JP2007073930A - ウエハ加工用テープ - Google Patents

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賢二 喜多
Yosuke Ogawara
洋介 大河原
Yasumasa Morishima
泰正 盛島
Shinichi Ishiwatari
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Abstract

【課題】ダイシング時の切削性に優れたウエハ加工用テープ、特にダイシング後にリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程にも使用される半導体ウエハダイシングダイボンドテープとして好適な切削性に優れたウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム1上に熱硬化性樹脂組成物からなる中間樹脂層2を介して粘接着剤層3,4が形成されたウエハ加工用テープ10であり、前記中間樹脂層2の80℃における貯蔵弾性率は前記粘接着剤層3,4の80℃における貯蔵弾性率よりも大きくする。
【選択図】図1

Description

本発明は、シリコンウエハ等の半導体装置を製造するにあたり、半導体ウエハ(以下、単にウエハという場合がある)の加工のために使用されるウエハ加工用テープに関し、特にウエハ等を固定しダイシングするために使用されるダイシングテープ、さらに、ダイシング後にリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程にも使用される半導体ウエハダイシングダイボンドテープに関する。
ICなどの半導体装置の組立工程においては、パターン形成後の半導体ウエハ等を個々のチップに切断分離(ダイシング)する工程と、チップを基板等にマウントする工程、さらに樹脂等で封止する工程を有している。
ダイシング工程では、半導体ウエハはあらかじめダイシングダイボンドテープに貼り付けて固定された後、チップ形状に沿ってダイシングが行われる。その後のマウント工程では、接着剤層と粘着剤層が剥離可能に構成され、接着剤付きのチップを粘着剤層から剥離(ピックアップ)させ、チップに付着した接着固定用の接着剤で基板等に固定する。
ダイシングの際、ウエハにはブレードによる切削抵抗がかかるため、個片化された半導体チップ(以下、単にチップという場合がある)に微小な欠けやクラック(以下、チッピングという)が発生することがある。このチッピングの発生は、昨今、重要な問題のうちの1つとして捉えられ、これまでにもチッピング低減のための検討が種々行われてきたが、未だ満足できる手段は無いのが現状である。
更に、このチッピングはウエハの厚さが薄くなると発生しやすくなる傾向にあり、また、小チップではチッピングの許容レベルも厳しくなる。したがって、前述のように半導体チップの薄膜化・小チップの傾向がますます進むことにより、このチッピングの問題は今後より一層深刻化してくるものと容易に推測される。
更に、個片化された半導体チップには、チッピング発生防止と共に、コンパクトにパッケージングされることも求められる。これは、パッケージサイズの小型化のニーズからくるものであり、望ましくは半導体チップの寸法とほぼ同じサイズでパッケージングされることが求められている。
ここで使用するダイシングダイボンドテープとしては、フィルム状接着剤をダイシングテープ上に付設し一体化したテープと、粘着剤層と接着剤層が一つの層になったテープがあり、いずれもダイシングする際にはウエハが剥離したりしない十分な粘着力を必要とし、ピックアップの際には容易に剥離できる性質が要求される。
また、マウント工程においては、チップ−チップ間およびチップ−基板間において十分な接着力が要求され、各種のダイシングダイボンドテープが提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
またチッピングの発生防止、コンパクトパッケージングの要求を解決する方法として、レーザー光線を使用して、被加工物を切断する際に前記被加工物を支持固定するためのダイシングシートであって、支持シートを含む基材と、前記基材の片側面に配置される粘着剤層とからなり、前記粘着剤層は前記レーザー光線により切断可能であり、前記支持シートは前記レーザー光線により切断不可能であることを特徴とする、ダイシングシートが開示されている(特許文献4)。この方法によれば、粘着剤付きの素子小片を得ることができ、しかも被加工物の切断がレーザー光線で行われるので、チッピングが少ないとされているが、これはダイシングシートであり、ダイシング後接着剤の塗布工程を必要とする。
ダイシングダイボンドテープは、ダイシング後、チップ裏面に接着剤層を付けたままでピックアップし、基板等にマウントした後加熱などにより硬化接着させるいわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、接着剤の塗布工程を省略できるようにするものである。
しかしながら、これらのダイシングダイボンドシートに用いられているフィルム状接着剤はエポキシ樹脂等の低分子量物質を多く含んでおり、一般のダイシングテープに用いられている粘着剤層と比較すると、軟らかく切削性が劣る傾向がある。そのため、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑やフィルム状接着剤のバリが多く発生する、ダイシング後のピックアップ工程でピックアップ不良をおこしやすい、ICなどの半導体装置組立工程でのチップの接着不良が生じやすい、あるいはIC等の不良品が発生してしまうという問題点があった。
特開2002−226796号公報 特開2002−158276号公報 特開2004−123963号公報 特開2002−343747号公報
そこで、本発明の目的は、ブレードダイシング、さらにはレーザーダイシング時の切削性に優れたウエハ加工用テープを提供するものであり、特にダイシング後にリードフレームや半導体チップと重ね合わせるための接着工程にも使用される半導体ウエハダイシングダイボンドテープとして好適な切削性に優れたウエハ加工用テープを提供するものである。
本発明者らは、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、基材フィルムと粘着剤層の間に熱硬化性樹脂組成物からなる中間樹脂層を設けることで、ウエハ加工テープはダイシング時の切削性が向上しうることを見出した。本発明は、この知見に基づきなされたものである。
すなわち本発明は、
(1)基材フィルム上に熱硬化性樹脂組成物からなる中間樹脂層を介して粘接着剤層が形成されたことを特徴とするウエハ加工用テープ、
(2)前記熱硬化性樹脂組成物はエポキシ基またはアクリル基を有する化合物を含有することを特徴とする(1)項記載のウエハ加工用テープ、
(3)前記中間樹脂層と粘接着剤層の厚みの合計が15μm以上であることを特徴とする(1)または(2)項記載のウエハ加工用テープ、
(4)前記中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が前記粘接着剤層の80℃における貯蔵弾性率よりも大きいことを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ、
(5)前記中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が8×10〜1×10Paの範囲内であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ、
(6)前記粘接着剤層が、前記中間樹脂層から粘着剤層、接着剤層の順に形成されてなることを特徴とする(1)〜(5)のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ、
(7)前記接着剤層の波長355nmにおける光透過率が80%以下であることを特徴とする(6)記載のウエハ加工用テープ、
(8)前記基材フィルム、中間樹脂層および粘着剤層が実質的に光透過性であることを特徴とする(6)または(7)記載のウエハ加工用テープ、
(9)前記粘着剤層の波長355nmにおける光透過率が80%以上であることを特徴とする(6)〜(8)のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ、
(10)チップを製造するにあたり、環状の支持フレームに貼合され、該支持フレームの内側開口部に被加工ウエハを貼合するために用いられ、少なくとも支持フレームの対応予定部分には前記接着剤層がないことを特徴とする(6)〜(9)のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ、および、
(11)前記粘着剤層が、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも1種選ばれる化合物(B)との反応生成物を含有していることを特徴とする(6)〜(10)のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ、
を提供するものである。
上記において、実質的に光透過性とは、ウエハ加工用テープに適用した層の厚さでの波長355nmの光の透過率が80%以上であることをいう。
本発明のウエハ加工用テープは、半導体ウエハに貼合してダイシングの際にはダイシングテープとして使用することができ、ウエハをダイシングする際のヒゲ状切削屑等が少なく良好な切削性を得ることができるという効果を奏する。さらには、ピックアップする際には半導体素子と接着剤層とを容易に粘着剤層から剥離して使用することができ、半導体素子のダイレクトダイボンディングを可能とするものである。また、本発明のウエハ加工用テープは、ブレードダイシングのみでなくレーザーダイシングにも用いることができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明のウエハ加工用テープ10に半導体ウエハ11とダイシング用リングフレーム12が貼合された一例を示す断面図である。
本実施態様のウエハ加工用テープ10は基材フィルム1上に中間樹脂層2、粘着剤層3、接着剤層4が設けられた構造を有している。それぞれの層は、使用工程や装置に併せて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。また、ウエハ等が貼合される前のウエハ加工用テープは接着剤層もしくは粘着剤層を保護するためにカバーフィルムが設けられていても良い。また、本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ1枚分ごとに切断されていてもよいし、これを長尺にしたロール状であってもよい。
図2は、本発明の別の実施態様のウエハ加工用テープ10に半導体ウエハ11とダイシング用リングフレーム12が貼合された一例を示す断面図である。図1と同様にウエハ加工用テープは基材フィルム1上に中間樹脂層2、粘着剤層3、接着剤層4が設けられた構造を有しているが、接着剤層4は半導体ウエハ形状に合わせ常法により予めプリカットされたものが積層されている。半導体ウエハ11は接着剤層4の存在する部分に貼合されており、リングフレーム12が貼合された部分には接着剤層4がなく、粘着剤層3に貼合されている。本実施態様では、リングフレーム12は粘着剤層3に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム12への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
次に、本発明のウエハ加工用テープの各層を構成する材料について順に説明する。
(基材フィルム)
本発明のウエハ加工用テープを構成する基材フィルムについて説明する。基材フィルムとしては、特に限定されるものではなく公知のプラスチック、ゴムなどを用いることができる。一般に基材フィルムとしては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。
放射線透過性であることが好ましく、特に粘着剤層に放射線硬化性の粘着剤を使用する場合にはその粘着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択する必要がある。また、特にレーザーダイシングに利用する場合には、基材フィルムはレーザー光により切断されることがないよう、実質的に光透過性であることが好ましい。「実質的に光透過性である」とは、ウエハ加工用テープに適用した厚さでの波長355nmの光の透過率が80%以上であることをいう。
このような基材として選択し得るポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−1、ポリ−4−メチルペンテン−1、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のエンジニアリングプラスチック、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用しても良い。
なお、延伸後の素子間隙を大きくするためには、ネッキング(基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生)の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルムを用いると効果的である。
さらには基材フィルムの中間樹脂層が設けられる側の表面には、中間樹脂層との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施しても良い。
基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射線透過性や光透過性の観点から通常30〜300μmが適当である。なお、基材フィルムの粘着剤層が塗布されない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることによって、ブロッキング防止、粘着テープの放射状延伸時の粘着テープと治具との摩擦を減少することによる基材フィルムのネッキング防止などの効果が得られ、好ましい。
(中間樹脂層)
本発明のウエハ加工用テープを構成する中間樹脂層は熱硬化性樹脂組成物からなるものである。中間樹脂層を熱硬化性樹脂組成物からなるものとすることにより、粘接着剤層との親和性が増し中間樹脂層にまで伸びた粘接着剤層を固定し切削性を向上させることができる。熱硬化性樹脂組成物はエポキシ基を有する化合物を含有しているものが好ましく、更に好ましくはグリシジル基を有する化合物を含有しているものが良い。また、エポキシ基を有する化合物に代えて、もしくは、エポキシ基を有する化合物とともに、アクリル基を有する化合物を含有することも好ましい。
中間樹脂層は、例えば、粘着成分と硬化成分(硬化剤)とを含む混合物(熱硬化性樹脂組成物)を基材フィルム上に塗工した後、硬化させることによって設けられる。本発明において、中間樹脂層は、120〜180℃、30〜300分の熱処理によって硬化させても良いが、室温で1週間程度放置することによって徐々に硬化し、好ましい範囲の弾性率となるような材料を用いることが好ましい。
中間樹脂層を硬くする方法としては、熱硬化性樹脂組成物中の粘着成分のガラス転移転(Tg)を高くする、熱硬化性樹脂組成物中の硬化剤の含有量を多くする、熱硬化性樹脂組成物中に無機化合物フィラーを加えるなどの方法が挙げられるがこれに限定されるものではない。また、放射線照射によって硬化する材料を使用し、放射線照射によって硬化させて中間樹脂層の硬さを調整してもよい。なお、ここで、放射線とは、例えば紫外線のような光、あるいはレーザー光、または電子線のような電離性放射線を総称して言うものである。
粘着成分は、アクリル系、ポリエステル系、ウレタン系、シリコーン系、天然ゴム系などの種々の汎用粘着剤を用いることができるが、本発明においては、特にアクリル基を有する化合物のアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、たとえば、(メタ)アクリル酸エステルモノマーおよび(メタ)アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる(メタ)アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで(メタ)アクリル酸エステルモノマーとしては、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸ベンジルエステル、アルキル基の炭素数が1〜18である(メタ)アクリル酸アルキルエステルが用いられる。また、(メタ)アクリル酸誘導体として、たとえばグリシジル基を有する(メタ)アクリル酸グリシジルを用いることによりエポキシ基を含有させることができる。本発明においては、例えば、エチルアクリレート、グリシジルメタクリレート及び2−ヒドロキシエチルアクリレートからなるアクリル系共重合体を用いることができる。熱硬化性樹脂組成物に用いられる(メタ)アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は10万〜70万が好ましい。また、(メタ)アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は−40〜10℃が好ましい。
本発明において、熱硬化性樹脂組成物中、粘着成分の含有量は、80〜99質量%が好ましく、85〜95質量%がさらに好ましい。
硬化成分(硬化剤)としては、好ましくはポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物が用いられ、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。この硬化剤は架橋剤として働き、アクリル樹脂等の粘着成分と反応した結果できる架橋構造により、中間樹脂層は三次元網状構造を有し、ダイシング等によって生じる温度上昇時にも軟化しにくいものとなる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートL(商品名、日本ポリウレタン(株)製)等を用いることができる。
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、例えば、ニカラックMX−45(商品名、三和ケミカル(株)製)、メラン(商品名、日立化成工業(株)製)等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、例えば、TETRAD−X(商品名、三菱化学(株)製)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
本発明において、熱硬化性樹脂組成物中、硬化剤の含有量は、1〜20質量%が好ましく、5〜15質量%がさらに好ましい。
本発明において、エポキシ基を有している化合物を含有させる方法としては、粘着成分や硬化成分にエポキシ基を有している化合物を使用する方法の他にエポキシ樹脂を加える方法も挙げられる。
本発明において、熱硬化性樹脂組成物中、エポキシ基を有する化合物の含有量は、5〜25質量%が好ましく、10〜20質量%がさらに好ましい。
また、本発明において、熱硬化性樹脂組成物中、アクリル基を有する化合物の含有量は、75〜95質量%が好ましく、80〜90質量%がさらに好ましい。
さらに、中間樹脂層に放射線硬化性を持たせることで、ダイシング後に放射線硬化により中間樹脂層を硬化収縮させチップのピックアップ性を向上させても良い。
放射線硬化性を持たせるためには、例えば、熱硬化性樹脂組成物中に光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリレート系オリゴマーを含有させることが挙げられる。これらのオリゴマーとしては光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。
放射線により中間樹脂層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。これらのうち少なくとも1種類を中間樹脂層に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることができる。
さらに熱硬化性樹脂組成物には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を含有することができる。これらの成分の含有量はそれぞれ、組成物中、5質量%以下であることが好ましい。
中間樹脂層の厚さは少なくとも5μm、より好ましくは10μm以上であることが好ましい。なお、中間樹脂層は複数の層が積層された構成であってもよい。
本発明において、ダイシング時のチップの割れ・欠け(チッピング)を抑制するために、中間樹脂層の弾性率は、80℃における貯蔵弾性率で好ましくは8×104〜1×107Paであり、より好ましくは1×105〜5×106Paである。中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が大きすぎると粘着テープとしての製造が難しく、小さすぎるとダイシング時のチップの割れ・欠け(チッピング)抑制が不十分である。本発明において、貯蔵弾性率は、通常の動的粘弾性測定装置を用いて常法により測定することができる。
また、特にレーザーダイシングに利用する場合には、中間樹脂層もレーザー光により切断されることがないよう、実質的に光透過性であることが好ましい。
本発明のウエハ加工用テープは、このように熱硬化性樹脂組成物を基材上に塗布して、硬化させた後のテープであって、その中間樹脂層は、熱硬化した樹脂であり、ダイシング温度(通常30〜90℃)付近でも急激な軟化をすることなく良好な切削性が得られる。
(粘接着剤層)
以上のように基材フィルムに中間樹脂層が形成された後、中間樹脂層上にさらに粘接着剤層が形成され、本発明のウエハ加工用テープが製造される。粘接着剤層は粘着剤層からなるもので良いし、中間樹脂層から粘着剤層、接着剤層の順に形成されてなるものであっても良い。本発明のウエハ加工用テープにおいて、中間樹脂層と粘接着剤層の厚みの合計は、15μm以上であることが好ましく、20〜40μmであることがさらに好ましい。中間樹脂層と粘接着剤層の厚みの合計が少なすぎるとダイシング時に基材上のヒゲ切削屑の数が多くなる場合がある。
また、中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が粘接着剤層の80℃における貯蔵弾性率よりも大きいことが好ましく、さらに前者の後者に対する比が5〜10倍であることがなお好ましい。
(粘着剤層)
粘着剤層の形成は、通常のダイシングテープ同様に基材フィルムに形成された中間樹脂層上に粘着剤を塗工して製造してよく、粘着剤の塗工は、中間樹脂層が塗工された後であればよいが、中間樹脂層が放射線照射によって貯蔵弾性率が調整されるものであれば、中間樹脂層が放射線によって硬化された後に塗工することが必要である。
本発明のウエハ加工用テープを構成する粘着剤層は特に制限は無くダイシング時には接着剤層とのチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易となる特性を有するものであれば良い。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好ましく、特にダイシングダイボンドテープにおいては接着剤層との剥離が容易な材料であることが好ましい。
粘着剤層には、例えば、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物(B)との反応生成物を含有するアクリル系粘着剤を用いることができる。
粘着剤層を形成する粘着剤の主成分の1つである化合物(A)について説明する。化合物(A)の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で0.5〜20、より好ましくは0.8〜10である。ヨウ素価が0.5以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が20以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物(A)そのものに安定性があり、製造が容易となる。
上記化合物(A)は、ガラス転移点が−70℃〜0℃であることが好ましく、−66℃〜−28℃であることがより好ましい。ガラス転移点(以下、Tgと言う。)が−70℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、0℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
上記化合物(A)はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物((1))と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物((2))とを反応させて得たものが用いられる。
このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物((1))は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体((1)−1)と、官能基を有する単量体((1)−2)とを共重合させて得ることができる。
単量体((1)−1)としては、炭素数6〜12のヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数5以下の単量体である、ペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体((1)−1)として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体((1)−1)の総質量の5質量%以下の範囲内で可能である。
単量体((1)−2)が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体((1)−2)の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
化合物((2))において、用いられる官能基としては、化合物((1))、つまり単量体((1)−2)の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体((1)−2)の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物((1))と化合物((2))の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
上記の化合物(A)の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物(A)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
以上のようにして、化合物(A)を得ることができるが、本発明において、化合物(A)の分子量は、30万〜100万程度が好ましい。30万未満では、放射線照射による凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、40万以上である方が好ましい。また、分子量が100万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
化合物(A)が、水酸基価5〜100となるOH基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物(A)が、酸価0.5〜30となるCOOH基を有することが好ましい。
ここで、化合物(A)の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
つぎに、粘着剤層を形成する粘着剤のもう1つの主成分である化合物(B)について説明する。化合物(B)は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物(B)は架橋剤として働き、化合物(A)または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物(A)および(B)を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′−〔2,2−ビス(4−フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネートを挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートL(商品名、日本ポリウレタン(株)製)等を用いることができる。
また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、例えば、ニカラックMX−45(商品名、三和ケミカル(株)製)、メラン(商品名、日立化成工業(株)製)等を用いることができる。
さらに、エポキシ樹脂としては、例えば、TETRAD−X(商品名、三菱化学(株)製)等を用いることができる。
本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
(B)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.4〜3質量部とすることがより好ましい。その量が0.1質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、10質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれる傾向がある。
また、本発明において、粘着剤層を形成する粘着剤には、光重合開始剤(C)が含まれていることが好ましい。粘着剤層の含まれる光重合開始剤(C)に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、4,4′−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4′−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、2−エチルアントラキノン、t−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、2−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、2,4,5−トリアリ−ルイミダゾール二量体(ロフィン二量体)、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(C)の添加量としては、化合物(A)100質量部に対して0.1〜10質量部とすることが好ましく、0.5〜5質量部とすることがより好ましい。
さらに本発明に用いることができる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層に無機化合物フィラーを加えることでアクリル系粘着剤のみを成分とした粘着剤層に比べ、粘着剤塗布後の弾性率を上昇させることができる。この場合に用いられる無機化合物フィラーは、好ましくは20nm〜300nmの平均粒径を有する。この範囲外の平均粒径では、例えば、粒径が小さい場合では粘着剤の配合および塗布作業中に無機化合物フィラーの凝集が急速に進行してしまい均一な粘着剤層が形成されないため、効果が損なわれることがある。また、粒径が大きい場合では粘着剤層に占める無機化合物フィラーの割合が大きくなり過ぎ、均一な粘着剤層が形成されないあるいは、半導体ウエハ固定用粘着テープまたはダイシングダイボンドテープとして使用するのに十分な粘着性が得られないことがある。
粘着剤層の厚さは少なくとも5μm、より好ましくは10μm以上であることが好ましく、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
また、中間樹脂層と粘着剤層の厚みの合計が、15μm以上であることが好ましく、20〜40μmであることがさらに好ましい。中間樹脂層と粘着剤層の厚みの合計が少なすぎるとダイシング時に基材上のヒゲ切削屑の数が多くなる場合がある。
粘着剤層の80℃における貯蔵弾性率は、中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率よりも小さいのが好ましい。
さらに、粘着剤層は、実質的に光透過性であることが好ましく、波長355nmにおける光透過率が80%以上とするのが好ましい。その光透過率が低すぎると、レーザーダイシングの際粘着剤層が切断されるからである。
(接着剤層)
本発明のダイシングダイボンドテープとして好適なウエハ加工用テープは、以上のように製造されたウエハ加工用テープにさらに接着剤層が積層された構成となっている。
なお、ここで接着剤層とは半導体ウエハ等が貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。
接着剤層は、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンドテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
接着剤層は、波長355nmにおける光透過率が80%以下とするのが好ましい。その透過率が高すぎるとレーザーダイシング時に接着剤層の切断が不十分となるからである。
本発明のウエハ加工用テープにおいて接着剤層は予め接着剤層がフィルム化されたもの(以下、接着フィルムと言う。)を、前述の中間樹脂層および粘着剤層が基材フィルム上に形成されたテープの粘着剤層面にラミネートして形成しても良い。ラミネート時の温度は10〜100℃の範囲で、0.1〜100kgf/cmの線圧をかけることが好ましい。なお、接着フィルムはセパレータ上に形成されたものを用い、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングダイボンドテープのカバーフィルムとして使用し、ウエハ等を貼合する際に剥離しても良い。また、接着フィルムは粘着剤層の全面に積層してもよいが、予め貼合されるウエハに応じた形状に切断された(プリカットされた)接着フィルムを積層しても良い。ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、本発明のダイシングダイボンドテープの使用時において、ウエハが貼合される部分には接着剤層が有り、ダイシング用のリングフレームが貼合される部分には接着剤層がなく、粘着剤層に貼合されて使用される。一般に接着剤層は被着体と剥離しにくいため、リングフレーム等に糊残りを生じやすい。プリカットされた接着剤フィルムを使用することで、リングフレームは粘着剤層に貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。特に、チップを製造するにあたり、環状の支持フレームに貼合され、該支持フレームの内側開口部に被加工ウエハを貼合するために用いられるウエハ加工用テープでは、少なくとも支持フレームの対応予定部分には前記接着剤層がないことが好ましい。
次に、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
[実施例1〜10および比較例1〜4]
下記のように中間樹脂層組成物、粘着剤層組成物、および接着フィルムを調製し、厚さ100μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体基材フィルムに、中間樹脂層組成物を乾燥膜厚が表1〜2に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、さらに粘着剤層組成物を乾燥膜厚が表1〜2に示す厚さとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、粘着テープを作製した。これらの粘着テープの粘着剤層上に接着フィルム3A〜3Cを貼合し、表1〜2に示すような実施例1〜10、比較例1〜4の各ウエハ加工用テープを作製し、評価試験をおこなった。
(1)中間樹脂層組成物の調製
(中間樹脂層組成物1A)
エチルアクリレート、グリシジルメタクリレート及び2−ヒドロキシエチルアクリレートからなる重量平均分子量25万のアクリル系共重合体(ガラス転移温度−20℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して中間樹脂層組成物1Aを得た。
(中間樹脂層組成物1B)
エチルアクリレート、グリシジルメタクリレート及び2−ヒドロキシエチルアクリレートからなる重量平均分子量25万のアクリル系共重合体(ガラス転移温度−20℃)100質量部、オリゴマーとして分子中にヨウ素価0.5〜20の光重合性炭素−炭素二重結合を有するアクリレート系オリゴマー30質量部、光重合開始剤として2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン1質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して放射線硬化性の中間樹脂層組成物1Bを得た。
(中間樹脂層組成物1C)
エチルアクリレート、グリシジルメタクリレート及び2−ヒドロキシエチルアクリレートからなる重量平均分子量15万のアクリル系共重合体(ガラス転移温度5℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して放射線硬化性の中間樹脂層組成物1Cを得た。
(中間樹脂層組成物1D)
アクリル樹脂(質量平均分子量:20万、ガラス転移温度−40℃)100質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)20質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)1質量部を混合して放射線硬化性の中間樹脂層組成物1Dを得た。
(2)粘着剤層組成物の調製
(粘着剤組成物2A)
溶媒のトルエン400g中に、n−ブチルアクリレート128g、2−エチルヘキシルアクリレート307g、メチルメタアクリレート67g、メタクリル酸1.5g、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ化合物(1)の溶液を得た。
次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物(2)として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した2−ヒドロキシエチルメタクリレート2.5g、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、表1に示すヨウ素価、分子量、ガラス転移点をもつ放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)の溶液を得た。続いて、化合物(A)溶液中の化合物(A)100質量部に対してポリイソシアネート(B)として日本ポリウレタン社製:コロネートLを1質量部を加え、光重合開始剤として日本チバガイギー社製:イルガキュアー184を0.5質量部、溶媒として酢酸エチル150質量部を化合物(A)溶液に加えて混合して、放射線硬化性の粘着剤組成物2Aを調製した。
(粘着剤組成物2B)
粘着剤組成物Aに、平均粒径が75nmのシリカフィラーを20重両部混合して粘着剤組成物Bを得た。
(粘着剤組成物2C)
アクリル樹脂(質量平均分子量:60万、ガラス転移温度−20℃)100質量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン(株)製、商品名:コロネートL)10質量部を混合して粘着剤組成物2Cを得た。
(3)接着フィルムの作製
(接着フィルム3A)
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン1.5質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン3質量部、平均粒径16nmのシリカフィラー30質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて90分混練した。
これにアクリル樹脂(質量平均分子量:80万、ガラス転移温度−17℃)100質量部、6官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート5部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体0.5部、キュアゾール2PZ(四国化成(株)製商品名、2−フェニルイミダゾール)2.5部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
この接着剤を厚さ25μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、110℃で1分間加熱乾燥して、膜厚が40μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルム3Aを作製した。
(接着フィルム3B)
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量197、分子量1200、軟化点70℃)50質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体1部とした以外は接着フィルム3Aの作製と全く同様の操作を行い、接着フィルム3Bを作製した。
(接着フィルム3C)
硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体0.5質量部とし、キュアゾール2PZにかえてキュアゾール2PHZ(四国化成(株)製商品名、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾール)2.5質量部とした以外は接着フィルム3Aの作製と全く同様の操作を行い、接着フィルム3Cを作製した。
(4)評価試験
作製した、表1〜2に示す実施例1〜10、比較例1〜4の各ウエハ加工用テープについて、中間樹脂層の25℃および80℃における弾性率80℃での粘着剤層の弾性率とチップ表面のヒゲ状切削屑の数、基材上のヒゲ状切削屑の数、接着剤のバリの有無、側面チッピングの平均値(μm)、およびピックアップ成功率の評価試験を下記のようにおこなった。
(弾性率)
中間樹脂層および粘着剤層の25℃または80℃での弾性率は、粘弾性計(レオメトリックサイエンス社製、商品名:ARES)を用いて、0℃から測定を開始し昇温速度5℃/分、周波数1Hzで、動的粘弾性を測定し、25℃または80℃に達した時点での貯蔵弾性率G´をそれぞれの弾性率とした。
また、測定される各中間樹脂層および粘着剤層には作製後14日経過したものを使用した。
(チップ表面のヒゲ状切削屑の数、および基材上のヒゲ状切削屑の数)
実施例1〜10および比較例1〜4の各ウエハ加工用テープに厚さ80μm、直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、シリコンウエハ中央部のチップ100個分について、チップ表面の長さ0.01mm以上のヒゲ状切削屑数を顕微鏡観察によりカウントし、チップ表面のヒゲ状切削屑の数とした。また、シリコンウエハ中央部の接着剤が転着したチップ100個分を剥離後のテープ上の長さ0.01mm以上のヒゲ状切削屑数を顕微鏡観察によりカウントし、基材上のヒゲ状切削屑数とした。
(接着剤のバリの有無)
実施例1〜10および比較例1〜4の各ウエハ加工用テープに厚さ100μm直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、接着剤が転着したチップの側面の接着剤のバリの有無をシリコンウエハ中央部のチップ20個について、顕微鏡観察により接着剤のバリの有無を調査した。
(側面チッピング)
ダイシング時の欠け・クラック(チッピング)の評価として、側面チッピングを下記のように測定した。
実施例1〜10および比較例1〜4の各ウエハ加工用テープに厚さ100μm直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、ダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DAD340)を使用し回転数40000rpm、カットスピード100mm/secで5mm×5mmにダイシングした。その後、ダイシング後のチップを観察し、チップ側面に発生したチッピングの大きさをシリコンウエハ中央部のチップ50個について測定し、その平均値を求め、側面チッピングの値とした。その際、チッピングの大きさはチップ端部からの大きさとした。
(ピックアップ成功率)
実施例1〜10および比較例1〜4の各ウエハ加工用テープに厚み100μmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、前記と同様に10mm×10mmにダイシングした。その後、粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯(80W/cm、照射距離10cm)により200mJ/cm2照射した後、シリコンウエハ中央部のチップ50個についてダイボンダー装置(NECマシナリー製、商品名CPS−100FM)によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個でのピックアップ成功率を求めた。その際、ピックアップされた素子に粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率を算出した。そのときの条件は、ピン配置:4ピン(Φ250μm)、エキスパンド量:3mm、突き上げスピード50mm/secとした。
実施例1〜10、比較例1〜4における80℃と25℃での中間樹脂層の弾性率、80℃における粘着剤層の弾性率、チップ表面、基材上のヒゲ状切削屑の数、接着剤のバリの有無、側面チッピングの平均値(μm)およびピックアップ成功率を表1、表2にまとめた。
Figure 2007073930
Figure 2007073930
中間樹脂層を設けなかった比較例1、比較例2のテープを使用した場合には、ダイシング時に接着剤のバリが生じた。粘着剤層の厚さが薄い比較例1では、基材上のヒゲ切削屑の数が実施例に比べかなり多いものとなっている。また中間樹脂層を設けずに粘着剤層の厚さのみを厚くした比較例2では側面チッピングが多くなっている。また、中間樹脂層を有してはいるが、粘着剤層と中間樹脂層の厚さを総計しても10μmである比較例3(請求項3の発明の比較例)では、実施例に比べ基材上のヒゲ切削屑の数が多い。
粘着剤層として弾性率の大きな硬い材料のみを使用した比較例4では接着剤のバリもなくヒゲやチッピングの発生も少ないが、ピックアップが不可能であった。
実施例1〜10の各ウエハ加工用テープを用いてシリコンウエハをダイシングして得られた、5mm×5mmの大きさのICチップを、ダイボンダーを用いてリードフレーム上にダイレクトマウントした後、170℃、2時間の条件で加熱を行いリードフレームとICチップとを強固に接着できていることを確認した。
上記のように実施例1〜10の各ウエハ加工用テープは、半導体ウエハをブレードダイシングする際に良好な切削性を得られるダイシングテープとして使用することができ、また、ダイシング後にチップを接着剤とともにピックアップし、リードフレームや基板に直接マウントできるダイシングダイボンドテープとして使用できた。
[実施例11]
厚さ100μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体基材基材フィルムに、上記した中間樹脂層組成物1Aを乾燥膜厚が10μmとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、さらに上記した粘着剤層組成物2Aを乾燥膜厚が10μmとなるように塗工し、110℃で3分間乾燥し、粘着テープを作製した。この粘着テープの粘着剤層上に下記に示す接着フィルム3Dを貼合し、ウエハ加工用テープを作製した。
接着フィルム3Dの作製
エポキシ樹脂としてYDCN−703(東都化成(株)製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210、分子量1200、軟化点80℃)55質量部、フェノール樹脂としてミレックスXLC−LL(三井化学(株)製、商品名、式(I)で表されるフェノール樹脂、水酸基当量175、吸水率1.8%、350℃における加熱重量減少率4%)45質量部、シランカップリング剤としてNUC A−189(日本ユニカー(株)製、商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)1.7質量部とNUC A−1160(日本ユニカー(株)製、商品名、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン)3.2質量部、フィラーとしてアエロジルR972(シリカ表面にジメチルジクロロシランを被覆し、400℃の反応器中で加水分解させた、メチル基などの有機基を表面に有するフィラー、日本アエロジル(株)製、商品名、シリカ、平均粒径0.016μm)32質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて90分混練した。
これにグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート3重量%を含むアクリルゴムHTR−860P−3(ナガセケムテックス(株)製商品名、重量平均分子量80万)を280質量部、及び硬化促進剤としてキュアゾール2PZ−CN(四国化成(株)製商品名、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール)0.5質量部加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤を得た。
この接着剤を厚さ25μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で1分間加熱乾燥して、膜厚が20μmのBステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルム3Dを作製した。
作製した実施例11のウエハ加工用テープについて、接着剤層と粘着剤層の光透過性およびピックアップ成功率の評価試験を下記のようにおこなった。
(光透過率)
接着剤層および粘着剤層の波長355nmにおける光透過率は、背面側からの波長355nmでの全光線透過率を透過率測定器(島津製作所製、商品名:UV3101PC&MPC−3100)を使用してN=5で測定し平均値を求めた。測定される接着剤層および粘着剤層には作製後14日経過したものを使用した。
接着剤層の波長355nmにおける光透過率は75%、粘着剤層の波長355nmにおける光透過率は89%であった。
(ピックアップ成功率)
実施例11のウエハ加工用テープに厚み50μm、直径200mmのシリコンウエハを70℃×10秒で加熱貼合した後、レーザーダイシング装置(ディスコ社製、商品名:DFL7160)を使用してウエハ面側からのレーザー照射によりチップサイズ7mm×7mmにてレーザーダイシングを行った。それ以外は上記実施例1〜10に記載したと同様にして、ピックアップ成功率を算出した。
その結果、実施例11では、ピックアップ成功率は100%であった。
本発明のウエハ加工テープに半導体ウエハとダイシング用フレームが貼合された一例を示す断面図である。 本発明のウエハ加工テープに半導体ウエハとダイシング用フレームが貼合された別の例を示す断面図である。
符号の説明
1: 基材フィルム
2: 中間樹脂層
3: 粘着剤層
4: 接着剤層
10:ウエハ加工用テープ
11:半導体ウエハ
12:ダイシング用リングフレーム

Claims (11)

  1. 基材フィルム上に熱硬化性樹脂組成物からなる中間樹脂層を介して粘接着剤層が形成されたことを特徴とするウエハ加工用テープ。
  2. 前記熱硬化性樹脂組成物はエポキシ基および/またはアクリル基を有する化合物を含有することを特徴とする請求項1記載のウエハ加工用テープ。
  3. 前記中間樹脂層と粘接着剤層の厚みの合計が15μm以上であることを特徴とする請求項1または2記載のウエハ加工用テープ。
  4. 前記中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が前記粘接着剤層の80℃における貯蔵弾性率よりも大きいことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ。
  5. 前記中間樹脂層の80℃における貯蔵弾性率が8×10〜1×10Paの範囲内であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ。
  6. 前記粘接着剤層が、前記中間樹脂層から粘着剤層、接着剤層の順に形成されてなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ。
  7. 前記接着剤層の波長355nmにおける光透過率が80%以下であることを特徴とする請求項6記載のウエハ加工用テープ。
  8. 前記基材フィルム、中間樹脂層および粘着剤層が実質的に光透過性であることを特徴とする請求項6または7記載のウエハ加工用テープ。
  9. 前記粘着剤層の波長355nmにおける光透過率が80%以上であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ。
  10. チップを製造するにあたり、環状の支持フレームに貼合され、該支持フレームの内側開口部に被加工ウエハを貼合するために用いられ、少なくとも支持フレームの対応予定部分には前記接着剤層がないことを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ。
  11. 前記粘着剤層が、分子中にヨウ素価0.5〜20の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物(A)と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも1種選ばれる化合物(B)との反応生成物を含有していることを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項記載のウエハ加工用テープ。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141023A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2010074129A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法、それにより製造される半導体装置、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2010209243A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2010219432A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2011176331A (ja) * 2008-08-04 2011-09-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
CN102237259A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP2012074452A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP5299642B2 (ja) * 2008-02-19 2013-09-25 日本電気株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ
WO2014157471A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 古河電気工業株式会社 粘着テープおよびウエハ加工用テープ
KR101484065B1 (ko) * 2013-04-29 2015-01-19 에이엠씨주식회사 절삭분 발생이 억제된 반도체용 다이싱 다이 본딩 필름 및 그 제조 방법
JP2016054192A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体ウエハのダイシング方法
KR101751049B1 (ko) 2010-04-09 2017-06-26 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프
CN109937245A (zh) * 2016-11-17 2019-06-25 琳得科株式会社 半导体加工用粘合片
JP2019121619A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
CN110272696A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 麦克赛尔控股株式会社 背面研磨用粘着胶带
JP2019210306A (ja) * 2018-05-31 2019-12-12 日東電工株式会社 保護フィルム
JP7366435B2 (ja) 2021-01-15 2023-10-23 古河電気工業株式会社 ウェハ研削用粘着テープおよびウェハの加工方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729860A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハダイシング用粘着テープ
JPH0729861A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハダイシング用粘着テープ
JP2005159069A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシング用粘接着テープ
JP2005159155A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Three M Innovative Properties Co 半導体チップの製造方法
JP2006049509A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2006093368A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法
JP2006128577A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体チップの製造方法及びそれに使用されるダイボンドダイシングテープ
JP2006156753A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2006156754A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングダイボンドテープ

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729860A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハダイシング用粘着テープ
JPH0729861A (ja) * 1993-07-15 1995-01-31 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハダイシング用粘着テープ
JP2005159069A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシング用粘接着テープ
JP2005159155A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Three M Innovative Properties Co 半導体チップの製造方法
JP2006049509A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2006093368A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法
JP2006128577A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体チップの製造方法及びそれに使用されるダイボンドダイシングテープ
JP2006156753A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP2006156754A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングダイボンドテープ

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141023A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP5299642B2 (ja) * 2008-02-19 2013-09-25 日本電気株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ
JP2011176331A (ja) * 2008-08-04 2011-09-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010074129A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法、それにより製造される半導体装置、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2010209243A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
JP4630377B2 (ja) * 2009-03-11 2011-02-09 古河電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010219432A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
KR101751049B1 (ko) 2010-04-09 2017-06-26 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프
CN102237259A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP2012074452A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
CN105143380A (zh) * 2013-03-28 2015-12-09 古河电气工业株式会社 粘合带及晶片加工用胶带
CN105143380B (zh) * 2013-03-28 2019-05-17 古河电气工业株式会社 粘合带及晶片加工用胶带
KR20150110823A (ko) * 2013-03-28 2015-10-02 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 점착 테이프 및 웨이퍼 가공용 테이프
TWI510591B (zh) * 2013-03-28 2015-12-01 Furukawa Electric Co Ltd Adhesive tape and wafer processing tape
JP5731080B2 (ja) * 2013-03-28 2015-06-10 古河電気工業株式会社 粘着テープおよびウエハ加工用テープ
KR101616680B1 (ko) 2013-03-28 2016-04-28 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 점착 테이프 및 웨이퍼 가공용 테이프
JPWO2014157471A1 (ja) * 2013-03-28 2017-02-16 古河電気工業株式会社 粘着テープおよびウエハ加工用テープ
WO2014157471A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 古河電気工業株式会社 粘着テープおよびウエハ加工用テープ
KR101484065B1 (ko) * 2013-04-29 2015-01-19 에이엠씨주식회사 절삭분 발생이 억제된 반도체용 다이싱 다이 본딩 필름 및 그 제조 방법
JP2016054192A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体ウエハのダイシング方法
CN109937245A (zh) * 2016-11-17 2019-06-25 琳得科株式会社 半导体加工用粘合片
JP2019121619A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
TWI817969B (zh) * 2017-12-28 2023-10-11 日商日東電工股份有限公司 切晶黏晶膜
CN110272696A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 麦克赛尔控股株式会社 背面研磨用粘着胶带
CN110272696B (zh) * 2018-03-14 2022-12-23 麦克赛尔株式会社 背面研磨用粘着胶带
JP2019210306A (ja) * 2018-05-31 2019-12-12 日東電工株式会社 保護フィルム
JP7044636B2 (ja) 2018-05-31 2022-03-30 日東電工株式会社 保護フィルム
JP7366435B2 (ja) 2021-01-15 2023-10-23 古河電気工業株式会社 ウェハ研削用粘着テープおよびウェハの加工方法

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JP5566749B2 (ja) ウエハ加工用テープ

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