JP5144567B2 - ウエハ加工用テープ - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエハを半導体素子（チップ）に切断するダイシング工程と、切断されたチップをリードフレームや他のチップに接着するダイボンディング工程との両工程に使用されるウエハ加工用テープに関する。

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハをチップ単位に切断（ダイシング）する工程、切断されたチップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。

上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材上に、粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたダイシングダイボンドシートが知られている（例えば、特許文献１参照）。
このようなダイシングダイボンドシートに用いられている接着剤層はエポキシ樹脂等の低分子量物質を多く含んでおり、一般のダイシングテープ（基材上に粘着剤層が形成されたテープ）に用いられている粘着剤層と比較すると、軟らかく切削性が劣る傾向がある。そのため、ダイシング時に、半導体ウエハのヒゲ状の切削屑や接着剤層の切り残り（バリ）が多く発生する、ダイシング後のピックアップ工程でピックアップ不良をおこしやすい、Ｉ Ｃ などの半導体装置の組立工程でのチップの接着不良が生じやすい、あるいはＩＣ 等の不良品が発生してしまうという問題点があった。

そこで、このような問題を解決する従来技術として、基材上に中間樹脂層、粘着剤層、接着剤層がこの順に積層されているウエハ加工用テープであって、中間樹脂層の８０℃における貯蔵弾性率が、粘着剤層の８０℃における貯蔵弾性率よりも大きいことを特徴とする半導体加工用テープが知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００５−３０３２７５号公報 特開２００６−４９５０９号公報

しかしながら、上記特許文献２に記載のウエハ加工用テープでは、粘着剤層および接着剤層の弾性率によっては、ダイシング時に接着剤層と粘着剤層の溶融が発生しやすくなるために、接着剤層、粘着剤層等に切り残り（バリ）が発生し、その切り残りの影響によってピックアップ時に隣接チップ（個片化した接着剤層付き半導体チップ）が一緒に持ち上がるエラー（ダブルダイエラー）が発生するという問題があった。また、粘着剤層および接着剤層の弾性率によっては、ダイシング時に半導体ウエハへの保持力（粘着剤層が接着剤層を保持する粘着力や接着剤層が個片化された半導体チップを保持する接着力）が低下するために、半導体ウエハの剥離が生じチップ飛びが発生するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、ダイシング工程でチップ飛びの発生を抑制できると共に、ピックアップ工程で隣接チップが一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制できるウエハ加工用テープを提供することにある。

上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明に係るウエハ加工用テープは、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたウエハ加工用テープであって、前記粘着剤層の８０℃での弾性率が０．１９〜０．４７ＭＰaであり、前記接着剤層の８０℃での弾性率が０．１８〜０．６５ＭＰａであることを特徴とする。
この発明によれば、ダイシング時に接着剤層、粘着剤層等に切り残りが発生するのが抑制されるので、ピックアップ時にその切り残りの影響によって隣接チップが一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制することができる。また、ダイシング時に、粘着剤層が接着剤層を保持する粘着力の低下が抑制され、粘着剤層と接着剤層との界面での剥離が抑制されると共に、接着剤層が半導体ウエハを保持する接着力の低下が抑制され、個片化した接着剤層付き半導体チップと接着剤層との界面での剥離が抑制される。このため、ダイシング時におけるチップ飛びの発生を抑制することができる。

請求項２に記載の発明に係るウエハ加工用テープは、前記接着剤層の８０℃での弾性率を前記粘着剤層の８０℃での弾性率で割った値が０．５〜３であることを特徴とする。この発明によれば、ピックアップ工程で、個片化した接着剤層付き半導体チップをより小さい力で確実にピックアップすることができる。

請求項３に記載の発明に係るウエハ加工用テープは、前記粘着剤層に少なくとも炭素−炭素２重結合含有アクリル共重合体を含むことを特徴とする。

本発明によれば、ダイシング工程でチップ飛びが発生するのを抑制できると共に、ピックアップ工程で接着剤層、粘着剤層等の切り残りの影響によって隣接チップが一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制することができる。

本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープを示す断面図である。 ウエハ加工用テープ上に半導体ウエハを貼り合せた図である。 ダイシング工程を説明するための図である。 エキスパンド工程を説明するための図である。 ピックアップ工程を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を示す断面図である。このウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、この粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。このように、ウエハ加工用テープ１０では、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂと接着剤層１３とがこの順に形成されている。
なお、粘着剤層１２ｂは一層の粘着剤層により構成されていてもよいし、二層以上の粘着剤層が積層されたもので構成されていてもよい。なお、図１においては、接着剤層１３を保護するため、剥離ライナー１１がウエハ加工用テープ１０に設けられている様子が示されている。

粘着フィルム１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープは、半導体ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール上に巻き取った形態とを含む。

本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０は、以下の構成を有する点に特徴がある。
粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率が０．０５〜０．６ＭＰaであり、接着剤層１３の８０℃での弾性率が０．１〜１ＭＰａである。
小さな力で確実にピックアップを可能にするという点で、より好ましくは粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率が０．２〜０．５MPａであり、接着剤層１３の８０℃での弾性率が０．２〜０．８ＭＰaである。

粘着剤層の８０℃での弾性率（以下、弾性率Ｂという。）が０．０５ＭＰa以下の場合（下記表３の比較例１参照）、ダイシング時に接着剤層１３と粘着剤層１２ｂの溶融が発生しやすくなる。このため、接着剤層１３、粘着剤層１２ｂ等に切り残りが発生し、その切り残りの影響によってピックアップ時に隣接チップ（個片化した接着剤層付き半導体チップ２）が一緒に持ち上がるダブルダイエラーが頻発する。
一方、弾性率Ｂが０．６ＭＰa以上の場合（下記表３の比較例２参照）、ダイシング時に粘着剤層１２ｂが接着剤層１３を保持する力（粘着力）が低下するために、粘着剤層１２ｂと接着剤層１３との界面で剥離が生じチップ飛びが発生する。

接着剤層１３の８０℃での弾性率（以下、弾性率Ａという。）が０．１ＭＰa以下の場合（下記表３の比較例１，３参照）、ダイシング時に接着剤層１３と粘着剤層１２ｂの溶融が発生しやすくなる。このため、接着剤層１３、粘着剤層１２ｂ等に切り残りが発生し、その切り残りの影響によってピックアップ時にダブルダイエラーが頻発する。
一方、弾性率Ａが１ＭＰa以上の場合（下記表３の比較例４参照）、ダイシング時に接着剤層１３が半導体ウエハ１を保持する力が低下するために、個片化した接着剤層付き半導体チップ２と接着剤層１３との界面で剥離が生じチップ飛びが発生する。

また、接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａを粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂで割った値（弾性率の比Ａ／Ｂ）が０．５〜３であるのが好ましい。弾性率の比Ａ／Ｂが、０．５以下であると、切断された半導体チップ２をピックアップするのに大きな力を要する。一方、弾性率の比Ａ／Ｂが３以上であると、ダイシング時に半導体ウエハ１を保持する力が低下するために、個片化した接着剤層付き半導体チップ２と接着剤層１３との界面、および接着剤層１３と粘着剤層１２ｂとの界面で剥離が生じチップ飛びが発生する。

以下、本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
（接着剤層）
接着剤層１３は、半導体ウエハ１等が貼り合わされてダイシングされた後、半導体チップ２をピックアップする際に、粘着フィルム１２から剥離して半導体チップ２に付着し、半導体チップ２を基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１３は、ピックアップ工程において、個片化された半導体チップ２に付着したままの状態で、粘着フィルム１２から剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディング工程において、半導体チップ２を基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。

接着剤層１３は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。

接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａを高くするには、高分子量成分（後述するポリマー（３））を増やすこと、および／またはシリカを増やすことが有効である。その弾性率Ａを低くするには、低分子量成分（エポキシ樹脂）を増やすこと等が有効である。

接着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ましい。また、接着剤層１３は粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの全面に積層してもよいが、予め貼り合わされる半導体ウエハ１に応じた形状に切断された（プリカットされた）接着剤層を粘着剤層１２ｂの一部に積層してもよい。半導体ウエハ１に応じた形状に切断された接着剤層１３を積層した場合、図２に示すように、半導体ウエハ１が貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り合わされる部分には接着剤層１３がなく粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂのみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤層１３を使用することで、リングフレーム２０は粘着フィルム１２に貼り合わすことができ、使用後のシート剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。

（粘着フィルム）
粘着フィルム１２は、半導体ウエハ１をダイシングする際には半導体ウエハ１が剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップ２をピックアップする際には容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。本実施形態において、粘着フィルム１２は、図１に示すように、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂを設けたものを使用した。

粘着フィルム１２の基材フィルム１２ａとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述するように、本実施形態においては、粘着剤層１２ｂとして、エネルギー硬化性の材料のうち放射線硬化性の材料を使用することから、放射線透過性を有するものを使用する。

例えば、基材フィルム１２ａの材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１２ａはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム１２ａの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。

本実施形態においては、紫外線などの放射線を粘着フィルム１２に照射することにより、粘着剤層１２ｂを硬化させ、粘着剤層１２ｂを接着剤層１３から剥離しやすくしていることから、粘着剤層１２ｂの樹脂には、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。本発明のウエハ加工用テープに設けられる粘着剤層にはアルキル（メタ）アクリレート及び極性基含有モノマーの共重合体（以下、この共重合体を「アクリル系化合物」ともいう）を含有し、アクリル系化合物と後述する硬化剤とを主成分とするアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。アルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートや、官能基を有する、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル、ビニルアルコール等が挙げられる。

アクリル系化合物は、１種もしくは複数種を用いてもよく、更に、相溶性や各種性能を上げる目的で低分子化合物を共存させることも可能である。前記アクリル系化合物としては、光重合性を有するものであることが好ましく、光重合性を付与する方法としては、前記アクリル系化合物に直接光重合性炭素−炭素二重結合を導入する方法、前記アクリル系化合物と混合可能な光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を添加する方法等が挙げられる。

前記アクリル系化合物に直接、光重合性炭素−炭素二重結合を導入する方法としては、前記アクリル系化合物の側鎖に官能基を有するものを用い、これと付加反応可能な官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を前記アクリル系化合物に付加させて得ることができる。前記アクリル系化合物に付加反応可能な官能基と光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、付加反応の対象となる側鎖がカルボキシル基または酸無水物である場合には、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、付加反応の対象となる側鎖がエポキシ基である場合には、（メタ）アクリル酸等が挙げられ、付加反応の対象となる側鎖が水酸基である場合には、２−イソシアネートアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

前記アクリル系化合物と混合可能な光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する化合物であり、重量平均分子量が１００から３００００の範囲にある化合物を用いることができる。このような化合物の具体例として、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート等が挙げられる。また、この他にウレタンアクリレート系化合物を用いることもできる。ウレタンアクリレート系化合物は、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。

アルキル（メタ）アクリレート及び極性基含有モノマーの共重合体の水酸基価は特に限定されないが、水酸基価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。このとき、極性基（例えば水酸基）含有モノマーの共重合率を調節して目的の水酸基価を有する共重合体を得ることが好ましく、用いられるモノマーの種類等にもよるが、例えば極性基含有モノマーの共重合率（極性基含有モノマーのモル数／共重合体を構成する全モノマーのモル数）を０モル%以上６０モル％未満として所望の水酸基価の共重合体を得ることが好ましい。なお、前記共重合体においては本発明の効果を妨げなければその他のモノマーを含む共重合体としてもよい。アルキル（メタ）アクリレート及び極性基含有モノマーの共重合体の分子量は特に限定されず、用いられるモノマーの種類等により適宜定めることができるが、例えば重量平均分子量で２０万〜１５０万とすることが好ましい。

なお、前記アクリル系化合物と混合可能な光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を添加したものは、分子量が低く、温度変化が大きく、粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂが著しく低下する傾向があるため、前記アクリル系化合物に直接、光重合性炭素−炭素二重結合を導入したものを用いることが好ましい。

光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体１００質量部に対して０．０１〜５質量部が好ましい。

粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂを高くするには、ポリマー（後述するアクリル系ポリマー（１）或いは（２））の架橋密度を高くすること、および／またはポリマーのガラス転移温度Ｔｇを高くすることが有効である。弾性率Ｂを低くするには、その逆を行うことが有効である。
ポリマーの架橋密度を増加させるためには硬化剤量を増やすことが有効であり、ポリマー１００質量部に対し、硬化剤を１〜１５質量部とするのが好ましい。より好ましくは、ポリマー１００質量部に対し、硬化剤を４〜８質量部とする。ガラス転移温度Ｔｇは好ましくは−８０〜０℃、より好ましくは−４０〜−１０℃である。
ガラス転移温度（Ｔｇ）を高くするには、ポリマー作製時にＴｇの高いモノマーを使用して合成すればよくまた、Ｔｇを低くするには、その逆を行うことが有効である。

硬化剤量が少なくかつＴｇが低いと、ピックアップ性が悪化する。一方、硬化剤量が多くかつＴｇが高いと、室温での保持力低下により、（１）ダイシング以前に、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂを接着剤層１３に貼り合わせることができない、（２）粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付けことができない、（３）ダイシング時のチップ飛び等の問題が発生する。

（ウエハ加工用テープの使用方法）
半導体装置の製造工程の中で、ウエハ加工用テープ１０は、以下のように使用される。図２においては、ウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハ１とリングフレーム２０とが貼り合わされた様子が示されている。まず、図２に示すように、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付け、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせる。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせた後に粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付けてもよい。また、粘着フィルム１２のリングフレーム２０への貼り付けと、半導体ウエハ１の接着剤層１３への貼り合わせとを、同時に行っても良い。

そして、半導体ウエハ１のダイシング工程を実施し（図３）、次いで、粘着フィルム１２にエネルギー線、例えば紫外線を照射する工程を実施する。具体的には、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３とをダイシングするため、吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１０を粘着フィルム１２面側から吸着支持する。そして、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３を半導体チップ２単位に切断して個片化し、その後、粘着フィルム１２の下面側からエネルギー線を照射する。このエネルギー線照射によって、粘着剤層１２ｂを硬化させてその粘着力を低下させる。なお、エネルギー線の照射に代えて、加熱などの外部刺激によって粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの粘着力を低下させてもよい。粘着剤層１２ｂが二層以上の粘着剤層により積層されて構成されている場合、各粘着剤層の内の一層又は全層をエネルギー線照射によって硬化させて、各粘着剤層の内の一層又は全層の粘着力を低下させても良い。

その後、図４に示すように、ダイシングされた半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した粘着フィルム１２をリングフレームの周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した状態の粘着フィルム１２に対して、中空円柱形状の突き上げ部材３０を、粘着フィルム１２の下面側から上昇させ、粘着フィルム１２をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、半導体チップ２同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等による半導体チップ２の認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接する半導体チップ同士２が接触することによって生じる半導体チップ同士の再接着を防止することができる。

エキスパンド工程を実施した後、図５に示すように、粘着フィルム１２をエキスパンドした状態のままで、半導体チップ２をピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルム１２の下面側から半導体チップ２をピン３１によって突き上げるとともに、粘着フィルム１２の上面側から吸着冶具３２で半導体チップ２を吸着することで、個片化された半導体チップ２を接着剤層１３とともにピックアップする。

そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程で半導体チップ２とともにピックアップされた接着剤層１３により、半導体チップ２をリードフレームやパッケージ基板等に接着する。

（実施例）
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

（基材フィルム１２ａ）
基材フィルム１２ａとして、厚さ１００μｍのエラストマー添加ポリプロピレンを使用した。

（粘着剤層組成物の調製）
粘着剤層組成物１Ａ〜１Ｆは、下記の表１に示す構成を有するアクリル系放射線硬化性粘着剤組成物である。

＜粘着剤層組成物１Ａ＞
粘着剤層組成物１Ａは、表１に示すように、アクリル系ポリマー（１）１００質量部と、ウレタンアクリレート１００質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）３質量部と、光重合開始剤（1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン）３質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。アクリル系ポリマー（１）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が６０万、ガラス転移温度Ｔｇが−６０℃の２重結合無しのアクリル共重合体である。

＜粘着剤層組成物１Ｂ＞
粘着剤層組成物１Ｂは、アクリル系ポリマー（２）１００質量部と、硬化剤（イソシアネート化合物）１０質量部と、光重合開始剤（1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン）３質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。アクリル系ポリマー（２）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０万、ガラス転移温度Ｔｇが−３５℃の炭素−炭素２重結合含有アクリル共重合体である。

＜粘着剤層組成物１Ｃ＞
粘着剤層組成物１Ｃは、アクリル系ポリマー（１）１００質量部と、ウレタンアクリレート６０質量部と、上記硬化剤５質量部と、上記光重合開始剤３質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。

＜粘着剤層組成物１Ｄ＞
粘着剤層組成物１Ｄは、アクリル系ポリマー（２）１００質量部と、上記硬化剤３質量部と、上記光重合開始剤３質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。

＜粘着剤層組成物１Ｅ＞
粘着剤層組成物１Ｅは、アクリル系ポリマー（２）１００質量部と、上記硬化剤７質量部と、上記光重合開始剤３質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。

＜粘着剤層組成物１Ｆ＞
粘着剤層組成物１Ｆは、アクリル系ポリマー（２）１００質量部と、上記硬化剤５質量部と、上記光重合開始剤３質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。

基材フィルム１２ａに、表１の粘着剤層組成物１Ａ〜１Ｆを乾燥膜厚が１０μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着フィルム１２を作製した。

（接着剤層組成物の調製）
粘着剤層組成物２Ａ〜２Ｅとして、下記の表２に示す各成分の配合により、接着剤層１３用の塗布液を調製した。

＜接着剤層組成物２Ａ＞
接着剤層組成物２Ａは、表２に示すように、アクリル系ポリマー（３）１００質量部と、エポキシ樹脂６０質量部と、硬化剤（１）５５質量部と、硬化剤（２）１．５質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。アクリル系ポリマー（３）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が８５万、ガラス転移温度Ｔｇが１５℃のアクリル共重合体である。エポキシ樹脂は、エポキシ当量２１０〜２３０のｏ-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である。硬化剤（１）は、水酸基当量１６０〜１９０のノボラック型フェノール樹脂である。硬化剤（２）はイミダゾール化合物（２−フェニル４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）である。

＜接着剤層組成物２Ｂ＞
接着剤層組成物２Ａは、上記アクリル系ポリマー（３）１００質量部と、上記エポキシ樹脂１８質量部と、上記硬化剤（１）１５質量部と、上記硬化剤（２）１質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。

＜接着剤層組成物２Ｃ＞
接着剤層組成物２Ｃは、アクリル系ポリマー（３）１００質量部と、上記エポキシ樹脂５質量部と、硬化剤（１）３質量部と、硬化剤（２）０．５質量部と、シリカフィラー７０質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。シリカフィラーは、平均粒径２μｍの球状合成シリカフィラーである。

＜接着剤層組成物２Ｄ＞
接着剤層組成物２Ｄは、表２に示すように、アクリル系ポリマー（３）１００質量部と、上記エポキシ樹脂１８質量部と、硬化剤（１）１５質量部と、硬化剤（２）１質量部と、上記シリカフィラー８０質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。

＜接着剤層組成物２Ｅ＞
接着剤層組成物２Ｅは、アクリル系ポリマー（３）１００質量部と、エポキシ樹脂１８質量部と、硬化剤（１）１５質量部と、硬化剤（２）１質量部と、シリカフィラー５０質量部とを有機溶剤に溶解し、混合して得た。

上記接着剤層組成物２Ａ〜２Ｅの塗布液を離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（剥離ライナー）上に塗布し、１３０℃で３分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の接着フィルムを作製した。
作製した粘着フィルム１２及び接着フィルムを、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂと接着フィルムの接着剤層１３とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層１３から剥離し、下記の表３に示す比較例１〜４に係るウエハ加工用テープ、及び下記の表４に示す実施例１〜６に係るウエハ加工用テープ１０を得た。

表３には、比較例１〜４に係るウエハ加工用テープを構成する粘着剤層組成物と接着剤層組成物の組合せを示してある。また、各比較例１〜４における粘着剤層の８０℃での弾性率Ｂ、接着剤層の８０℃での弾性率Ａ、チップ飛び（％）、及びピックアップ成功率を示してある。
表４には、実施例１〜６に係るウエハ加工用テープ１０を構成する粘着剤層組成物と接着剤層組成物の組合せを示してある。また、各実施例１〜６における粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂ、接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａ、チップ飛び（％）、及びピックアップ成功率（％）を示してある。

＜弾性率測定＞
粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂ及び接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａを粘弾性計（レオメトリックサイエンス社製、商品名：ＡＲＥＳ）を用いて測定した。この測定では、セパレータフィルム（ＰＥＴ）に粘着剤（粘着剤層組成物）１０μｍを塗工したものを２つ用意し、粘着剤同士で貼り合わせ、片側のセパレータフィルムを剥離した後、さらに、セパレータフィルムに粘着剤１０μｍを塗工したものを用意し、粘着剤同士で貼り合わせるという工程を繰り返して２ｍｍの厚さになるまで積層し、最後に残るセパレータフィルムを剥離して得た積層体を８ｍｍφに打ち抜き粘着剤層のサンプルとした。

接着剤も同様に、セパレータフィルム（ＰＥＴ）に接着剤（接着剤層組成物）２０μｍを塗工したものを２つ用意し、接着剤同士で貼り合わせ、片側のセパレータフィルムを剥離した後、さらに、セパレータフィルムに接着剤２０μｍを塗工したものを用意し、接着剤同士で貼り合わせるという工程を繰り返して２ｍｍの厚さになるまで積層し、最後に残るセパレータフィルムを剥離して得た積層体を８ｍｍφに打ち抜き接着剤層のサンプルとした。
得られた粘着剤層のサンプル及び接着剤層のサンプルについて、０℃から測定を開始し昇温速度10℃／分、周波数１Ｈｚで動的粘弾性をそれぞれ測定し、８０℃に達した時点での貯蔵弾性率Ｇ’を、粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂ及び接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａとした。

（チップ飛び及びピックアップ成功率の測定方法）
比較例１〜４及び実施例１〜６の各ウエハ加工用テープを、厚さ７５μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウェハ（半導体ウエハ）に７０℃で加熱貼合し、これをダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製 ＤＦＤ６３４０）上に載置した。次いで、半導体ウエハをダイシング装置上に固定して、１００ｍｍ／秒の速度で５×５ｍｍにダイシングした後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、この後、ピックアップダイボンダー装置（ＮＥＣマシナリー製）によるピックアップを行った。ダイシング時に半導体チップ２（チップ）が飛んだ確立％（／１００チップ）でチップ飛びを、ピックアップダイボンダーにより、チップをピックアップできた確率％（／１００）でのピックアップ性を評価した。このときのピックアップのピン突き上げ条件は、ピン突き上げ高さを０．５ｍｍ、突上げスピードを５０００μｍ／ｓｅｃとした。

比較例１では、弾性率Ｂが、弾性率Ｂを規定する上記範囲０．０５〜０．６ＭＰa の下限値より小さい0.034であり、弾性率Ａ、が弾性率Ａを規定する上記範囲０．１〜１ＭＰａの下限値より小さい０．０９１である。このように、比較例１では、弾性率Ａ及び弾性率Ｂが共に低いためにピックアップ成功率が低い。
比較例２では、弾性率Ｂが上記範囲０．０５〜０．６ＭＰa の上限値より大きい0.65であり、弾性率Ｂが高いためにダイシング時にチップ飛びが９（％）発生している。
比較例３では、弾性率Ａが上記範囲０．１〜１ＭＰａの下限値より小さい0.91であり、弾性率Ａが低いためにピックアップ成功率が低い。
比較例４では、弾性率Ａが上記範囲０．１〜１ＭＰａの上限値より大きい1.4であり、弾性率Ａが高いためにダイシング時にチップ飛びが１２（％）発生している。
なお、表３では、弾性率Ｂ及び弾性率Ａが上記範囲０．０５〜０．６ＭＰa 及び０．１〜１ＭＰａからそれぞれ外れている場合には×を、そうでない場合には○を付けている。

実施例１〜６ではそれぞれ、弾性率Ｂが上記範囲０．０５〜０．６ＭＰa内にあり、弾性率Ａも上記範囲０．１〜１ＭＰａ内にあるため、チップ飛びも１％以下と少なく、ピックアップ成功率も９６％以上と高い。
なお、表４では、弾性率Ｂが上記範囲０．０５〜０．６ＭＰa内にあること、及び弾性率Ａが上記範囲０．１〜１ＭＰａ内にあることを○で示している。また、弾性率Ｂが、弾性率Ｂを規定するより好ましい上記範囲０．２〜０．５MPａ内にあること、及び弾性率Ａが、弾性率Ａを規定するより好ましい上記範囲０．２〜０．８ＭＰa内にあることを◎で示している。

次に、上記実施例１〜６について、上記弾性率の比Ａ／Ｂが０．５〜３の範囲内にあるものを下記の表５に実施例Ａ〜Ｃ（実施例Ａ＝上記実施例２、実施例Ｂ＝上記実施例３、実施例Ｃ＝上記実施例６）として示し、比Ａ／Ｂが０．５〜３の範囲外にあるものを下記の表５に比較例Ａ〜Ｃ（比較例Ａ＝上記実施例１、比較例Ｂ＝上記実施例４、比較例Ｃ＝上記実施例５）として示す。それぞれの実施例Ａ〜Ｃ及び比較例Ａ〜Ｃについて、ピン突き上げ高さを０．３ｍｍ、突上げスピードを５０００μｍ／ｓｅｃとした場合のピックアップ成功率を示す。

実施例Ａ〜Ｃは、弾性率の比Ａ／Ｂを０．５〜３の範囲内にあるため、ピン突き上げ高さが０．３ｍｍであっても、ピックアップ成功率が９０〜９５％と高い。

本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０によれば、以下の作用効果を奏する。
ウエハ加工用テープ１０では、粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂが０．０５〜０．６ＭＰaの範囲内にあり、接着剤層１３の８０℃での弾性率Ａが０．１〜１ＭＰａの範囲内にある。

（１）弾性率Ｂが０．０５ＭＰaより大きいので、ダイシング時に接着剤層１３と粘着剤層１２ｂの溶融が抑制され、接着剤層１３、粘着剤層１２ｂ等に切り残りが発生するのが抑制される。これにより、ピックアップ時に、その切り残りの影響によって隣接チップ（個片化した接着剤層付き半導体チップ２）が一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制することができる。
（２）弾性率Ｂが０．６ＭＰaより小さいので、ダイシング時に粘着剤層１２ｂが接着剤層１３を保持する粘着力の低下が抑制され、粘着剤層１２ｂと接着剤層１３との界面での剥離が抑制される。これにより、ダイシング時におけるチップ飛びの発生を抑制することができる。
（３）弾性率Ａが０．１ＭＰaより大きいので、ダイシング時に接着剤層１３と粘着剤層１２ｂの溶融が抑制され、接着剤層１３、粘着剤層１２ｂ等に切り残りが発生するのが抑制される。これにより、ピックアップ時に、その切り残りの影響によって隣接チップが一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制することができる。
（４）弾性率Ａが１ＭＰaより小さいので、ダイシング時に接着剤層１３が半導体ウエハ１を保持する接着力の低下が抑制され、個片化した接着剤層付き半導体チップ２と接着剤層１３との界面での剥離が抑制される。これにより、ダイシング時におけるチップ飛びの発生を抑制することができる。

このように、ダイシング時に、接着剤層、粘着剤層等に切り残りが発生するのが抑制されるので、ピックアップ時に、その切り残りの影響によって隣接チップが一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制することができる。また、ダイシング時に、粘着剤層１２ｂの粘着力の低下が抑制され、粘着剤層１２ｂと接着剤層１３との界面での剥離が抑制されると共に、接着剤層１３の接着力の低下が抑制され、個片化した接着剤層付き半導体チップ２と接着剤層１３との界面での剥離が抑制される。このため、ダイシング時におけるチップ飛びの発生を抑制することができる。
従って、ダイシング工程で、粘着剤層と接着剤層との界面での剥離や半導体チップと接着剤層との界面での剥離が生じチップ飛びが発生するのを抑制でき、ピックアップ工程で、接着剤層、粘着剤層等の切り残りの影響によって隣接チップが一緒に持ち上がるダブルダイエラーの発生を抑制することができる。

また、弾性率Ｂを０．２〜０．５MPａの範囲内にし、弾性率Ａを０．２〜０．８ＭＰaの範囲内にすることで、ピックアップ工程において、個片化した接着剤層付き半導体チップ２をより小さな力で確実にピックアップすることができる。
また、弾性率の比Ａ／Ｂを０．５〜３の範囲内にすることで、ピックアップ工程において、個片化した接着剤層付き半導体チップ２をより小さい力で確実にピックアップすることができる。

上記実施形態に係るウエハ加工用テープ１０において、粘着剤層１２ｂを二層以上の粘着剤層を積層した構成にする場合、粘着剤層の８０℃での弾性率Ｂは、粘着剤層が一層からなる場合と同様の方法で、粘弾性計（レオメトリックサイエンス社製、商品名：ＡＲＥＳ）を用いて測定する。
つまり、この測定では、セパレータフィルム（ＰＥＴ）に二層からなる粘着剤（粘着剤層組成物）１０μｍを塗工したものを２つ用意し、粘着剤同士で貼り合わせ、セパレータフィルムを剥離した後、さらに、セパレータフィルムに二層からなる粘着剤１０μｍを塗工したものを２つ用意し、粘着剤同士で貼り合わせるという工程を繰り返して２ｍｍの厚さになるまで積層し、この積層体を８ｍｍφに打ち抜き粘着剤層のサンプルとする。得られた粘着剤層のサンプルについて、０℃から測定を開始し昇温速度10℃／分、周波数１Ｈｚで動的粘弾性をそれぞれ測定し、８０℃に達した時点での貯蔵弾性率Ｇ’を、粘着剤層１２ｂの８０℃での弾性率Ｂとする。

１：半導体ウエハ
２：半導体チップ（半導体素子）
１０：ウエハ加工用テープ
１２：粘着フィルム
１２ａ：基材フィルム
１２ｂ：粘着剤層
１３：接着剤層

Claims (3)

1. 基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたウエハ加工用テープであって、
   前記粘着剤層の８０℃での弾性率が０．１９〜０．４７ＭＰaであり、前記接着剤層の８０℃での弾性率が０．１８〜０．６５ＭＰａであることを特徴とするウエハ加工用テープ。
2. 前記接着剤層の８０℃での弾性率を前記粘着剤層の８０℃での弾性率で割った値が０．５〜３であることを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用テープ。
3. 前記粘着剤層に少なくとも炭素−炭素２重結合含有アクリル共重合体を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。

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