TWI519620B

TWI519620B - A wafer for processing a wafer, and a method for manufacturing a semiconductor device using a wafer processing wafer

Info

Publication number: TWI519620B
Application number: TW099107146A
Authority: TW
Inventors: Kazuki Tatebe
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2010-03-11
Filing date: 2010-03-11
Publication date: 2016-02-01
Also published as: TW201130943A

Description

晶圓加工用薄膜及使用晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法

本發明是有關晶圓加工用薄膜，特別是有關包含具有切割膠帶(Dicing Tape)及黏晶(die bonding)薄膜的2個機能的切割‧黏晶薄膜之晶圓加工用薄膜。又，有關使用前述晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。

近來，一併具有切割膠帶的機能及黏晶薄膜(附晶薄膜(Die Attach film))的機能的2個機能之切割‧黏晶薄膜被開發著。該切割膠帶的機能是在將半導體晶圓切斷分離(切割)成各個的半導體晶片時用以固定半導體晶圓者，該黏晶薄膜的機能是用以將所被切斷的半導體晶片接著於引線架或封裝基板等、或在堆疊封裝中是用以層疊、接著半導體晶片彼此間者。

作為如此的切割‧黏晶薄膜，是考量往半導體晶圓的貼附或切割時往環框的安裝等的作業性來實施預先切割加工者。

圖4及圖5是表示所被預先切割加工的切割‧黏晶薄膜的例子。圖4、圖5(A)、圖5(B)是分別為具備切割‧黏晶薄膜35的晶圓加工用薄膜30的概要圖、平面圖、剖面圖。晶圓加工用薄膜30是由脫模薄膜31、接著劑層32及黏著薄膜33所構成。接著劑層32是具有被加工成對應於半導體晶圓的形狀之形狀(例如圓形)的圓形貼紙(label)形狀。黏著薄膜33是被除去對應於切割用的環框形狀的圓形部分的周邊區域者，如圖示般，具有圓形貼紙部33a、及包圍圓形貼紙部33a的外側那樣的周邊部33b。接著劑層32與黏著薄膜33的圓形貼紙部33a是使其中心一致來層疊，且黏著薄膜33的圓形貼紙部33a是覆蓋接著劑層32，且以其周圍來接觸於脫模薄膜31。然後，藉由由接著劑層32及黏著薄膜33的圓形貼紙部33a所形成的層疊構造來構成切割‧黏晶薄膜35。

在切割半導體晶圓時，從層疊狀態的接著劑層32及黏著薄膜33來剝離脫模薄膜31，如圖6所示，在接著劑層32上貼附半導體晶圓W的背面，在黏著薄膜33的圓形貼紙部33a的外周部黏著固定切割用環框R。在此狀態下切割半導體晶圓W來形成單片化的半導體晶片，然後對黏著薄膜33(33a)實施紫外線照射等的硬化處理來拾取(pickup)半導體晶片。此時，黏著薄膜33(33a)藉由硬化處理而黏著力降低，因此容易從接著劑層32剝離，半導體晶片是在背面附著接著劑層32的狀態下被拾取。附著於半導體晶片的背面之接著劑層32是之後在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他的半導體晶片時，具有作為黏晶薄膜的機能。

可是，上述那樣的晶圓加工用薄膜30，如圖4及圖5所示般，接著劑層32與黏著薄膜33的圓形貼紙部33a所層疊的部分比其他的部分更厚。並且，圓形貼紙部33a與周邊部33b之間的露出的脫模薄膜31部分是黏著薄膜33被除去的部分，在與黏著薄膜33(33a、33b)部分之間形成黏著薄膜33的厚度量的階差。並且，晶圓加工用薄膜30是在使用捲芯50(參照圖7)來捲成滾筒狀的狀態下，作為製品來流通於市場。另外，圖7是表示在旋轉中心形成有圓筒狀的空洞部53之捲芯50的一例。因此，如圖8所示，在將晶圓加工用薄膜30捲成滾筒狀時，在接著劑層32與黏著薄膜33的圓形貼紙部33a的層疊部分，藉由黏著薄膜33與脫模薄膜31所形成的上述階差會互相重疊，產生階差被轉印於柔軟的接著劑層32表面之現象，亦即產生圖9所示那樣的轉印痕(亦稱為貼紙痕跡、皺紋、或捲痕)。如此轉印痕的產生是在接著劑層32為以柔軟的樹脂所形成時或具有厚度時、及晶圓加工用薄膜30的捲數多時等特別顯著。然後，一旦發生轉印痕，則在接著劑層32上貼附半導體晶圓W的背面時會一邊在接著劑層32與半導體晶圓W之間捲入空氣一邊貼附，因此接著劑層32與半導體晶圓W之間不會密合，其結果，恐有引起接著不良，在半導體晶圓的加工時產生狀態不佳之虞。

為了抑制上述轉印痕的發生，雖可考量減弱晶圓加工用薄膜的捲壓，但此方法恐有產生製品的捆捲偏移，例如往貼帶機(tape mounter)的安裝困難等，晶圓加工用薄膜的實際使用時帶來障礙之虞。

並且，在專利文獻1揭示有為了抑制上述那樣貼紙痕跡的發生，而在剝離基材上的接著劑層及黏著薄膜的外方設置具有與接著劑層及黏著薄膜的合計膜厚同等或以上的膜厚的支撐層之接著薄片。專利文獻1的接著薄片是藉由具備支撐層來分散施加於接著薄片的捲起壓力或集中於支撐層，抑制轉印痕的發生。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2007-2173號公報

然而，上述專利文獻1的接著薄片是在剝離基材上之製造半導體裝置時等所必要的接著劑層及黏著薄膜以外的部分形成支撐層，所以支撐層的寬度受限，相對於接著劑層及黏著薄膜的外徑，支撐層的寬度窄，會有貼紙痕跡的抑制效果不夠充分的問題發生。又，由於支撐層一般是不具黏著性，未與剝離基材(PET薄膜)充分地貼附，因此在支撐層的最窄部分從剝離基材浮起，使切割‧黏晶薄膜貼合於半導體晶圓時，上述浮起的部分會刮到裝置，發生半導體晶圓損傷的問題。

另外，雖也可考量擴大支撐層的寬度，但晶圓加工用薄膜全體的寬度也會變廣，所以難以使用原有的設備。又，由於支撐層最終是被廢棄的部分，因此擴大支撐層的寬度會帶來材料成本的上昇。

於是，本發明的目的是在於提供一種在將包含具有接著劑層及黏著薄膜的切割‧黏晶薄膜之晶圓加工用薄膜捲成滾筒狀時，可充分抑制轉印痕發生於接著劑層的晶圓加工用薄膜。並且，提供一種使用如此的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。

為了達成以上那樣的目的，本發明之第1態樣的晶圓加工用薄膜的特徵係具有：黏著薄膜，其係由基材薄膜、及設於前述基材薄膜上的黏著劑層所構成；及接著劑層，其係設於前述黏著劑層上，前述黏著劑層係至少在對應於環框的部分，含放射線聚合性化合物及一光引發劑，在含前述一光引發劑之處以外的部分，含放射線聚合性化合物及其他的光引發劑，前述一光引發劑會反應的光的波長係與前述其他的光引發劑會反應的光的波長不同。

若根據上述發明的晶圓加工用薄膜，則因為黏著劑層是包含在至少對應於環框的部分及以外的部分反應成不同的波長之光引發劑，所以藉由將一光引發劑會反應的波長的光照射於黏著劑層，可使至少對應於環框的部分硬化來使黏著力降低，剝離對應於硬化的部分之接著劑層。而且，藉由將其他的光引發劑會反應的波長的光照射於黏著劑層，可將半導體晶圓及接著劑層從黏著劑層剝離而拾取。

因此，在以往的晶圓加工用薄膜，必須將接著劑層及覆蓋該接著劑層的黏著劑層預先切割成對應於環框的形狀，但因為可在至少對應於環框的部分及以外的部分階段性地剝離接著劑層，所以不必預先切割。其結果，在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時，可防止在接著劑層發生轉印痕。

又，本發明之第2態樣的晶圓加工用薄膜的特徵係具有：黏著薄膜，其係由基材薄膜、及設於前述基材薄膜上的黏著劑層所構成；及接著劑層，其係設於前述黏著劑層上，前述黏著劑層係至少在對應於環框的部分，含放射線聚合性化合物及熱聚合性化合物的一方，在含前述放射線聚合性化合物及熱聚合性化合物的一方之處以外的部分，含前述放射線聚合性化合物及熱聚合性化合物的另一方。

若根據上述發明，則當黏著劑層之至少對應於環框的部分含放射線聚合性化合物時，藉由將放射線照射於黏著劑層，可使前述至少對應於環框的部分硬化來使黏著力降低，剝離對應於硬化的部分之接著劑層。又，由於前述至少對應於環框的部分以外的部分含熱聚合性化合物，所以藉由使熱聚合來使硬化，可將半導體晶圓及接著劑層從黏著劑層剝離而拾取。

另一方面，當黏著劑層之至少對應於環框的部分含熱聚合性化合物時，可使熱聚合來使硬化而令黏著力降低，剝離對應於硬化的部分之接著劑層。又，由於前述至少對應於環框的部分以外的部分含放射線聚合性化合物，所以將放射線照射於黏著劑層，使前述至少對應於環框的部分以外的部分硬化，可將半導體晶圓及接著劑層從黏著劑層剝離而拾取。

又，本發明之第3態樣的晶圓加工用薄膜，係於上述本發明之第1或2態樣的晶圓加工用薄膜中，接著劑層係未被預先切割成對應於半導體晶圓的形狀，黏著劑層係未被預先切割成對應於環框的形狀。

若根據上述發明，則因為接著薄膜及黏著劑層未被預先切割，所以在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時，在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在，因此可防止在接著劑層發生轉印痕。

又，本發明之第4態樣的晶圓加工用薄膜，係於上述本發明的第1～3的其中任一態樣的晶圓加工用薄膜中，接著劑層係至少在比對應於半導體晶圓的位置更外側，比對應於環框的位置更內側，設有切口。

若根據上述發明的晶圓加工用薄膜，則藉由使至少對應於環框的部分的黏著劑層硬化，可使黏著力降低，以切口作為基點，使接著劑層從黏著劑層的硬化部分剝離。

又，本發明之第1態樣的製造半導體裝置的方法，係使用上述本發明之第1～4的其中任一態樣的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法，其特徵係包含：黏著劑層對應於晶圓的部分以外，至少使對應於環框的部分硬化，從使硬化的黏著劑層的部分來剝離接著劑層之工程；在接著劑層貼合晶圓之工程；在黏著劑層固定環框之工程；切割晶圓，形成被單片化的晶片及接著劑層之工程；及使黏著劑層對應於晶圓的部分硬化，拾取被單片化的晶片及接著劑層之工程。

若根據上述發明之製造半導體裝置的方法，則可使黏著劑層對應於半導體晶圓的部分以外，至少對應於環框的部分、及黏著劑層對應於半導體晶圓的部分階段性地硬化，而令黏著劑層的黏著力降低，在接著劑層與黏著劑層之間改變可剝離的位置。因此，可不用大規模變更原有的設備來變更設計所望的半導體裝置。

另外，上述發明之製造半導體裝置的方法是有關製造半導體裝置之前的晶圓加工用薄膜，因為接著劑層與黏著劑層不必預先切割，所以在當作製品捲成滾筒狀時，在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在，因此可防止在接著劑層發生轉印痕。

若根據本發明的第1態樣的晶圓加工用薄膜，則因為黏著劑層是包含在至少對應於環框的部分及以外的部分反應成不同的波長之光引發劑，所以藉由將一光引發劑會反應的波長的光照射於黏著劑層，可使至少對應於環框的部分硬化來使黏著力降低，剝離對應於硬化的部分之接著劑層。而且，藉由將其他的光引發劑會反應的波長的光照射於黏著劑層，可將半導體晶圓及接著劑層從黏著劑層剝離而拾取。

所以，可防止因空氣被捲入接著劑層與半導體晶圓之間而造成接著劑層與半導體晶圓之間的密合性降低的同時，可在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他半導體晶片時，防止接著不良、或晶圓的加工時的狀態不佳。

若根據本發明的第2態樣的晶圓加工用薄膜，則當黏著劑層之至少對應於環框的部分含放射線聚合性化合物時，藉由將放射線照射於黏著劑層，可使前述至少對應於環框的部分硬化來使黏著力降低，剝離對應於硬化的部分之接著劑層。又，由於前述至少對應於環框的部分以外的部分含熱聚合性化合物，所以藉由使熱聚合來使硬化，可將半導體晶圓及接著劑層從黏著劑層剝離而拾取。

因此，在以往的晶圓加工用薄膜，必須將接著劑層及覆蓋該接著劑層的黏著劑層預先切割成對應於環框的形狀，但因為可在黏著劑層對應於環框的部分及以外的部分階段性地剝離接著劑層，所以不必預先切割。其結果，在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時，可防止在接著劑層發生轉印痕。

若根據本發明的第3態樣的晶圓加工用薄膜，則因為接著薄膜及黏著劑層未被預先切割，所以在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時，在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在，因此可防止在接著劑層發生轉印痕。

若根據本發明的第4態樣的晶圓加工用薄膜，則藉由使至少對應於環框的部分的黏著劑層硬化，可使黏著力降低，以切口作為基點來使接著劑層從黏著劑層的硬化的部分剝離。

若根據本發明的第1態樣之製造半導體裝置的方法，則可使黏著劑層對應於半導體晶圓的部分以外，至少對應於環框的部分、及黏著劑層對應於晶圓的部分階段性地硬化，使黏著劑層的黏著力降低，在接著劑層與黏著劑層之間改變可剝離的位置。因此，可不用大規模變更原有的設備來變更設計所望的半導體裝置。

另外，有關製造半導體裝置之前的晶圓加工用薄膜，因為接著劑層與黏著劑層不必預先切割，所以在當作製品捲成滾筒狀時，在接著劑層與黏著薄膜的層疊部分產生的階差也不存在，因此可防止在接著劑層發生轉印痕。

以下根據圖面來詳細說明本發明的實施形態。圖1是本實施形態的晶圓加工用薄膜的剖面圖。圖2及圖3是說明使用本實施形態的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法的圖。

<第1實施形態>

以下，詳細說明有關本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜的各構成要素。如圖1所示，本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10是具有黏著薄膜14及接著劑層13的切割‧黏晶薄膜15，該黏著薄膜14是由基材薄膜11及設於基材薄膜11上的黏著劑層12所構成，該接著劑層13是設於黏著劑層12上。並且，接著劑層13是不被預先切割成對應於半導體晶圓(或稱晶圓)的形狀，黏著劑層12是不被預先切割成對應於環框的形狀。在本實施形態中，黏著劑層12及接著劑層13是在基材薄膜11上，與基材薄膜11同樣地層疊成長狀，晶圓加工用薄膜10是不具有厚度相異的部分。而且，在黏著劑層12中含有放射線聚合性化合物、及所反應的光的波長為相異的2種類的光引發劑。

切割‧黏晶薄膜15作為製品流通時，未圖示的保護薄膜之脫模薄膜會被貼附於接著劑層13側全面，作為晶圓加工用薄膜10來流通於市場。以下，說明有關晶圓加工用薄膜10的構成要素之脫模薄膜、接著劑層13、及由基材薄膜11和黏著劑層12所構成的黏著薄膜14。

(脫模薄膜)

使用於晶圓加工用薄膜10的脫模薄膜，可使用聚對苯二甲二乙酯(PET)系、聚乙烯系、其他被施以脫模處理的薄膜等周知者。脫模薄膜的厚度並無特別加以限定，可適當地設定，但較理想是25～50μm。

(接著劑層)

接著劑層13是在半導體晶圓等被貼合而切割後，拾取被單片化的半導體晶片(或稱晶片)時，從黏著薄膜14剝離而附著於晶片，作為將晶片固定於基板或引線架時的接著劑使用者。因此，接著劑層13是在拾取晶片時，原封不動附著於被單片化的晶片之狀態下，具有可從黏著薄膜14剝離的剝離性，且在黏晶時，為了將晶片接著固定於基板或引線架，而具有充分的接著可靠度。

接著劑層13是預先使接著劑薄膜化者，例如可使用被使用在接著劑之公知的聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚次苯基硫化物樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物。又，為了強化對晶片或引線架的接著力，最好以矽烷耦合劑或鈦耦合劑作為添加劑來加在前述材料或其混合物中。

接著劑層13的厚度並無特別加以制限，但通常以5～100μm程度為佳。又，本實施形態的晶圓加工用薄膜10的接著劑層13是層疊於黏著薄膜14的黏著劑層12全面，未被進行使對應於半導體晶圓的形狀等之預先切割，至少在比對應於半導體晶圓的位置更外側，比對應於環框的位置更內側，設有切口13a。切口13a亦可設在環框被貼著時環框的內周及外周所位置的部分，但本實施形態是在接著劑層13對應於半導體晶圓的外周之位置設置切口13a。

因此，藉由使形成於比接著劑層13的切口13a還要外側的部分的接著劑層部分之下的黏著劑層部分硬化，可使硬化的黏著劑層部分的黏著力降低，而於黏著劑層12固定環框之前，以切口13a作為基點來使接著劑層13從黏著劑層12硬化的部分剝離。另外，亦可取代在對應於半導體晶圓的外周的位置所設置的上述切口13a，在對應於環框的內周及外周的位置設置切口，使對應於環框的位置的黏著劑層部分硬化，令接著劑層13對應於環框的部分從黏著劑層12剝離。

其結果，可形成一種在半導體晶圓貼合的部分有接著劑層13，在切割用的環框貼合的部分無接著劑層13，只存在黏著層12硬化後的黏著薄膜14之晶圓加工用薄膜。

(黏著薄膜)

本實施形態的黏著薄膜14是在基材薄膜11設置黏著劑層12者。而且，黏著薄膜14是在切割晶圓時具有充分的黏著力，使晶圓不會剝離，且在切割後拾取晶片時具有低的黏著力，使可容易從接著劑層13剝離。又，本實施形態的晶圓加工用薄膜10是接著劑層13對應於環框的位置未被預先切割，所以在環框安裝前，必須降低位在包含接著劑層13所對應於環框的位置的部分之下的黏著劑層12的黏著力。因此，黏著薄膜14的黏著劑層12是在對應於晶圓的部分以外的部分含有放射線聚合性化合物及一光引發劑，在含一光引發劑之處以外的部分亦即對應於晶圓的部分含放射線聚合性化合物及其他的光引發劑。另外，雖對應於晶圓的部分以外的部分是含對應於環框的位置的部分，但也可只在對應於環框的部分含一光引發劑，在以外的部分含其他的光引發劑。

黏著薄膜14的基材薄膜11並無特別加以限制，可使用以往周知者，但因為本實施形態的黏著薄膜14的黏著劑層12是含放射線硬化性的放射線聚合性化合物，所以使用具有放射線透過性者為理想。

例如，該材料可舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子交聯聚合物等的α-烯烴的單獨聚合物或共聚物或該等的混合物、聚氨基甲酸酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等的熱可塑性彈性體、及該等的混合物。又，基材薄膜11亦可為從該等的群所選的2種以上的材料混合者，該等可為單層或複層化者。基材薄膜11的厚度並無特別加以限定，可酌量設定，但以50～200μm為理想。

使用於黏著薄膜14的黏著劑層12之樹脂並非無特別加以限定，可使用被使用在黏著劑之周知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等。

在黏著劑層12的樹脂中適當混合丙烯系黏著劑、放射線聚合性化合物、光聚合引發劑、硬化劑等來調製黏著劑為理想，在本實施形態的黏著劑層12的樹脂是含放射線聚合性化合物。因此，將放射線聚合性化合物混合於黏著劑層12，可容易藉由放射線硬化來從接著劑層13剝離。黏著劑層12的厚度並無特別加以限定，可的量設定，但以5～30μm為理想。

放射線聚合性化合物，例如可適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯，二季戊四醇六丙烯酸酯，1,4-丁烯乙二醇二丙烯酸酯，1,6己二醇二丙烯酸酯，聚乙烯乙二醇二丙烯酸酯或寡酯丙烯酸酯等。

又，除了上述那樣的丙烯酸酯系化合物以外，也可使用胺(基)甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物。胺(基)甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物是可在使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物與多價異氰酸鹽化合物(例如、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯(基)甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而取得的末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚物中，使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如、2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙烯基乙二醇丙烯酸酯、聚乙烯基乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應來取得。另外，亦可在黏著劑層12中混合由上述樹脂所選擇的2種以上者。

光引發劑，例如可舉4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環已基苯酮等的α-酮醇系化合物；甲氰基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等的苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲醚等的苯偶姻醚系化合物；苄基二甲基縮酮等的縮酮系化合物；2-萘基磺醯氯化物等的芳香族磺醯氯化物系化合物；1-苯酮基-1,1－丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等的光活性肟系化合物；二苯基酮、苯醯基安息香酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯基酮等的二苯基酮系化合物；噻吨酮、2-氯基噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、異丙基噻吨酮、2,4-二氯基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮等的噻吨酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基氯化碄；醯基磷酸鹽等。該等光聚合引發劑的混合量，較理想是相對於丙烯酸系共聚物100質量份，為0.01～5質量份。

在此，1-(4-異丙基苯)-2-烴基-2甲基丙烷-1-酮、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等的苯乙酮系光引發劑是具有紫外線區域的有效激發波長220～260nm。3,3-二甲基-4-甲氧基二苯丙酮、四(t-丁過氧羰基)二苯丙酮等的二苯丙酮系光引發劑是具有紫外線區域的有效激發波長210～260nm。2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮，2,4-二甲基噻吨酮、異丙基噻吨酮等的噻吨酮系光引發劑是具有紫外線區域的有效激發波長259～260nm。苯偶姻醚系光引發劑的苯偶姻異丙基醚是具有紫外線區域的有效激發波長360nm。因此，藉由適當組合該等的光引發劑，可使所反應的波長為不同的2種類的光引發劑分別含在黏著劑層12對應於晶圓的部分及以外的部分。另外，只要在對應於晶圓的部分及以外的部分所反應的波長不同，則亦可分別使含複數種類的光引發劑。

例如，利用使185～254nm的紫外線產生的低壓水銀燈、或使365nm的紫外線產生的高壓水銀燈等，來使2種類波長不同的紫外線產生，藉由照射於含所反應的波長為不同的2種類的光引發劑之黏著劑層12，可按光引發劑所反應的波長的紫外線來分成2階段使黏著劑層12對應於晶圓的部分及以外的部分硬化。

如此的黏著薄膜14是例如可在基材薄膜11對應於晶圓的位置掩蔽塗佈含一光引發劑的黏著劑層組成物而使乾燥，然後在此部分掩蔽塗佈含其他光引發劑的黏著劑層組成物，藉此製造。

<第2實施形態>

本發明的第2電施形態的晶圓加工用薄膜是與本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10(參照圖1)同樣，具有黏著薄膜(相當於圖1的符號14)及接著劑層(相當於圖1的符號13)，該黏著薄膜是由基材薄膜(相當於圖1的符號11)及設於基材薄膜上的黏著劑層(相當於圖1的符號12)所構成，該接著劑層是被設於黏著劑層上，接著劑層是未被預先切割成對應於半導體晶圓的形狀，黏著劑層也未被預先切割成對應於環框的形狀。並且，在接著劑層是至少在比對應於半導體晶圓的位置更外側，比對應於環框的位置更內側設有切口。另外，黏著劑層及接著劑層是在基材薄膜上，與基材薄膜同樣地層疊成長狀，晶圓加工用薄膜是不具有厚度相異的部分。

本發明的第2實施形態的晶圓加工用薄膜與本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10的相異點，是第1實施形態的晶圓加工用薄膜10的黏著薄膜14的黏著劑層12含放射線聚合性化合物、及所反應的光的波長為不同的2種類的光引發劑者，相對的，第2實施形態的晶圓加工用薄膜的黏著薄膜的黏著劑層是取代2種類的光引發劑，而含1種類的光引發劑及熱聚合性化合物，亦即第2實施形態的晶圓加工用薄膜的黏著薄膜的黏著劑層是含放射線聚合性化合物及光引發劑、及熱聚合性化合物者。因此，黏著劑層是對應於晶圓的部分以外的部分與對應於晶圓的部分各在放射線聚合性化合物及熱聚合性化合物含不同者，所以可使黏著劑層對應於晶圓的部分及以外的部分分成2階段硬化。亦即，在對應於晶圓的部分以外的部分含放射線聚合性化合物時，可在對應於晶圓的部分含熱聚合性化合物，在對應於晶圓的部分以外的部分含熱聚合性化合物時，可在對應於晶圓的部分含放射線聚合性化合物。另外，在對應於晶圓的部分以外的部分是含對應於環框的位置，在對應於晶圓的部分以外的部分，亦可在對應於環框的部分及以外的部分，分別以放射線聚合性化合物及熱聚合性化合物來成為含相異者的構成。

因此，與本發明的第1實施形態的晶圓加工用薄膜10時同樣，本發明的第2實施形態的晶圓加工用薄膜時也可階段性地分開形成黏著劑層之硬化的部分，所以不必將接著劑層及覆蓋該接著劑層的黏著劑層預先切割成所定的形狀，所以在將晶圓加工用薄膜當作製品來捲成滾筒狀時，可防止在接著劑層發生轉印痕。

熱聚合性化合物是藉由熱來聚合者，例如可舉縮水甘油基、丙烯醯基、異丁烯醘基、羥基、羧基、三聚異氰酸基、氨基、醯氨基等具有官能基的化合物，該等是單獨或組合2種類以上皆可使用。另外使用：在考量晶圓加工用薄膜的耐熱性之後，藉由熱來予以硬化，而使黏著劑層之硬化的部分的黏著力降低，在接著劑層與黏著劑層之間可剝離者。

<製造半導體裝置的方法>

利用圖2及圖3來說明使用第1實施形態的晶圓加工用薄膜10來製造半導體裝置的方法。圖2及圖3是說明使用第1實施形態的晶圓加工用薄膜10來製造半導體裝置的方法的圖，圖2(A)是表示脫模薄膜16貼附於接著劑層13上的狀態之晶圓加工用薄膜的剖面圖。又，圖2(B)是表示使黏著劑層12的一部分硬化，令硬化的黏著劑層部分12a上的接著劑層13剝離的狀態之晶圓加工用薄膜的剖面圖。又，圖2(C)是表示晶圓W貼附於晶圓加工用薄膜的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖，圖2(D)是表示晶圓被切割的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖，圖2(E)是表示使對應於晶圓的位置之黏著劑層部分12b硬化的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖。又，圖3(A)是表示將貼合有被切割的晶圓之晶圓加工用薄膜搭載於擴展裝置的狀態之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖，圖3(B)是表示擴展(Expand)後之晶圓及晶圓加工用薄膜的剖面圖。

(準備工程)

如圖2(A)所示，首先，準備一晶圓加工用薄膜，其係對於具有黏著薄膜14及接著劑層13的切割‧黏晶薄膜15，從接著劑層13側來貼附有脫模薄膜16，該黏著薄膜14是由基材薄膜11及設於基材薄膜11上的黏著劑層12所構成，該接著劑層13是在對應於未圖示的晶圓的外周的位置設有切口13a。由於晶圓加工用薄膜是接著劑層13等未被預先切割，所以在作為貼合有脫模薄膜16的製品來捲成滾筒狀時，在接著劑層13與黏著薄膜14的層疊部分所產生的階差也不存在，因此可防止在接著劑層13發生轉印痕。

(第1階段紫外線照射工程)

其次，將一光引發劑，亦即黏著劑層12對應於晶圓的部分以外所含的光引發劑會反應的波長(稱為「波長A」)的紫外線照射於黏著劑層12而使硬化。由於硬化的部分12a的黏著力會降低，所以如圖2(B)所示，可從晶圓加工用薄膜剝下脫模薄膜16的同時，以接著劑層13的切口13a作為基點，只剝離硬化的黏著劑層部分12a上的接著劑層13。

(貼合工程)

其次，如圖2(C)所示，在硬化的黏著劑層部分12a的所定位置貼合環框20，由切割‧黏晶薄膜15的接著劑層13側來對接著劑層13貼合半導體晶圓W的背面。另外，在以後的工程中，不是將環框20及半導體晶圓W貼合於長狀的切割‧黏晶薄膜15的狀態下使搬送於各工程，而是使環框20及半導體晶圓W各一組個別地搬送時，只要在貼合環框20之前或後，沿著環框20的外周來切斷切割‧黏晶薄膜15即可。

(切割工程)

經由環框20來將晶圓加工用薄膜固定於切割裝置(未圖示)，使用刀來機械性地切斷半導體晶圓W，分割成複數個半導體晶片C的同時，接著劑層13也分割(圖2(D))。

(第2階段紫外線照射工程)

然後，如圖2(E)所示，為了使反應於波長A以外的波長(稱為「波長B」)的光引發劑(含在對應於被分割成複數個半導體晶片C的晶圓的位置之黏著劑層部分12b中)反應，而將與波長A不同的波長B的紫外線照射於黏著劑層12而使硬化。硬化的部分12b因為黏著力會降低，所以可使硬化的黏著劑層部分12b上的接著劑層13剝離。

(載置工程)

以波長B的紫外線照射來使對應於被分割成半導體晶片C的晶圓的位置之黏著劑層部分12b硬化後，如圖3(A)所示，將保持被分割的複數個半導體晶片C之晶圓加工用薄膜載置於擴展裝置的平台21上。圖中，符號22是擴展裝置的中空圓柱形狀的頂起構件。

(擴展工程)

然後，如圖3(B)所示，實施擴展工程，其係將黏著薄膜14拉長於環框20的周方向，該黏著薄膜14是由保持被切割的半導體晶片C及接著劑層13的基材薄膜11及黏著劑層12(12a及12b)所構成。具體而言，對於保持被切割的複數個半導體晶片C及接著劑層13的狀態之黏著薄膜14，使中空圓柱形狀的頂起構件22從黏著薄膜14的下面側上昇，將上述黏著薄膜14拉長於環框20的周方向。藉由擴展工程來擴大半導體晶片C彼此間的間隔，提高CCD攝影機等之半導體晶片C的辨識性的同時，可防止拾取時鄰接的半導體晶片C彼此間接觸而造成半導體晶片C彼此間的再接著。

(拾取工程)

實施擴展工程後，在維持擴展黏著薄膜14的狀態下，實施拾取半導體晶片C的拾取工程。具體而言，從黏著薄膜14的下側藉由銷(未圖示)來頂起半導體晶片C的同時，從黏著薄膜14的上面側以吸附冶具(未圖示)來吸附半導體晶片C，藉此連同附著於該半導體晶片C的狀態的接著劑層13來拾取被單片化的半導體晶片C。

(黏晶工程)

然後，實施拾取工程後，實施黏晶工程。具體而言，藉由在拾取工程與半導體晶片C一起被拾取的接著劑層13來將半導體晶片C接著於引線架或封裝基板等，製造半導體裝置。

另外，在使用第1實施形態的晶圓加工用薄膜10來製造半導體裝置的方法中，因為使用一種在黏著劑層12對應於晶圓的部分及以外的部分分別含所反應的光的波長為不同的光引發劑之晶圓加工用薄膜，所以將波長不同的紫外線(波長A與波長B的紫外線)分成2階段照射，在第1階段使對應於晶圓的部分以外的部分12a(包含對應於環框的部分之部分)硬化，為了安裝環框R，而剝離黏著劑層12a上的接著劑層13。但，在使用第2實施形態的晶圓加工用薄膜時，因為在黏著劑層12對應於晶圓的部分及以外的部分分別含光引發劑及熱聚合性化合物的其中一方，所以將黏著劑層部分12a的硬化及黏著劑層部分12b的硬化分成熱硬化及紫外線硬化的2階段來進行，在第1階段使對應於晶圓的部分以外的部分(包含對應於環框R的部分之部分)硬化，為了安裝環框R，而剝離硬化的黏著劑層12上的接著劑層13即可。

以上，若根據本實施形態的晶圓加工用薄膜，則因為不必設預先切割，所以在將晶圓加工用薄膜捲成滾筒狀時，可充分抑制在接著劑層發生轉印痕，防止因空氣被捲入接著劑層與半導體晶圓之間而造成接著劑層與半導體晶圓之間的密合性降低的同時，可在將半導體晶片接著於引線架或封裝基板、或其他的半導體晶片時，防止接著不良、或晶圓的加工時的狀態不佳。又，若根據使用本發明的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法，則可不用大規模變更原有的設備來變更設計所望的半導體裝置。

10、30．．．晶圓加工用薄膜

11．．．基材薄膜

12．．．黏著劑層

13．．．接著劑層

13a．．．接著劑層的切口

14．．．黏著薄膜

15．．．切割‧黏晶薄膜

16．．．脫模薄膜

圖1是本實施形態的晶圓加工用薄膜的剖面圖。

圖2是說明使用本實施形態的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。

圖3是說明使用本實施形態的晶圓加工用薄膜來製造半導體裝置的方法。

圖4是以往的晶圓加工用薄膜的概要圖。

圖5(A)是以往的晶圓加工用薄膜的平面圖，(B)是剖面圖。

圖6是貼合切割‧黏晶薄膜與切割用環框的狀態剖面圖。

圖7(A)是以往的捲芯的剖面圖，(B)是側面圖。

圖8是說明使用以往的捲芯來捲起晶圓加工用薄膜的狀態。

圖9是用以說明以往的晶圓加工用薄膜的狀態不佳的模式圖。

10．．．晶圓加工用薄膜