JP2021136254A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
1.1 半導体装置の製造方法
図1は、実施の形態1の半導体装置の製造方法を説明する図である。
図1に図示されるウエハ準備工程S1においては、工程S11が実行される。
図1に図示されるUVテープ準備工程S2においては、工程S21及びS22が実行される。
図3は、実施の形態1の半導体装置の製造方法に備えられるウエハマウント工程を模式的に説明する斜視図である。
図4は、実施の形態1の半導体装置の製造方法に備えられるダイシング工程を模式的に説明する斜視図である。
図5は、実施の形態1の半導体装置の製造方法に備えられるUV照射工程を模式的に説明する斜視図である。
図6及び図7は、実施の形態2のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図6(a)は、斜視図である。図6(b)は、断面図である。図7(a)は、斜視図である。図7(b)及び図7(c)は、断面図である。
図8及び図9は、実施の形態3のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図8は、断面図である。図9(a)は、斜視図である。図9(b)及び図9(c)は、断面図である。
図10は、実施の形態3の変形例1のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図10は、断面図である。
図11は、実施の形態3の変形例2のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図11(a)及び図11(b)は、断面図である。
図12及び図13は、実施の形態4の糊材の形成方法を模式的に説明する図である。図12(a)及び図12(b)は、斜視図である。図13(a)、図13(b)、図13(c)及び図13(d)は、断面図である。
図15は、実施の形態5のUVテープの圧着方法を模式的に説明する図である。図15(a)は、断面図である。図15(b)及び図15(c)は、斜視図である。
図16及び図17は、実施の形態6のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図16(a)及び図16(b)は、断面図である。図17(a)は、斜視図である。図17(b)及び図17(c)は、断面図である。
図18、図19及び図20は、実施の形態6の変形例1のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図18、図19、図20(a)、図20(b)及び図20(c)は、断面図である。ただし、図19、図20(a)、図20(b)及び図20(c)には、UVテープ及び固定板が点線により描かれている。
図21及び図22は、実施の形態6の変形例2のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図21(a)、図21(b)、図22(a)及び図22(b)は、断面図である。
図23及び図24は、実施の形態7のダイシング方法を説明する図である。図23(a)、図23(b)、図23(c)、図23(d)及び図23(e)は、断面図である。図24(a)、図24(b)、図24(c)、図24(d)及び図24(e)は、斜視図である。
図25は、実施の形態8のダイシング方法を模式的に説明する図である。図25は、断面図である。
図26は、実施の形態9のダイシング方法を模式的に説明する図である。図26は、断面図である。
図27及び図28は、実施の形態10のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図27(a)は、斜視図である。図27(b)は、断面図である。図28(a)は、斜視図である。図28(b)及び図28(c)は、断面図である。
図29は、実施の形態11のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図29は、断面図である。
図31は、実施の形態12のダイシング方法を模式的に説明する断面図である。図31は、断面図である。
図32は、実施の形態13のダイシング方法を模式的に説明する断面図である。図32は、断面図である。
図33は、実施の形態2、実施の形態3、実施の形態3の変形例1、実施の形態3の変形例2、実施の形態6、実施の形態6の変形例1及び実施の形態6の変形例2のウエハの反り又は歪の吸収方法におけるウエハ、凸構造、チャックテーブル及び固定板の平面サイズの関係を模式的に説明する図である。図33(a)、図33(b)及び図33(c)は、断面図である。
図34から図37までは、実施の形態14のチップの形状の形成方法を模式的に説明する図である。図34(a)及び図34(b)は、ウエハの断面図である。図35(a)は、ウエハから生成された半導体チップの断面図である。図35(b)は、ウエハの中央から生成されたチップの斜視図である。図35(c)は、ウエハの外周から生成されたチップの斜視図である。図36(a)及び図36(b)は、ウエハの上面図である。図37は、ウエハから生成された半導体チップの断面図である。
Claims (35)
- a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 凸構造を備える基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
d) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて高さが連続的に低くなる高さを有する
請求項1の半導体装置の製造方法。 - 前記糊材は、均一な膜厚を有する
請求項1又は2の半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 基材と、前記基材の上に配置され凸構造を備える糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
d) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
請求項4の半導体装置の製造方法。 - 前記基材は、均一な膜厚を有する
請求項4又は5の半導体装置の製造方法。 - 工程b)は、
b-1) 前記基材の上に第1の糊材を形成する工程と、
b-2) 前記第1の糊材の上に前記第1の糊材の平面サイズより小さい平面サイズを有する第2の糊材を形成して前記第1の糊材及び前記第2の糊材により前記糊材を構成する工程と、
を備える
請求項4から6までのいずれかの半導体装置の製造方法。 - 前記第2の糊材は、互いに異なる平面サイズを有する複数の糊材であり、
工程b-2)は、小さい平面サイズを有する糊材から順に又は大きい平面サイズを有する糊材から順に前記複数の糊材を前記第1の糊材の上に重ねて形成する
請求項7の半導体装置の製造方法。 - f) 前記ウエハの反り又は歪の量の測定を行う工程
をさらに備え、
工程b-2)は、前記測定の結果に基づいて、前記複数の糊材の平面サイズ、前記複数の糊材の端の間隔、前記複数の糊材の数、及び前記複数の糊材を形成する順序の少なくともひとつを変更する
請求項8の半導体装置の製造方法。 - 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
請求項8又は9の半導体装置の製造方法。 - 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、前記凸構造の端部の手前から前記凸構造の端部において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
請求項8又は9の半導体装置の製造方法。 - 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、前記凸構造の端部の手前から前記凸構造の端部において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて不連続的に低くなる高さを有する
請求項8又は9の半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記糊材の上に配置された場合に凸構造を構成する追加糊材を準備する工程と、
d) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記追加糊材を配置し前記追加糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ、前記テープ及び前記追加糊材を備えるワークを得る工程と、
e) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
f) 工程e)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記追加糊材は、シート状の形状を有する
請求項13の半導体装置の製造方法。 - 前記追加糊材は、前記糊材の粘着力より小さい粘着力を有する
請求項13又は14の半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記糊材の上に配置された場合に凸構造を構成する追加テープを準備する工程と、
d) 前記糊材に前記追加テープを貼り付ける工程と、
e) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記凸構造の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ、前記テープ及び前記追加テープを備えるワークを得る工程と、
f) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
g) 工程f)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記追加テープは、互いに異なる平面サイズを有する複数の追加テープであり、
工程d)は、大きい平面サイズを有する追加テープから順に前記複数の追加テープを前記糊材の上に重ねて貼り付ける
請求項16の半導体装置の製造方法。 - 前記凸構造は、前記ウエハの平面サイズより小さい平面サイズを有する
請求項16又は17の半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記テープ及び前記ウエハを備えるワークを得る工程と、
d) 凸構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
請求項19の半導体装置の製造方法。 - 前記ウエハは、円形状の平面形状を有し、
前記チャックテーブルは、円形状の平面形状を有し、前記ウエハの径より2.54cm以上大きい径を有する
請求項19又は20の半導体装置の製造方法。 - 前記チャックテーブルは、ポーラス材質からなり、前記ワークを鉛直方向下方に真空吸着する
請求項19から21までのいずれかの半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
d) チャックテーブルと前記チャックテーブルの上に配置された場合に凸構造を構成するブロックとを用いて、前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ブロック及び前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 工程e)は、前記ウエハの外周部の一部に対してダイシングを行い、前記ウエハの外周部の一部に対してダイシングを行った後に前記ワーク及び前記チャックテーブルの間から前記ブロックを外し、前記ブロックを外した後に前記ウエハの残余部に対してダイシングを行う
請求項23の半導体装置の製造方法。 - 工程c)は、円筒形状又は円柱形状の形状を有する本体と、前記本体から突出する凸構造と、を備える圧着ローラーにより前記テープを前記ウエハに向かって押さえつけて前記ワークを得る
請求項19から24までのいずれかの半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 第1の凸構造を備える基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記第1の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
d) 第2の凸構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記第1の凸構造及び前記第2の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 基材と、第1の凸構造を備え前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記第1の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
d) 第2の凸構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記第1の凸構造及び前記第2の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記第1の凸構造は、前記第1の凸構造の中心部から前記第1の凸構造の端部までの全体において、前記第1の凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有し、
前記第2の凸構造は、前記第2の凸構造の中心部から前記第2の凸構造の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、前記第2の凸構造の端部の手前から前記第2の凸構造の端部までにおいて、前記第2の凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
請求項26又は27の半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凸形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 凹構造を備える基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凹構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
d) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - a) 反り又は歪を有し、凸形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
c) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
d) 凹構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記凹構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - f) 前記主面を保護する保護膜を準備する工程
をさらに備える請求項29又は30の半導体装置の製造方法。 - 前記ダイシングは、複数のダイシングラインについて、前記基材の厚さの範囲内に収まる一定の切り込み深さまでダイシングブレードの切り込みを行う
請求項1から31までのいずれかの半導体装置の製造方法。 - 前記ダイシングは、複数のダイシングラインの各ラインについて、切り込み深さの補正を行い、可変の切り込み深さまでダイシングブレードの切り込みを行い、複数のダイシングラインについて、前記基材に対して一定の切り込み深さまで切り込みを行う
請求項1から31までのいずれかの半導体装置の製造方法。 - 前記ダイシングを行う工程は、主面と、前記主面と90°でない傾斜角をなす端面と、を有する半導体装置を生成する
請求項1から33までのいずれかの半導体装置の製造方法。 - 前記ウエハは、50μm以上200μm以下の反り又は歪の量を有する
請求項1から34までのいずれかの半導体装置の製造方法。
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