TWI389267B

TWI389267B - 晶圓加工用帶

Info

Publication number: TWI389267B
Application number: TW100116773A
Authority: TW
Inventors: Chikako Kawata; Kunihiko Ishiguro
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2011-03-01
Filing date: 2011-05-13
Publication date: 2013-03-11
Also published as: CN102653661A; TW201203473A; KR20130129487A; CN102653661B; JP2012182268A; JP4904432B1; KR101397300B1

Description

晶圓加工用帶

本發明係關於一種晶圓加工用帶，尤其係關於一種用於半導體晶圓之切割、拾取(pickup)之晶圓加工用帶。

現已開發出於將半導體晶圓切割為各個半導體晶片時，兼具用於固定半導體晶圓之切割帶、與用於將經切割之半導體晶片接著於基板等之晶粒接合膜(die bonding film)之兩種功能之「晶圓加工用帶」。晶圓加工用帶主要由剝離膜、發揮切割帶功能之黏著帶、與發揮晶粒接合膜功能之接著劑層所構成。

近年來，於針對可攜式裝置之記憶體等電子裝置領域，要求進一步之薄型化與高容量化。因此，對多重積層厚度50μm以下之半導體晶片之封裝技術的要求逐年提高。

為了因應此種要求，已開發並揭示有具有可實現薄膜化，且可嵌入半導體晶片之電路表面之凹凸之柔軟性的上述晶圓加工用帶(例如參考專利文獻1、2)。

晶圓加工用帶通常尺寸大於半導體晶圓，但以不接觸環狀框架(ring frame)之程度之形狀自接著劑層側至接著劑層與黏著劑層之界面部分進行衝壓，於貼合時利用晶圓貼片機(wafer mounter)貼合於半導體晶圓與支撐其之環狀框架上，於環狀框架上切割為圓形。

最近，考慮到上述作業性，而對晶圓加工用帶進行預切割加工。所謂「預切割加工」係指對黏著帶(基材膜上形成有黏著劑層)預先實施衝壓加工，詳細而言，係指可將基材膜及黏著劑層貼合於環狀框架，且以不超出環狀框架之大小實施衝壓加工為圓形。

若使用經預切割加工之晶圓加工用帶，則如圖5所示，於利用晶圓貼片機對半導體晶圓(W)之貼合步驟中，衝壓為圓形之晶圓加工用帶(1)利用剝離用楔(101)獲得自剝離膜(2)剝離之起點後，利用貼合輥(103)實施對半導體晶圓(W)及環狀框架(5)之貼合，而可省去於環狀框架上切割黏著帶之步驟，進而亦可消除對環狀框架之損害。

其後，切割半導體晶圓，製作複數個半導體晶片，自黏著帶之基材膜側照射放射線等，使黏著劑層與接著劑層之間之剝離強度(黏著力)充分下降後，使黏著帶之基材膜擴張(expand)並進行半導體晶片之拾取。所謂「放射線」，係指紫外線之類之光線或電子束等游離放射線。

[專利文獻1]日本特開2000-154356號公報

[專利文獻2]日本特開2003-60127號公報

但是，於如上述之利用晶圓貼片機對半導體晶圓之貼合步驟中，若自經此種預切割加工之晶圓加工用帶將剝離膜剝離，則有產生如下不良情況之問題：於晶圓加工用帶之前端部分通過剝離用楔之情形時，接著劑層之前端部分會自黏著帶之黏著劑層剝離，會形成接著劑層未密合於半導體晶圓之部分。

其原因，可列舉：接著劑層與黏著帶之黏著劑層之間之剝離力(黏著力)非常低。

然而，可知提高接著劑層與黏著劑層之間之剝離力會於其後步驟中，使基材膜擴張並拾取半導體晶片時導致拾取錯誤。

最近傾向於1個半導體封裝內積層更多之半導體晶片，因此半導體晶片之薄壁化不斷推進，為了無錯誤地進行此種薄壁之半導體晶片之拾取，要求接著劑層與黏著劑層之間之剝離力更低，變得難以輕易地提高剝離力。

因此，本發明之主要目的在於提供一種晶圓加工用帶，其於對半導體晶圓之貼合步驟中，可防止接著劑層自黏著帶之黏著劑層剝離。

為了解決上述課題，根據本發明之一態樣，可提供一種晶圓加工用帶，其係積層有剝離膜、部分形成於上述剝離膜上之接著劑層、及於基材膜上形成有黏著劑層之黏著帶，該黏著帶以覆蓋上述接著劑層且於上述接著劑層之周圍與上述剝離膜相接之方式形成：上述接著劑層之外周部與上述黏著劑層之間的剝離力大於上述接著劑層之預定貼合半導體晶圓之預定貼合部與上述黏著劑層之間的剝離力。

根據本發明之其他態樣，可提供一種晶圓加工用帶，其係積層有剝離膜、部分形成於上述剝離膜上之接著劑層、及於基材膜上形成有黏著劑層之黏著帶，該黏著帶以覆蓋上述接著劑層且於上述接著劑層之周圍與上述剝離膜相接之方式形成：於上述接著劑層之外周部之一部分，包含於貼合半導體晶圓時為與剝離膜之剝離起點之起點部的部位與上述黏著劑層之間之剝離力大於上述接著劑層之預定貼合半導體晶圓之預定貼合部與上述黏著劑層之間的剝離力。

根據本發明之其他態樣，可提供一種晶圓加工用帶，其係積層有剝離膜、部分形成於上述剝離膜上之接著劑層、及於基材膜上形成有黏著劑層之黏著帶、該黏著帶以覆蓋上述接著劑層且於上述接著劑層之周圍與上述剝離膜相接之方式形成：於上述接著劑層之外周部中，於貼合半導體晶圓時為與剝離膜之剝離起點之起點部與上述黏著劑層之間之剝離力大於上述接著劑層之預定貼合半導體晶圓之預定貼合部與上述黏著劑層之間的剝離力。

根據本發明，由於成為與接著劑層之剝離膜之剝離起點的部分之剝離力大於半導體晶圓之預定貼合部之剝離力，故而於對半導體晶圓之貼合步驟中，可防止接著劑層自黏著帶之黏著劑層剝離。

以下，一面參照圖式一面對本發明之較佳實施形態進行說明。

[晶圓加工用帶(1)]

如圖1所示，晶圓加工用帶1係於為核心材料之核心(core)6上捲繞為輥狀，於使用時自核心6抽出。

如圖2所示，晶圓加工用帶1主要由剝離膜2、接著劑層3及黏著帶4所構成。

於對使用晶圓加工用帶1之半導體晶圓(W)之貼合步驟中，係自晶圓加工用帶1剝離剝離膜2，將半導體晶圓(W)貼合於露出之接著劑層3。

[剝離膜(2)]

如圖1所示，剝離膜2係形成為矩形之帶狀，且以單方向充分延長之方式形成。剝離膜2於製造及使用時發揮載體膜(carrier film)之作用。

剝離膜2，可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系、聚乙烯系、其他經剝離處理之膜等眾所周知者。

[黏著帶(4)]

(1)構成

如圖1及圖2所示，黏著帶4覆蓋接著劑層3，並且可於接著劑層3之周圍整個區域與剝離膜2接觸。

黏著帶4具有與切割用之環狀框架5(參照圖4)之形狀對應之標記部4a、與以包圍標記部4a之外周之方式形成之周邊部4b。於使用晶圓加工用帶1之前，對黏著帶4進行預切割加工而去除周邊部4b(殘留標記部4a)。

如圖2所示，黏著帶4具有於基材膜10上形成有黏著劑層12之構成。

黏著帶4，只要為切割晶圓W時黏著劑層12具有足夠之剝離力使得晶圓W不剝離，且於切割後拾取晶片時黏著劑層12顯示較低之剝離力使得晶圓W易自接著劑層3剝離者即可。

(2)基材膜10

基材膜10通常較佳為使用塑膠、橡膠等，於黏著劑層12包含放射線聚合性成分之情形時，較佳為選擇放射線之穿透性良好者。

可選用作為基材膜10之聚合物之例，可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物(ionomer)等α-烯烴之均聚物或共聚物或該等之混合物，聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑膠，聚胺基甲酸酯(polyurethane)、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體。

基材膜10可為將選自該等之群中之2種以上材料混合而成者，亦可為該等之單層或多層。

(3)黏著劑層12

黏著劑層12所使用之材料並無特別限定，較佳為含有放射線聚合性成分而成。

放射線聚合性成分，只要為藉由放射線照射可進行三維網狀化者則無特別限制，例如可列舉：丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸戊烯酯、丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、新戊四醇三甲基丙烯酸酯、新戊四醇四甲基丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、二新戊四醇六甲基丙烯酸酯、寡酯丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、1,3-丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、1,2-甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、亞甲雙丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、三(β-羥乙基)異三聚氰酸酯(tris(β-hydroxyethyl)isocyanurate)之三丙烯酸酯、異氰酸酯化合物、(甲基)丙烯酸胺酯(urethane(meth)acrylate)化合物、二胺及異氰酸酯化合物、甲基丙烯酸脲酯化合物、側鏈上具有乙烯性不飽和基之放射線聚合性共聚物。

除此以外，放射線聚合性成分，可列舉：使聚酯型或聚醚型等之多元醇化合物與多異氰酸酯化合物(例如2,4-甲苯二異氰酸酯(2,4-tolylenediisocyanate)、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯(1,3-xylylenediisocyanate)、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4-二異氰酸酯等)進行反應，再使所獲得之末端異氰酸胺基甲酸酯(isocyanato urethane)預聚物與具有羥基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)進行反應而獲得之丙烯酸胺基甲酸酯系低聚物。

該等放射線聚合性化合物可單獨使用，或組合兩種以上使用。

[接著劑層(3)]

如圖1及圖2所示，接著劑層3介於剝離膜2與黏著帶4之間。接著劑層3與黏著帶4之黏著劑層12密合，於拾取晶片時係以附著於晶片之狀態自黏著劑層12剝離。

接著劑層3所使用之材料並無特別限定，可使用於接著劑之眾所周知之聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫樹脂(polyphenylene sulfide resin)、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚胺酯樹脂(polyurethane resin)、環氧樹脂、矽低聚物等。

如圖3所示，接著劑層3呈現出與晶圓W之形狀對應之圓形。

接著劑層3劃分為預定貼合晶圓W之部位(預定貼合部30)、與其外側之外周部32。

接著劑層3之外周部32之圖3(a)中之上側成為與剝離膜2之剝離之起點部34。

如圖3(a)中之斜線部所示，接著劑層3之外周部32的整個區域對黏著劑層12之剝離力大於預定貼合部30。

具體而言，

(i)於預定貼合部30對黏著劑層12之剝離力為0‧01/以上、未達0.4 N/inch之情形時，外周部32對黏著劑層12之剝離力為預定貼合部30對黏著劑層12之剝離力之30倍以上或0.9 N/inch以上中之任一較小者；

(ii)於預定貼合部30對黏著劑層12之剝離力為0.4 N/inch以上、未達0.9 N/inch之情形時，外周部32對黏著劑層之剝離力成為0.9 N/inch以上。

增大剝離力之方法，可採用下述(a)～(e)之方法。

下述(a)～(e)之方法可單獨使用，亦可組合該等(其組合亦可適當變更)使用。

(a)雷射照射

對黏著劑層3之外周部32進行雷射照射。

所照射之雷射只要為通常用於雷射標記之雷射種類、波長，則可為任意，亦以無損品質而可發揮效果之程度適當調節種類、波長、照射時間。

(b)電暈表面改良處理

對接著劑層3之外周部32實施電暈表面改良處理。

電暈表面改良處理只要為通常用於表面改良處理之方法，則可為任意，亦以無損品質而可發揮效果之程度適當調節種類、處理時間。

(c)加熱處理

對接著劑層3之外周部32實施加熱處理。

加熱處理只要為通常藉由加熱使接著力強化牢固者，則可為任意，例如可列舉照射熱線。

(d)貼附增強帶

以固定接著劑層3與黏著帶4之黏著劑層12之邊界之方式，對接著劑層3之外周部32(外緣部)貼附另一黏著帶而進行增強。

增強用之黏著帶只要為通常使用之黏著帶，則可為任意。

(e)利用接著劑之增強

於接著劑層32之外周部32中，於接著劑層3與黏著帶4之黏著劑層12之間塗佈接著劑。

接著劑只要為通常使用之接著劑，則可為任意。

再者，亦可如圖3(b)所示，於接著劑層3之外周部32中，起點部34與其他部位(36)對黏著劑層12之剝離力大於預定貼合部30，最終亦可如圖3(c)所示，僅起點部34對黏著劑層12之剝離力大於預定貼合部30。

於該情形時，作為於接著劑層3之起點部34或其他部位36增大剝離力之方法，可採用上述(a)～(e)之方法，上述(a)～(e)之方法可單獨使用，亦可組合該等(其組合亦可適當變更)使用。

[晶圓加工用帶(1)之使用方法]

將晶圓加工用帶1貼合於半導體晶圓W及環狀框架5上。

詳細而言，如圖5所示，將晶圓加工用帶1自其輥體捲取，並利用輥100抽出晶圓加工用帶1。

於晶圓加工用帶1之抽出路徑設置有剝離用楔101，將剝離用楔101之前端部設為折返點，僅剝離剝離膜2，將剝離膜2捲取至捲取輥100上。

於剝離用楔101之前端部之下方設置有吸附平台102，於吸附平台102之上面設置有半導體晶圓W及環狀框架5。

利用剝離用楔101剝去剝離膜2之接著劑層3及黏著帶4被引導至半導體晶圓W上，並利用貼合輥103貼合至晶圓W。

其後，以將接著劑層3及黏著帶4貼附於半導體晶圓W及環狀框架5上之狀態，切割半導體晶圓W。

其後，對黏著帶4實施放射線照射等硬化處理，拾取切割後之半導體晶圓W(半導體晶片)。此時，由於黏著帶4因硬化處理而使剝離力下降，故而接著劑層3易自黏著帶4之黏著劑層12剝離，而使半導體晶片於背面附著有接著劑層3之狀態被拾取。

其後，於將半導體晶片接著於引線架(leadframe)或封裝基板、或其他半導體晶片上時，附著於半導體晶片之背面之接著劑層3會發揮晶粒接合膜之功能。

[實施例1]

(1)樣品之製作

(1.1)基材膜之準備及黏著劑層之形成

準備聚烯(polyolefin)系基材膜Z(厚度為100μm)作為基材膜。

另一方面，對具有放射線聚合性碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物X(分子量70萬Mw、Tg=-65℃)或Y(分子量20萬Mw、Tg=-20℃)100份、聚異氰酸酯系硬化劑2～18份，調配光聚合起始劑(2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)1份，將其溶液以乾燥膜厚成為10μm之方式塗佈於上述基材膜上，其後於110℃乾燥2分鐘，而於基材膜上形成「黏著劑層A～F」。

黏著劑層A～F之聚合物之種類(X或Y)或硬化劑、光聚合起始劑之調配比如表1所示。

其後，對形成有黏著劑層A～F之基材膜實施預切割加工，而製作(完成)黏著帶。

(1.2)接著劑層之形成

於丙烯酸系共聚物100份、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂100份、二甲苯酚醛清漆型苯酚樹脂10份，調配2-苯基咪唑5份與二甲苯二胺0.5份作為環氧硬化劑，將其溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜上，其後於110℃乾燥2分鐘，而於PET膜上形成接著劑層。

其後，對接著劑層之外周部、即接著劑層之半導體晶圓之預定貼合部分以外之部位實施下述(1.2.1)～(1.2.5)所記載之雷射照射、電暈表面改良處理、加熱處理、增強帶之貼附或接著劑之塗佈中之任一處理。

經實施處理之部位及處理方法如表2及表3所示。

再者，於比較例1、2，如圖6(a)所示，對接著劑層之外周部未實施任何處理。

於比較例3、5、7、8、10、12～14，如圖6(b)及圖6(c)所示，對接著劑層之外周部之一部分即接著劑層之剝離膜之剝離起點以外之部位(參照斜線部分)實施上述任一處理。

(1.2.1)雷射照射

使用CO₂ 雷射刻號機(Laser Marker)對接著劑層之表面進行雷射照射。

(1.2.2)電暈表面改良處理

使用電暈表面改良處理機對接著劑層之表面進行暈表面改良處理。

(1.2.3)加熱處理

對接著劑層之表面照射熱線進行加熱處理。

(1.2.4)貼附增強帶

以固定黏著帶與接著劑層之邊界之方式對接著劑層之外緣部貼附增強用之黏著帶。

(1.2.5)接著劑之塗佈

於接著劑層之外周部，於接著劑層與黏著帶之黏著劑層之間塗佈接著劑，藉由接著劑貼附接著層與黏著帶。

(1.3)晶圓加工用帶之形成

對接著劑層，以大於晶圓尺寸之形狀實施衝壓加工，將該厚度為10μm之接著劑層貼合於黏著帶之黏著劑層上而形成(完成)晶圓加工用帶。於該晶圓加工用帶，接著劑層之形成步驟所使用之PET系之分隔件(separator)設置有剝離膜。

(2)樣品之評價

(2.1)剝離力測定方法

針對各樣品，於剝離剝離膜(PET)後，為了防止剝離測試時之接著劑層之伸長，於平玻璃板(lamina vitrea)上使用手動之貼合輥(2 kg)將支撐帶(積水化學工業化股份有限公司製造之捆包用Orien spatt tape、寬度38mm)貼合於接著劑層側，而形成黏著帶、接著劑層、支撐帶之積層體。

其後，如圖7所示，包含成為與接著劑層之剝離膜(PET膜)之剝離之起點的部分在內，將該積層體沿著自外周部朝向中心之方向切取長100mm、寬25mm之長方狀，而製成測試片。

其後，針對各測試片，沿著圖7之箭頭方向、即自接著劑層之中心朝向外周部之方向，以剝離角度180度、剝離速度300mm/min(分)使黏著劑層與接著劑層之間剝離，分別求出相當於半導體晶圓之預定貼合部的部分、及相當於剝離之起點部的部分之剝離力。將測定結果示於表2～表6。

(2.2)貼合測試

針對實施例及比較例之各樣品，利用圖5所示之裝置、方法於加熱溫度70℃、貼合速度12mm/s貼合厚度50μm、直徑200mm之矽晶圓。

試行上述貼合作業10次，確認接著劑層是否有於自黏著帶一部分捲起之狀態未能貼合於矽晶圓。將測試結果示於表2～表6。

於10次貼合作業後，將於全部作業接著劑層不自黏著帶捲起而附著於黏著帶之情形評價為「○(貼合良好)」，將接著劑層自黏著帶一部分捲起至少一次之情形評價為「×(貼合不良)」。

(2.3)拾取測試

針對實施例及比較例之各樣品，厚度50 μm之矽晶圓於70℃×10秒加熱貼合後，切割為10mm×10mm。

其後，於藉由氣冷式高壓水銀燈(80W/cm、照射距離10cm)對黏著劑層照射200mJ/cm² 之紫外線後，對50個矽晶圓中央部之晶片利用拾取裝置(Canon Machinery Inc.製造，商品名：CAP-300II)進行拾取測試。將測試結果示於表2～表6。

將成功拾取全部50個晶片評價為「○」，50個晶片中有一個拾取失敗便評價為「×」。

(3)總結

如表2～表6所示，可知實施例1～12於貼合測試與拾取測試中任一者之結果均良好，若增大接著劑層之外周部即包含與剝離膜之剝離起點的部分之剝離力，使其大於半導體晶圓之預定貼合部位，則可防止接著劑層自黏著帶之黏著劑層剝離，亦不會引發拾取錯誤。再者，比較例1由於半導體晶圓之預定貼合部位之剝離力亦較高，故而可良好地對矽晶圓進行貼合，但多次發生拾取錯誤。

1．．．晶圓加工用帶

2．．．剝離膜

3．．．接著劑層

4．．．黏著帶

4a．．．標記部

4b．．．周邊部

5．．．環狀框架

6．．．核心

10．．．基材膜

12．．．黏著劑層

30．．．預定貼合部

32．．．外周部

34．．．起點部

36．．．其他部位

100．．．捲取輥

101．．．剝離用楔

102．．．吸附平台

103．．．貼合輥

A．．．剝離膜之抽出方向

B．．．剝離膜之剝離方向

W．．．晶圓

圖1係表示晶圓加工用帶之概略構成之圖式。

圖2係表示剝離膜、接著劑層及黏著帶之概略積層構造之縱剖面圖。

圖3係表示接著劑層之概略構成之平面圖。

圖4係表示將晶圓加工用帶貼合於半導體晶圓及環狀框架上之概略狀態之縱剖面圖。

圖5係用以概略說明將晶圓加工用帶貼合於半導體晶圓及環狀框架之裝置、方法之圖式。

圖6係表示圖3之比較例之態樣之平面圖。

圖7係用於說明實施例中之樣品之剝離力測定方法之圖式。

3．．．接著劑層

30．．．預定貼合部

32．．．外周部

34．．．起點部

36．．．其他部位

Claims

一種晶圓加工用帶，其係積層有剝離膜、部分形成於該剝離膜上之接著劑層、及於基材膜上形成有黏著劑層之黏著帶，該黏著帶以覆蓋該接著劑層且於該接著劑層之周圍與該剝離膜相接之方式形成：該接著劑層之外周部與該黏著劑層之間的剝離力大於該接著劑層之預定貼合半導體晶圓之預定貼合部與該黏著劑層之間的剝離力。
一種晶圓加工用帶，其係積層有剝離膜、部分形成於該剝離膜上之接著劑層、及於基材膜上形成有黏著劑層之黏著帶，該黏著帶以覆蓋該接著劑層且於該接著劑層之周圍與該剝離膜相接之方式形成：於該接著劑層之外周部之一部分，包含於貼合半導體晶圓時為與該剝離膜之剝離起點的起點部的部位與該黏著劑層之間的剝離力大於該接著劑層之預定貼合半導體晶圓之預定貼合部與該黏著劑層之間的剝離力。
一種晶圓加工用帶，其係積層有剝離膜、部分形成於該剝離膜上之接著劑層、及於基材膜上形成有黏著劑層之黏著帶，該黏著帶以覆蓋該接著劑層且於該接著劑層之周圍與該剝離膜相接之方式形成：於該接著劑層之外周部中，於貼合半導體晶圓時為與剝離膜之剝離起點之起點部與該黏著劑層之間之剝離力大於該接著劑層之預定貼合半導體晶圓之預定貼合部與該黏著劑層之間的剝離力。
如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之晶圓加工用帶，其中，於該預定貼合部之剝離力為0.01以上、未達0.4 N/inch之情形時，該外周部、該外周部之一部分或該起點部之剝離力為該預定貼合部之30倍以上或0.9 N/inch以上中之任一較小者；於該預定貼合部之剝離力為0.4 N/inch以上、未達0.9 N/inch之情形時，該外周部、該外周部之一部分或該起點部之剝離力為0.9 N/inch以上。
如申請專利範圍第4項之晶圓加工用帶，其中，該外周部、該外周部之一部分或該起點部實施有雷射照射。
如申請專利範圍第4項之晶圓加工用帶，其中，該外周部、該外周部之一部分或該起點部實施有電暈表面改良處理。
如申請專利範圍第4項之晶圓加工用帶，其中，該外周部、該外周部之一部分或該起點部實施有加熱處理。
如申請專利範圍第4項之晶圓加工用帶，其中，於該外周部、該外周部之一部分或該起點部，該接著劑層與該黏著劑層之間貼附有增強帶。
如申請專利範圍第4項之晶圓加工用帶，其中，於該外周部、該外周部之一部分或該起點部，該接著劑層與該黏著劑層之間塗佈有接著劑。