JP2016054192A - 半導体ウエハのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウエハのダイシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016054192A JP2016054192A JP2014179058A JP2014179058A JP2016054192A JP 2016054192 A JP2016054192 A JP 2016054192A JP 2014179058 A JP2014179058 A JP 2014179058A JP 2014179058 A JP2014179058 A JP 2014179058A JP 2016054192 A JP2016054192 A JP 2016054192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- dicing
- wafer
- base material
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
第2層:樹脂部材
第3層:シート基材
PVC:ポリ塩化ビニル
PMP:ポリメチルペンテン
PE:ポリエチレン
PP:ポリプロピレン
PS:ポリスチレン
PET:ポリエチレンテレフタレート
口径4インチであって、炭化珪素単結晶基板の片面側(Si面)に回路が形成された厚さ300μmの半導体ウエハを用いて、以下のようにしてダイシングを行った。この半導体ウエハは、昇華再結晶法(改良レーリー法)により成長させた炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたものを使用し、後述するラマンシフトにより求めた内部応力を表す歪み指数は0.09であった。
実施例1と同様に、昇華再結晶法(改良レーリー法)を用いて製造された口径4インチ、厚さ300μmの炭化珪素単結晶基板の片面側(Si面)に回路が形成された半導体ウエハ(歪み指数は0.15)を用いて、次のようにしてダイシングを行った。先ず、この半導体ウエハの裏面をバックグラインド加工して厚さ100μmに研削し、回路が形成された回路面に貼られた保護テープを剥がしたところで、回路面を上にして半導体ウエハが上に凸(回路面側が凸)となるようにお椀型に反った形状を呈した。このバックグラインド後の半導体ウエハについて、実施例1と同様に面内の高低差を確認したところ、ウエハの中心部付近が最も高く、ウエハの外周部付近に最も低い点が存在し、その高低差で表される反り量は510μmであった。また、バックグラインド加工後の歪み指数は0.00であった。
実施例1と同様に、昇華再結晶法(改良レーリー法)を用いて製造された口径4インチ、厚さ300μmの炭化珪素単結晶基板の片面側(C面)に回路が形成された半導体ウエハ(歪み指数は0.13)を用いて、次のようにしてダイシングを行った。先ず、この半導体ウエハの裏面をバックグラインド加工して厚さ200μmに研削し、回路が形成された回路面に貼られた保護テープを剥がしたところで、回路面を上にして半導体ウエハが下に凸(回路面側が凹)となるようにお椀型に反った形状を呈した。このバックグラインド後の半導体ウエハについて、実施例1と同様に面内の高低差を確認したところ、ウエハの中心部付近が最も高く、ウエハの外周部付近に最も低い点が存在し、その高低差で表される反り量は500μmであった。また、バックグラインド加工後の歪み指数は0.02であった。
Claims (7)
- 回路が形成された半導体ウエハをダイシング装置でダイシングする方法であって、ダイシング装置のウエハテーブルに接すると共に、表面に平坦基準面を備えるシート基材と、回路とは反対側の半導体ウエハの裏面とシート基材の平坦基準面との間に形成される隙間を埋めると共に、半導体ウエハの裏面から剥離可能な隙間充填層とを有した状態で、シート基材側をダイシング装置のウエハテーブルに吸着させて、半導体ウエハをダイシングすることを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。
- 隙間充填層が、半導体ウエハの裏面に貼り合わされる紫外線剥離型のダイシングテープにより形成されて、該ダイシングテープが、シート基材の平坦基準面に接合される接合平坦面を備える請求項1に記載の半導体ウエハのダイシング方法。
- 隙間充填層が、半導体ウエハの裏面に貼り合わされる紫外線剥離型のダイシングテープと、シート基材の平坦基準面に接合される接合平坦面を備えた樹脂部材とにより形成される請求項1に記載の半導体ウエハのダイシング方法。
- 樹脂部材が加熱により流動性を有する熱流動性樹脂により形成され、ダイシングテープ側が開放された型枠内に半導体ウエハを配置して、加熱した熱流動性樹脂を流し込み、該熱流動性樹脂を固めて液面を接合平坦面にする請求項3に記載の半導体ウエハのダイシング方法。
- シート基材が紫外線透過性能を有しており、ダイシング後の半導体ウエハにシート基材側から紫外線を照射することで、ダイシングテープと半導体ウエハとの剥離を可能にする請求項2〜4のいずれかに記載の半導体ウエハのダイシング方法。
- 半導体ウエハを直径方向に切削して二分割した上で、ダイシングを行う請求項1〜5のいずれかに記載の半導体ウエハのダイシング方法。
- 半導体ウエハが炭化珪素単結晶基板を用いたものである請求項1〜6のいずれかに記載の半導体ウエハのダイシング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014179058A JP6362484B2 (ja) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014179058A JP6362484B2 (ja) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016054192A true JP2016054192A (ja) | 2016-04-14 |
JP6362484B2 JP6362484B2 (ja) | 2018-07-25 |
Family
ID=55744349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014179058A Expired - Fee Related JP6362484B2 (ja) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 半導体ウエハのダイシング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6362484B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020032518A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2021136254A (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283179A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH10554A (ja) * | 1996-06-12 | 1998-01-06 | Nippon Steel Corp | 局所研磨装置 |
JP2000077362A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング装置 |
JP2000315664A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Murata Mfg Co Ltd | スライシング加工方法 |
JP2007073930A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP2010140957A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Lintec Corp | 半導体ウエハの保持方法、チップ体の製造方法、およびスペーサ |
JP2012160587A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Renesas Electronics Corp | ノーマリオフ型パワーjfetの製造方法 |
JP2014045144A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Fujitsu Semiconductor Ltd | ダイシング方法及びダイシング装置 |
-
2014
- 2014-09-03 JP JP2014179058A patent/JP6362484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283179A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH10554A (ja) * | 1996-06-12 | 1998-01-06 | Nippon Steel Corp | 局所研磨装置 |
JP2000077362A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング装置 |
JP2000315664A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Murata Mfg Co Ltd | スライシング加工方法 |
JP2007073930A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-03-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP2010140957A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Lintec Corp | 半導体ウエハの保持方法、チップ体の製造方法、およびスペーサ |
JP2012160587A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Renesas Electronics Corp | ノーマリオフ型パワーjfetの製造方法 |
JP2014045144A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Fujitsu Semiconductor Ltd | ダイシング方法及びダイシング装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020032518A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP7111562B2 (ja) | 2018-08-31 | 2022-08-02 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2021136254A (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7325357B2 (ja) | 2020-02-25 | 2023-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6362484B2 (ja) | 2018-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI240965B (en) | Semiconductor wafer dividing method and apparatus | |
TWI732949B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2007123362A (ja) | デバイスの製造方法 | |
CN101026126A (zh) | 半导体芯片制造方法 | |
JP2019140387A (ja) | ウェハの処理方法 | |
JP2007165371A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI783208B (zh) | 生產襯底的方法以及生產襯底的系統 | |
KR20210058658A (ko) | 보호 부재의 설치 방법 및 보호 부재의 제조 방법 | |
JP6362484B2 (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
TW201250923A (en) | Pre-cut wafer applied underfill film | |
JP5622454B2 (ja) | ウェハの薄厚化加工方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP6327519B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板 | |
TWI377614B (en) | Method for forming adhesive dies singulated from a wafer | |
JP6257979B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP2005209940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007180252A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW202307947A (zh) | 加工基板的方法和用於加工基板的系統 | |
TWI790454B (zh) | 加工基材之方法 | |
JP6256227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI804947B (zh) | 處理基板的方法 | |
JP2010239030A (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
WO2021225020A1 (ja) | 平面研削方法 | |
TWI781313B (zh) | 被加工物的切割方法 | |
JP2013084866A (ja) | シリコン半導体デバイス基板および製造装置 | |
JP2008112813A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170704 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20180226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6362484 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |