などの α—ォレ フィンの単独重合体または共重合体、 ポリエチレンテレフタレー卜、 ポリカーボネー卜、 ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、 またはポリウレタン、 スチ レン一エチレンーブテンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラス卜マーが挙げら れる。
また、 ¾)=オフィルムはこれらの群から選ばれる 2種以上の材料が混合されたものでもよ く、 これらが単層又は複層化されたものでもよい。
謝フィルムの厚さは、 特に限定されるものでほなく に設定してょレ ^が、 5 0〜2 0 0 mが好ましい。
本発明のウェハ加工用テープの粘着剤層に使用される有衞匕合物は、 特に限定されるも のではなく、 粘着剤に使用される任意の'塩素ィ匕ポリプロピレン樹脂、 アクリル樹脂、 ポリ エステル樹脂、 ポリウレタン樹脂、 エポキシ樹脂等を使用することができる。
粘着剤層の樹脂には、 アクリル系粘着剤、 放射線重合性化合物、 光重合開始剤、 硬化剤、 等を適宜配合して粘着剤を調製するのが好ましい。 粘着剤層の厚さは特に限定されるもの ではなく ¾ϋに設定してよいが、 5 ~ 3 0 imが好ましい。
放射線重合性化合物は粘»剤層に配合しても粘着剤層に配合してもよく、 またその両 方に配合してもよい。 その放射線重合性化合物は、 例えば光照射によって三^ ¾網状ィ匕し うる好内に憩合性炭素一炭素二難合を少なくとも 2個以上^ Tる低分量化合物が用 いられる。 具体的には、 トリメチロールプロパン卜リアクリレート、 ペン夕エリスリトー ルトリァクリレート、 ペン夕エリスリトールテ卜ラァクリレート、 ジペン夕エリスリトー ルモノヒドロキシペンタァクリレート、 ジペン夕エリスリトールへキサァクリレート、 1 , 4—プチレングリコールジァクリレート、 1 , 6へキサンジオールジァクリレート、 ポリ エチレンダリコールジァクリレートゃ、 オリゴエステルァクリレート等が翻可能である。 また、 上記のようなァクリレート系化合物のほかに、 ウレタンァクリレート系オリゴ マーを用いることもできる。 ウレタンァクリレート系オリゴマーは、 ポリエステル型また はポリエーテル型などのポリオール化合物と、 飾イソシアナート化合物 （例えば、 2 , 4—卜リレンジイソシアナート、 2 , 6 _トリレンジイソシアナ一卜、 1 , 3—キシリレ ンジイソシアナ一ト、 1 , 4—キシリレンジイソシアナート、 ジフエニルメタン 4 , 4一 ジィソシアナ一トなど） を反応させて得られる *¾ィソシアナ一トウレ夕ンプレポリマ一 に、 ヒドロキシル基を有するァクリレートあるいはメタクリレート （例えば、 2—ヒドロ キシェチレアクリレート、 2—ヒドロキシェチリレメタクリレー卜、 2—ヒドロキシプロピ ルァクリレート、 2—ヒドロキシプロピルメタクリレート、 ポリエチレングリコールァク リレート、 ポリエチレングリコールメタクリレートなど） を反応させて得られる。
粘着剤層には、 上記の樹脂から選ばれる 2種以上が混合されたものでもよい。
光重合開始剤を使用する場合、 例えばイソプロピルべンゾインエーテル、 イソプチルべ ンゾインエーテル、 ベンゾフエノン、 ミヒラーズケトン、 クロ口チォキサントン、 ドデシ ルチオキサントン、 ジメチルチオキサントン、 ジ工チルチオキサントン、 ベンジルジメチ ルケタール、 ひ-ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、 2-ヒドロキシメチルフエ二 ルプロパン等を使用することができる。 これら光重合開始剤の配合量はァクリル系共重合 体 1 0 0質量部に対して 0. 0 1〜5質量部が好ましい。
本発明の蘭フィルム面に接着剤層と粘着剤層を設けたウェハ加工用テープの一つの例 では、 ウェハと貼り合わされる面側の全面に粘着剤層が形成されているものではなく、 基 材フィルム面もしく《¾fオフィルム上に設けられたプライマ層上に ig«剤層が設けられ さらに被着体の一つであるウェハの貼合される部位 にのみ粘着剤層が設けられる。 即 ち、 粘翻層が しなレ ^領域と存& "る領域をウェハが貼り合わされる面に設ける。 基 材フィルム ほた《 ^オフイルム上に設けられた層） —す纖』層間の剥離力 Aは、 ウェハ 接着剤層間の剥離力 Bより小さくする。 そして、 粘觀 IJは接着剤に比 占着力が小さく、 ダイシング用リングフレーム一粘着剤層間の剥離力 Bは、 謝フィルム—接着剤層間の剥 離力 Aより小さい。 このように、 このウェハ加工用テープには B〉Aである領域と、 A〉 Bである領域が設けられている。
このウェハ加工用テープを使用すると、 ウェハはテープに強固に固定されウェハのダイ シングは良好にでき、 ピックアップの時には、 基材フィルム一接着剤層間の剥離力 Aは ゥェハ一據剤層間の剥離力 Bより小さレので、 謝フィルム一據剤層の間で剥離が生 じ接着剤層はチップ側に移る。 そして、 続くテープ剥離の時には、 ダイシング用リングフ レーム一粘着剤層間の剥離力 Bは、 ¾fオフイルム一鶴剤層間の剥離力 Aより小さいので、 ダイシング用リングフレーム一粘着剤層の間で剥離が生じ、 據剤層と共に粘着剤層が基 材フィルム側に残り、 粘着剤が被着体の一つであるダイシング用リングフレームに移るこ とはない。
そして、 前記 A〉Bである領域がウェハの貼合される部位以外の部位に設けられるもの で、 リングフレームと位置合わせをされたウェハはフレーム内の中心円内に在るから、 A >Bである領域、 即ち粘着剤層が^ る領域は、 それに相当するテープの中央部の中心 円外の領域である。
また、 ウェハ加工用テープの A>Bである領域、 即ち粘着剤が存在する領域を機械的に 認識しやすくするために、 A〉Bである領域に着色することもできる。 着色用に粘着剤成 分に添加される色素は特に限定されるものではないが、 UV透過性を有するものがより好 ましい。 着色により A〉Bである領域を簡単に識別できるので、 本発明のウェハ加工用 テープは使用の際、 その 位置決めがさらに容易である。
本発明のウエノ、加工用テープの他の一つの例では、 ウェハ加工用テープのウェハと貼り 合わされる面側の全面に ¾¾|繞剤層が形成されているものではなく、 謝フィルム面に粘 着剤層が設けられ、 ウェハの貼合される部位に接着剤層が着層される。
このウエノ、加工用テープを使用すると、 ウェハはテープに強固に固定されウェハのダイ シングは良好にできる。 そして、 粘着剤一接着剤層間の剥離力はウェハ接豁矚間の剥離 力より小さいので、 ピックァップの時に《I占着剤一鶴剤層の間で剥離が生じ據剤層は チップ側に移る。 続くテープ剥離の時には、 ダイシング用リングフレーム—粘着剤層間の 剥離力は、 基材フィルム一粘着剤詹間の剥離力より小さいので、 ダイシング用リングフ レーム一粘 ^層の間で剥離が生じ、 粘着剤がダイシング用リングフレームに移ることは ない。
また、 本発明のウェハ加工用テープの他の一つの例では、 基材フィルム面に粘着剤層 ( 2 ) さらに接着剤層が積層され さらにウェハの貼合される部位以外にのみ粘着剤層 ( 1 ) が設けられる。 即ち、 リングフレームと位置合わせをされたウェハはフレーム内の 中心円内に在るから、 粘着剤層はそれに相当するテープの中央部の中心円内^に設けて、 粘着剤層が しない領域と存¾ ^る領域をウェハが貼り合わされる面に設ける。
また、 ウェハ加工用テープ（¾ί妾着テ一フ。) の粘着剤が貴層された部分とされていない 部分を機械的に認識しやすくするために、 粘着剤層に着色することもできる。 着色用に粘 着成分に添加される色素は特に限定されるものではないが、 U V透過性を ¾ るものがよ り好ましい。 着色により粘着剤層の存在 '不存在の領域を簡単に できるので、 本発明 の粘接着テープは使用の際、 その適用位置決めがさらに容易である。 また、 本発明はウェハ加工用テープの製造方法にも関する。
上記した材料から選んだ帯状の オフイルム上に、 塗布、 吹付け等周知の任意の手段で、 接着剤層を設けたテープ （a) を作製する。 同様に、 セパレー夕として使用される帯状 フィルムに所定の領域に粘着剤層を設けたテープ （b) を作製する。 編3所定の領域は所 望径の円を ¾ϋ間隔で設けた円外の領域が好ましぐ その円は帯状フィルムの幅方向中央 に中心を持ち、 等間隔のものが好ましい。 こうして作製したテープ（a) の接着剤層側と テープ（b) の粘着剤層側とを直接貼り合わせて一体のウェハ加工用テープを作製する。 廳 3セパレータを剥離した際には、 粘着剤層が 矚側に転着されているものである。 さらに他の $¾t方法は、 上記した M 方法と同様に帯状の謝フィルム上に粘着剤層を 設けたテープ（c) を作製する。 そして同様に、 セパレー夕として使用される帯状フィル ムに の領域に接着剤層を設けたテープ（d) を作製する。 前記所定の領域は所望径の 円を適宜間隔で設けた円内の領域が好ましく、 その円は帯状フィルムの幅方向中央に中心 を持ち、 等間隔のものが好ましい。 こうして作製したテープ（c) の粘着剤層側とテープ ( d ) の鶴剤層側とを直接貼り合わせて ~{本のウェハ加工用テープを作製する。
前記セパレー夕を剥離した際には、 接着剤層が粘着剤層側に!^されているものである。 以上の説明では、 基材フィルムの片面に接着剤層と粘着剤層を設けたウェハ加工用テー プについて述べたが、 本発明は、 観フィルムの両面に同様の接着剤層と粘着剤層を設け た両面ウェハ加工用テープとすることもできる。
本発明のウェハ加工用テープは、 ダイシング時には接着剤層とウェハが、 そしてリング フレームと粘着剤層が剥離しなレゝ十分な粘着力を有し、 ピックアップの際には必要であれ ば放射線硬化により粘接豁矚とチッフ ¾面が密着し、 勘才フィルムから容易に剥離でき、 テープ剥離の際にはリングフレームから糊残りなくテープの剥離が T能である。 また、 接 着剤に粘接着剤を使用した場合には、 ダイシング後のピックァップの際に必要であれば放 射線硬化により粘 剤層とチッフ ¾面を密着させてピックアップしても良い。
本発明のゥェ八加工用テープは、 ダイシングの際にはウェハが剥離したりしない十分な 接着力をもち、 ダイシングテープとして使用でき、 基板等へのマウントの際には接着剤と して使用でき、 テープを剥離しても基材フィルムが容易に剥離できてリングフレームへの
$ りが生じないので、 ダイシングダィポンド用として謹なウエノ \加工用テープである。 そして、 その簡便な^ tによりその $ ^が容易で安価に提供することができ、 ブロッキン グを生ずることもない。
また、 粘着剤層が着色されている場合は、 ウェハ加工用テープの適用の際に位置決めが さらに容易になる。 実施例
以下、 本発明を^例に基づきさらに詳細に説明するが、 本発明はこれらに限定される ものではない。
なお、 以下の実施例にぉレ τ剥離力の値はそれぞれ J I S Z 0 2 3 7に基づき測定さ れた値である。 また、 部とは質量部を意味する。 難例 1
溶媒のトルエン 4 0 0 g中に、 n—プチルァクリレー卜 1 2 8 g、 2一ェチルへキシル ァクリレー卜 3 0 7 g、 メチ Jレメタァクリレート 6 7 g、 メタクリル酸 1. 5 g、 重合開 始剤としてベンゾィルペル才キシドの混合液を、 » 滴下速度を調整して加え、 反応温 度および反応時間を調整して反応させ、 所定の官能基をもつポリマー化合物 (1)の溶液を 得た。
次にこの溶液に、 放射線硬化性炭素一炭素二重結合および官能基を "る化合物 ( 2) として、 別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した 2—ヒドロキシェチルメタ クリレート 2. 5 gと、 重合禁止剤として八イドロキノンとを滴下して加え、 反応させて、 放射線硬化性炭素—炭素二重結合を^ "る化合物 (A) の溶液を得た。 続いて、 前記化合 物 （A) 鹿夜中の化合物 (A) 1 0 0質量部に対して、 ポリイソシァネート （B) として 日本ポリウレタン社製：コロネート L (商品名） を 1質量音 |¾Qえ、 光重合開始剤として日 本チバガイギ一社製：ィルガキュア一 1 8 4 (商品名） を 0. 5質量部、 溶媒として酢酸 ェチル 1 5 0質量部を該化合物 （A) 溶液に加えて混合して、 放射線硬化性の粘着剤 ( 1 ) を調製した。
厚さ 5 0 m、 幅 3 0 0 mmの P E T系セパレータフィルムの中央で、 図 1に示すよう に直径 2 1 0mmの中心円を除く残りの部分に、 上記粘着剤をグラビアコ一夕一で塗工し、 熱画喿炉で乾燥し、 乾燥後の厚さ 1 0 mの粘着剤層 2を^ Tる P E Tフィルムテープ (b) を得た。 実際の ®g工程ではこのようなパターンが 铳的に繰り返されたものを製 造する。 なお、 各図において同符号の部材は同一のものを表わす。
次に、 下記の成分を混合して得た ¾ί妾着剤 （1 ) を、 厚さ 1 0 0 mの表 ¾質を行つ ていな ポリオレフイン系 才フィルム 3に塗布し、 加熱乾燥して、 厚さ 2 の粘接 着剤層 1を形成してテープ (a) を得た。
ァクリル酸メチルとメ夕クリル酸ダリシジルとの共重合体 （固形 有率
3 5質量％) · … 1 0 0質量部 （固形分質 *) 、 ビスフエノール系グリシジル型エポキシ棚旨 （数平均^ *= 5 0 0 )
•… 6 0 0質量部、
«合性エポキシァクリレート系オリゴマー （二重結合を 2個有する化合物）
• … 1 0 0質量部、
合開始剤 （ 2 , 2—ジメトキシ一 2—フェニルァセトフエノン）
' 5質量部
この粘據剤層テープ（a) と P E Tフィルムテープ （b) を貼り合わせて図 1に示す ウエノ加ェ用テープを SSiした。
このような粘着剤層と粘接着剤層を異なる- ®f才上に形成することにより、 特定の領域に のみ形成される粘着剤の塗布が容易になり、 粘接着剤層、 粘着剤層の乾燥を別々におこな うことができるので品質の保持が容易となる。 このウェハ加工用テープを用いて、 図 2に示すように、 8インチ （2 0 . 3 '2 c m) 径 シリコン半導体ウェハ 4 (被着体の一方） をステンレス製のダイシング用リングフレーム 5 (被着体の他方） にマウントした。 その際、 セパレータフイルムは剥離され 粘接着剤 層 1部分がシリコン半導体ゥェ八 4に貼り合わされ 粘着剤層 2が形成された部分にダイ シング用リングフレーム 5が貼り合わされている。
次いで 8 0 W/ c mの高 銀灯を用いて、 4 0 mW/ c m Δで紫外線を 1 2秒間謝 フィルム 3側より照射した後、 5 mm角にチップをダイシングした後ピックアツプダイポ ンダ一によりチップをピックアップ後、 使用済みのウエノ、加工用テープをリングフレーム 5より引き剥がした。 目視により したところリングフレーム 5に糊残りの無いことが 確認できた。
粘觀矚 2はリングフレーム 5にウェハ加工用テープを固 るのに必要な粘着力を有 しているが、 妾着剤層 1よりも粘着 I生が弱く、 鋭鐘剤層 1と謝フィルム 3との剥離 力 （0 . 3 0 NZ 2 5 mm) よりも小さな剥離力 （0 . I S NZ S S mm) でリングフ レーム 5から剥离 ること力 きた。 また、 シリコン半 (本ウェハ 4のチップと ¾f妾着剤 層 1は強固に接着しており剥离 ることができなかつた。 このウェハ加工用テープはゥェ 八の貼合される部位以外即ちリングフレームの貼合される部位に粘着剤層を設けたウェハ 加工用テープであり、 謝フィルム—粘接着剤層間の剥離力を A、 被着体-粘接着剤層間 ぉょ«着体—粘 層間の剥離力を Bとするとき、 ウェハ貼合部では B〉Aとなり、 リ ングフレーム貼^ ¾では A>Bとなり、 ピックアツフ诗に、 粘接着剤層がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 リングフレームに糊残りの無いようにすることができた。 実施例 2
実施例 1と同様の材料および 方法によってウェハ加工用テープを得たが、 実施例 1 と異なる点 ttf占着剤層が、 実施例 1の粘着剤成分に、 着色剤 〔日本化薬製、 商品名：カャ セット ブルー N〕 を 0. 5質量部加えた材料によって調製されたことである。 このウェハ加工用テープを用レて実施例 1と同様の方法で 8インチ （20. 32 cm) 径シリコンウェハをステンレス製のリングフレームにマウントしたが、 ウェハ加工用テー プにおいて粘截幌を ¾ る部分に 色がされており、 貼り合わせ工程を容易に確実に 行うことが きた。 その後、 シリコンウェハをダイシングおよびチップをピックアップ後、 使用済みのウェハ加工用テープをリングフレームより引き剥がした。 目視により検査した ところリングフレームに！！ ¾りの無いことが ¾認できた。 このとき、 粘着剤層とリングフ レームとの剥離力は 0. 12Ν 25mmであり、 粘 剤層と Siオフイルムとの剥離力 は 0. 30NZ25mmであり、 シリコン半導体ウェハのチップと粘接 ¾¾1層は強固に接 着しており剥 ilfることができなかった。 実施例 3
実施例 1と同様の謝フィルム、 粘着剤、 粘接着剤およびセパレ一夕フィルムを用いる ものであるが、 実施例 1においてはウエノ、加工用テープの構成が、 フィルム、 m 剤層、 粘識儷、 セパレー夕フィルムの順に構成されていたのに対し、 本難例では、 基 材フィルム、 粘着剤層、 粘接着剤層、 セパレータフイルムの順に構成されているものであ る。
実施例 1の粘着剤成分と同様の成分を混合して得た組成物を、 コロナ処理を施した厚さ 100 mのポリオレフィン系勘オフイルムに塗布し、 カロ熱乾燥して、 厚さ 5 mの粘着 剤層を形成して粘着剤層テープ （c) を得た。
次に、 難例 1の粘接着剤成分と同様の成分を混合して得た組成物を、 厚さ 50 πι, 幅 300mmの PET系セパレ一タフイルムの中央部に、 直径 210mmの円状に、 上記 粘接着剤をグラビアコ一夕一で塗工し、 熱赚乞燥炉で乾燥し、 乾燥後の厚さ 10 mの粘 接着剤層を^ Tる PETフィルムテープ （d) を得た。
この粘 矚テープ（c) と PETフィルムテープ （d) を貼り合わせてウエノ、加工用 テープを製造した。 このウェハ加工用テープを用いて実施例 1と同様の方法で、 図 3に示すように 8インチ ( 2 0. 3 2 c m) 径シリコン半導体ウェハ 4をステンレス製のダイシング用リングフ レーム 5にマウントした。 実施例 1と崗様にダイシングおよびチップをピックアップ後、 使用済みのウェハ加工用テープをリングフレームより引き剥がした。 目視により検査した ところリングフレームに糊残りの無いことが鐘忍できた。 このとき、 粘着剤層 2とリング フレーム 5との剥離力は 0 · 1 2 NZ 2 5 mmであり、 粘接着剤層 1と粘着剤層 2との剥 離力は 0 · 2 1 N/2 5 mmであり、 シリコン半導体ゥェハ 4のチップと粘接着剤層 1は 強固に接着しており剥離することができなかつた。 例 4
実施例 1と同様に、 厚さ 5 0 urn, 幅 3 0 0mmの P ET系セパレー夕フィルムの中央 で、 図 1に示すように直径 2 1 0mmの中心円を除く残りの部分に、 粘着剤 ( 1 ) をダラ ビアコーターで塗工し、 熱藏燥炉 乞燥し、 乾燥後の厚さ 1 0 mの粘着剤層 6を る P ETフィルムテープ（b) を得た。 実際の製 程ではこのようなパターンが連続的 に繰り返されたものを製造する。
次に、 下記の成分を混合して得た糸滅物を、 厚さ 1 0 0 mの表面改質を行ったポリオ レフィン系謝フィルム 3に塗布し、 カロ熱乾燥して、 厚さ 1 0 mの粘着剤層 7を形成し てテープ（e) を得た。
放射 合す生官會 g基を るァクリル酸エステル共重合体 （固形^^有率
3 5質量％) · · · · 1 0 0質量部 （固形分質 *) 、
¾a合性エポキシァクリレート系オリゴマー （二重結合を 2個有する化合物）
• · · · 1 0 0質量部、
«合開始剤 ( 2 , 2—ジメトキシー 2—フエニルァセトフエノン）
5質里口
次に、 実施例 1で用いた粘接着剤 ( 1 ) をテープ（e ) に塗布し、 カロ熱乾燥して、 厚さ 25 xmの 接着剤層 1を形成してテープ（f) を得た。 このテープ（f) と PETフィ ルムテープ（b) を貼り合わせてゥェ八加工用テープを製造した。 このウェハ加工用テー プを用いて、 図 4に示すように、 8インチ （20. 32 cm) 径シリコン半導体ウェハ 4 をステンレス製のダイシング用リングフレーム 5にマウントした。 このとき、 粘着剤層 6 とリングフレーム 5との剥離力は 0. 12N/25 mmであり、 粘接着剤層 1と粘着剤層 7との剥離力は 0. 14N/25 mmであり、 シリコン半導体ウェハ 4のチップと粘接着 剤層 1は強匪こ接着しており剥离 ること力あきなかった。
このような粘着剤層と！ ^剤層を異なる ®f才上に形成することにより、 特定の領域に のみ形成される粘 ¾ ^の塗布が容易になり、 粘接着剤層、 粘着剤層の乾燥を別々におこな うことができるので品質の が容易となる。 実施例 5
実施例 1の粘着剤成分と同様の成分を混合して得た組成物を、 コロナ処理を施した厚さ 100 mのポリオレフィン系 オフイルム 3に塗布し、 カロ熱乾燥して、 厚さ 5 mの粘 着剤層 2を形成して粘着剤層テープ（ c ) を得た。
次に下記のようにセパレー夕フィルム上に接着剤層 1を作製した。
エポキシ樹脂としてクレゾールノポラック型エポキシ樹脂 （エポキシ当量 197、 m- 量 1200、 軟化点 70°C) 50質量部、 シランカップリング剤として τ—メルカプトプ 口ピル卜リメトキシシラン 1. 5質量部、 τ一ウレイドプロピルトリエトキシシラン 3質 平均粒径 16 nmのシリカフィラー 30質量部からなる組成物に、 シク口へキサノ ンを加えて攪拌混合し、 更にビーズミルを用いて 90分間混練した。
これにアクリル綳旨 （質量平均^ ¾： 80万、 ガラス転移温度一 17°C) 100質量 部、 6官能ァクリレートモノマーとしてジペン夕エリスリトールへキサァクリレート 5部、 硬化剤としてへキサメチレンジイソシァネートのァダクト体 0. 5部、 キュアゾール 2 P Z (四国化成 （株） 製商品名、 2—フエ二ルイミダゾール） 2. 5部を加え、 攪拌混合し、 真空脱気し、 據剤を得た。
該接着剤を厚さ 25 mの離型処理したポリエチレンテレフタレ一ト （PET) フィル ム 3上に塗布し、 110°Cで 1分間加熱乾燥して、 が 40 iimの Bステージ状態の塗 膜を、 直径 2 ί 0mmの円状に形成し、 接着剤層 1を有する PETフィルムテープ（g) を得た。
この粘歸 ij層テープ （c) と PETフィルムテープ（g) を貼り合わせてウェハ加工用 テープを M した。
このウェハ加工用テープを用レ VT実施例 1と同様の方法で、 図 3に示すように 8インチ (20. 32 cm) 径シリコン半導体ウェハ 4をステンレス製のダイシング用リングフ レーム 5にマウントした。 ¾g例 1と同様に夕イシングおよびチップをピックアップ後、 使用済みのゥェ八加工用テープをリングフレームより引き剥がした。 目視により検査した ところリングフレームに滅りの無い,ことが 認できた。 このとき、 粘着剤層 2とリング フレーム 5との录 ij離力ま 0. 12N/25 mmであり、 接着剤層 1と粘着剤層 2との剥離 力は 0. 13N/25 mmであり、 シリコン半導体ウェハ 4のチップと接着剤層 1は強固 に接着しており剥離することができなかつた。
なお、 本実施例は実施例 3の構成において米 繞剤に代えて、 接着剤を麵するもので ある。
ここで、 接着剤層を形 る據剤は、 特に限定されるものではないが、 ダイシングダ ィポンドテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、 ァクリル系接着剤、 エポキシ樹脂 Ζフエノール樹脂 Ζァクリル樹脂のプレンド系接着剤等が好ましい。 その厚 さは ¾ICI殳定してよいが、 5-100 xm程度が好ましい。
また、 本実施例では、 ウェハが貼合される面の鶴剤層の繊をウェハ舰 （直径 20. 32 cm) に対して、 直径 21 cmの円形としたが、 ゥェ八が貼合される部位に嫌剤層 が存在し、 リングフレームが貼合される部位に粘着剤層力存在していれば良ぐ 例えば、 接着剤層が多角劇犬でも良い。 また、 接着剤層を有する PETフィルムテープ（g) を作 製する際に、 P E Tフィルムテープに一様に接着剤層を設けた後、 g¾剤層を連続的に打 ち抜く等の手段によって、 リングフレームが貼合される部分相当部位に接着剤層が し ない P E Tフィルムテ一プ（g， ） を M し使用しても良い。 例えば、 図 5に示すように リングフレームが貼合される部分相当部位を八角开犬に連続的に打ち抜いたパターンの接 着剤層が設けられた P E Tフィルムテープを使用しても良い。 比較例 1
実施例 1に記載した粘着剤を塗布した ΡΈΤフィルムテープ（b) の替わりに、 粘着剤 層のない実施例 1と同様の P E Tフィルム （5 Ο ΠΊ厚、 幅 3 0 0mm) を用い、 それ以 外は難例 1と同様にしてウェハ加工用テープを M した。
得られたゥェ八加工用テープを実施例 1と同様に使用して、 使用後リングフレームから の剥離性を同様に; ^したところ、 基材フィルムから ¾ ^剤が剥離してリングフレーム へ付着していた。 このとき、 ¾ ^剤層とリングフレームとは強固に接着しており剥 ることが、できなかった。 剤層と Si才フィルムとの剥離力は 0. 3 0 NZ2 5mmで あり、 シリコン半 ウェハのチップと粘接着剤層とは強固に接着しており录 i tfること ができなかった。
»_b^麵能 I、生
本発明のウェハ加工用テープは、 シリコンウェハ等の半導体装置を製造するにあたり ウェハ等を固定し、 ダイシングし、 さらにリードフレームや半導体チップと重ね合わせる ための接着工程に好適に使用することができる。 本発明をその実施態様とともに説明したが、 我々は特に指定しない限り我々の発明を説 明のどの細部においても限定しょうとするものではなく、 添付の請求の範囲に示した発明 の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 半 装置を^ iするにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半 チップと重ね合わせるための接着工程に使用される、 勘才フィルムの少な くとも片面に接着剤層と粘着剤層とを設けたウェハ加工用テープであって、 ウェハと貼り 合わされる面において粘着剤層が存在しなレゝ領域と存 する領域を設け、 ピックアップ特 に、 粘 層の存在しな ( 領域では據剤層がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 粘着剤 層の存在する領域では ί^(ί層が ¾ フィルム側に残るようにしたことを特徴とするゥェ ハ加工用テープ。
2. 半 »#：装置を S するにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半導体チップと重ね合わせるための據工程に^ Bされる、 謝フィルムの少な くとも片面に據剤層と粘着剤層とを設けたウェハ加工用テープであって、 謝フィルム
(また フィルム上に設けられた層） 一婦剤層間の剥離力を A、 被着体—據剤層 間およ D¾皮着体—粘着剤層間の剥離力を Bとするとき、 B>Aである領域と、 A>Bであ る領域とを設け、 ピックアツフ诗に、 B〉Aである領域では接着剤層がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 A〉Bである領域で 層が被着体に移らないようにしたことを特 徵とするゥヱノ、加工用テープ。
3. 前記 A〉Bである領域が、 ウェハの貼合される部位！^に設けられていることを特 徵とする請求項 2記載のウェハ加工用テープ。
4. 前記 A〉Bである領域が着色されていることを特徴とする請求項 2又は 3記載の ウェハ加工用テープ。
5. 半導体装置を製造するにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程に使用される、 基材フィルムの少な くとも片面に鶴剤層を設けたウェハ加工用テープであって、 前記據剤層のウェハの貼 合される部位 に粘着剤層が 層され、 ピックアツフ诗に、 粘着剤層の被しなレ領域 では鶴剤層がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 積層された粘着剤層が編フィルム側 に残るようにしたことを特徴とする請求項 1または 2に記載のウェハ加工用テープ。
6. 編己 ί錄剤層が豁ォフィルム上に設けられた粘着剤層上に積層され 該接着剤層の ウェハの貼合される 立 にさらに別の粘着剤層が 層され、 ピックアツフ诗に、 接着 剤層上に積層された粘着剤層の しなレ領域では據剤層がチップ側に移り、 テープ剥 離時に、 剤層上に積層された粘着剤層が S#フィルム側に残るようにしたことを樹敫 とする請求項 5に記載のゥヱハ加工用テープ。
7. 半導体装置を letするにあたり、 ウェハを固定し、 ダイシングし、 さらにリードフ レームや半導体チップと重ね合わせるための據ェ程に使用される、 謝フィルムの少な くとも片面に粘着剤層と鶴剤層とをこの順に設けたウェハ加工用テープであって、 ゥェ 八の貼合される部位に前記 ί纖矚カ壩層され ピックアツフ特に、 積層された據剤層 がチップ側に移り、 テープ剥離時に、 粘着剤層が謝フィルム側に残るようにしたことを 特徴とする請求項 1または 2に記載のゥェ八加工用テープ。
8. 基材フィルム上に接着剤層を設けたテープ ) を作製する工程、 セパレー夕とし て使用されるフィルムの所定の領域に粘着剤層を設けたテープ （b) を作製する工程、 お よびテープ（a) の接着剤層側とテープ （b) の粘着剤層側とを直接貼り合わせて一体の ゥェハ加工用テープとする工程とを "ることを特徴とするゥェハ加工用テープの製造方 法。
9. 前記テープ ( a) が謝フィルム上に粘着剤層と接着剤層とをこの順に設けたテー プであることを; ^とする請求項 8に記載のウェハ加工用テープの製造方法。
1 0. 請求項 9に記載の方法によって作製されたゥェ八加工用テープであって、 編己セパ レー夕を剥離した際に粘着剤層が婦剤層側に緩されていることを額敷とするウェハ加 ェ用テープ。
1 1 - 基材フィルム上に粘着剤層を設けたテープ（c ) を作製する工程、 セパレー夕とし て使用されるフィルムの所定の領域に接着剤層を設けたテープ（d) を作製する工程、 お よびテープ（c ) の粘着剤層側とテープ（d) の接豁瞻側とを直接貼り合わせて一体の ゥエノ、加工用テープとする工程とを "ることを難とするゥエノ、加工用テープの製造方 法。 1 2. 請求項 1 1に記載の方法によって作製されたウェハ加工用テープであって、 前記セ パレ一夕を剥離した際に接着剤層が占着剤層側に «されていることを特徴とするウェハ 加工用テープ。
1 3. 前記接着剤層が粘着機能も有する粘接着剤層であることを樹敷とする請求項 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 1 0または 1 2に記載のウェハ加工用テープ。
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