JP5184409B2 - ウエハ加工用テープ - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハのダイシング工程、ピックアップ工程、ダイボンディング工程等において使用されるウエハ加工用テープに関する。

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハを半導体チップ単位に切断分離（ダイシング）する工程、分離された半導体チップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。

近年、上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、例えば、基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハ加工用テープや、粘着剤層の上にさらに接着剤層が積層された構造を有するウエハ加工用テープ（ダイシングダイボンドフィルム：ＤＤＦ）が提案され、既に実用化されている（例えば、特許文献１を参照）。

しかしながら、上記ダイシングダイボンドフィルムは、製造から使用までの間の、接着剤層と粘着剤層とが接触する時間が必然的に長くなるため、使用前に両層がなじんでしまい、個片化した接着剤層付き半導体チップをピックアップする工程で、接着剤層と粘着剤層との間でうまく剥離できないという問題点があった。

そこで、このような問題を解決するウエハ加工用テープとして、粘着剤層を構成する炭素−炭素二重結合を有する放射線重合性化合物のヨウ素価や、接着剤層を構成するエポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）を規定することによって、接着剤層付き半導体チップを容易に粘着剤層から剥離することができるようにしたウエハ加工用テープが知られている（例えば、特許文献２を参照）。

特開平２−３２１８１号公報 特開２００５−３０３２７５号公報

上記特許文献２に記載のウエハ加工用テープでは、粘着剤層を構成する炭素−炭素二重結合を有する放射線重合性化合物のヨウ素価を規定することにより、放射線照射後の粘着力の低減を図り、エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）を規定することによって、Ｂステージ状態での接着剤層又はウエハ加工用テープのタック力の低減を図っている。すなわち、粘着剤層および接着剤層について、それぞれ剥離しやすくなるように改善している。

しかしながら、粘着剤層と接着剤層との関係については、考慮されておらず、組み合わせによっては、剥離容易性が十分でなく、接着剤層付き半導体チップ（以下、半導体チップという）をウエハ加工用テープの粘着剤層から適切にピックアップできないという問題があった。

また、ピックアップ時には、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をしやすくするために、ウエハ加工用テープの下側からピンによって半導体チップを突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることが行われているが、近年、半導体チップが薄くなる傾向にあり、半導体チップが薄い場合に、突き上げ力を大きくすると、チップが破損してしまうという問題点もあった。

そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、粘着剤層と接着剤層との間の剥離を容易にすることで、ピックアップ工程における半導体チップのピックアップ成功率を向上させるとともに、ピンの突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることによる薄い半導体チップの破損を防止することが可能なウエハ加工用テープを提供することを提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の課題に対して鋭意検討した結果、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたウエハ加工用テープにおいて、８０℃での接着剤層のタック力をＡとし、８０℃での粘着剤層のタック力をＢとしたとき、Ｂ≦０．５８４（Ｎ）であり、かつ、６．０≦（Ａ／Ｂ）≦７．０であるウエハ加工用テープを使用することにより、粘着剤層と接着剤層との間の剥離が容易になり、ピックアップ工程における半導体チップのピックアップ成功率が向上することを見出し、更には、強度の低い薄い半導体チップも破損することなくピックアップできることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープは、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたウエハ加工用テープであって、８０℃での前記接着剤層のタック力をＡとし、８０℃での前記粘着剤層のタック力をＢとしたとき、Ｂ≦０．５８４（Ｎ）であり、かつ、６．０≦（Ａ／Ｂ）≦７．０であることを特徴とする。また、０．５３１（Ｎ）≦Ｂであることが好ましい。

本発明のウエハ加工用テープを使用することにより、粘着剤層と接着剤層との間の剥離が容易になり、ピックアップ工程において半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層から容易にピックアップすることができる。従って、従来よりも半導体チップのピックアップ成功率を向上させることができる。また、薄い半導体チップの場合であっても、ピンの突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることなく半導体チップをピックアップできるので、強度が低い半導体チップを破損することなくピックアップすることができる。

本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープを示す断面図である。 ウエハ加工用テープ上に半導体ウエハを貼り合せた図である。 ダイシング工程を説明するための図である。 エキスパンド工程を説明するための図である。 ピックアップ工程を説明するための図である。

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を示す断面図である。このウエハ加工用テープ１０は、フィルム状の基材フィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、この粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。このように、ウエハ加工用テープ１０では、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂと接着剤層１３とがこの順に形成されている。
なお、粘着剤層１２ｂは一層の粘着剤層により構成されていてもよいし、二層以上の粘着剤層が積層されたもので構成されていてもよい。なお、図１においては、接着剤層１３を保護するため、剥離ライナー１１がウエハ加工用テープ１０に設けられている様子が示されている。

粘着フィルム１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープ１０は、半導体ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のフィルムをロール上に巻き取った形態とを含む。
以下、本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。

（接着剤層）
接着剤層１３は、半導体ウエハ１等が貼り合わされてダイシングされた後、半導体チップ２をピックアップする際に、粘着フィルム１２から剥離して半導体チップ２に付着し、半導体チップ２を基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１３は、ピックアップ工程において、個片化された半導体チップ２に付着したままの状態で、粘着フィルム１２から剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディング工程において、半導体チップ２を基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。

接着剤層１３は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。

接着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ましい。また、接着剤層１３は粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの全面に積層してもよいが、予め貼り合わされる半導体ウエハ１に応じた形状に切断された（プリカットされた）接着剤層１３を粘着剤層１２ｂの一部に積層してもよい。半導体ウエハ１に応じた形状に切断された接着剤層１３を積層した場合、図２に示すように、半導体ウエハ１が貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り合わされる部分には接着剤層１３がなく粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂのみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤層１３を使用することで、リングフレーム２０は粘着フィルム１２に貼り合わすことができ、使用後のフィルム剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。

（粘着フィルム）
粘着フィルム１２は、半導体ウエハ１をダイシングする際には半導体ウエハ１が剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップ２をピックアップする際には容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。本実施形態において、粘着フィルム１２は、図１に示すように、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂを設けたものを使用した。

粘着フィルム１２のフィルム状の基材フィルム１２ａとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述するように、本実施形態においては、粘着剤層１２ｂとして、エネルギー硬化性の材料のうち放射線硬化性の材料を使用することから、放射線透過性を有するものを使用する。

例えば、基材フィルム１２ａの材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１２ａはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム１２ａの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。

本実施形態においては、紫外線などの放射線を粘着フィルム１２に照射することにより、粘着剤層１２ｂを硬化させ、粘着剤層１２ｂを接着剤層１３から剥離しやすくしていることから、粘着剤層１２ｂの樹脂には、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。粘着剤層１２ｂの厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。

その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物や、光重合性炭素−炭素二重結合基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。

また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘着剤層１２ｂには、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。

なお、粘着剤層１２ｂの樹脂には、放射線を粘着フィルム１２に照射して粘着剤層１２ｂを硬化させる放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤層１２ｂを調製することもできる。

光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。

本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０は、以下の構成を有する点に特徴がある。
８０℃での接着剤層１３のタック力をＡとし、８０℃での粘着剤層１２ｂのタック力をＢとしたとき、
Ｂ ≦ ０．９（Ｎ）であり、かつ、６．０ ≦ （Ａ／Ｂ） ≦ ７．０であることを満たしている。

粘着剤層１２ｂおよび接着剤層１３の８０℃でのタック力を低くするには、５０℃以上でかつ１００℃以下程度の低い沸点の溶剤を用いるとよい。沸点が５０℃以上でかつ１００℃以下の溶剤としては酢酸エチルやメチルエチルケトン（ＭＥＫ）が好ましく、単体又は混合物として使用できる。１００℃以上でかつ２００以下程度の高い沸点の溶剤を用いる場合は、残溶濃度を１％以下にするとよい。さらに、粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力を低くするには、光開始剤の量を多くするとよく、ポリマー１００質量部に対し、１〜２０質量部にすることが好ましく、２〜１５質量部とすることがより好ましい。

また、粘着剤層を構成するポリマーのガラス転移点（Ｔｇ）を高くすることも有効である。ガラス転移点（Ｔｇ）は好ましくは−４０〜−７０℃であり、より好ましくは−５０〜−６０℃である。さらに、粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力を低くするには、硬化剤の含有量を多くするとよく、ポリマー共重合体に対して０．０１〜０．１５質量部にするのが好ましく、硬化剤の含有量をポリマー共重合体に対して０．０１〜０．０２質量部にするのがより好ましい。

また、接着剤層１３の８０℃でのタック力を低くするには、フィラー含有量を高くするとよく、好ましくはポリマー１００質量部に対し、５〜１００質量部がよく、より好ましくは１０〜５０質量部がよい。さらに、接着剤層１３の８０℃でのタック力を低くするには、硬化剤の含有量を多くするとよく、エポキシ１００質量部に対し、硬化剤５０〜２００質量部がよく、より好ましくは７０〜１５０質量部がよい。また、接着剤層を構成するエポキシのエポキシ当量は好ましくは１００ｇ／ｅｑ〜４００ｇ／ｅｑであり、より好ましくは２００〜３００ｇ／ｅｑである。粘着剤層１２ｂおよび接着剤層１３の８０℃でのタック力を高くするには、上述の逆を行うとよい。

（ウエハ加工用テープの使用方法）
半導体装置の製造工程の中で、ウエハ加工用テープ１０は、以下のように使用される。図２においては、ウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハ１とリングフレーム２０とが貼り合わされた様子が示されている。まず、図２に示すように、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付け、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせる。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせた後に粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付けてもよい。また、粘着フィルム１２のリングフレーム２０への貼り付けと、半導体ウエハ１の接着剤層１３への貼り合わせとを、同時に行っても良い。

そして、半導体ウエハ１のダイシング工程を実施し（図３）、次いで、粘着フィルム１２にエネルギー線、例えば紫外線を照射する工程を実施する。具体的には、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３とをダイシングするため、吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１０を粘着フィルム１２の下面側から吸着支持する。そして、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３を半導体チップ２単位に切断して個片化し、その後、粘着フィルム１２の下面側からエネルギー線を照射する。このエネルギー線照射によって、粘着剤層１２ｂを硬化させてその粘着力を低下させる。なお、エネルギー線の照射に代えて、加熱などの外部刺激によって粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの粘着力を低下させてもよい。粘着剤層１２ｂが二層以上の粘着剤層により積層されて構成されている場合、各粘着剤層の内の一層又は全層をエネルギー線照射によって硬化させて、各粘着剤層の内の一層又は全層の粘着力を低下させても良い。

その後、図４に示すように、ダイシングされた半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した粘着フィルム１２をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した状態の粘着フィルム１２に対して、中空円柱形状の突き上げ部材３０を、粘着フィルム１２の下面側から上昇させ、粘着フィルム１２をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、半導体チップ２同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等による半導体チップ２の認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接する半導体チップ２同士が接触することによって生じる半導体チップ２同士の再接着を防止することができる。

エキスパンド工程を実施した後、図５に示すように、粘着フィルム１２をエキスパンドした状態のままで、半導体チップ２をピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着シート１２の下面側から半導体チップ２をピン３１によって突き上げるとともに、粘着フィルム１２の上面側から吸着冶具３２で半導体チップ２を吸着することで、個片化された半導体チップ２を接着剤層１３とともにピックアップする。

そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程で半導体チップ２とともにピックアップされた接着剤層１３により、半導体チップ２をリードフレームやパッケージ基板等に接着する。

（実施例）
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。まず、基材フィルム１２ａ及び下記の表１に示す粘着剤層組成物１Ａ〜１Ｇを調製した後、基材フィルム１２ａ上に粘着剤層組成物１Ａ〜１Ｇの乾燥後の厚さが１０μｍになるように粘着剤層組成物１Ａ〜１Ｆを塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて粘着フィルム１２を作成した。次いで、下記の表２に示す接着剤層組成物２Ａ〜２Ｈを調製し、接着剤層組成物２Ａ〜２Ｈを離型処理した厚さ２５μｍのポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナー１１に、乾燥後の厚さが４０μｍになるように接着剤層組成物２Ａ〜２Ｈを塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて剥離ライナー１１上に接着剤層１３を作成した。そして、粘着フィルム１２及び接着剤層１３を図２に示す形状に裁断した後、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂ側に接着剤層１３を貼り合わせて、下記の表３に示す実施例１〜３及び下記の表４に示す比較例１〜９を作成した。

（基材フィルム１２ａ）
フィルム状の基材フィルム１２ａとして、厚さ１００μｍのエラストマー添加ポリプロピレンを使用した。

（粘着剤層組成物の調製）
粘着剤層組成物１Ａ〜１Ｇとして、下記の表１に示す各成分の配合により、粘着剤層組成物を調製した。

＜粘着剤層組成物１Ａ＞
粘着剤層組成物１Ａは、表１に示すように、ポリマー共重合体（１）３３質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）０．５質量部と、光重合開始剤（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン）３質量部と、溶剤（１）８０質量部と、を加えて混合した組成物である。尚、ポリマー共重合体（１）は、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する官能基を持つ２−エチルヘキシルアクリレートと２−ヒドロキシアルキルアクリレート類の共重合体であり、ガラス転移点（Ｔｇ）が−５３℃である。また、溶剤（１）は、トルエンである。

＜粘着剤層組成物１Ｂ＞
粘着剤層組成物１Ｂは、表１に示すように、ポリマー共重合体（１）３３質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）０．５質量部と、光重合開始剤（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン）３質量部と、溶剤（２）８０質量部と、を加えて混合した組成物である。尚、溶剤（２）は、酢酸エチルである。

＜粘着剤層組成物１Ｃ＞
粘着剤層組成物１Ｃは、表１に示すように、ポリマー共重合体（２）３３質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）０．５質量部と、光重合開始剤（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン）３質量部と、溶剤（２）８０質量部と、を加えて混合した組成物である。尚、ポリマー共重合体（２）は、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する官能基を持つ２−エチルヘキシルアクリレートと２−ヒドロキシアルキルアクリレート類の共重合体であり、ガラス転移点（Ｔｇ）が−７２℃である。

＜粘着剤層組成物１Ｄ＞
粘着剤層組成物１Ｄは、表１に示すように、ポリマー共重合体（１）３３質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）０．５質量部と、光重合開始剤（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン）１質量部と、溶剤（２）８０質量部と、を加えて混合した組成物である。

＜粘着剤層組成物１Ｅ＞
粘着剤層組成物１Ｅは、表１に示すように、ポリマー共重合体（１）３３質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）０．５質量部と、光重合開始剤（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン）４質量部と、溶剤（２）８０質量部と、を加えて混合した組成物である。

＜粘着剤層組成物１Ｆ＞
粘着剤層組成物１Ｆは、表１に示すように、ポリマー共重合体（１）３３質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）０．２質量部と、光重合開始剤（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン）３質量部と、溶剤（２）８０質量部と、を加えて混合した組成物である。

＜粘着剤層組成物１Ｇ＞
粘着剤層組成物１Ｇは、表１に示すように、ポリマー共重合体（２）３３質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）０．５質量部と、光重合開始剤（１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン）３質量部と、溶剤（１）８０質量部と、を加えて混合した組成物である。

上記粘着剤層組成物１Ａ〜１Ｇを、基材フィルム１２ａに、乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着フィルム１２を作製した。

接着剤層組成物２Ａ〜２Ｈとして、下記の表２に示す各成分の配合により、接着剤層組成物を調製した。

＜接着剤層組成物２Ａ＞
エポキシ樹脂４質量部、シランカップリング剤（γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、フィラー２質量部を、溶剤（２）８０質量部を加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間混練した。その後、アクリル樹脂（１）１６質量部、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部とを撹拌混合し、真空脱気し、接着剤層組成物２Ａを得た。エポキシ樹脂は、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６５、分子量１２００、軟化点６３℃）である。フィラーは、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラーである。また、溶剤（２）は、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）と酢酸エチルの混合物である。アクリル樹脂（１）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が８０万、ガラス転移点（Ｔｇ）が１７℃である。硬化剤としては市販品のＤＩＣＹ１５（ジャパンエポキシレジン（株））、硬化促進剤としては市販品のキュアゾール２ＰＺ（四国化成（株））を用いた。

＜接着剤層組成物２Ｂ＞
接着剤層組成物２Ｂは、表２に示すように、アクリル樹脂（１）１６質量部と、エポキシ樹脂４質量部と、フィラー２質量部と、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部と、溶剤（１）８０質量部とを用いて、接着剤層組成物２Ａと同様にして得た。溶剤（１）は、トルエンとシクロヘキサノンの混合物である。

＜接着剤層組成物２Ｃ＞
接着剤層組成物２Ｃは、表２に示すように、アクリル樹脂（２）１６質量部と、エポキシ樹脂４質量部と、フィラー２質量部と、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部と、溶剤（２）８０質量部とを用いて、接着剤層組成物２Ａと同様にして得た。アクリル樹脂（２）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が８５万、ガラス転移点（Ｔｇ）が−１５℃である。

＜接着剤層組成物２Ｄ＞
接着剤層組成物２Ｄは、表２に示すように、アクリル樹脂（１）１６質量部と、エポキシ樹脂４質量部と、フィラー１質量部と、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部と、溶剤（２）８０質量部とを用いて、接着剤層組成物２Ａと同様にして得た。

＜接着剤層組成物２Ｅ＞
接着剤層組成物２Ｅは、表２に示すように、アクリル樹脂（１）１９質量部と、エポキシ樹脂１質量部と、フィラー２質量部と、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部と、溶剤（２）８０質量部とを用いて、接着剤層組成物２Ａと同様にして得た。

＜接着剤層組成物２Ｆ＞
接着剤層組成物２Ｆは、表２に示すように、アクリル樹脂（１）１６質量部と、エポキシ樹脂４質量部と、フィラー３質量部と、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部と、溶剤（２）８０質量部とを用いて、接着剤層組成物２Ａと同様にして得た。

＜接着剤層組成物２Ｇ＞
接着剤層組成物２Ｇは、表２に示すように、アクリル樹脂（２）１６質量部と、エポキシ樹脂４質量部と、フィラー２質量部と、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部と、溶剤（１）８０質量部とを用いて、接着剤層組成物２Ａと同様にして得た。

＜接着剤層組成物２Ｈ＞
接着剤層組成物２Ｈは、表２に示すように、アクリル樹脂（２）１９質量部と、エポキシ樹脂１質量部と、フィラー２質量部と、硬化剤４質量部と、硬化促進剤０．２質量部と、溶剤（１）８０質量部とを用いて、接着剤層組成物２Ａと同様にして得た。

上記接着剤層組成物２Ａ〜２Ｈを、厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、加熱乾燥して、膜厚が４０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、接着フィルムを作製した。

作製した粘着フィルム１２及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂと接着フィルムの接着剤層１３とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層１３から剥離し、下記の表３に示す実施例１〜３に係るウエハ加工用テープ１０、及び下記の表４に示す比較例１〜９に係るウエハ加工用テープを得た。

表３には、実施例１〜３に係るウエハ加工用テープ１０を構成する粘着剤層組成物と接着剤層組成物の組合せを示してある。また、各実施例１〜３における接着剤層１３の８０℃でのタック力Ａ（Ｎ）、粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力Ｂ（Ｎ）、８０℃での接着剤層１３と粘着剤層１２ｂとのタック力比（Ａ／Ｂ）、ピックアップ成功率（％）を示してある。尚、ピックアップにおけるピンの突き上げ高さは４５０μｍである。

表４には、比較例１〜９に係るウエハ加工用テープを構成する粘着剤層組成物と接着剤層組成物の組合せを示してある。また、各比較例１〜７における接着剤層１３の８０℃でのタック力Ａ（Ｎ）、粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力Ｂ（Ｎ）、８０℃での接着剤層１３と粘着剤層１２ｂとのタック力比（Ａ／Ｂ）、ピックアップ成功率（％）を示してある。尚、ピックアップにおけるピンの突き上げ高さは４５０μｍである。

＜タック力の測定＞
実施例１〜３の各ウエハ加工用テープ１０及び比較例１〜９の各ウエハ加工用テープにおける粘着テープ１２を８０℃に維持しながら、粘着剤層１２ｂのタック力を、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠し、レスカ製タック測定試験機を用いて測定した。また、実施例１〜３の各ウエハ加工用テープ１０及び比較例１〜９の各ウエハ加工用テープにおける接着剤フィルムを８０℃に維持しながら、接着剤層１３のタック力を、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠し、レスカ製タック測定試験機を用いて測定した。

＜ピックアップ成功率の測定＞
実施例１〜３の各ウエハ加工用テープ１０及び比較例１〜９の各ウエハ加工用テープに厚み１００μｍのシリコンウエハ（半導体ウエハ）１を７０℃で１０秒間、加熱貼合した後、１０ｍｍ×１０ｍｍの半導体チップ２にダイシングした。その後、粘着剤層１２ｂに紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）により２００Ｊ／ｃｍ^２照射した。その後、シリコンウエハ（半導体ウエハ）１の中央部に位置する５０個の半導体チップ２について、ダイボンダー装置（ＮＥＣマシナリー製、商品名ＣＰＳ−１００ＦＭ）によりピックアップを行い、ピックアップ成功率を求め、その結果を評価した。尚、ピックアップされた半導体チップ２に粘着剤層１２ｂから剥離した接着剤層１３が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。

実施例１は、粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力（以下、タック力Ｂという）が、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．５３１（Ｎ）であり、かつ、接着剤層１３の８０℃でのタック力（以下、タック力Ａという）と粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力（タック力Ｂ）とのタック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲内の６．９であるため、ピックアップ成功率が１００％となった。

実施例２は、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．５６６（Ｎ）であり、かつ、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲内の６．５であるため、ピックアップ成功率が１００％となった。

実施例３は、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．５８４（Ｎ）であり、かつ、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲内の６．１であるため、ピックアップ成功率が１００％となった。

比較例１では、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．８６４（Ｎ）であるが、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲の下限値よりも小さい４．２であるため、ピックアップ成功率が３２％と低くなった。

比較例２では、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．５３１（Ｎ）であるが、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記範囲６．０以上でかつ７．０以下の範囲の上限値よりも大きい７．５であるため、ピックアップ成功率が２８％と低くなった。

比較例３では、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．６１８（Ｎ）であるが、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲の下限値よりも小さい５．９であるため、ピックアップ成功率が８１％と低くなった。

比較例４では、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．５３１（Ｎ）であるが、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲の上限値よりも大きい７．３であるため、ピックアップ成功率が２２％と低くなった。

比較例５では、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．５３１（Ｎ）であるが、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲の上限値よりも大きい７．１であるため、ピックアップ成功率が７６％と低くなった。

比較例６では、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．５３１（Ｎ）であるが、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲の上限値よりも大きい７．７であるため、ピックアップ成功率が９％と低くなった。

比較例７では、タック力Ｂが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の０．８５１（Ｎ）であるが、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲の下限値よりも小さい４．３であるため、ピックアップ成功率が２８％と低くなった。

比較例８では、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲内の６．２であるが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の上限値よりも大きい０．９０８（Ｎ）であるため、ピックアップ成功率が０％と低くなった。

比較例９では、タック力比（Ａ／Ｂ）が、タック力比（Ａ／Ｂ）を規定する上記６．０以上でかつ７．０以下の範囲内の６．９であるが、タック力Ｂを規定する上記０．９（Ｎ）以下の範囲の上限値よりも大きい０．９０８（Ｎ）であるため、ピックアップ成功率が０％と低くなった。

本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０では、８０℃での接着剤層１３のタック力をＡとし、８０℃での粘着剤層１２ｂのタック力をＢとしたとき、
Ｂ ≦ ０．９（Ｎ）であり、かつ、６．０ ≦ （Ａ／Ｂ） ≦ ７．０であることを満たしている。

粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力Ｂが、０．９（Ｎ）以下であり、かつ、接着剤層１３の８０℃でのタック力Ａと粘着剤層１２ｂの８０℃でのタック力Ｂとのタック力比（Ａ／Ｂ）が、６．０以上でかつ７．０以下の範囲内にあることで、粘着剤層１２ｂと接着剤層１３との間の剥離が容易になる。

以上のことより、ピックアップ工程において接着剤層１３が付着した状態の半導体チップ２をウエハ加工用テープ１０の粘着剤層１２ｂから容易にピックアップすることができる。従って、従来よりも接着剤層１３が付着した状態の半導体チップ２のピックアップ成功率を向上させることができる。また、薄い半導体チップ２の場合であっても、粘着剤層１２ｂと接着剤層１３との間の剥離が容易であるため、ピンの突き上げ力や突き上げ高さを大きくすることなく半導体チップ２をピックアップできるので、強度が低い半導体チップ２を破損することなくピックアップすることができる。

１：半導体ウエハ
２：半導体チップ
１０：ウエハ加工用テープ
１２ａ：基材フィルム
１２ｂ：粘着剤層
１２：粘着フィルム
１３：接着剤層

Claims (2)

1. 基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたウエハ加工用テープであって、
   ８０℃での前記接着剤層のタック力をＡとし、８０℃での前記粘着剤層のタック力をＢとしたとき、
   Ｂ≦０．５８４（Ｎ）であり、かつ、６．０≦（Ａ／Ｂ）≦７．０であることを特徴とするウエハ加工用テープ。
2. ８０℃での前記粘着剤層のタック力をＢとしたとき、０．５３１（Ｎ）≦Ｂであることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。

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