JP2001210704A - ウェハ吸着装置 - Google Patents
ウェハ吸着装置Info
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- JP2001210704A JP2001210704A JP2000016006A JP2000016006A JP2001210704A JP 2001210704 A JP2001210704 A JP 2001210704A JP 2000016006 A JP2000016006 A JP 2000016006A JP 2000016006 A JP2000016006 A JP 2000016006A JP 2001210704 A JP2001210704 A JP 2001210704A
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- Japan
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- wafer
- semiconductor wafer
- suction
- holding
- holding surface
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】反りが発生している半導体ウェハの吸着固定時
において、半導体ウェハの結晶層に加わるストレスを軽
減し、半導体ウェハが割れないようにする。 【解決手段】ウェハを吸着固定するウェハ保持面１ａ
を、半導体ウェハＷの反りに合わせた形状に加工して、
半導体ウェハＷの反りを吸収する構造とすることによ
り、半導体ウェハＷの反りを矯正することなく、半導体
ウェハＷを吸着固定できるようにする。
において、半導体ウェハの結晶層に加わるストレスを軽
減し、半導体ウェハが割れないようにする。 【解決手段】ウェハを吸着固定するウェハ保持面１ａ
を、半導体ウェハＷの反りに合わせた形状に加工して、
半導体ウェハＷの反りを吸収する構造とすることによ
り、半導体ウェハＷの反りを矯正することなく、半導体
ウェハＷを吸着固定できるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの側
面の加工あるいはフォトレジストの塗布などの処理を行
う際に用いられるウェハ吸着装置に関する。
面の加工あるいはフォトレジストの塗布などの処理を行
う際に用いられるウェハ吸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの側面加工や、半導体ウェ
ハの表面に電極を形成する際に必要なフォトレジスト塗
布等の処理において、半導体ウェハを固定するための装
置としては、従来、図３に示すように、テーブル本体１
０１に真空吸引穴１０１ｂが形成され、そのテーブル本
体１０１の上面（ウェハ保持面）１０１ａに載置された
半導体ウェハＷを真空吸引により固定する構造のウェハ
吸引ステージが用いられている。
ハの表面に電極を形成する際に必要なフォトレジスト塗
布等の処理において、半導体ウェハを固定するための装
置としては、従来、図３に示すように、テーブル本体１
０１に真空吸引穴１０１ｂが形成され、そのテーブル本
体１０１の上面（ウェハ保持面）１０１ａに載置された
半導体ウェハＷを真空吸引により固定する構造のウェハ
吸引ステージが用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェハ基板
材料に別の材料をエピタキシャル成長した半導体ウェハ
は、それぞれの材料の格子定数の違いや、熱膨張係数の
違い等により半導体ウェハに反り（図４参照）が発生す
ることがある。例えば、約φ５０ｍｍの半導体ウェハで
は、約１〜３ｍｍ程度の凸状または凹状の反りが発生す
ることがある。また、半導体ウェハの結晶層の厚みは不
均一であることから、半導体ウェハに発生する反りは一
定ではない。
材料に別の材料をエピタキシャル成長した半導体ウェハ
は、それぞれの材料の格子定数の違いや、熱膨張係数の
違い等により半導体ウェハに反り（図４参照）が発生す
ることがある。例えば、約φ５０ｍｍの半導体ウェハで
は、約１〜３ｍｍ程度の凸状または凹状の反りが発生す
ることがある。また、半導体ウェハの結晶層の厚みは不
均一であることから、半導体ウェハに発生する反りは一
定ではない。
【０００４】このような反りを持つ半導体ウェハを、図
３に示すような、ウェハ保持面がフラットなウェハ吸着
ステージを用いて、半導体ウェハの反りを矯正した状態
で吸着固定すると、半導体ウェハの結晶層に歪みが生じ
て半導体ウェハが割れてしまうことがある。また、半導
体ウェハが割れた場合、その処理を行う必要があるが、
後工程で割れた半導体ウェハを処理することは作業性の
低下を招く。しかも、小さく割れた半導体ウェハの処理
は不可能になるので歩留低下の原因となり、製品のコス
トアップを招く要因となる。
３に示すような、ウェハ保持面がフラットなウェハ吸着
ステージを用いて、半導体ウェハの反りを矯正した状態
で吸着固定すると、半導体ウェハの結晶層に歪みが生じ
て半導体ウェハが割れてしまうことがある。また、半導
体ウェハが割れた場合、その処理を行う必要があるが、
後工程で割れた半導体ウェハを処理することは作業性の
低下を招く。しかも、小さく割れた半導体ウェハの処理
は不可能になるので歩留低下の原因となり、製品のコス
トアップを招く要因となる。
【０００５】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、半導体ウェハに生じている反りを矯正すること
なく、半導体ウェハを吸着固定することが可能なウェハ
吸着装置の提供を目的とする。
もので、半導体ウェハに生じている反りを矯正すること
なく、半導体ウェハを吸着固定することが可能なウェハ
吸着装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハ
を真空吸着により固定するウェハ吸着装置において、ウ
ェハを吸着固定するウェハ保持面が、保持対象となる半
導体ウェハの反りに合わせた形状に加工されていること
によって特徴づけられる。
を真空吸着により固定するウェハ吸着装置において、ウ
ェハを吸着固定するウェハ保持面が、保持対象となる半
導体ウェハの反りに合わせた形状に加工されていること
によって特徴づけられる。
【０００７】本発明のウェハ吸着装置によれば、ウェハ
保持面を半導体ウェハの反りに合わせた形状として、半
導体ウェハの反りを吸収するようにしているので、吸着
固定時において半導体ウェハが矯正されることがなく、
半導体ウェハの結晶層に加わるストレスを軽減すること
ができる。
保持面を半導体ウェハの反りに合わせた形状として、半
導体ウェハの反りを吸収するようにしているので、吸着
固定時において半導体ウェハが矯正されることがなく、
半導体ウェハの結晶層に加わるストレスを軽減すること
ができる。
【０００８】本発明のウェハ吸着装置において、上記し
た形状のウェハ保持面を有する保持部とこれを支持する
ベースを設け、その保持部をベースに対して着脱自在に
取り付けるという構成を採用すれば、保持部を簡単に交
換することが可能になるので、吸着固定を行う半導体ウ
ェハの反りが大きく異なった場合、その反りに合った形
状のウェハ保持面を有する保持部に交換することができ
る。この場合、保持部をねじ止め機構によりベースに取
り付けるようにすれば、保持部の交換を作業性良く短時
間で行うことができる。
た形状のウェハ保持面を有する保持部とこれを支持する
ベースを設け、その保持部をベースに対して着脱自在に
取り付けるという構成を採用すれば、保持部を簡単に交
換することが可能になるので、吸着固定を行う半導体ウ
ェハの反りが大きく異なった場合、その反りに合った形
状のウェハ保持面を有する保持部に交換することができ
る。この場合、保持部をねじ止め機構によりベースに取
り付けるようにすれば、保持部の交換を作業性良く短時
間で行うことができる。
【０００９】本発明のウェハ吸着装置において、ウェハ
保持面に、半導体ウェハの反りの一部を吸収することが
可能な緩衝材を設けておけば、吸着固定時に半導体ウェ
ハの結晶層に加わるストレスを完全に吸収することがで
きる。この場合、緩衝材として、半導体ウェハの吸着面
に存在する突起やくぼみを吸収できるものを使用すれ
ば、半導体ウェハの吸着面に突起やくぼみがあっても
（図４参照）、真空漏れが生じることがなくなるので、
半導体ウェハを強固に固定することができる。なお、緩
衝材としてはシリコンゴム等を挙げることができる。
保持面に、半導体ウェハの反りの一部を吸収することが
可能な緩衝材を設けておけば、吸着固定時に半導体ウェ
ハの結晶層に加わるストレスを完全に吸収することがで
きる。この場合、緩衝材として、半導体ウェハの吸着面
に存在する突起やくぼみを吸収できるものを使用すれ
ば、半導体ウェハの吸着面に突起やくぼみがあっても
（図４参照）、真空漏れが生じることがなくなるので、
半導体ウェハを強固に固定することができる。なお、緩
衝材としてはシリコンゴム等を挙げることができる。
【００１０】また、ウェハ保持面に設ける緩衝材とし
て、水分の吸収により密着性が高くなる材料を使用すれ
ば、半導体ウェハの吸着面との密着性がより一層高くな
り、半導体ウェハを更に強固に保持することができる。
この場合の緩衝材としては発泡ポリウレタン等を挙げる
ことができる。
て、水分の吸収により密着性が高くなる材料を使用すれ
ば、半導体ウェハの吸着面との密着性がより一層高くな
り、半導体ウェハを更に強固に保持することができる。
この場合の緩衝材としては発泡ポリウレタン等を挙げる
ことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、以下、図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１２】図１は本発明の実施形態の構造を模式的に
示す図である。
示す図である。
【００１３】この実施形態のウェハ吸着装置は、保持部
１とベース２を備えており、その保持部１に真空吸引穴
１ｂが形成されている。この真空吸引穴１ｂには真空ポ
ンプ（図示せず）が配管系等を介して接続されている。
１とベース２を備えており、その保持部１に真空吸引穴
１ｂが形成されている。この真空吸引穴１ｂには真空ポ
ンプ（図示せず）が配管系等を介して接続されている。
【００１４】保持部１のウェハ保持面（上面）１ａは、
吸着固定を行う半導体ウェハＷの反りに合わせたＲ形状
（凸状）に加工されている。また、保持部１の下部には
雄ねじ部１１が一体形成されており、この雄ねじ部１１
をベース２側の雌ねじ穴２１にねじ込むことによって、
保持部１がベース２に固定されている。
吸着固定を行う半導体ウェハＷの反りに合わせたＲ形状
（凸状）に加工されている。また、保持部１の下部には
雄ねじ部１１が一体形成されており、この雄ねじ部１１
をベース２側の雌ねじ穴２１にねじ込むことによって、
保持部１がベース２に固定されている。
【００１５】この実施形態によれば、保持部１のウェハ
保持面１ａに半導体ウェハＷを載置した状態で、半導体
ウェハＷの吸着面が保持部１のウェハ保持面１ａに沿う
ので、吸引固定時において半導体ウェハＷが矯正される
ことがなく、半導体ウェハＷの結晶層に加わるストレス
が少なくて済む。
保持面１ａに半導体ウェハＷを載置した状態で、半導体
ウェハＷの吸着面が保持部１のウェハ保持面１ａに沿う
ので、吸引固定時において半導体ウェハＷが矯正される
ことがなく、半導体ウェハＷの結晶層に加わるストレス
が少なくて済む。
【００１６】また、保持部１をベース２にねじ止め機構
により取り付けているので、保持部１の交換が可能であ
り、例えば吸着固定を行う半導体ウェハＷの反りが大き
く異なる場合、その反りに合わせたウェハ保持面１ａを
有する保持部１を簡単な作業で短時間で取り付けること
ができる。
により取り付けているので、保持部１の交換が可能であ
り、例えば吸着固定を行う半導体ウェハＷの反りが大き
く異なる場合、その反りに合わせたウェハ保持面１ａを
有する保持部１を簡単な作業で短時間で取り付けること
ができる。
【００１７】図２は本発明の他の実施形態の構造を模式
的に示す図である。
的に示す図である。
【００１８】この実施形態は、例えば図４に示す半導体
ウェハＷの固定を対象としたもので、図１の実施形態の
構成に加えて、保持部１のウェハ保持面１ａに、半導体
ウェハＷの反りの一部を吸収することが可能な緩衝材３
（例えばシリコンゴム）を貼着したところに特徴があ
る。
ウェハＷの固定を対象としたもので、図１の実施形態の
構成に加えて、保持部１のウェハ保持面１ａに、半導体
ウェハＷの反りの一部を吸収することが可能な緩衝材３
（例えばシリコンゴム）を貼着したところに特徴があ
る。
【００１９】この緩衝材３には真空吸引穴３ｂが、保持
部１の真空吸引穴１ｂに対応する位置関係で形成されて
いる。また、緩衝材３の上面３ａ（半導体ウェハＷとの
接触面）は、吸着固定を行う半導体ウェハＷの反りに合
わせたＲ形状（凸状）に加工されている。
部１の真空吸引穴１ｂに対応する位置関係で形成されて
いる。また、緩衝材３の上面３ａ（半導体ウェハＷとの
接触面）は、吸着固定を行う半導体ウェハＷの反りに合
わせたＲ形状（凸状）に加工されている。
【００２０】そして、このような緩衝材３を設けること
により、半導体ウェハＷの反りにばらつきがある場合で
も、そのばらつきを吸収することができ、常に良好な状
態で半導体ウェハＷを吸着固定することができる。しか
も、図４に示すように半導体ウェハＷの吸着面に突起Ａ
やくぼみＢがあっても、真空漏れが発生することがなく
なるので、半導体ウェハＷを強固に保持することができ
る。また、保持部１のウェハ保持面１ａと半導体ウェハ
Ｗの吸着面との間に異物等が挟まった場合でも、同様に
真空が漏れず半導体ウェハＷを強固に保持することがで
きる。
により、半導体ウェハＷの反りにばらつきがある場合で
も、そのばらつきを吸収することができ、常に良好な状
態で半導体ウェハＷを吸着固定することができる。しか
も、図４に示すように半導体ウェハＷの吸着面に突起Ａ
やくぼみＢがあっても、真空漏れが発生することがなく
なるので、半導体ウェハＷを強固に保持することができ
る。また、保持部１のウェハ保持面１ａと半導体ウェハ
Ｗの吸着面との間に異物等が挟まった場合でも、同様に
真空が漏れず半導体ウェハＷを強固に保持することがで
きる。
【００２１】ここで、ウェハ保持面１ａに設ける緩衝材
３として、水分の吸収により密着性が高くなる材料、例
えば発泡ポリウレタンを使用すれば、半導体ウェハＷの
吸着面との密着性がより一層高くなり、半導体ウェハＷ
を更に強固に保持することができるので、特に半導体ウ
ェハＷの側面の加工に対して有効になる。また、半導体
ウェハＷの吸着面との密着性が高くなることにより、真
空吸引穴１ｂ、３ｂの数を減らすことも可能になる。
３として、水分の吸収により密着性が高くなる材料、例
えば発泡ポリウレタンを使用すれば、半導体ウェハＷの
吸着面との密着性がより一層高くなり、半導体ウェハＷ
を更に強固に保持することができるので、特に半導体ウ
ェハＷの側面の加工に対して有効になる。また、半導体
ウェハＷの吸着面との密着性が高くなることにより、真
空吸引穴１ｂ、３ｂの数を減らすことも可能になる。
【００２２】なお、以上の実施形態では、ウェハ保持面
の形状を凸状としているが、半導体ウェハＷが凹状に反
っている場合（図４とは逆向きに反っている場合）、そ
れに合わせてウェハ保持面も凹状のＲ形状とすればよ
い。
の形状を凸状としているが、半導体ウェハＷが凹状に反
っている場合（図４とは逆向きに反っている場合）、そ
れに合わせてウェハ保持面も凹状のＲ形状とすればよ
い。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウェハ吸
着装置によれば、ウェハを吸着固定するウェハ保持面
を、半導体ウェハの反りに合わせた形状に加工して、半
導体ウェハの反りを吸収できるようにしているので、吸
着固定時において半導体ウェハが矯正されることがな
く、半導体ウェハの結晶層に加わるストレスを軽減する
ことができる。これにより、半導体ウェハの側面の加工
やフォトレジスト塗布等の処理において半導体ウェハの
割れをなくすことができる。その結果、半導体ウェハの
品質が安定し生産性が向上する。
着装置によれば、ウェハを吸着固定するウェハ保持面
を、半導体ウェハの反りに合わせた形状に加工して、半
導体ウェハの反りを吸収できるようにしているので、吸
着固定時において半導体ウェハが矯正されることがな
く、半導体ウェハの結晶層に加わるストレスを軽減する
ことができる。これにより、半導体ウェハの側面の加工
やフォトレジスト塗布等の処理において半導体ウェハの
割れをなくすことができる。その結果、半導体ウェハの
品質が安定し生産性が向上する。
【００２４】本発明のウェハ吸着装置において、上記し
た形状のウェハ保持面を有する保持部とこれを支持する
ベースを設け、その保持部をベースに対して着脱自在に
取り付けるという構成を採用すれば、吸着固定を行う半
導体ウェハの反りが大きく異なった場合、その反りに合
った形状のウェハ保持面を有する保持部に交換すること
が可能になり、半導体ウェハに発生する反りが一定でな
くても、それに対応することが可能になる。
た形状のウェハ保持面を有する保持部とこれを支持する
ベースを設け、その保持部をベースに対して着脱自在に
取り付けるという構成を採用すれば、吸着固定を行う半
導体ウェハの反りが大きく異なった場合、その反りに合
った形状のウェハ保持面を有する保持部に交換すること
が可能になり、半導体ウェハに発生する反りが一定でな
くても、それに対応することが可能になる。
【００２５】本発明のウェハ吸着装置において、ウェハ
保持面に、半導体ウェハの反りの一部を吸収することが
可能な緩衝材を設けておけば、吸着固定時に半導体ウェ
ハの結晶層に加わるストレスを完全に吸収することがで
きる。この場合、緩衝材として、半導体ウェハの吸着面
の突起やくぼみを吸収できるものを使用すれば、半導体
ウェハの吸着面に突起やくぼみがあっても、真空漏れが
生じることがなくなるので、半導体ウェハを強固に固定
することができる。さらにウェハ保持面に設ける緩衝材
として、水分の吸収により密着性が高くなる材料を使用
すれば、半導体ウェハの吸着面との密着性がより一層高
くなり、半導体ウェハを更に強固に保持することができ
るので、特に半導体ウェハの側面の加工に対して有効に
なる。
保持面に、半導体ウェハの反りの一部を吸収することが
可能な緩衝材を設けておけば、吸着固定時に半導体ウェ
ハの結晶層に加わるストレスを完全に吸収することがで
きる。この場合、緩衝材として、半導体ウェハの吸着面
の突起やくぼみを吸収できるものを使用すれば、半導体
ウェハの吸着面に突起やくぼみがあっても、真空漏れが
生じることがなくなるので、半導体ウェハを強固に固定
することができる。さらにウェハ保持面に設ける緩衝材
として、水分の吸収により密着性が高くなる材料を使用
すれば、半導体ウェハの吸着面との密着性がより一層高
くなり、半導体ウェハを更に強固に保持することができ
るので、特に半導体ウェハの側面の加工に対して有効に
なる。
【図１】本発明の実施形態の構成を模式的に示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の実施形態の構成を模式的に示す図
である。
である。
【図３】従来のウェハ吸着ステージの例を模式的に示す
図である。
図である。
【図４】反りが生じている半導体ウェハの例を示す図で
ある。
ある。
１ 保持部 １ａ ウェハ保持面 １ｂ 真空吸引穴 １１ 雄ねじ部 ２ ベース ２１ 雌ねじ穴 ３ 緩衝材 ３ａ 上面（半導体ウェハとの接触面） ３ｂ 真空吸引穴
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェハを真空吸着により固定する
ウェハ吸着装置であって、ウェハを吸着固定するウェハ
保持面が、保持対象となる半導体ウェハの反りに合わせ
た形状に加工されていることを特徴とするウェハ吸着装
置。 - 【請求項２】 上記形状のウェハ保持面を有する保持部
とこれを支持するベースを備え、その保持部がベースに
対して着脱自在に取り付けられていることを特徴とする
請求項１記載のウェハ吸着装置。 - 【請求項３】 ウェハ保持面に、半導体ウェハの反りの
一部を吸収することが可能な緩衝材が設けられているこ
とを特徴とする請求項１または２記載のウェハ吸着装
置。 - 【請求項４】 ウェハ保持面に設けられる緩衝材が、半
導体ウェハの吸着面に存在する突起やくぼみを吸収する
ことが可能であることを特徴とする請求項３記載のウェ
ハ吸着装置。 - 【請求項５】 ウェハ保持面に設けられる緩衝材が、水
分の吸収により半導体ウェハの接触面との気密性が向上
する材料で構成されていることを特徴とする請求項３記
載のウェハ吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000016006A JP2001210704A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | ウェハ吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000016006A JP2001210704A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | ウェハ吸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210704A true JP2001210704A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18543218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000016006A Pending JP2001210704A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | ウェハ吸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210704A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107591356A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-16 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 晶圆固定装置及其使用方法 |
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| KR20180049119A (ko) * | 2015-12-30 | 2018-05-10 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 밀리세컨드 어닐 시스템 내의 기판 지지체 |
| US10279575B2 (en) | 2013-05-29 | 2019-05-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| JP2021136254A (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-01-25 JP JP2000016006A patent/JP2001210704A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11020950B2 (en) | 2013-05-29 | 2021-06-01 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| US10279575B2 (en) | 2013-05-29 | 2019-05-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| US11020951B2 (en) | 2013-05-29 | 2021-06-01 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| US11020952B2 (en) | 2013-05-29 | 2021-06-01 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| US11020953B2 (en) | 2013-05-29 | 2021-06-01 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| US11059280B2 (en) | 2013-05-29 | 2021-07-13 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| US11697281B2 (en) | 2013-05-29 | 2023-07-11 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Device and method for bonding substrates |
| KR20180049119A (ko) * | 2015-12-30 | 2018-05-10 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 밀리세컨드 어닐 시스템 내의 기판 지지체 |
| KR102093825B1 (ko) | 2015-12-30 | 2020-03-27 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 밀리세컨드 어닐 시스템 내의 기판 지지체 |
| JP2018026573A (ja) * | 2017-09-26 | 2018-02-15 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板をボンディングする装置および方法 |
| CN107591356A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-16 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 晶圆固定装置及其使用方法 |
| JP2021136254A (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7325357B2 (ja) | 2020-02-25 | 2023-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051122 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060314 |