JP7325357B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置は、多くの場合は、ウエハマウント工程及びダイシング工程を経て製造される。ウエハマウント工程においては、ウエハに紫外線剥離テープ（ＵＶテープ）が貼り付けられる。また、ウエハに貼り付けられたＵＶテープがチャックテーブルに真空吸着される。これにより、ウエハがチャックテーブルに固定される。また、ダイシング工程においては、固定されたウエハに対してダイシングが行われて、個片化された半導体装置が得られる。得られる半導体装置は、チップ等と呼ばれる。

特許文献１に記載された技術においては、半導体ウエハが、上に凸となるようにお椀型に反った形状を呈する。また、半導体ウエハの裏面の上に隙間充填層が形成される。また、シート基材の平坦基準面が、隙間充填層の接合平坦面に接合される（段落００２９－００３０）。

特開２０１６－５４１９２号公報

ウエハが反り又は歪を有する場合は、反り又は歪を有するウエハが圧着されて平坦化された状態で固定される。また、平坦化された状態で固定されたウエハに対してダイシングが行われる。そして、ウエハが圧着されて平坦化された場合は、ウエハに応力が内在した状態でウエハの反り又は歪が矯正される。このため、平坦化された状態で固定化されたウエハに対してダイシングが行われる際には、ダイシングの初期に、ダイシングブレードのウエハへの切り込みが開始される位置の近傍において、ウエハに内在した応力の発散が始まる。このため、ウエハの有効チップ域において、ウエハに内在した応力が発散させられる。このため、得られる半導体装置の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生する場合がある。発生したチッピング、クラック等は、潜在的な不具合の原因となる。また、半導体装置を製造する設備の側において、ダイシングソーに取り付けられるダイシングブレードに飛び、破損等が発生する場合がある。

また、ウエハに対して行われるダイシングは、ダイシングブレードの切り込みにより、ウエハに大きな衝撃を与える。このため、ウエハに対して行われるダイシングは、ウエハの基材、及びダイシングが行われる際に用いられる部材の状態の影響を受ける。例えば、ウエハに対して行われるダイシングは、ウエハの基材の反り又は歪の量、ＵＶテープの貼り付き保持力、ダイシングブレードの研削性能等の影響を受ける。このため、ウエハに対して行われるダイシングの進行は、ウエハの基材、及びダイシングが行われる際に用いられる部材の状態のばらつきによって変化する不安定なものとなる。このことも、半導体装置にチッピング、クラック等が発生することを助長しチッピング、クラック等を多発させる原因となる。

本開示は、これらの問題に鑑みてなされた。本開示は、ウエハが反り又は歪を有する場合でも、ウエハの反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハに内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハに対してダイシングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。

本開示においては、反り又は歪を有し、主面を有するウエハが準備される。また、基材と基材の上に配置される糊材とを備えるテープが準備される。また、ウエハの主面が糊材に向けられるようにウエハが配置されて、ウエハ及びテープを備えるワークが得られる。また、チャックテーブルの上にワークが固定される。その後に、ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したままウエハに対してダイシングが行われる。

本開示の第１の態様においては、糊材に向けられる主面が凹形状を有する。また、基材が凸構造を有する。また、凸構造の上にウエハが配置されるように、糊材の上にウエハが配置される。

本開示の第２の態様においては、糊材に向けられる主面が凹形状を有する。また、糊材が凸構造を有する。凸構造の上にウエハが配置されるように、糊材の上にウエハが配置される。

本開示の第３の態様においては、糊材に向けられる主面が凹形状を有する。また、糊材の上に配置された場合に凸構造を構成する追加糊材が準備される。また、凸構造の上にウエハが配置されるように、糊材の上に追加糊材が配置され追加糊材の上にウエハが配置されて、ウエハ、テープ及び追加糊材を備えるワークが得られる。

本開示の第４の態様においては、糊材に向けられる主面が凹形状を有する。また、糊材の上に配置された場合に凸構造を構成する追加テープが準備される。また、糊材に追加テープが貼り付けられる。また、凸構造の上にウエハが配置されて、ウエハ、テープ及び追加テープを備えるワークが得られる。

本開示の第５の態様においては、糊材に向けられる主面が凹形状を有する。また、凸構造を備えるチャックテーブルが用いられて、凸構造の上にウエハが配置されるように、チャックテーブルの上にワークが固定される。

本開示の第６の態様においては、糊材に向けられる主面が凹形状を有する。また、チャックテーブルとチャックテーブルの上に配置された場合に凸構造を構成するブロックとが用いられて、凸構造の上にウエハが配置されるように、チャックテーブルの上にブロック及びワークが固定される。

本開示の第７の態様においては、糊材に向けられる主面が凹形状を有する。また、基材が第１の凸構造を備える。また、第１の凸構造の上にウエハが配置されるように、糊材の上にウエハが配置される。また、第２の凸構造を備えるチャックテーブルが用いられて、第１の凸構造及び第２の凸構造の上にウエハが配置されるように、チャックテーブルの上にワークが固定される。

本開示の第８の態様においては、糊材に向けられる主面が凸形状を有する。また、基材が凹構造を備える。また、凹構造の上にウエハが配置されるように、糊材の上にウエハが配置される。

本開示の第９の態様においては、糊材に向けられる主面が凸形状を有する。また、凹構造を備えるチャックテーブルが用いられて、凹構造の上にウエハが配置されるように、チャックテーブルの上にワークが固定される。

本開示によれば、ウエハが反り又は歪を有する場合でも、ウエハが反り又は歪を有する状態のままウエハに対してダイシングが行われる。このため、ウエハが反り又は歪を有する場合でも、ウエハの反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハに内在させることなくウエハに対してダイシングを行うことができる。

本開示の目的、特徴、局面及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。

実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する図である。 実施の形態１の半導体装置の製造方法において準備されるウエハを模式的に説明する断面図である。 実施の形態１の半導体装置の製造方法に備えられるウエハマウント工程を模式的に説明する斜視図である。 実施の形態１の半導体装置の製造方法に備えられるダイシング工程を模式的に説明する斜視図である。 実施の形態１の半導体装置の製造方法に備えられるＵＶ照射工程を模式的に説明する斜視図である。 実施の形態２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態３のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態３のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態３の変形例１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態３の変形例２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態４の糊材の形成方法を模式的に説明する図である。 実施の形態４の糊材の形成方法を模式的に説明する図である。 実施の形態４の糊材の形成方法における、凸構造の端面の形状と、ウエハの反りの量及び糊材の形成方法と、の関係を説明する図である。 実施の形態５のＵＶテープの圧着方法を模式的に説明する図である。 実施の形態６のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態６のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態６の変形例１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態６の変形例１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態６の変形例１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態６の変形例２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態６の変形例２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態７のダイシング方法を説明する図である。 実施の形態７のダイシング方法を説明する図である。 実施の形態８のダイシング方法を模式的に説明する図である。 実施の形態９のダイシング方法を模式的に説明する図である。 実施の形態１０のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態１０のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態１１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。 実施の形態１１のウエハの反り又は歪の吸収方法における、ウエハの径とチャックテーブルの径との関係を模式的に説明する図である。 実施の形態１２のダイシング方法を模式的に説明する断面図である。 実施の形態１３のダイシング方法を模式的に説明する断面図である。 実施の形態２、実施の形態３、実施の形態３の変形例１、実施の形態３の変形例２、実施の形態６、実施の形態６の変形例１及び実施の形態６の変形例２のウエハの反り又は歪の吸収方法におけるウエハ、凸構造、チャックテーブル及び固定板の平面サイズの関係を模式的に説明する図である。 実施の形態１４のチップの形状の形成方法を模式的に説明する図である。 実施の形態１４のチップの形状の形成方法を模式的に説明する図である。 実施の形態１４のチップの形状の形成方法を模式的に説明する図である。 実施の形態１４のチップの形状の形成方法を模式的に説明する図である。

１ 実施の形態１
１．１ 半導体装置の製造方法
図１は、実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する図である。

実施の形態１の半導体装置の製造方法は、図１に図示されるように、ウエハ準備工程Ｓ１、紫外線剥離テープ（ＵＶテープ）準備工程Ｓ２、ウエハマウント工程Ｓ３、ダイシング工程Ｓ４及び紫外線（ＵＶ）照射工程Ｓ５を備える。

１．２ ウエハ準備工程
図１に図示されるウエハ準備工程Ｓ１においては、工程Ｓ１１が実行される。

工程Ｓ１１においては、ウエハが準備される。準備されるウエハは、半導体ウエハである。

図２は、実施の形態１の半導体装置の製造方法において準備されるウエハを模式的に説明する断面図である。

準備されるウエハ１００の表面１００ｆは、回路パターンが形成される主面である。ウエハ１００の裏面１００ｂは、回路パターンが形成される主面がある側とは反対の側にある主面である。

ウエハ１００は、図２（ａ）に図示される反り、図２（ｂ）に図示される反り、図２（ｃ）に図示される歪、図２（ｄ）に図示される歪等を有する。

ウエハ１００の反りは、凸反りである。また、ウエハ１００の歪は、凸歪である。このため、ウエハ１００の表面１００ｆは、凸形状を有する。また、ウエハ１００の裏面１００ｂは、凹形状を有する。

ウエハ１００の反り又は歪の形態は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δ、及びウエハ１００の終端の形状により分類される。反りを有するウエハ１００は、図２（ａ）に図示される、穏やかな傾斜を有する終端を有するウエハ１００、図２（ｂ）に図示される、急峻な立ち上がりを有する終端を有するウエハ１００等である。急峻な立ち上がりを有する終端は、例えば、断面視において５０μｍ以上２００μｍ以下の半径Ｒを有する。歪を有するウエハ１００は、図２（ｃ）に図示される全体に歪を有するウエハ１００、図２（ｄ）に図示される全体に歪を有するウエハ１００等である。ウエハ１００の反り又は歪の量Δは、基準面１０２からの距離が最大となる最大箇所１０４の基準面１０２からの距離である。ウエハ１００の反り又は歪の量Δは、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下、又は２０１μｍ以上である。反りを有するウエハ１００の表面１００ｆ及び裏面１００ｂは、ウエハ１００の広がり方向でありオリフラ方向と水平及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する。したがって、反りを有するウエハ１００の表面１００ｆ及び裏面１００ｂは、円錐形状の形状を有する。下述するウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、反りを有するウエハ１００の表面１００ｆ又は裏面１００ｂが円錐形状の形状を有する場合に好適に採用される。

ウエハ１００が反り又は歪を有する理由の例を以下に列挙する。

１．ウエハ１００は、単結晶又は多結晶からなる基材の上にエピタキシャル（Ｅｐｉ）成長等により形成された活性層を備え、トレンチ、ガードリング（ＧＲ）、チャネルストッパー等の構造を有する。

２．ウエハ１００は、表層のアルミニウム（Ａｌ）－シリコン（Ｓｉ）配線のメッキ、表層のフロントメタル（ＦＭ）のメッキ、裏面のバックメタライズ（ＢＮ）等のメタル構造を有する。

３．ウエハ１００は、パッシベーション（ＰＶ）膜、ポリイミド（ＰＩ）膜等の最表面の保護膜を有する。

４．ウエハ１００は、ウエハ１００の厚さが所定の厚さになるように裏面研削等により薄くされている。

５．ウエハ１００の表層のシリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の体積及び厚さが酸化により倍増する。

６．ウエハ１００が製造される途上でウエハ１００に複数の熱履歴が加えられウエハ１００に残留応力が内在する。

７．ウエハ１００のバルク自体に反りを生じさせる圧縮応力が内在する。

ウエハ１００は、円形状の平面形状を有する。また、ウエハ１００は、１０．１６ｃｍ以上２０．３２ｃｍ以下（４インチ以上８インチ以下）の径を有する。ただし、ウエハ１００が円形状の平面形状と異なる平面形状を有してもよい。また、ウエハ１００が１０．１６ｃｍより小さい又は２０．３２ｃｍより大きい径を有してもよい。

ウエハ１００の基材は、単結晶、又は多結晶の化合物により構成される。単結晶は、シリコン（Ｓｉ）等である。多結晶の化合物は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等である。ウエハ１００の基材が単結晶、及び多結晶の化合物と異なる材質から構成されてもよい。単結晶からなる基材を有するウエハ１００は、薄くされている。

１．３ ＵＶテープ準備工程
図１に図示されるＵＶテープ準備工程Ｓ２においては、工程Ｓ２１及びＳ２２が実行される。

工程Ｓ２１においては、基材が準備される。

続く工程Ｓ２２においては、基材の上に糊材が形成される。糊材は、基材の主面の全面に渡って形成される。形成される糊材は、ゲル材質からなる。

これらにより、基材及び糊材を備え糊材が基材の上に配置されたＵＶテープが準備される。

準備されるＵＶテープは、紫外線が照射された場合に容易に剥離することができるようになるテープである。ＵＶテープが、ＵＶテープと異なるテープに置き換えられてもよい。例えば、ＵＶテープが、熱が印加された場合に容易に剥離することができるようになる熱剥離テープに置き換えられてもよい。

１．４ ウエハマウント工程
図３は、実施の形態１の半導体装置の製造方法に備えられるウエハマウント工程を模式的に説明する斜視図である。

図１に図示されるウエハマウント工程Ｓ３においては、工程Ｓ３１からＳ３５までが実行される。

工程Ｓ３１においては、図３（ａ）に図示されるように、固定板１１０にＵＶテープ１１２が貼り付けられる。その際には、図３（ａ）に図示されるように、糊材１１４が鉛直方向上方を向くようにＵＶテープ１１２が置かれる。また、置かれたＵＶテープ１１２の上に固定板１１０が置かれる。固定板１１０は、金属からなる。固定板１１０は、輪状の形状を有する。固定板１１０の外形は、円形状である。また、ＵＶテープ１１２の、固定板１１０の下にある部分がＵＶテープ１１２の残余の部分から切り離されて、ＵＶテープ１１２からＵＶテープ１１６が切り出され、ＵＶテープ１１６及び固定板１１０を備える固定板付きＵＶテープ１１８が得られる。ＵＶテープ１１２から切り出されることにより準備されるＵＶテープ１１６も、基材１２０及び糊材１２４を備える。糊材１２４は、基材１２０の上に配置される。また、基材１２０が鉛直方向上方を向くように固定板付きＵＶテープ１１８が反転される。

続く工程Ｓ３２においては、ウエハ１００が搬送され、凹台座１２６が固定される。その際には、図３（ｂ）に図示されるように、ウエハ１００の裏面１００ｂが鉛直方向上方を向くようにウエハ１００が反転される。また、固定された凹台座１２６の上にウエハ１００が置かれる。

続く工程Ｓ３３においては、ウエハ１００の裏面１００ｂに固定板付きＵＶテープ１１８が貼り付けられる。その際には、図３（ｂ）に図示されるように、置かれたウエハ１００の上に固定板付きＵＶテープ１１８がさらに置かれる。また、ウエハ１００が凹台座１２６により真空吸着される。これにより、図３（ｃ）に図示されるように、ウエハ１００の裏面１００ｂが糊材１２４に向けられるようにウエハ１００が糊材１２４の上に配置される。

続く工程Ｓ３４においては、真空引きが行われる。その際には、ウエハ１００、凹台座１２６及び固定板付きＵＶテープ１１８を収容する真空チャンバの内部に対して真空引きが行われる。

続く工程Ｓ３５においては、図３（ｄ）に図示されるように、圧着ローラー１２８によりＵＶテープ１１６が圧着される。その際には、圧着ローラー１２８によりＵＶテープ１１６がウエハ１００に向かって押さえつけられる。ＵＶテープ１１６は、基材１２０が配置される側である裏面の側からウエハ１００の裏面１００ｂに向かって押さえつけられる。

工程Ｓ３１からＳ３５までにより、ウエハ１００の搭載（マウント）が完了する。また、ウエハ１００、固定板１１０及びＵＶテープ１１６を備えるワーク１３０が得られる。

１．５ ダイシング工程
図４は、実施の形態１の半導体装置の製造方法に備えられるダイシング工程を模式的に説明する斜視図である。

ダイシング工程Ｓ４においては、図１に図示される工程Ｓ４１からＳ４３までが実行される。

工程Ｓ４１においては、チャックテーブル１４０の上にワーク１３０が固定される。その際には、図４（ａ）に図示されるように、ウエハ１００の表面１００ｆが鉛直方向上方を向くようにワーク１３０が反転される。また、反転されたワーク１３０がチャックテーブル１４０の上に置かれる。チャックテーブル１４０は、円形状の平面形状を有する。チャックテーブル１４０は、ダイシングソーに備えられる。チャックテーブル１４０は、ポーラス材質からなる。ワーク１３０は、チャックテーブル１４０により鉛直方向下方に真空吸着される。その結果として、図４（ｂ）に図示されるように、チャックテーブル１４０の上にワーク１３０が固定される。なお、図４（ｂ）においては、固定板１１０及びＵＶテープ１１６の図示が省略されている。

続く工程Ｓ４２においては、ダイシングが行われる。その際には、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態を維持したままウエハ１００に対してダイシングが行われる。また、図４（ｃ）に図示されるように、第１のチャンネルCh(1)により、第１の方向に延びるダイシングラインに沿ってダイシングが行われる。また、図４（ｄ）に図示されるように、第２のチャンネルCh(2)により、第１の方向と垂直をなす第２の方向に延びるダイシングラインに沿ってダイシングが行われる。ダイシングが行われる際には、ウエハ１００に対してダイシングソーに備えられるダイシングブレード１４２の切り込み１４４が行われてフルカットが行われる。工程Ｓ４２により、個片化された半導体装置すなわちチップが生成される。生成されたチップは、製品となる。なお、図４（ｃ）及び図４（ｄ）においては、固定板１１０及びＵＶテープ１１６の図示が省略されている。

続く工程Ｓ４３においては、チップ１４６が洗浄される。また、洗浄されたチップ１４６が乾燥させられる。その際には、図４（ｅ）に図示されるように、ワーク１３０がチャックテーブル１４０の上から洗浄及び乾燥用の回転台座１４８の上に移される。また、図４（ｆ）に図示されるように、回転台座１４８により、移されたワーク１３０が回転させられながらチップ１４６が純水１５０により洗浄される。また、ワーク１３０が回転させられながらチップ１４６が乾燥させられる。なお、図４（ｅ）においては、チャックテーブル１４０の上に固定されたワーク１３０に備えられる固定板１１０及びＵＶテープ１１６の図示が省略されている。

１．６ ＵＶ照射工程
図５は、実施の形態１の半導体装置の製造方法に備えられるＵＶ照射工程を模式的に説明する斜視図である。

図１に図示されるＵＶ照射工程Ｓ５においては、工程Ｓ５１が実行される。

工程Ｓ５１においては、ワーク１３０にＵＶ照射が行われる。その際には、図５（ａ）に図示されるように、ワーク１３０が回転台座１４８から外される。また、外されたワーク１３０に基材１２０が配置される側からＵＶ１６０が照射される。ＵＶ１６０は、積算光量が設定された光量になるまで照射される。これにより、チップ１４６からＵＶテープ１１６を容易に剥離することができるようになる。図５（ｂ）に図示される、ＵＶ照射が行われたワーク１３０は、次工程に送られる。

２ 実施の形態２
図６及び図７は、実施の形態２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図６（ａ）は、斜視図である。図６（ｂ）は、断面図である。図７（ａ）は、斜視図である。図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、断面図である。

実施の形態２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ＵＶテープ１１６に備えられる基材１２０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態２においては、図６（ｂ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に図示されるように、基材１２０が凸構造２００を備える。凸構造２００は、基材１２０の中央に配置される。凸構造２００は、円形状の平面形状を有する。凸構造２００は、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。凸構造２００は、基材１２０の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する円錐形状の形状を有する。このため、凸構造２００は、凸構造２００の中心部から凸構造２００の端部までの全体において、凸構造２００の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。凸構造２００の最大高さ（最大厚さ）は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて決定される。凸構造２００の最大高さは、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下、５１μｍ以上１００μｍ以下、１０１μｍ以上１５０μｍ以下、１５１μｍ以上２００μｍ以下、又は２０１μｍ以上である。

また、実施の形態２においては、図６（ｂ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に図示されるように、糊材１２４が均一な膜厚を有する。

また、実施の形態２においては、図６（ｂ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に図示されるように、凸構造２００の上にウエハ１００が搭載される。このため、凸構造２００の上にウエハ１００が配置されるように、糊材１２４の上にウエハ１００が配置されて、糊材１２４がウエハ１００に貼り付けられる。これにより、凸構造２００がウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。ワーク１３０は、矢印Ａ１により示される方向に真空吸着される。ダイシングは、矢印Ａ２により示される切り込み深さまで行われる。

実施の形態２によれば、ウエハ１００の反り又は歪をＵＶテープ１１６に備えられる基材１２０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。これにより、不具合品の後工程又は市場への流出を抑制することができる。また、品質の安定、歩留りの向上、製品の潜在不良の低減等による信頼性の向上を図ることができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

３ 実施の形態３
図８及び図９は、実施の形態３のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図８は、断面図である。図９（ａ）は、斜視図である。図９（ｂ）及び図９（ｃ）は、断面図である。

実施の形態３のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ＵＶテープ１１６に備えられる糊材１２４によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態３のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態３においては、図８、図９（ｂ）及び図９（ｃ）に図示されるように、糊材１２４が凸構造３００を備える。凸構造３００は、糊材１２４の中央に配置される。凸構造３００は、円形状の平面形状を有する。凸構造３００は、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。凸構造３００は、糊材１２４の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する円錐形状の形状を有する。このため、凸構造３００は、凸構造３００の中心部から凸構造３００の端部までの全体において、凸構造３００の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。凸構造３００の最大高さは、例えば、５０μｍ以上２００μｍ以下である。凸構造３００は、基材１２０の主面の全面に渡って形成された糊材３１０の上に凸構造３００を構成する糊材３１２を形成することにより形成される。

また、実施の形態３においては、図８、図９（ｂ）及び図９（ｃ）に図示されるように、基材１２０が均一な膜厚を有する。

また、実施の形態３においては、図８、図９（ｂ）及び図９（ｃ）に図示されるように、凸構造３００の上にウエハ１００が搭載される。このため、凸構造３００の上にウエハ１００が配置されるように、糊材１２４の上にウエハ１００が配置されて、糊材１２４がウエハ１００に貼り付けられる。これにより、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に凸構造３００が勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。ワーク１３０は、矢印Ａ１により示される方向に真空吸着される。ダイシングは、矢印Ａ２により示される切り込み深さまで行われる。

実施の形態３によれば、ウエハ１００の反り又は歪をＵＶテープ１１６に備えられる糊材１２４により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

また、実施の形態３によれば、ウエハ１００が載せられるステージの側に糊材１２４が形成される。このため、ウエハ１００とチャックテーブル１４０との間には、ＵＶテ-プ１１６に備えられる糊材１２４が介在する。このため、通常行われる、図１に図示されるＵＶ照射工程Ｓ５により糊材１２４を収縮硬化させることにより、ウエハ１００をダイシングした後に糊材１２４からチップ１４６を容易に剥離することができる。したがって、糊材１２４を除去する為の特別な工程は不要である。実施の形態３は、この点で、ウエハの側に施される隙間充填層(熱流動性の樹脂)を、ウエハをダイシングした後にチップの裏面から除去する工程が必要になる特開２０１６－５４１９２号公報に記載された技術と異なる。

４ 実施の形態３の変形例１
図１０は、実施の形態３の変形例１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図１０は、断面図である。

実施の形態３の変形例１のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ＵＶテープ１１６に備えられる糊材１２４に追加される追加糊材３２０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態３の変形例１のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態３の変形例１においては、図１０に図示されるように、追加糊材３２０がさらに準備される。追加糊材３２０は、糊材１２４の上に配置された場合に、凸構造３２２を構成する。凸構造３２２は、糊材１２４の中央の上に配置される。凸構造３２２は、円形状の平面形状を有する。凸構造３２２は、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。追加糊材３２０は、シート状の形状を有する。凸構造３２２は、糊材１２４の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する円錐形状の形状を有する。このため、凸構造３２２は、凸構造３２２の中心部から凸構造３２２の端部までの全体において、凸構造３２２の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。

また、実施の形態３の変形例１においては、図１０に図示されるように、基材１２０が均一な膜厚を有する。また、糊材１２４が均一な膜厚を有する。

また、実施の形態３の変形例１においては、図１０に図示されるように、凸構造３２２の上にウエハ１００が搭載される。このため、凸構造３２２の上にウエハ１００が配置されるように、糊材１２４の上に追加糊材３２０が配置され追加糊材３２０の上にウエハ１００が配置されて、追加糊材３２０が糊材１２４及びウエハ１００に貼り付けられる。これにより、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に凸構造３２２が勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。糊材１２４の上に追加糊材３２０が配置され追加糊材３２０の上にウエハ１００が配置される際には、ウエハ１００の裏面１００ｂに追加糊材３２０が貼り付けられた後に、糊材１２４に追加糊材３２０が貼り付けられてもよいし、糊材１２４に追加糊材３２０が貼り付けられた後に、ウエハ１００の裏面１００ｂに追加糊材３２０が貼り付けられてもよい。追加糊材３２０は、望ましくは、糊材１２４の粘着力より小さい粘着力を有する。これにより、ダイシングが行われた後にチップ１４６がピックアップ（Ｐ／Ｕ）される際に、追加糊材３２０がＵＶテープ１１６の側に残る。

また、実施の形態３の変形例１においては、図１０に図示されるように、得られるワーク１３０が、ウエハ１００、固定板１１０及びＵＶテープ１１６に加えて追加糊材３２０を備える。

実施の形態３の変形例１によれば、ウエハ１００の反り又は歪を追加糊材３２０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

５ 実施の形態３の変形例２
図１１は、実施の形態３の変形例２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、断面図である。

実施の形態３の変形例２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ＵＶテープ１１６に追加される追加ＵＶテープ３４０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態３の変形例２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態３の変形例２においては、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に図示されるように、追加ＵＶテープ３４０がさらに準備される。追加ＵＶテープ３４０は、ＵＶテープ１１６の平面形状と異なる平面形状を有する点を除いて、ＵＶテープ１１６と同様のＵＶテープである。追加ＵＶテープ３４０も、図３に図示されるＵＶテープ１１２から切り出されることにより準備される。追加ＵＶテープ３４０は、糊材１２４の上に配置された場合に、凸構造３４２を構成する。凸構造３４２は、糊材１２４の中央の上に配置される。凸構造３４２は、円形状の平面形状を有する。凸構造３４２は、ウエハ１００の平面サイズよりわずかに小さい平面サイズを有し、ウエハ１００の径よりわずかに小さい径を有する。凸構造３４２は、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。追加ＵＶテープ３４０の数は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて増減される。例えば、追加ＵＶテープ３４０は、ウエハ１００の反りの量Δが小さい場合は、図１１（ａ）に図示されるように、ひとつの追加ＵＶテープであり、ウエハ１００の反りの量Δが大きい場合は、図１１（ｂ）に図示されるように、複数の追加ＵＶテープである。複数の追加ＵＶテープ３４０は、互いに異なる平面サイズを有し、互いに異なる径を有する。

また、実施の形態３の変形例２においては、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に図示されるように、追加ＵＶテープ３４０が糊材１２４に貼り付けられる。複数の追加ＵＶテープ３４０が糊材１２４に貼り付けられる際には、大きい平面サイズを有する追加ＵＶテープ３４０から順に複数の追加ＵＶテープ３４０が糊材１２４の上に重ねて貼り付けられ、大きい径を有する追加ＵＶテープ３４０から順に複数の追加ＵＶテープ３４０が糊材１２４の上に重ねて貼り付けられる。

また、実施の形態３の変形例２においては、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に図示されるように、基材１２０が均一な膜厚を有する。また、糊材１２４が均一な膜厚を有する。

また、実施の形態３の変形例２においては、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に図示されるように、凸構造３４２の上にウエハ１００が搭載される。このため、凸構造３４２の上にウエハ１００が配置されて、追加ＵＶテープ３４０がウエハ１００に貼り付けられる。これにより、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に凸構造３４２が勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。

また、実施の形態３の変形例２においては、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に図示されるように、得られるワーク１３０が、ウエハ１００、固定板１１０及びＵＶテープ１１６に加えて追加ＵＶテープ３４０を備える。

実施の形態３の変形例２によれば、ウエハ１００の反り又は歪を追加ＵＶテープ３４０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

また、実施の形態３の変形例２によれば、ウエハ１００の反り又は歪を簡便な手法により吸収することができる。

６ 実施の形態４
図１２及び図１３は、実施の形態４の糊材の形成方法を模式的に説明する図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、斜視図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）は、断面図である。

実施の形態４の糊材１２４の形成方法は、実施の形態３のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法とともに、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態４においては、図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に図示されるように、基材１２０の上に第１の糊材４００が形成される。その際には、塗工を行う機構により、第１の糊材４００を構成する材料を基材１２０の上に塗工する１回目の塗工が行われる。当該材料は、基材１２０の主面の全面にわたって塗工される。

続いて、図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に図示されるように、形成された第１の糊材４００の上に第２の糊材４０２が形成される。その際には、塗工を行う機構により、第２の糊材４０２を構成する材料を第１の糊材４００の上に塗工する２回目の塗工が行われる。その際には、当該材料が塗工されない領域がマスキングされる。第２の糊材４０２は、第１の糊材の平面サイズより小さい平面サイズを有する。このため、第２の糊材４０２は、凸構造３００を構成する。

形成される第１の糊材４００及び第２の糊材４０２は、糊材１２４を構成する。

２回目の塗工によりに形成される第２の糊材４０２は、複数の糊材である。複数の糊材４０２は、互いに異なる平面サイズを有し、互いに異なる径を有する。複数の糊材４０２が形成される際には、図１２（ａ）、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に図示されるように、小さい平面サイズを有する糊材４０２から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて形成され、小さい径を有する糊材４０２から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて形成される場合もあるし、図１２（ｂ）、図１３（ｃ）及び図１３（ｄ）に図示されるように、大きい平面サイズを有する糊材４０２から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて配置され、大きい径を有する糊材４０２から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて配置される場合もある。

また、実施の形態４においては、ウエハ１００の反り又は歪の量Δの測定が行われる。ウエハ１００の反り又は歪の量Δの測定は、複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に形成される前に行われる。

また、実施の形態４においては、ウエハ１００の反り又は歪の量Δの測定の結果に基づいて、複数の糊材４０２の平面サイズすなわち複数の糊材４０２の径、複数の糊材４０２の端の間隔、複数の糊材４０２の数、及び複数の糊材４０２を形成する順序の少なくともひとつが変更される。これにより、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて、凸構造３００の形状を変更することができ、凸構造３２２の端面の形状を変更することができる。

図１３（ａ）に図示される第２の糊材４０２は、穏やかな傾斜を有する端面を有する凸構造３００を構成する。当該凸構造３００は、凸構造３００の中心部から凸構造３００の端部までの全体において、凸構造３００の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。当該凸構造３００は、複数の糊材４０２の端の間隔が広く、小さい平面サイズすなわち小さい径を有する糊材４０２から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて形成された場合に得られる。

図１３（ｂ）に図示される第２の糊材４０２は、やや急峻な傾斜を有する端面を有する凸構造３００を構成する。当該凸構造３００は、凸構造３００の中心部から凸構造３００の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、凸構造３００の端部の手前から凸構造３００の端部までにおいて、凸構造３００の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。当該凸構造３００は、複数の糊材４０２に備えられる最初の数個の糊材４０２の端の間隔が狭く、小さい平面サイズすなわち小さい径を有する糊材４０２から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて形成された場合に得られる。

図１３（ｃ）に図示される第２の糊材４０２は、やや穏やかな傾斜を有する端面を有する凸構造３００を構成する。当該端面は、凹凸を有する。当該凸構造３００は、凸構造３００の中心部から凸構造３００の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、凸構造３００の端部の手前から凸構造３００の端部までにおいて、凸構造３００の中心部から離れるにつれて不連続的に低くなる高さを有する。当該凸構造３００は、複数の糊材４０２の端の間隔が広く、大きい平面サイズすなわち大きい径を有する糊材４０２から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて形成された場合に得られる。

図１３（ｄ）に図示される第２の糊材４０２は、急峻な傾斜を有する端面を有する凸構造３００を構成する。当該端面は、凹凸を有する。当該凸構造３００は、凸構造３００の中心部から凸構造３００の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、凸構造３００の端部の手前から凸構造３００の端部までにおいて、凸構造３００の中心部から離れるにつれて不連続的に低くなる高さを有する。ただし、図１３（ｄ）に図示される第２の糊材４０２においては、図１３（ｃ）に図示される第２の糊材４０２と比較して、凸構造３００の中心部から離れるにつれて不連続的に低くなる高さを有する範囲が、狭くなっている。当該凸構造３００は、複数の糊材４０２に備えられる最初の数個の糊材４０２の端の間隔が狭く、大きい平面サイズすなわち大きい径を有する糊材から順に複数の糊材４０２が第１の糊材４００の上に重ねて形成された場合に得られる。

図１４は、実施の形態４の糊材の形成方法における、凸構造の端面の形状と、ウエハの反りの量及び糊材の形成方法と、の関係を説明する図である。

図１４に示されるように、実施の形態４の糊材の形成方法においては、凸構造３００の端面の形状を「穏やかな傾斜」を有する形状、「やや緩やかな傾斜」を有する形状、「やや急峻な傾斜」を有する形状、及び「急峻な傾斜」を有する形状に順次に変化させることにより、凸構造３００の端面の形状を「穏やか」な形状から「急峻」な形状に変化させることができる。

また、ウエハ１００の反りの量が「小」から「大」へ変化した場合は、凸構造３００の端面の形状は、「穏やか」な形状から「急峻」な形状に変化する。

「穏やかな傾斜」を有する形状を有する端面は、複数の糊材４０２の積層の数が少なくなり、複数の糊材４０２の直径が徐々に増減しその端の間隔が広い場合に得られる。「急峻な傾斜」を有する形状を有する端面は、複数の糊材４０２の積層の数が多くなり、複数の糊材４０２の直径が大きく、その端の間隔が狭い場合に得られる。

実施の形態４によれば、凸構造３００の形状をウエハ１００の反り又は歪の量Δに適合する凸形状にすることができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することをさらに抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することをさらに抑制することができる。

７ 実施の形態５
図１５は、実施の形態５のＵＶテープの圧着方法を模式的に説明する図である。図１５（ａ）は、断面図である。図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）は、斜視図である。

実施の形態５のＵＶテープ１１６の圧着方法は、実施の形態６又は実施の形態６の変形例１のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法とともに、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態５においては、図１５（ａ）に図示されるように、基材１２０が均一な厚さを有する。また、糊材１２４が均一な膜厚を有する。

また、実施の形態５においては、図１５（ａ）及び図１５（ｃ）に図示されるように、圧着ローラー１２８が、本体５００及び凸構造５０２を備える。本体５００は、図１５（ｂ）に図示される通常の圧着ローラーに備えられる本体と同様に、円筒形状又は円柱形状の形状を有する。ただし、本体５００の軸方向の幅Ｗは、図１５（ｂ）に図示される通常の圧着ローラーに備えられる本体の軸方向の幅であるウエハ１００の径が入る最小限の幅より大きく、凸構造５０２の径が入るように決定される。凸構造５０２は、本体５００から突出する。凸構造５０２は、本体５００の軸方向の中央の上に配置される。凸構造５０２は、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。

また、実施の形態５においては、図１５（ａ）に図示されるように、圧着ローラー１２８によりＵＶテープ１１６がウエハ１００に向かって押さえつけられる際に、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に凸構造５０２が勘合する。これにより、ＵＶテープ１１６のウエハ１００への密着性を向上することができる。これにより、ダイシングの精度を向上することができる。

なお、実施の形態５においては、ウエハ１００の上に平坦なＵＶテープ１１６が置かれ、圧着ローラー１２８により、置かれたＵＶテープ１１６がウエハ１００に向かって押さえつけられる。しかし、ＵＶテープ１１６がウエハ１００に向かって押さえつけられる際には、ＵＶテープ１１６は柔らかいため、ＵＶテープ１１６がウエハ１００に向かって押さえつけられた後においても、ウエハ１００の反り又は歪は矯正されず、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力がウエハ１００に内在することはない。したがって、ウエハ１００が最大で２００μｍの反り又は歪の量Δを有する状態が維持されたままウエハマウント工程が終了する。

８ 実施の形態６
図１６及び図１７は、実施の形態６のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、断面図である。図１７（ａ）は、斜視図である。図１７（ｂ）及び図１７（ｃ）は、断面図である。

実施の形態６のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、チャックテーブル１４０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態６のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態６においては、図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１７（ｂ）及び図１７（ｃ）に図示されるように、凸構造６００を備えるチャックテーブル１４０が用いられる。凸構造６００は、チャックテーブル１４０の中央に配置される。凸構造６００は、円形状の平面形状を有する。チャックテーブル１４０は、ウエハ１００の径より２．５４ｃｍ（１インチ）以上大きい径を有する。凸構造６００は、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。凸構造６００は、チャックテーブル１４０の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する円錐形状の形状を有する。このため、凸構造６００は、凸構造６００の中心部から凸構造６００の端部までの全体において、凸構造６００の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。凸構造６００の最大高さ（最大厚さ）は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて決定される。凸構造６００の最大高さは、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下、５１μｍ以上１００μｍ以下、１０１μｍ以上１５０μｍ以下、１５１μｍ以上２００μｍ以下、又は２０１μｍ以上である。チャックテーブル１４０は、凸構造６００及び残余の部分が一体化された一体型のチャックテーブルである。このため、チャックテーブル１４０は、全体がポーラス材質からなる。このため、チャックテーブル１４０は、ワーク１３０を鉛直方向下方に真空吸着することができる。

また、実施の形態６においては、図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１７（ｂ）及び図１７（ｃ）に図示されるように、基材１２０が均一な膜厚を有する。また、糊材１２４が均一な膜厚を有する。

また、実施の形態６においては、図１６（ａ）、図１６（ｂ）、図１７（ｂ）及び図１７（ｃ）に図示されるように、凸構造６００の上にウエハ１００が搭載される。このため、凸構造６００の上にウエハ１００が配置されるようにチャックテーブル１４０の上にワーク１３０が固定される。これにより、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に凸構造６００が勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。ワーク１３０は、矢印Ａ１により示される方向に真空吸着される。ダイシングは、矢印Ａ２により示される切り込み深さまで行われる。

また、実施の形態６においては、図１６（ｂ）に図示されるように、チャックテーブル１４０の上にワーク１３０が載せられてからさらに固定板１１０が鉛直方向下方に押し下げられる。

実施の形態６によれば、ウエハ１００の反り又は歪をチャックテーブル１４０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

９ 実施の形態６の変形例１
図１８、図１９及び図２０は、実施の形態６の変形例１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図１８、図１９、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）は、断面図である。ただし、図１９、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）には、ＵＶテープ及び固定板が点線により描かれている。

実施の形態６の変形例１のウエハ１００の反り又は歪を吸収する方法は、ブロック６２０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態６の変形例１のウエハ１００の反り又は歪を吸収する方法は、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態６の変形例１においては、図１８、図１９、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）に図示されるように、チャックテーブル１４０及びブロック６２０が用いられる。チャックテーブル１４０は、通常のチャックテーブルと同様に、平坦な上面を有する。ブロック６２０は、チャックテーブル１４０の上に配置された場合に、凸構造６２２を構成する。凸構造６２２は、円形状の平面形状を有する。凸構造６２２は、チャックテーブル１４０の中央の上に配置される。凸構造６２２は、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。チャックテーブル１４０及びブロック６２０は、同じ材質からなり、ポーラス材質からなるが、分割されている。チャックテーブル１４０及びブロック６２０は、ワーク１３０を鉛直方向下方に真空吸着することができる。

また、実施の形態６の変形例１においては、図１８に図示されるように、基材１２０が均一な膜厚を有する。また、糊材１２４が均一な膜厚を有する。

また、実施の形態６の変形例１においては、図１８、図１９、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）に図示されるように、凸構造６２２の上にウエハ１００が搭載される。このため、凸構造６２２の上にウエハ１００が配置されるように、チャックテーブル１４０の上にブロック６２０及びワーク１３０が固定される。これにより、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に凸構造６００が勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。ワーク１３０は、矢印Ａ１により示される方向に真空吸着される。

実施の形態６の変形例１によれば、ウエハ１００の反り又は歪をブロック６２０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

また、実施の形態６の変形例１によれば、チャックテーブル１４０及びブロック６２０が分割されているため、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じてブロック６２０の形状を選択することができる。例えば、ウエハ１００の反りの量Δが小さい場合は、図１９に図示されるように、低い高さを有するブロック６２０が選択される。また、ウエハ１００の反りの量Δが大きい場合は、図２０（ａ）図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）に図示されるように、高い高さを有するブロック６２０が選択される。

１０ 実施の形態６の変形例２
図２１及び図２２は、実施の形態６の変形例２のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、断面図である。

実施の形態６の変形例２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ＵＶテープ１１６に備えられる基材１２０又は糊材１２４、及びチャックテーブル１４０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態６の変形例２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態６の変形例２においては、図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に図示されるように、基材１２０又は糊材１２４が第１の凸構造６４０を備える。第１の凸構造６４０は、基材１２０又は糊材１２４の中央に配置される。第１の凸構造６４０は、円形状の平面形状を有する。第１の凸構造６４０は、基材１２０又は糊材１２４の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する円錐形状の形状を有する。このため、第１の凸構造６４０は、第１の凸構造６４０の中心部から第１の凸構造６４０の端部までの全体において、第１の凸構造６４０の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。

また、実施の形態６の変形例２においては、図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に図示されるように、第１の凸構造６４０の上にウエハ１００が搭載される。このため、第１の凸構造６４０の上にウエハ１００が配置されるように、糊材１２４の上にウエハ１００が配置されて、糊材１２４がウエハ１００に貼り付けられる。これにより、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に第１の凸構造６４０が勘合する。

また、実施の形態６の変形例２においては、図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に図示されるように、第２の凸構造６４２を備えるチャックテーブル１４０が用いられる。第２の凸構造６４２は、チャックテーブル１４０の中央に配置される。第２の凸構造６４２は、円形状の平面形状を有する。第２の凸構造６４２は、チャックテーブル１４０の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向についてカーブした傾斜を有する側面を有する円柱状の形状を有し、台形状の断面形状を有する。このため、第２の凸構造６４２は、第２の凸構造６４２の中心部から第２の凸構造６４２の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、第２の凸構造６４２の端部の手前から第２の凸構造６４２の端部までにおいて、第２の凸構造６４２の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。

第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２を上下に重ね合わせたものは、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に適合する凸形状を有する。

第１の凸構造６４０は、ウエハ１００の平面サイズより小さい平面サイズを有し、ウエハ１００の径より小さい径を有する。第２の凸構造６４２は、ウエハ１００の平面サイズより大きい平面サイズを有し、ウエハ１００の径より大きい径を有する。

また、実施の形態６の変形例２においては、図２１（ａ）、図２１（ｂ）、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に図示されるように、第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２の上にウエハ１００が搭載される。このため、第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２の上にウエハ１００が配置されるように、チャックテーブル１４０の上にワーク１３０が固定される。これにより、ウエハ１００の裏面１００ｂの凹形状に第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２が勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。ワーク１３０は、矢印Ａ１により示される方向に真空吸着される。ダイシングは、矢印Ａ２により示される切り込み深さまで行われる。第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２は、第１の凸構造６４０と第２の凸構造６４２との間に隙間が生じず側面に段差が形成されないように重ね合わされる。これにより、ワーク１３０を鉛直方向下方に真空吸着することができる。

実施の形態６の変形例２によれば、ウエハ１００の反り又は歪を基材１２０又は糊材１２４、及びチャックテーブル１４０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

実施の形態６の変形例２は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δが大きい場合に好適に採用される。例えば、実施の形態６の変形例２は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δが２０１μｍ以上である場合に好適に採用される。

１１ 実施の形態７
図２３及び図２４は、実施の形態７のダイシング方法を説明する図である。図２３（ａ）、図２３（ｂ）、図２３（ｃ）、図２３（ｄ）及び図２３（ｅ）は、断面図である。図２４（ａ）、図２４（ｂ）、図２４（ｃ）、図２４（ｄ）及び図２４（ｅ）は、斜視図である。

実施の形態７のダイシング方法は、実施の形態６の変形例１のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法とともに、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態７においては、図２３（ａ）に図示されるように、チャックテーブル１４０の上にブロック６２０及びワーク１３０が載せられる。また、図２３（ｂ）及び図２４（ａ）に図示されるように、ブロック６２０及びワーク１３０が載せられた後に、第１のチャンネルCh(1)により、ウエハ１００の外周部の一部に対してダイシングが行われる。また、図２３（ｃ）及び図２４（ｂ）に図示されるように、ウエハ１００の外周部の一部に対してダイシングが行われた後に、ワーク１３０及びチャックテーブル１４０の間からブロック６２０が外される。また、図２４（ｃ）に図示されるように、ブロック６２０が外された後に、チャックテーブル１４０の上にワーク１３０が再び載せられる。また、図２３（ｄ）及び図２４（ｄ）に図示されるように、ブロック６２０が外された後に、第１のチャンネルCh(1)により、ウエハ１００の残余部に対してダイシングが行われる。また、図２３（ｅ）及び図２４（ｅ）に図示されるように、第１のチャンネルCh(1)によりウエハ１００の残余部に対してダイシングが行われた後に、第２のチャンネルCh(2)により、ウエハ１００の全体に対してダイシングが行われる。

第１のチャンネルCh(1)によりウエハ１００の外周部の一部に対してダイシングが行われる場合は、下述する実施の形態９のダイシング方法が好適に採用される。第１のチャンネルCh(1)によりウエハ１００の残余部に対してダイシングが行われる場合は、下述する実施の形態８のダイシング方法が好適に採用される。

実施の形態７においては、凸構造６２２を構成するブロック６２０、及びチャックテーブル１４０を用いるダイシングと、平坦な上面を有するチャックテーブル１４０のみを用いるダイシングと、が併用される。

実施の形態７によれば、クラックが発生しやすいウエハ１００の外周に対して、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、ダイシングが行われる。これにより、クラックが発生しやすいウエハ１００の外周から得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。

１２ 実施の形態８
図２５は、実施の形態８のダイシング方法を模式的に説明する図である。図２５は、断面図である。

実施の形態８のダイシング方法は、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態３の変形例１、実施の形態３の変形例２、実施の形態６、実施の形態６の変形例１又は実施の形態６の変形例２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法とともに、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態８においては、図２５に図示される省略部分Ａの付近に、凸構造２００、凸構造３００、凸構造３２２、凸構造３２４、凸構造６００、凸構造６２２、又は第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２の組が設けられる。

また、実施の形態８においては、図２５に図示されるように、ダイシングが行われる際に、ウエハ１００の表面１００ｆの側からダイシングブレードの切り込みが行われる。その際には、複数のダイシングラインについて、矢印Ａ２により示される、基材１２０の厚さｔの範囲内に収まる一定の切り込み深さまでダイシングブレードの切り込みが行われる。一定の切り込み深さは、固定された切り込み深さである。実施の形態２、実施の形態３、実施の形態３の変形例１又は実施の形態３の変形例２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法とともに実施の形態８のダイシング方法が採用される場合は、基材１２０の厚さｔは、凸構造２００、凸構造３００、凸構造３２２又は凸構造３２４がある部分を除いて、従来の基材の厚さと同程度であってもよい。しかし、実施の形態６、実施の形態６の変形例１又は実施の形態６の変形例２とともに実施の形態８のダイシング方法が採用される場合は、基材１２０の厚さｔは、切り込み深さが基材１２０の厚さｔの範囲内に収まるように厚くされる。基材１２０の厚さｔを厚くする程度は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δの程度である。

実施の形態８によれば、ウエハ１００の表面１００ｆの側からダイシングブレードの切り込みが行われる場合に、ウエハ１００の反り又は歪を矯正せず応力が分散している状態で、ダイシングを精度よく行うことができる。

１３ 実施の形態９
図２６は、実施の形態９のダイシング方法を模式的に説明する図である。図２６は、断面図である。

実施の形態９のダイシング方法は、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態３の変形例１、実施の形態３の変形例２、実施の形態６、実施の形態６の変形例１又は実施の形態６の変形例２のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法とともに、実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態９においては、図２６に図示される省略部分Ａの付近に、凸構造２００、凸構造３００、凸構造３２２、凸構造３２４、凸構造６００、凸構造６２２、又は第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２の組が設けられる。

実施の形態９においては、図２６に図示されるように、ダイシングが行われる際に、ウエハ１００の表面１００ｆの側からダイシングブレードの切り込みが行われる。その際には、複数のダイシングラインの各ラインについて、切り込み深さの補正が行われ、矢印Ａ２により示される、可変の切り込み深さまでダイシングブレードの切り込みが行われ、複数のダイシングラインについて、基材１２０に対して一定の切り込み深さまで切り込みが行われる。切り込み深さの補正は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて行われる。

実施の形態９によれば、ウエハ１００の表面１００ｆの側からダイシングブレードの切り込みが行われる場合に、ウエハ１００の反り又は歪を矯正せず応力が分散している状態で、ダイシングを精度よく行うことができる。

１４ 実施の形態１０
図２７及び図２８は、実施の形態１０のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図２７（ａ）は、斜視図である。図２７（ｂ）は、断面図である。図２８（ａ）は、斜視図である。図２８（ｂ）及び図２８（ｃ）は、断面図である。

実施の形態１０のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ＵＶテープ１１６に備えられる基材１２０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態１０のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ウエハ１００の表面１００ｆが糊材１２４に向けられるように変形された実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態１０においては、図２７（ｂ）、図２８（ｂ）及び図２８（ｃ）に図示されるように、凹形状を有するウエハ１００の裏面１００ｂが鉛直方向上方に向けられる。また、凸形状を有するウエハ１００の表面１００ｆが鉛直方向下方に向けられる。このため、凸形状を有するウエハ１００の表面１００ｆが糊材１２４に向けられるように、糊材１２４の上にウエハ１００が配置される。

また、実施の形態１０においては、図２７（ｂ）に図示されるように、ウエハ１００の表面１００ｆを保護する保護膜１０００がさらに準備される。

また、実施の形態１０においては、図２７（ｂ）、図２８（ｂ）及び図２８（ｃ）に図示されるように、基材１２０が凹構造１００２を備える。凹構造１００２は、基材１２０の中央に配置される。凹構造１００２は、円形状の平面形状を有する。凹構造１００２は、ウエハ１００の表面１００ｆの凸形状に適合する凹形状を有する。凹構造１００２は、基材１２０の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する円錐形状の形状を有する。このため、凹構造１００２は、凹構造１００２の中心部から凹構造１００２の端部までの全体において、凹構造１００２の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。凹構造１００２の最大高さ（最大厚さ）は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて決定される。凹構造１００２の最大高さは、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下、５１μｍ以上１００μｍ以下、１０１μｍ以上１５０μｍ以下、１５１μｍ以上２００μｍ以下、又は２０１μｍ以上である。基材１２０の厚さｔは、凹構造１００２がある部分においても基材１２０が十分な厚さを有するように厚くされる。

また、実施の形態１０においては、図２７（ｂ）、図２８（ｂ）及び図２８（ｃ）に図示されるように、糊材１２４が均一な膜厚を有する。

凸形状を有するウエハ１００の表面１００ｆが糊材１２４に向けられる場合は、糊材１２４に凹構造を設けることよりも、基材１２０に凹構造１００２を設けることが好適である。その理由は、次のとおりである。糊材１２４に凹構造が設けられた場合は、凹構造がある部分においても糊材１２４が十分な厚さを有するように糊材１２４の厚さが厚くされる。しかし、糊材１２４の厚さが厚くされた場合は、糊材１２４がその機能を十分に発揮することができなくなる。また、糊材１２４の厚さが厚くされた場合は、凹構造により糊材１２４の厚さが部分的に薄くされても、ＵＶテープ１１６に占める糊材１２４が増加する。このため、ＵＶテープ１１６のコストが上昇する。また、糊材１２４に凹構造を設けることは、ＵＶテープ１１６の製造上困難である。また、糊材１２４の厚さが厚くされた場合は、糊材１２４の厚さが基材１２０の厚さより厚くなり、次工程で行われるダイボンドにおいてエキスパンド（ＥＸＰ）を行うことが困難になる。

また、実施の形態１０においては、図２７（ｂ）、図２８（ｂ）及び図２８（ｃ）に図示されるように、凹構造１００２の上にウエハ１００が搭載される。このため、凹構造１００２の上にウエハ１００が配置されるように、糊材１２４の上にウエハ１００が配置されて、糊材１２４がウエハ１００に貼り付けられる。これにより、ウエハ１００の表面１００ｆの凸形状が凹構造１００２に勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。ワーク１３０は、矢印Ａ１により示される方向に真空吸着される。

実施の形態１０によれば、ウエハ１００の反り又は歪をＵＶテープ１１６に備えられる基材１２０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

１５ 実施の形態１１
図２９は、実施の形態１１のウエハの反り又は歪の吸収方法を模式的に説明する図である。図２９は、断面図である。

実施の形態１１のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、チャックテーブル１４０によりウエハ１００の反り又は歪を吸収する。実施の形態１１のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法は、ウエハ１００の表面１００ｆが糊材１２４に向けられるように変形された実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態１１においては、図２９に図示されるように、凹形状を有するウエハ１００の裏面１００ｂが鉛直方向上方に向けられる。また、凸形状を有するウエハ１００の表面１００ｆが鉛直方向下方に向けられる。このため、凸形状を有するウエハ１００の表面１００ｆが糊材１２４に向けられるように、糊材１２４の上にウエハ１００が配置される。

また、実施の形態１１においては、ウエハ１００の表面１００ｆを保護する図示されない保護膜がさらに準備される。

また、実施の形態１１においては、図２９に図示されるように、凹構造１１００を備えるチャックテーブル１４０が用いられる。凹構造１１００は、チャックテーブル１４０の中央に配置される。凹構造１１００は、円形状の平面形状を有する。凹構造１１００は、ウエハ１００の表面１００ｆの凸形状に適合する凹形状を有する。凹構造１１００は、チャックテーブル１４０の広がり方向でありオリフラ方向と平行及び垂直をそれぞれなすＸ方向及びＹ方向について穏やかな傾斜を有する円錐形状の形状を有する。このため、凹構造１１００は、凹構造１１００の中心部から凹構造１１００の端部までの全体において、凹構造１１００の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する。凹構造１１００の最大高さ（最大厚さ）は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて決定される。凹構造１１００の最大高さは、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下、５１μｍ以上１００μｍ以下、１０１μｍ以上１５０μｍ以下、１５１μｍ以上２００μｍ以下、又は２０１μｍ以上である。チャックテーブル１４０は、一体型のチャックテーブルである。このため、チャックテーブル１４０は、全体がポーラス材質からなる。このため、チャックテーブル１４０は、ワーク１３０を鉛直方向下方に真空吸着することができる。チャックテーブル１４０の厚さｔは、凹構造１１００がある部分においても十分な厚さを有するように厚くされる。

また、実施の形態１１においては、図２９に図示されるように、凹構造１１００の上にウエハ１００が搭載される。このため、凹構造１１００の上にウエハ１００が配置されるように、チャックテーブル１４０の上にワーク１３０が固定される。これにより、ウエハ１００の表面１００ｆの凸形状が凹構造１１００に勘合する。これにより、ウエハ１００の反り又は歪が矯正されることなく、ウエハ１００が固定される。また、ウエハ１００が反り又は歪を有する状態が維持されたまま、ウエハ１００に対してダイシングが行われる。

図３０は、実施の形態１１のウエハの反り又は歪の吸収方法における、ウエハの径とチャックテーブルの径との関係を模式的に説明する図である。図３０は、断面図である。

チャックテーブル１４０は、図３０に図示されるように、ウエハ１００の径より２．５４ｃｍ（１インチ）以上大きい径を有する。

実施の形態１１によれば、ウエハ１００の反り又は歪をチャックテーブル１４０により吸収することができる。このため、ウエハ１００が反り又は歪を有する場合でも、ウエハ１００の反り又は歪が矯正される際に生じる応力をウエハ１００に内在させることなく、応力の分散が維持された状態で、ウエハ１００に対してダイシングを行うことができる。これにより、得られるチップ１４６の側面又は裏面にチッピング、クラック等が発生することを抑制することができる。また、ダイシングブレード１４２に飛び、破損等が発生することを抑制することができる。

１６ 実施の形態１２
図３１は、実施の形態１２のダイシング方法を模式的に説明する断面図である。図３１は、断面図である。

実施の形態１２のダイシング方法は、実施の形態１０又は実施の形態１１のウエハ１００の反りの吸収方法とともに、ウエハ１００の表面１００ｆが糊材１２４に向けられるように変形された実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態１２においては、図３１に図示される省略部分Ａの付近に、凹構造１００２又は凹構造１１００が設けられる。

また、実施の形態１２においては、図３１に図示されるように、ダイシングが行われる際に、ウエハ１００の裏面１００ｂの側からダイシングブレードの切り込みが行われる。その際には、複数のダイシングラインについて、矢印Ａ２により示される、基材１２０の厚さｔの範囲内に収まる一定の切り込み深さまでダイシングブレード１４２の切り込みが行われる。一定の切り込み深さは、固定された切り込み深さである。実施の形態１１のウエハ１００の反りの吸収方法とともに実施の形態１２のダイシング方法が採用される場合は、基材１２０の厚さｔは、切り込み深さが基材１２０の厚さｔの範囲内に収まるように厚くされる。基材１２０の厚さｔを厚くする程度は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δの程度である。これにより、ウエハ１００の反り又は歪により深くなった切り込み深さを吸収することができ、基材１２０の切り残し厚さを確保することができる。

実施の形態１２によれば、ウエハ１００の裏面１００ｂの側からダイシングブレードの切り込みが行われる場合に、ウエハ１００の反り又は歪を矯正せず応力が分散している状態でダイシングを精度よく行うことができる。

１７ 実施の形態１３
図３２は、実施の形態１３のダイシング方法を模式的に説明する断面図である。図３２は、断面図である。

実施の形態１３のダイシング方法は、実施の形態１０又は実施の形態１１のウエハ１００の反り又は歪の吸収方法とともに、ウエハ１００の表面１００ｆが糊材１２４に向けられるように変形された実施の形態１の半導体装置１４６の製造方法において採用することができる。

実施の形態１３においては、図３２に図示される省略部分Ａの付近に、凹構造１００２又は凹構造１１００が設けられる。

また、実施の形態１３においては、図３２に図示されるように、ダイシングが行われる際に、ウエハ１００の裏面１００ｂの側からダイシングブレードの切り込みが行われる。その際には複数のダイシングラインの各ラインについて、切り込み深さの補正が行われ、矢印Ａ２により示される、可変の切り込み深さまでダイシングブレードの切り込みが行われ、複数のダイシングラインについて、基材１２０に対して一定の切り込み深さまで切り込みが行われる。切り込み深さの補正は、ウエハ１００の反り又は歪の量Δに応じて行われる。

実施の形態１３によれば、ウエハ１００の裏面１００ｂの側からダイシングブレードの切り込みが行われる場合に、ウエハ１００の反り又は歪を矯正せず応力が分散している状態で、ダイシングを精度よく行うことができる。

１８ ウエハ、凸構造、チャックテーブル及び固定板の平面サイズの関係
図３３は、実施の形態２、実施の形態３、実施の形態３の変形例１、実施の形態３の変形例２、実施の形態６、実施の形態６の変形例１及び実施の形態６の変形例２のウエハの反り又は歪の吸収方法におけるウエハ、凸構造、チャックテーブル及び固定板の平面サイズの関係を模式的に説明する図である。図３３（ａ）、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）は、断面図である。

図３３（ａ）、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）には、上述した凸構造２００、凸構造３００、凸構造３２２、凸構造３２４、凸構造６００、凸構造６２２、又は第１の凸構造６４０及び第２の凸構造６４２の組が、凸構造２０００として図示されている。

凸構造２０００は、望ましくは、図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に図示されるように、ウエハ１００の平面サイズより大きな平面サイズを有し、ウエハ１００の径より大きな径を有し、さらに望ましくは、ウエハ１００の径より２．５４ｃｍ（１インチ）以上大きな径を有する。

また、チャックテーブル１４０は、図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に図示されるように、凸構造２０００の平面サイズより大きな平面サイズを有し、凸構造２０００の径より大きな径を有し、さらに望ましくは、凸構造２０００の径より２．５４ｃｍ（１インチ）以上大きな径を有する。

また、固定板１１０は、図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に図示されるように、チャックテーブル１４０の平面サイズより大きな平面サイズを有し、チャックテーブル１４０の径より大きな径を有し、さらに望ましくは、チャックテーブル１４０の径より２．５４ｃｍ（１インチ）以上大きな径を有する。

ただし、図３３（ｃ）に図示されるように、凸構造２０００の平面サイズがウエハ１００の平面サイズよりと同じであることは、望ましくない。

凹構造についても、凸構造２０００と同じことがいえる。

１９ 実施の形態１４
図３４から図３７までは、実施の形態１４のチップの形状の形成方法を模式的に説明する図である。図３４（ａ）及び図３４（ｂ）は、ウエハの断面図である。図３５（ａ）は、ウエハから生成された半導体チップの断面図である。図３５（ｂ）は、ウエハの中央から生成されたチップの斜視図である。図３５（ｃ）は、ウエハの外周から生成されたチップの斜視図である。図３６（ａ）及び図３６（ｂ）は、ウエハの上面図である。図３７は、ウエハから生成された半導体チップの断面図である。

ここで、ウエハ１００に対してダイシングが行われる際に、図３４及び図３６に図示されるように、矢印Ａ２により示される、平坦な基準面１０２とダイシングブレードの入射方向とが垂直をなすような入射角で、ダイシングブレード１４２の切り込みが行われ、ウエハ１００の外周部からウエハ１００の中央に向かってダイシングが行われる場合を考える。

ウエハ１００に対してダイシングが行われることにより生成されるチップ１４６は、図３５から図３７までに図示されるように、表面１４００及び端面１４０２を有する。表面１４００は、回路パターンが形成される主面である。

表面１４００と端面１４０２とがなす傾斜角は、反り又は歪が矯正されたウエハに対してダイシングが行われた場合は、９０°であるが、図３４に図示されるように反り又は歪が矯正されていないウエハ１００に対してダイシングが行われた場合は、必ずしも９０°でなく９０°＋５～１５°となる場合がある。

反り又は歪が矯正されていないウエハ１００に対してダイシングが行われた場合は、ウエハ１００の反りの量Δが大きくなるほど、ウエハ１００の外周からウエハ１００の中央までの範囲内において９０°でない傾斜角を有するチップ１４６が生成される範囲が広くなり、９０°からの傾斜角のずれが大きくなる。一方、ウエハ１００の反りの量が小さくなるほど、ウエハ１００の外周からウエハ１００の中央までの範囲内において９０°でない傾斜角を有するチップ１４６が生成される範囲が狭くなり、傾斜角が小さくなる。ウエハ１００の中央から生成されるチップ１４６の傾斜角は、９０°に近くなる。

また、反り又は歪が矯正されていないウエハ１００に対してダイシングが行われた場合は、チップ１４６が生成される位置がウエハ１００の外周に近づくほど、生成されるチップ１４６の傾斜角の９０°からのずれは大きくなる。また、チップ１４６が生成される位置がウエハ１００の中央に近づくほど、生成されるチップ１４６の傾斜角は、９０°に近づく。

９０°でない傾斜角を有する端面は、オリフラ方向と平行をなすＸ方向を向く端面、及びオリフラ方向と垂直をなすＹ方向を向く端面のいずれにも存在する。９０°＋５～１５°程度の傾斜角を有する端面１４０２と反対の側にある端面１４０４は、９０°より小さい傾斜角を有する。この傾向は、傾斜角が９０°に近づくまで、ダイシングが行われる位置がウエハ１００の中央に進む間繰り返される。

反り量と傾斜角との関係を表１に整理する。また、ウエハ１００における位置と傾斜角との関係を表２に整理する。また、ひとつのチップにおける傾斜角を表３に整理する。

なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

実施の形態は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、実施の形態がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、想定され得るものと解される。

１００ ウエハ、１１６ ＵＶテープ、１２０ 基材、１２４ 糊材、１２８ 圧着ローラー、１３０ ワーク、１４０ チャックテーブル、１４６ チップ（半導体装置）、２００，３００，３２２，３４２，５０２，６００，６２２ 凸構造、３２０ 追加糊材、３４０ 追加ＵＶテープ、４００ 第１の糊材、４０２ 第２の糊材、５００ 本体、６２０ ブロック、６４０ 第１の凸構造、６４２ 第２の凸構造、１００２，１１００ 凹構造。

Claims (35)

1. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
   b) 凸構造を備える基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
   c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
   d) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
   e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
   を備え、
   前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて高さが連続的に低くなる高さを有する
   請求項１の半導体装置の製造方法。
3. 前記糊材は、均一な膜厚を有する
   請求項１又は２の半導体装置の製造方法。
4. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
   b) 基材と、前記基材の上に配置され凸構造を備える糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
   c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
   d) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
   e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
   を備え、
   前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
5. 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
   請求項４の半導体装置の製造方法。
6. 前記基材は、均一な膜厚を有する
   請求項４又は５の半導体装置の製造方法。
7. 工程b)は、
   b-1) 前記基材の上に第１の糊材を形成する工程と、
   b-2) 前記第１の糊材の上に前記第１の糊材の平面サイズより小さい平面サイズを有する第２の糊材を形成して前記第１の糊材及び前記第２の糊材により前記糊材を構成する工程と、
   を備える
   請求項４から６までのいずれかの半導体装置の製造方法。
8. 前記第２の糊材は、互いに異なる平面サイズを有する複数の糊材であり、
   工程b-2)は、小さい平面サイズを有する糊材から順に又は大きい平面サイズを有する糊材から順に前記複数の糊材を前記第１の糊材の上に重ねて形成する
   請求項７の半導体装置の製造方法。
9. f) 前記ウエハの反り又は歪の量の測定を行う工程
   をさらに備え、
   工程b-2)は、前記測定の結果に基づいて、前記複数の糊材の平面サイズ、前記複数の糊材の端の間隔、前記複数の糊材の数、及び前記複数の糊材を形成する順序の少なくともひとつを変更する
   請求項８の半導体装置の製造方法。
10. 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
    請求項８又は９の半導体装置の製造方法。
11. 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、前記凸構造の端部の手前から前記凸構造の端部において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
    請求項８又は９の半導体装置の製造方法。
12. 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、前記凸構造の端部の手前から前記凸構造の端部において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて不連続的に低くなる高さを有する
    請求項８又は９の半導体装置の製造方法。
13. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記糊材の上に配置された場合に凸構造を構成する追加糊材を準備する工程と、
    d) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記追加糊材を配置し前記追加糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ、前記テープ及び前記追加糊材を備えるワークを得る工程と、
    e) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
    f) 工程e)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備え、
    前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
14. 前記追加糊材は、シート状の形状を有する
    請求項１３の半導体装置の製造方法。
15. 前記追加糊材は、前記糊材の粘着力より小さい粘着力を有する
    請求項１３又は１４の半導体装置の製造方法。
16. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記糊材の上に配置された場合に凸構造を構成する追加テープを準備する工程と、
    d) 前記糊材に前記追加テープを貼り付ける工程と、
    e) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記凸構造の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ、前記テープ及び前記追加テープを備えるワークを得る工程と、
    f) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
    g) 工程f)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備え、
    前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
17. 前記追加テープは、互いに異なる平面サイズを有する複数の追加テープであり、
    工程d)は、大きい平面サイズを有する追加テープから順に前記複数の追加テープを前記糊材の上に重ねて貼り付ける
    請求項１６の半導体装置の製造方法。
18. 前記凸構造は、前記ウエハの平面サイズより小さい平面サイズを有する
    請求項１６又は１７の半導体装置の製造方法。
19. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記テープ及び前記ウエハを備えるワークを得る工程と、
    d) 凸構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
    e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備え、
    前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
20. 前記凸構造は、前記凸構造の中心部から前記凸構造の端部までの全体において、前記凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
    請求項１９の半導体装置の製造方法。
21. 前記ウエハは、円形状の平面形状を有し、
    前記チャックテーブルは、円形状の平面形状を有し、前記ウエハの径より２．５４ｃｍ以上大きい径を有する
    請求項１９又は２０の半導体装置の製造方法。
22. 前記チャックテーブルは、ポーラス材質からなり、前記ワークを鉛直方向下方に真空吸着する
    請求項１９から２１までのいずれかの半導体装置の製造方法。
23. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
    d) チャックテーブルと前記チャックテーブルの上に配置された場合に凸構造を構成するブロックとを用いて、前記凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ブロック及び前記ワークを固定する工程と、
    e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備え、
    前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
24. 工程e)は、前記ウエハの外周部の一部に対してダイシングを行い、前記ウエハの外周部の一部に対してダイシングを行った後に前記ワーク及び前記チャックテーブルの間から前記ブロックを外し、前記ブロックを外した後に前記ウエハの残余部に対してダイシングを行う
    請求項２３の半導体装置の製造方法。
25. 工程c)は、円筒形状又は円柱形状の形状を有する本体と、前記本体から突出する凸構造と、を備える圧着ローラーにより前記テープを前記ウエハに向かって押さえつけて前記ワークを得る
    請求項１９から２４までのいずれかの半導体装置の製造方法。
26. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 第１の凸構造を備える基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記第１の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
    d) 第２の凸構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記第１の凸構造及び前記第２の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
    e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
27. a) 反り又は歪を有し、凹形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 基材と、第１の凸構造を備え前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記第１の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
    d) 第２の凸構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記第１の凸構造及び前記第２の凸構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
    e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備える半導体装置の製造方法。
28. 前記第１の凸構造は、前記第１の凸構造の中心部から前記第１の凸構造の端部までの全体において、前記第１の凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有し、
    前記第２の凸構造は、前記第２の凸構造の中心部から前記第２の凸構造の端部の手前までにおいて、一定の高さを有し、前記第２の凸構造の端部の手前から前記第２の凸構造の端部までにおいて、前記第２の凸構造の中心部から離れるにつれて連続的に低くなる高さを有する
    請求項２６又は２７の半導体装置の製造方法。
29. a) 反り又は歪を有し、凸形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 凹構造を備える基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記主面が前記糊材に向けられ前記凹構造の上に前記ウエハが配置されるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
    d) チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
    e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備え、
    前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
30. a) 反り又は歪を有し、凸形状を有する主面を有するウエハを準備する工程と、
    b) 基材と、前記基材の上に配置される糊材と、を備えるテープを準備する工程と、
    c) 前記主面が前記糊材に向けられるように前記糊材の上に前記ウエハを配置して前記ウエハ及び前記テープを備えるワークを得る工程と、
    d) 凹構造を備えるチャックテーブルを用いて、前記凹構造の上に前記ウエハが配置されるように前記チャックテーブルの上に前記ワークを固定する工程と、
    e) 工程d)の後に、前記ウエハが反り又は歪を有する状態を維持したまま前記ウエハに対してダイシングを行う工程と、
    を備え、
    前記工程b)は、前記基材の上に前記糊材が配置された状態の前記テープを前記糊材と共に切り出す工程を有する半導体装置の製造方法。
31. f) 前記主面を保護する保護膜を準備する工程
    をさらに備える請求項２９又は３０の半導体装置の製造方法。
32. 前記ダイシングは、複数のダイシングラインについて、前記基材の厚さの範囲内に収まる一定の切り込み深さまでダイシングブレードの切り込みを行う
    請求項１から３１までのいずれかの半導体装置の製造方法。
33. 前記ダイシングは、複数のダイシングラインの各ラインについて、切り込み深さの補正を行い、可変の切り込み深さまでダイシングブレードの切り込みを行い、複数のダイシングラインについて、前記基材に対して一定の切り込み深さまで切り込みを行う
    請求項１から３１までのいずれかの半導体装置の製造方法。
34. 前記ダイシングを行う工程は、主面と、前記主面と９０°でない傾斜角をなす端面と、を有する半導体装置を生成する
    請求項１から３３までのいずれかの半導体装置の製造方法。
35. 前記ウエハは、５０μｍ以上２００μｍ以下の反り又は歪の量を有する
    請求項１から３４までのいずれかの半導体装置の製造方法。

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