KR20010019237A

KR20010019237A - 건식식각장비

Info

Publication number: KR20010019237A
Application number: KR1019990035548A
Authority: KR
Inventors: 박정혁; 김경대; 문병오; 김종극
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1999-08-26
Filing date: 1999-08-26
Publication date: 2001-03-15

Abstract

목적 : 웨이퍼의 외주면부에 형성된 에지링을 실리콘으로 대체하여 플라즈마 영역을 확장시킴으로써 공정균일도를 향상시킴과 동시에 에지링을 웨이퍼 후면에 밀착시켜 식각 및 폴리머 형성을 방지할 수 있는 건식식각장비에 대해 개시한다.

구성 : 본 발명은, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착수단과, 이 웨이퍼 안착수단의 외주면에 형성시킨 포커스링, 커플링링, 이 커플링링 위에 위치하여 웨이퍼가 안착될 수 있도록 절곡부를 형성시켜 웨이퍼의 외주면을 둘러싸고 있는 에지링을 포함하여 이루어진 건식식각장비에 적용되는데, 웨이퍼 후면에서 식각 및 폴리머 발생을 방지하기 위해 에지링이 웨이퍼와 밀착될 수 있도록, 절곡부를 갖는 에지링의 내주면 높이를 웨이퍼 안착수단의 상면 높이와 같거나 높게 형성시킨 것이다. 또한, 이 에지링은, 웨이퍼 상에서 플라즈마 활성영역을 증대시키기 위해 웨이퍼와 같은 재질인 실리콘을 사용하고 있다.

효과 : 이에 따라, 실리콘 에지링을 사용함으로써 반응챔버 내의 안정된 플라즈마를 형성시켜 웨이퍼 전영역에서 식각에 대한 공정균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 실리콘 에지링이 웨이퍼와 밀착되어 웨이퍼 후면에서 식각 및 폴리머 증착에 따른 불순물을 예방함으로써 양질의 반도체 소자를 제조할 수 있다.

Description

건식식각장비{Apparatus for Dry Etch}

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 둘러싸는 에지링을 실리콘으로 대체하여 플라즈마 영역을 확장시킴으로써 공정균일도를 향상시킴과 동시에 에지링을 웨이퍼 후면에 밀착시켜 식각 및 폴리머 형성을 방지할 수 있는 건식식각장비에 관한 것이다.

초고집적 반도체장치의 제조기술에 있어서 미세한 패턴을 형성하거나 이방성식각이 요구될 때 플라즈마 또는 반응성 이온을 이용한 건식식각공정이 이용되는데, 통상의 건식식각공정에 있어서, 건식식각장비는 챔버 내에서 진공을 유지하는 상태에서 웨이퍼가 배치되어 있는 전극에 RF 전력을 인가하면서, 가스, 예를 들면 O₂, CHF₃, C₂F₆, He 등을 공급하여 반응을 일으켜서 식각을 행한다.

최근에, 반도체소자의 제조공정에서 요구되는 반도체 기판의 크기는 자꾸 커지는 반면, 그에 따른 장비의 구조적 문제로 인해 공정균일도가 저하되는 문제점이 발생되고 있다. 이 때문에, 반도체 소자의 제조공정중에서 공정균일도 및 공정속도를 개선하기 위해 장비의 개선에 대한 연구가 활발히 진행중에 있다.

그러면, 종래기술에 의한 건식식각장비에 대해 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 3은 종래의 건식식각장비를 나타낸 개략도이다. 도 3을 참조하면, 건식식각장비는 외부와 격리되어 진공상태의 반응공간을 제공하는 반응챔버(10)가 그 외부를 형성하고 있다. 이 반응챔버(10)는 크게, 상부챔버(20)와 하부챔버(30)로 이루어져 있다.

이 상부챔버(20)는 개방되는 형태를 취하며, 상부챔버(20)의 하단에는 고주파 파워소스(RF)를 인가하는 상부전극(21)이 형성되어 있다. 이 상부전극(21)은 최적의 반응공간에 위치할 수 있도록 승하강할 수 있다.

또한, 화합물 혼합가스인 반응가스를 공급하기 위해 반응가스 공급관(22)이 일측에 형성되어 있다.

한편, 하부챔버(30)에는 반응가스 공급관(22)에서 공급된 반응가스를 배기시키는 배기구(31)가 하부챔버(30) 측벽에 형성되어 있다. 상기 반응공간 내에는 웨이퍼(WF)를 흡입하여 진공고정하는 정전척(ESC;Electro Static Chuck, 32)이 구비되어 있다. 이 정전척(32)은 고주파 파워소스(RF)를 인가하는 하부전극으로 사용되고 있다. 이 정전척(32)의 아래에는 웨이퍼(WF)를 로딩하기 위해 승하강시키는 리프터(33)가 그 아래에 장착되어 있다.

또한, 이 정전척(32)의 외주면에는 커플링링(34)이 결합되는데, 이 커플링링(34) 위에는 에지링(35)이 놓여져 있다. 그리고, 커플링링(34)과 에지링(35) 및 정전척(32)의 외주면에 웨이퍼(WF)의 중심을 조절하는 포커스링(36)이 에워싸고 있다. 그러면, 에지링(35)의 결합상태를 도 4에서 더욱 상세히 설명한다.

도 4는 도 3의 E를 확대한 단면도이다. 도 4를 참조하면, 상기 정전척(32)의 외주면에 커플링링(34), 에지링(35), 포커스링(36)이 결합되어 있음을 알 수 있다. 이 때, 웨이퍼(WF)가 안착된 정전척(32)의 상면 높이가 절곡부를 갖는 에지링(35)의 내주면 높이보다 높아 공간이 형성됨을 알 수 있다. 한편, 여기에 사용되는 에지링(35) 및 포커스링(36)은 세라믹 재질로 제조되어 있다.

상기와 같이 구성된 건식식각장비의 동작을 간단히 설명한다.

먼저 반응공간을 가열한 후 소스가스가 주입되고, 이후 혼합물 반응가스를 공급한다. 그러면, 웨이퍼(WF)에 형성된 포토레지스트막의 패턴에 따라 식각이 진행된다.

이 때, 에지링(35) 및 커플링링(34)은 플라즈마에 의해 발생되는 열과 폴리머를 차단하는 역할을 하는데, 이 에지링(35)과 웨이퍼(WF) 사이에 형성된 공간으로 플라즈마가 스며들여 식각되거나 폴리머가 쌓이게 된다. 이 폴리머는 얇은 조각으로 남게되어 플라즈마가 응집되어 규정치 이외의 이상 방전을 일으키는 불안정한 문제가 발생한다.

결국, 상기한 식각 및 폴리머 증착에 따른 불순물 때문에 플라즈마가 불안정한 상태에 있게 되므로 공정균일도가 떨어져 웨이퍼가 불량판정을 받게 될 가능성이 커질 뿐만 아니라, 불순물 발생에 따른 건식식각장비의 세정등의 주기가 짧아짐으로써 작업 로스가 발생하고, 이로인해 설비의 백업이 늦어지는 문제가 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 에지링을 실리콘 재질로 대체하여 플라즈마 영역을 확장시킴으로써 웨이퍼 전영역에서 공정균일도를 향상시킬 수 있는 건식식각장비를 제공하는데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 웨이퍼의 외주면을 둘러싸고 있는 에지링을 상기 웨이퍼와 밀착시켜 식각 및 폴리머증착을 방지할 수 있는 건식식각장비를 제공하는데 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼와 에지링의 위치상태를 나타낸 확대단면도,

도 2는 본 발명의 에지링과 종래의 에지링과의 비교단면도,

도 3은 종래의 건식식각장비를 나타낸 개략도,

도 4는 도 3의 E를 확대한 단면도이다.

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**

32 : 정전척 34 : 커플링링

350 : 에지링 36 : 포커스링

WF : 웨이퍼

상기 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명은, 반응챔버 내에 구비되며 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착수단과, 상기 웨이퍼 안착수단의 외주면에 위치하여 웨이퍼의 중심을 조절하는 포커스링과, 상기 웨이퍼 안착수단과 포커스링 사이에 결합된 커플링링과, 상기 커플링링 위에 위치하여 상기 웨이퍼가 안착될 수 있도록 절곡부를 형성시켜 상기 웨이퍼의 외주면을 둘러싸고 있는 에지링을 포함하여 이루어진 건식식각장비에 적용되는데, 상기 웨이퍼 후면에서 식각 및 폴리머 발생을 방지하기 위해 상기 에지링이 웨이퍼와 밀착될 수 있도록, 상기 절곡부를 갖는 에지링의 내주면 높이를 상기 웨이퍼 안착수단의 상면 높이와 같거나 높게 형성시킨 것을 특징으로 한다.

이 때, 상기 에지링은, 웨이퍼 상에서 플라즈마 활성영역을 증대시키기 위해 웨이퍼와 같은 재질인 실리콘을 사용하는 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.

본 발명의 도면에 있어서, 종래 기술에 의한 도 1의 건식식각장비에 적용되는 것이므로, 동일 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 반복설명을 피하며 본 발명인 에지링을 중심으로 설명하기로 한다. 또한, 종래와 같은 기능을 수행하는 구성요소는 종래와 동일한 참조번호를 사용한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼와 에지링의 위치상태를 나타낸 확대단면도이다. 구체적으로, 종래 건식식각장비의 E부분의 변형된 상태를 나타낸 도면이다. 도 2는 종래의 에지링과 본 발명에 의한 에지링의 비교단면도이다.

도 1을 참조하면, 상기 정전척(32)의 외주면에 커플링링(34), 에지링(350), 포커스링(36)의 조립에 의해 결합되어 있음을 알 수 있다. 이 때, 웨이퍼(WF)가 안착된 정전척(32)의 상면이 에지링(350)의 내주면부에 형성된 웨이퍼 안착면과 같은 높이로 제조되어 있음을 알 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(WF)가 안착되는 내주면의 두께가 종래의 내주면 두께보다 두꺼워진 것을 알 수 있다. 또한, 에지링(350)의 가이드경사면은 수직으로부터 30°정도의 기울기를 갖고 있다. 참고로, 본 발명에 따른 에지링(350)의 외주면 두께(A)는 3.55㎜이고, 내주면 두께(B)는 1.6㎜이다. 종래의 세라믹 에지링(35)의 외주면 두께(A')는 3.6㎜이고, 내주면 두께(B')는 1.04㎜이다.

한편, 공정진행시 플라즈마가 웨이퍼(WF) 전영역에 고르게 분포시킬 수 있도록 에지링(350)을 웨이퍼(WF)와 같은재질인 실리콘으로 제조하여 사용하고 있다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 에지링의 작용효과를 간단히 설명한다.

먼저 소스가스가 주입되고, 혼합물 반응가스를 공급한다. 이후, 웨이퍼(WF) 상에 형성된 박막을 가스 플라즈마에 의한 식각으로 포토레지스트막의 패턴에 따라 제거한다.

이 때, 실리콘 재질의 에지링을 사용하기 때문에 플라즈마의 활성 영역이 에지링 근처까지 확대된다. 이에 따라, 웨이퍼(WF)의 가장자리에서도 균일한 식각이 진행된다. 즉, 웨이퍼(WF)의 전영역에서 공정균일도가 향상된다.

아래 표 1은 종래의 세라믹 에지링과 본 발명의 실리콘 에지링의 샘플 테스트 진행 결과를 나타낸 것이다.

	세라믹 에지링	실리콘 에지링
메인에치/균일도	1886Å/4.4％	1802Å/1.7％
오버에치/균일도	1032Å/8.0％	1094Å/3.2％

이 표에 나타난 바와같이, 공정균일도가 4.4％에서 1.7％로 낮아졌음을 알 수 있다. 또한, 에치비율도 기존대비 유의차 없으므로 적용가능함을 알 수 있다. 그리고, 표기되지 않았지만 불순물 수준도 양호하게 나타났다.

이상, 에지링의 개조에 따라 웨이퍼(WF) 후면에서의 식각 및 폴리머 증착을 효과적으로 방지한다. 그리고, 반응챔버 내의 플라즈마 형성 영역이 웨이퍼(WF) 주변으로 한정되었던 것을 에지링 근처까지 확대시킴으로써 웨이퍼(WF) 전영역에서 식각이 균일하게 이루어진다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘 에지링이 적용됨으로써, 건식식각장비의 반응챔버 내에서 안정된 플라즈마를 생성시켜 공정균일도를 향상시킴으로써 양질의 반도체 소자를 제조할 수 있다. 또한, 식각 및 폴리머 증착에 따른 불순물을 방지함으로써 수율도 증대시킬 수 있다.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims

반응챔버 내에 구비되며 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착수단과, 상기 웨이퍼 안착수단의 외주면에 위치하여 웨이퍼의 중심을 조절하는 포커스링과, 상기 웨이퍼 안착수단과 포커스링 사이에 결합된 커플링링과, 상기 커플링링 위에 위치하여 상기 웨이퍼가 안착될 수 있도록 절곡부를 형성시켜 상기 웨이퍼의 외주면을 둘러싸고 있는 에지링을 포함하여 이루어진 건식식각장비에 있어서,

상기 웨이퍼 후면에서 식각 및 폴리머 발생을 방지하기 위해 상기 에지링이 웨이퍼와 밀착될 수 있도록, 상기 절곡부를 갖는 에지링의 내주면 높이를 상기 웨이퍼 안착수단의 상면 높이와 같거나 높게 형성시킨 것을 특징으로 하는 건식식각장비.
제 1 항에 있어서, 상기 에지링은, 웨이퍼 상에서 플라즈마 활성영역을 증대시키기 위해, 실리콘 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 건식식각장비.