TWI431092B - Wafer processing tape - Google Patents

Description

晶圓加工用膠帶

本發明有關一種用於半導體晶圓的切割步驟、拾取步驟、晶粒接合(die bonding)步驟的晶圓加工用膠帶。

在半導體裝置的製造步驟中，實施將半導體晶圓切斷分離(切割)為半導體晶片單元的步驟、拾取分離的半導體晶片的步驟、進一步將拾取的晶片黏接於引線架及封裝基板等的晶粒接合(安裝)步驟。

近年來，作為在上述半導體裝置的製造步驟中使用的晶圓加工用膠帶，提出有例如在基材薄膜上設置有黏著劑層的晶圓加工用膠帶、具有在黏著劑層上進一步層合有接著劑層的構造的晶圓加工用膠帶(晶粒接合膜：DDF)，並已經實用化(例如參照專利文獻1)。

但是，由於上述的晶粒接合薄膜在從製造到使用之間的接著劑層和黏著劑層的接觸時間必然延長，因此，在使用前兩層已經融合，在拾取單片化的帶接著劑層的半導體晶片的步驟中，存在在接著劑層和黏著劑層之間無法順利剝離的問題。

因此，作為解決此種問題的晶圓加工用膠帶，已知有一種晶圓加工用膠帶，其藉由對構成黏著劑層的具有碳-碳雙鍵的輻射線聚合性化合物的碘價、及構成接著劑層的含環氧基丙烯酸共聚物的玻璃轉移溫度(Tg)進行規定，可將帶接著劑層的半導體晶片容易地從黏著劑層剝離(例如參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開平2-32181號公報

專利文獻2：日本特開2005-303275號公報

在上述專利文獻2中記載的晶圓加工用膠帶中，藉由規定構成黏著劑層的具有碳-碳雙鍵的輻射線聚合性化合物的碘價，實現輻射線照射後的黏著力的降低，藉由規定含環氧基丙烯酸共聚物的玻璃轉移溫度(Tg)，實現B階段狀態下的接著劑層或晶圓加工用膠帶的膠黏力的降低。即，對黏著劑層及接著劑層，分別以使容易剝離的方式進行改善。

但是，對黏著劑層和接著劑層之間的關係未做考慮，而有藉由組合，剝離容易性不充分，無法將帶接著劑層的半導體晶片(以下，稱為半導體晶片)從晶圓加工用膠帶的黏著劑層適當地拾取之問題。

另外，在拾取時，為了使黏著劑層和接著劑層之間的剝離容易，進行有將從晶圓加工用膠帶的下側利用銷(pin)頂起半導體晶片的力和頂起高度加以增大，但是，近年來，半導體晶片有變薄的趨勢，於半導體晶片變薄的情況下，若增大頂起力，亦有晶片破損之問題。

因此，本發明為了解決上述的問題點而完成者，其目的在於提供一種晶圓加工用膠帶，藉由使黏著劑層和接著劑層之間的剝離變容易，提高拾取步驟中的半導體晶片的拾取成功率，同時，可以防止因增大銷的頂起力及頂起高度引起的薄半導體晶片的破損。

本發明者等對上述的課題進行積極硏究，結果發現，在依次形成有基材薄膜、黏著劑層和接著劑層的晶圓加工用膠帶中，在將80℃時的接著劑層的膠黏力設為A、將80℃時的黏著劑層的膠黏力設為B時，藉由使用設為B0.9(N)、且6.0(A/B)7.0的晶圓加工用膠帶，可使黏著劑層和接著劑層之間的剝離變得容易，拾取步驟中的半導體晶片的拾取成功率提高，進而發現，強度低的薄半導體晶片亦可無破損地進行拾取，從而完成了本發明。

即，本發明第一方面提供一種晶圓加工用膠帶，其係依次形成有基材薄膜、黏著劑層和接著劑層，其特徵在於，在將80℃時的前述接著劑層的膠黏力設為A、將80℃時的前述黏著劑層的膠黏力設為B時，B0.9(N)，且6.0(A/B)7.0。

藉由使用本發明的晶圓加工用膠帶，黏著劑層和接著劑層之間的剝離變得容易，在拾取步驟中，可以容易地將半導體晶片從晶圓加工用膠帶的黏著劑層進行拾取。因此，與以往相比，可以提高半導體晶片的拾取成功率。另外，由於在薄的半導體晶片的情況下在不增大銷的頂起力及頂起高度的情況下亦可拾取半導體晶片，因此，可以不使強度低的半導體晶片破損而進行拾取。

以下，根據圖式對本發明實施形態進行詳細說明。

圖1是表示一實施形態的晶圓加工用膠帶10的剖面圖。該晶圓加工用膠帶10具有：由薄膜狀的基材薄膜12a和形成於其上的黏著劑層12b構成的黏著薄膜12、層合於該黏著膜12上的接著劑層13。藉此，在晶圓加工用膠帶10上，依序形成有基材薄膜12a、黏著劑層12b、接著劑層13。

另外，黏著劑層12b可由一層黏著劑層構成，亦可由層合有兩層以上黏著劑層的黏著劑層構成。此外，在圖1中，顯示為了保護接著劑層13，而在晶圓加工用膠帶10上設置有剝離襯裏11的狀態。

黏著膜12及接著劑層13亦可根據使用步驟或裝置預先切割成特定形狀(預切割)。本發明的晶圓加工用膠帶10包含切成每片半導體晶片之形態以及將形成有複數個此單片半導體晶片的長條薄膜捲繞在輥上的形態。

以下，對本實施形態的晶圓加工用膠帶10的各構成要素進行詳細說明。

(接著劑層)

接著劑層13，係在黏著半導體晶片1等並切割後，在拾取半導體晶片2時，從黏著薄膜12剝離，附著在半導體晶片2上，用作將半導體晶片2固定在基板或引線架上時的接著劑。因此，對接著劑層13在拾取步驟中，具有可以在保持附著在單片化的半導體晶片2上的狀態下，從黏著薄膜12剝離的剝離性，而且，在晶粒接合步驟中，具有用以將半導體晶片2黏接固定於基板或引線架之充分黏接可靠性。

接著劑層13為將接著劑預先進行薄膜化而得的接著劑層，可以使用例如用於接著劑的公知的聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯醯胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物。另外，為了強化對晶片及引線架的黏接力，希望將矽烷偶合劑或鈦偶合劑作為添加劑添加於前述材料及其混合物中。

接著劑層13的厚度並無特別限制，通常較好為5~100 μm左右。另外，接著劑層13可以層合在黏著薄膜12的黏著劑層12b的整個面上，也可以將預先切割成對應於貼合的半導體晶圓1的形狀(預切割)的接著劑層層合在黏著劑層12b的一部分上。層合有切割成對應於半導體晶圓1的形狀的接著劑層13時，如圖2所示，在貼合有半導體晶圓1的部分具有接著劑層13，在貼合有切割用的環形架20的部分無接著劑層13而僅存在黏著薄膜12的黏著劑層12b。一般而言，接著劑層13難以從被黏體剝離，因此，藉由使用預切割了的接著劑層13，可得到可使環形架20貼合於黏著薄膜12上，且在使用後的薄膜剝離時在環形架20上不易產生殘糊之效果。

(黏著薄膜)

黏著薄膜12係在切割半導體晶圓1時，具有不使半導體晶圓1剝離之充分膠黏力，在切割後，在拾取半導體晶片2時，具有可以容易地從接著劑層13剝離之低黏著力者。在本實施方式中，如圖1所示，黏著薄膜12使用在基材薄膜12a上設有黏著劑層12b的黏著薄膜。

作為黏著薄膜12的基材薄膜12a，只要是現有公知的基材薄膜，就可無特別限制地使用，但是如後述，由於在本實施形態中，由於使用能量固化性的材料中的輻射線固化性的材料作為黏著劑層12b，因此，使用具有輻射線透射性的基材薄膜。

例如，作為基材薄膜12a的材料，可以列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或其等之混合物；聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯共聚物或戊烯類共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體及其等之混合物。另外，基材薄膜12a可為將選自該等中的2種以上的材料混合而成的基材薄膜，亦可為將該等進行單層或多層化而得的基材薄膜。基材薄膜12a的厚度沒有特別限定，可以適當設定，但較佳為50~200μm。

在本實施形態中，藉由對黏著薄膜12照射紫外線等輻射線，使黏著劑層12b固化，容易從接著劑層13上剝離黏著劑層12b，因此，對於在黏著劑層12b的樹脂，較好於黏著劑中所使用的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、環氧樹脂、加成反應型有機聚矽氧烷系樹脂、矽丙烯酸酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚異戊二烯或苯乙烯-丁二烯共聚物或其加氫物等各種彈性體等或在其混合物中，適當配合輻射線聚合性化合物而製備黏著劑。另外，亦可添加各種界面活性劑或表面平滑劑。黏著劑層12b的厚度沒有特別限定，可以適當設定，但較好為5~30μm。

該輻射線聚合性化合物可以使用例如藉由光照射可以三維網狀化的分子內具有至少2個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物、取代基中具有光聚合性碳-碳雙鍵基團的聚合物或低聚物。具體而言，可以使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯等、矽丙烯酸酯等、丙烯酸或各種丙烯酸酯類的共聚物等。

另外，除如上所述的丙烯酸酯類化合物之外，亦可使用胺酯丙烯酸酯類低聚物。胺酯丙烯酸酯類低聚物係使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)與末端異氰酸酯胺酯預聚物反應而得到者，所述末端異氰酸酯胺酯預聚物是使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物與多元異氰酸酯化合物(例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得到的。又，黏著劑層12b亦可為混合選自上述樹脂中的2種以上者。

又，黏著劑層12b的樹脂，除對黏著薄膜12照射輻射線而使黏著劑層12b固化的輻射線聚合性化合物之外，也可以適當配合丙烯酸類黏著劑、光聚合引發劑、固化劑等而製備黏著劑層12b。

使用光聚合引發劑時，可以使用例如苯偶因異丙醚、苯偶因異丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。

本實施形態的晶圓加工用膠帶10，在具有以下構成方面具有特徵。

在將80℃時的接著劑層13的膠黏力設為A、將80℃時的黏著劑層12b的膠黏力設為B時，滿足B0.9(N)，且6.0(A/B)7.0。

就降低黏著劑層12b及接著劑層13的80℃時的膠黏力而言，宜使用50℃以上且100℃以下左右的低沸點溶劑。作為沸點50℃以上且100℃以下的溶劑，較好為乙酸乙酯或甲基乙基酮(MEK)，可以以單體或混合物的形式使用。在使用100℃以上且200℃以下左右的高沸點的溶劑時，宜將殘溶濃度設定為1%以下。進而，就降低黏著劑層12b的80℃時的膠黏力而言，宜使光引發劑的量增多，相對於聚合物100質量份，較好設定為1~20質量份，更好設定為2~15質量份。

另外，提高構成黏著劑層的聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)亦有效。玻璃轉移溫度(Tg)較好為-40~-70℃，更好為-50~-60℃。進而，就降低黏著劑層12b的80℃時的膠黏力而言，宜增大固化劑的含量，相對於聚合物共聚物較好為0.01~0.15質量份，更好為使固化劑的含量相對於聚合物共聚物設定為0.01~0.02質量份。

另外，就降低接著劑層13的80℃時的膠黏力而言，宜提高填料含量，較好相對於聚合物100質量份為5~100質量份，更好為10~50質量份。進而，就降低接著劑層13的80℃時的膠黏力而言，宜使固化劑的含量增多，相對於環氧樹脂100質量份，固化劑宜為50~200質量份，更好為70~150質量份。另外，構成接著劑層的環氧樹脂的環氧當量較好為100g/eq~400g/eq，更好為200~300g/eq。就提高黏著劑層12b及接著劑層13的80℃時的膠黏力而言，亦可進行與上述相反。

(晶圓加工用膠帶的使用方法)

在半導體裝置的製造步驟中，晶圓加工用膠帶10如下使用。在圖2中，顯示在晶圓加工用膠帶10上貼合有半導體晶圓1和環形架20的情形。首先，如圖2所示，將黏著薄膜12的黏著劑層12b黏貼在環形架20上，使半導體晶圓1與接著劑層13貼合。其黏貼順序並無限制，可在使半導體晶圓1與接著劑層13貼合後，再將黏著薄膜12的黏著劑層12b黏貼在環形架20上。另外，亦可同時進行黏著薄膜12向環形架20的黏貼和半導體晶圓1向接著劑層13的貼合。

接下來，實施半導體晶圓1的切割步驟(圖3)，接著，實施對黏著薄膜12照射能量線、例如紫外線的步驟。具體而言，為了利用切割刀21切割半導體晶圓1和接著劑層13，利用吸附台22從黏著薄膜12的下面側吸附支撐晶圓加工用膠帶10。接著，利用切割刀21將半導體晶圓1和接著劑層13切割成2單元半導體晶片而進行單片化，然後，從黏著薄膜12的下表面側照射能量線。藉由該能量線照射，使黏著劑層12b固化，使其膠黏力降低。又，可取代能量線的照射，利用加熱等外部刺激而使黏著薄膜12的黏著劑層12b的膠黏力降低。黏著劑層12b由兩層以上的黏著劑層層合而構成的情況下，可以藉由能量線照射使各黏著劑層中的一層或所有層固化，使各黏著劑層中的一層或所有層的膠黏力降低。

其後，如圖4所示，實施將保持有經切割的半導體晶片2及接著劑層13的黏著薄膜12沿環形架20的圓周方向拉伸的擴展步驟。具體而言，相對保持有經切割的複數半導體晶片2及接著劑層13的狀態的黏著薄膜12，使中空圓柱形狀的頂出構件30從黏著薄膜12的下表面側上升，將黏著薄膜12沿環形架20的圓周方向拉伸。藉由擴展步驟，加寬半導體晶片2之間的間隔，提高利用CCD攝像機等進行的半導體晶片2的識別性，同時，可以防止在拾取時由於鄰接的半導體晶片2彼此的接觸而產生的半導體晶片2彼此再接著。

實施擴展步驟後，如圖5所示，在保持將黏著薄膜12擴展的狀態下，實施拾取半導體晶片2的拾取步驟。具體而言，從黏著片12的下表面側利用銷31將半導體晶片2頂出，同時，從黏著膜12的上表面側用吸附夾具32吸附半導體晶片2，由此，將單片化的半導體晶片2與接著劑層13一起拾取。

接下來，實施拾取步驟後，實施晶粒接合步驟。具體而言，利用在拾取步驟中與半導體晶片2一起被拾取的接著劑層13，將半導體晶片2與引線架或包裝基板等接著。

(實施例)

接著，對本發明的實施例進行說明，但本發明不限定於這些實施例。首先，對基材薄膜12a及下述的表1所示的黏著劑層組成物1A~1G進行調製後，在基材薄膜12a上塗敷黏著劑層組成物1A~1G，以使黏著劑層組成物1A~1G乾燥後的厚度為10μm，在110℃乾燥3分鐘，作成黏著薄膜12。接著，對下述的表2所示的接著劑層組成物2A~2H進行調製，在由脫模處理的厚度25μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯構成的剝離襯底11上塗敷接著劑層組成物2A~2H，以使接著劑層組成物2A~2H乾燥後的厚度為40μm，在110℃乾燥3分鐘，在剝離襯裏11上製成接著劑層13。接著，在將黏著薄膜12及接著劑層13裁斷為如圖2所示的形狀後，在黏著薄膜12的黏著劑層12b側貼合接著劑層13，製成如下述表3所示的實施例1~3及如下述表4所示的比較例1~9。

(基材薄膜12a)

作為膜狀的基材薄膜12a，使用厚度100μm的添加了彈性體之聚丙烯。

(黏著劑層組成物的調製)

作為黏著劑層組成物1A~1G，藉由如下表1所示的各成分的配合，調製黏著劑層組成物。

<黏著劑層組成物1A>

黏著劑組成物1A如表1所示，為添加聚合物共聚物(1)33質量份、固化劑(異氰酸酯)0.5質量份、光聚合引發劑(1-羥基-環己基-苯基-酮)3質量份、溶劑(1)80質量份並進行混合的組成物。又，聚合物共聚物(1)為具有輻射線固化性碳-碳雙鍵官能基的丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸2-羥基烷基酯類的共聚物，玻璃轉移溫度(Tg)為-53℃。另外，溶劑(1)為甲苯。

<黏著劑層組成物1B>

黏著劑組成物1B如表1所示，為添加聚合物共聚物(1)33質量份、固化劑(異氰酸酯化合物)0.5質量份、光聚合引發劑(1-羥基-環己基-苯基-酮)3質量份、溶劑(2)80質量份並混合而成的組成物。又，溶劑(2)為乙酸乙酯。

<黏著劑層組成物1C>

黏著劑組成物1C如表1所示，為添加聚合物共聚物(2)33質量份、固化劑(異氰酸酯化合物)0.5質量份、光聚合引發劑(1-羥基-環己基-苯基-酮)3質量份、溶劑(2)80質量份並混合而成的組成物。又，聚合物共聚物(2)為具有輻射線固化性碳-碳雙鍵的官能基的丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸2-羥基烷基酯類的共聚物，玻璃轉移溫度(Tg)為-72℃。

<黏著劑層組成物1D>

黏著劑組成物1D如表1所示，為添加聚合物共聚物(1)33質量份、固化劑(異氰酸酯化合物)0.5質量份、光聚合引發劑(1-羥基-環己基-苯基-酮)1質量份、溶劑(2)80質量份並混合而成的組成物。

<黏著劑層組成物1E>

黏著劑組成物1E如表1所示，為添加聚合物共聚物(1)33質量份、固化劑(異氰酸酯化合物)0.5質量份、光聚合引發劑(1-羥基-環己基-苯基-酮)4質量份、溶劑(2)80質量份並混合而成的組成物。

<黏著劑層組成物1F>

黏著劑組成物1F如表1所示，為添加聚合物共聚物(1)33質量份、固化劑(異氰酸酯化合物)0.2質量份、光聚合引發劑(1-羥基-環己基-苯基-酮)3質量份、溶劑(2)80質量份並混合而成的組成物。

<黏著劑層組成物1G>

黏著劑層組成物1G如表1所示，為添加聚合物共聚物(2)33質量份、固化劑(異氰酸酯)0.5質量份、光聚合引發劑(1-羥基-環己基-苯基-酮)3質量份、溶劑(1)80質量份並混合而成的組成物。

將上述黏著劑層組成物1A~1G在基材薄膜12a上以使乾燥膜厚為10μm之方式進行塗敷，在110℃乾燥3分鐘，製作黏著薄膜12。

作為黏著劑層組成物2A~2H，藉由下述的表2所示的各成分的配合，調製接著劑層組成物。

<接著劑層組成物2A>

將環氧樹脂4質量份、矽烷偶合劑(γ-巰基丙基三甲氧基矽烷)、填料2質量份添加溶劑(2)80質量份並進行攪拌混合，進而使用珠磨機混煉90分鐘。其後，將丙烯酸樹脂(1)16質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份進行攪拌混合，並進行真空脫氣，得到接著劑層組成物2A。環氧樹脂為聯苯型環氧樹脂(環氧當量265、分子量1200、軟化點63℃)。填料為平均粒徑16nm的二氧化矽填料。又，溶劑(2)為甲基乙基酮(MEK)和乙酸乙酯的混合物。丙烯酸樹脂(1)的重均分子量(Mw)為80萬，玻璃轉移溫度(Tg)為17℃。作為固化劑，使用市售的DICY15(日本環氧樹脂(股))，作為固化促進劑，使用市售的Curesol 2PZ(四國化成股份有限公司)。

<接著劑層組成物2B>

如表2所示，使用丙烯酸樹脂(1)16質量份、環氧樹脂4質量份、填料2質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份、溶劑(1)80質量份，與接著劑層組成物2A同樣地得到接著劑層組成物2B。溶劑(1)為甲苯和環己酮的混合物。

<接著劑層組成物2C>

如表2所示，使用丙烯酸樹脂(2)16質量份、環氧樹脂4質量份、填料2質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份、溶劑(2)80質量份，與接著劑層組成物2A同樣地得到接著劑層組成物2C。丙烯酸樹脂(2)的重均分子量(Mw)為85萬，玻璃轉移溫度(Tg)為-15℃。

<接著劑層組成物2D>

如表2所示，使用丙烯酸樹脂(1)16質量份、環氧樹脂4質量份、填料1質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份、溶劑(2)80質量份，與接著劑層組成物2A同樣地得到接著劑層組成物2D。

<接著劑層組成物2E>

如表2所示，使用丙烯酸樹脂(1)19質量份、環氧樹脂1質量份、填料2質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份、溶劑(2)80質量份，與接著劑層組成物2A同樣地得到接著劑層組成物2E。

<接著劑層組成物2F>

如表2所示，使用丙烯酸樹脂(1)16質量份、環氧樹脂4質量份、填料3質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份、溶劑(2)80質量份，與接著劑層組成物2A同樣地得到接著劑層組成物2F。

<接著劑層組成物2G>

如表2所示，使用丙烯酸樹脂(2)16質量份、環氧樹脂4質量份、填料2質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份、溶劑(1)80質量份，與接著劑層組成物2A同樣地得到接著劑層組成物2G。

<接著劑層組成物2H>

如表2所示，使用丙烯酸樹脂(2)19質量份、環氧樹脂1質量份、填料2質量份、固化劑4質量份、固化促進劑0.2質量份、溶劑(1)80質量份，與接著劑層組成物2A同樣地得到接著劑層組成物2H。

將上述接著劑層組成物2A~2H塗布在厚度25μm的經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，加熱乾燥，形成膜厚為40μm的B階段狀態的塗膜，製作接著薄膜。

將製作好的黏著薄膜12及接著薄膜分別切割為直徑370mm、320mm的圓形，且將黏著薄膜12的黏著劑層12b和接著薄膜的接著劑層13貼合。最後，將接著薄膜的PET膜從接著劑層13剝離，得到下述表3所示的實施例1~3晶圓加工用膠帶10，及下述表4所示的比較例1~9的晶圓加工用膠帶。

表3顯示構成實施例1~3的晶圓加工用膠帶10的黏著劑層組成物和接著劑層組成物的組合。另外，顯示各實施例1~3的接著劑層13的80℃時的膠黏力A(N)、黏著劑層12b的80℃時的膠黏力B(N)、80℃時的接著劑層13和黏著劑層12b的膠黏力比(A/B)、拾取成功率(%)。另外，拾取中銷的頂起高度為450μm。

表4顯示構成比較例1~9的晶圓加工用膠帶的黏著劑層組成物和接著劑層組成物的組合。另外，顯示各比較例1~7的接著劑層13的80℃時的膠黏力A(N)、黏著劑層12b的80℃時的膠黏力B(N)、80℃時的接著劑層13和黏著劑層12b的膠黏力比(A/B)、拾取成功率(%)。另外，拾取中銷的頂起高度為450μm。

<膠黏力的測定>

將實施例1~3的各晶圓加工用膠帶10及比較例1~9的各晶圓加工用膠帶的黏著膠帶12維持在80℃，同時，以JIS Z 0237為基準，使用RHESCA製膠黏力測定試驗機對黏著劑層12b的膠黏力進行測定。將實施例1~3的各晶圓加工用膠帶10及比較例1~9的各晶圓加工用膠帶的接著劑薄膜維持在80℃，同時，以JIS Z 0237為基準，使用RHESCA製膠黏力測定試驗機對接著劑層13的膠黏力進行測定。

<拾取成功率的測定>

在70℃，用10秒鐘將厚度100μm的矽晶圓(半導體晶片)1加熱貼合於實施例1~3的各晶圓加工用膠帶10及比較例1~9的各晶圓加工用膠帶上，然後，切割為10mm×10mm的半導體晶片2。其後藉由空冷式高壓水銀燈(80W/cm、照射距離10cm)對黏著劑層12b以200J/cm² 照射紫外線。其後，對位於矽晶圓(半導體晶圓)1的中央部的50個的半導體晶片2，利用晶粒接合裝置(NEC machinery製、商品名CPS-100FM)進行拾取，求出拾取成功率，對其結果進行評價。又，將經拾取的半導體晶片2中從黏著劑層12b剝離並保持有接著劑層13的晶片作為拾取成功的晶片，算出拾取成功率。

實施例1中，黏著劑層12b的80℃時的膠黏力(以下，稱為膠黏力B)為規定的膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.531(N)，且接著劑層13的80℃時的膠黏力(以下稱為膠黏力A)與黏著劑層12b的80℃時的膠黏力(膠黏力B)的膠黏力比(A/B)為規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍內的6.9，因此，拾取成功率為100%。

實施例2中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.566(N)，且膠黏力比(A/B)為規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍內的6.5，因此，拾取成功率為100%。

實施例3中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.584(N)，且膠黏力比(A/B)為規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍內的6.1，因此，拾取成功率為100%。

比較例1中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.864(N)，但膠黏力比(A/B)為比規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍的下限值小的4.2，因此，拾取成功率降低為32%。

比較例2中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.531(N)，但膠黏力比(A/B)為比規定膠黏力比(A/B)的上述範圍6.0以上且7.0以下的範圍的上限值大的7.5，因此，拾取成功率降低為28%。

比較例3中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.618(N)，但膠黏力比(A/B)為比規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍的下限值小的5.9，因此，拾取成功率降低為81%。

比較例4中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.531(N)，但膠黏力比(A/B)為比規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍的上限值大的7.3，因此，拾取成功率降低為22%。

比較例5中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.531(N)，但膠黏力比(A/B)為比規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍的上限值大的7.1，因此，拾取成功率降低為76%。

比較例6中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.531(N)，但膠黏力比(A/B)為比規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍的上限值大的7.7，因此，拾取成功率降低為9%。

比較例7中，膠黏力B為規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍的0.851(N)，但膠黏力比(A/B)為比規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍的下限值小的4.3，因此，拾取成功率降低為28%。

比較例8中，膠黏力比(A/B)為規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍內的6.2，但膠黏力B為比規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍上限值大的0.908(N)，因此，拾取成功率降低為0%。

比較例9中，膠黏力比(A/B)為規定膠黏力比(A/B)的上述6.0以上且7.0以下的範圍內的6.9，但膠黏力B為比規定膠黏力B的上述0.9(N)以下的範圍上限值大的0.908(N)，因此，拾取成功率降低為0%。

在本實施形態的晶圓加工用膠帶10中，在將80℃時的接著劑層13的膠黏力設為A、將80℃時的黏著劑層12b的膠黏力設為B時，滿足B0.9(N)，且6.0(A/B)7.0。

黏著劑層12b的80℃時的膠黏力B為0.9(N)以下，且接著劑層13的80℃時的膠黏力A與黏著劑層12b的80℃時的膠黏力B的膠黏力之比(A/B)在6.0以上且7.0以下的範圍內，黏著劑層12b和接著劑層13之間的剝離變得容易。

如上所述，可以在拾取步驟中，容易地將附著有接著劑層13的狀態的半導體晶片2從晶圓加工用膠帶10的黏著劑層12b進行拾取。因此，可以使附著有接著劑層13的狀態的半導體晶片2的拾取成功率比以往提高。另外，即使在薄半導體晶片2的情況下，由於黏著劑層12b和接著劑層13之間的剝離容易，所以也可以不增大銷的頂起力及頂起高度而拾取半導體晶片2，因此，可以在強度低的半導體晶片2不破損的情況下進行拾取。

1．．．半導體晶圓

2．．．半導體晶片

10．．．晶圓加工用膠帶

12a．．．基材薄膜

12b．．．黏著劑層

12．．．黏著薄膜

13．．．接著劑層

20．．．環形架

21．．．切割刀

22．．．吸附台

30．．．頂出構件

31．．．銷

32．．．吸附夾具

圖1是表示本發明實施形態的晶圓加工用膠帶的剖面圖；

圖2是在晶圓加工用膠帶上貼合半導體晶圓的圖；

圖3是用於說明切割步驟的圖；

圖4是用於說明擴展步驟的圖；

圖5是用於說明拾取步驟的圖；

10．．．晶圓加工用膠帶

11．．．剝離襯裏

12a．．．基材薄膜

12b．．．黏著劑層

12．．．黏著薄膜

13．．．接著劑層

Claims (1)

1. 一種晶圓加工用膠帶，其係依次形成有基材薄膜、黏著劑層和接著劑層的晶圓加工用膠帶，其特徵為該接著劑層為加熱硬化型接著劑，且厚度為5~100μm，該黏著劑層為光硬化型黏著劑，且厚度為5~30μm，在將80℃時的前述接著劑層的膠黏力設為A、將80℃時的前述黏著劑層的膠黏力設為B時，B0.9N，且6.0A/B7.0。