JP4988815B2 - チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法 - Google Patents
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Description
(1) 基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、上記粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、上記フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、
上記粘着剤層において、上記フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する180度引き剥がし粘着力が、測定温度23±3℃、引張り速度300mm/分の条件下において、上記チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する180度引き剥がし粘着力の5倍以上であることを特徴とするチップ保持用テープ。
特に、(1)の構成によれば、チップ状ワーク貼付領域は、ある程度の弱い粘着力を有しているため、粘着力を有する樹脂層(例えば、ダイボンドフィルム)が付されていないチップ状ワーク(例えば、半導体チップ)であっても、室温又は保管時の温度において粘着力をほとんど発揮しない樹脂層付きのチップ状ワークであっても、貼り付けることができる。
なお、本発明において、チップ状ワークとは、粘着力を有する樹脂層付きのチップ状ワークと、樹脂層なしのチップ状ワークとの両方を含む。
上記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のシリコンミラーウェハに対する180度引き剥がし粘着力が、測定温度23±3℃、引張り速度300mm/分の条件下において、0.01〜0.1N/20mmテープ幅であることが好ましい。
上記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のヤング率が3MPa以上であることが好ましい。
上記チップ保持用テープは、基材と、上記基材上に形成された放射線硬化型粘着剤層とを有しており、
上記チップ状ワーク貼付領域は、放射線照射による硬化により、粘着力が低下されて形成されたものであることが好ましい。
上記粘着剤層は、表面に上記フレーム貼付領域を有する強粘着剤層と、表面に上記チップ状ワーク貼付領域を有する弱粘着剤層とが、基材上に両者が積層されていない形態で形成されたものであることが好ましい。
上記粘着剤層は、強粘着剤層と、上記強粘着剤層面の外周部を露出する態様で上記強粘着剤層上に積層された弱粘着剤層とを有し、
上記強粘着剤層の露出している部位は、上記フレーム貼付領域に相当し、
上記弱粘着剤層は、その表面が上記チップ状ワーク貼付領域に相当することが好ましい。
上記粘着剤層は、弱粘着剤層と、上記弱粘着剤層面の中央部を露出する態様で上記弱粘着剤層上に積層された強粘着剤層とを有し、
上記強粘着剤層は、その表面が上記フレーム貼付領域に相当し、
上記弱粘着剤層の露出している部位は、上記チップ状ワーク貼付領域に相当することが好ましい。
(8) ダイシングにより形成されたチップ状ワークの保持方法であって、
上記(1)〜(7)のいずれか1のチップ保持用テープのフレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付ける工程と、
チップ保持用テープのチップ状ワーク貼付領域に、ダイシングにより形成されたチップ状ワークを貼り付ける工程と
を具備することを特徴とするチップ状ワークの保持方法。
(9) 上記(1)〜(8)のいずれか1のチップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
ワークをダイシングする工程と、
ダイシングにより形成されたチップ状ワークを上記チップ保持用テープの上記チップ状ワーク貼付領域に貼り付ける工程と、
上記チップ保持用テープに貼り付けられた上記チップ状ワークを剥離する剥離工程と、
剥離した上記チップ状ワークを被着体に固定する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
上記剥離工程は、上記チップ状ワーク貼付領域の粘着力を低下させることなく、上記チップ状ワークを剥離する工程であることが好ましい。
(11) 上記(4)のチップ保持用テープの製造方法であって、
放射線硬化型粘着剤層を形成する粘着剤層形成工程と、
上記放射線硬化型粘着剤層の一部に放射線を照射して硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する放射線照射工程とを具備することを特徴とするチップ保持用テープの製造方法。
さらに、基材上に積層された放射線硬化型粘着剤層のフレーム貼付領域に対応する部位に、放射線遮光機能を有する放射線遮光層を形成する放射線遮光層形成工程を具備しており、
上記放射線照射工程は、上記基材面側から放射線を照射してチップ状ワーク貼付領域に対応する部位の放射線硬化型粘着剤層を硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する工程であることが好ましい。
上記放射線遮光層形成工程は、上記放射線遮光層を、印刷法を利用して形成する工程であることが好ましい。
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図であり、図1(b)は、その平面図である。図1(a)に示すにように、チップ保持用テープ10は、基材12の外周に沿って放射線遮光機能を有する印刷層20が形成されており、さらに、粘着剤層14が、印刷層20の形成されていない基材12、及び、印刷層20上に積層されて構成されている。
なお、本発明において、ヤング率は、JIS K 7127に従って、長さ100mm、幅50mmの短冊状に切断した試験片を用い、測定時温度23±3℃、測定時湿度50±10%Rh、引張り速度50mm/分の条件下にて測定される値をいう。
図2は、本発明の第1実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図2に示すにように、ダイシング・ダイボンドフィルム30は、ダイシングフィルム32上にダイボンドフィルム34が積層された構成を有する。ダイシングフィルム32は基材36上に粘着剤層38を積層して構成されており、ダイボンドフィルム34は粘着剤層38上に設けられている。なお、ダイシング・ダイボンドフィルム30を構成するダイシングフィルム32については、従来公知のものを用いることができるため、ここでの詳細な説明は省略することとする。
第1実施形態に係るチップ保持用テープ10(図1(a)参照)は、例えば、次の通りにして作製される。
ダイシング・ダイボンドフィルム30(図2参照)は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルムの形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層34を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度70〜160℃、乾燥時間1〜5分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム30上に半導体ウェハ40を圧着して固定する(図2参照)。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば20〜80℃の範囲内であることが好ましい。
図4は、本発明の第2実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。図4に示すにように、チップ保持用テープ60は、基材62と、基材62上に積層された粘着剤層64とを有している。基材62としては、第1実施形態に係る基材12と同様の構成とすることができる。粘着剤層64は、平面視外周沿いに形成され、その表面がフレーム貼付領域66に相当する強粘着剤層64aと、平面視中央部分に形成され、その表面がチップ貼付領域68に相当する弱粘着剤層64bとから構成されている。また、フレーム貼付領域66とチップ貼付領域68と境界には、隙間67が設けられている。このように、本発明においては、チップ状ワーク貼付領域が著しく狭くならない範囲内であれば、チップ状ワーク貼付領域とフレーム貼付領域との間に隙間があってもよい。
図5は、本発明の第3実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。図5に示すにように、チップ保持用テープ70は、基材72と、基材72上に積層された強粘着剤層74と、強粘着剤層74上に積層された弱粘着剤層75とを有している。基材72としては、第1実施形態に係る基材12と同様の構成とすることができる。弱粘着剤層75は、平面視での面積が強粘着剤層74より小さく、強粘着剤層74の外周部が露出するように強粘着剤層74上に積層されている。強粘着剤層74の外周部が露出したフレーム貼付領域76は、マウントフレームが貼り付けられる領域であり、弱粘着剤層75の表面(チップ貼付領域78)は、個片化されたチップ状ワークが貼り付けられる領域である。
図6は、本発明の第4実施形態に係るチップ保持用テープを示す断面模式図である。図6に示すにように、チップ保持用テープ80は、基材82と、基材82上に積層された弱粘着剤層84と、弱粘着剤層84上に積層された強粘着剤層85とを有している。基材82としては、第1実施形態に係る基材12と同様の構成とすることができる。強粘着剤層85は、弱粘着剤層84の中央に位置するチップ貼付領域88が露出するように、中央部分がくり抜かれたドーナツ形状のフレーム貼付領域86を有している。
エポキシ樹脂(a)として(JER(株)製、エピコート1001)20部、フェノール樹脂(b)として(三井化学(株)製、MEH7851)22部、アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(c)として(根上工業(株)製,パラクロンW−197CM)100部、フィラー(d)として球状シリカ(アドマテックス(株)製、SO−25R)180部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ40μmのダイボンドフィルムAを作製した。
厚さを20μmとした以外はダイボンドフィルムAと同様にして、ダイボンドフィルムBを作製した。
エポキシ樹脂(a)として(JER(株)製、エピコート1001)12部、フェノール樹脂(b)として(三井化学(株)製、MEH7851)13部、アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(c)として(根上工業(株)製,パラクロンW−197CM)100部、フィラー(d)として球状シリカ(アドマテックス(株)製、SO−25R)200部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ40μmのダイボンドフィルムCを作製した。
エポキシ樹脂(a)として(JER(株)製、エピコート1004)144部、エポキシ樹脂(b)として(JER(株)製、エピコート827)130部、フェノール樹脂(c)として(三井化学(株)製、ミレックスXLC−4L)293部、アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(d)として(根上工業(株)製,パラクロンW−197CM)100部、フィラー(e)として球状シリカ(アドマテックス(株)製、SO−25R)200部をメチルエチルケトンに溶解して濃度23.6重量%となるように調整した。この接着剤組成物の溶液を、シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後、130℃で2分間乾燥させることにより、厚さ40μmのダイボンドフィルムDを作製した。
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−2−エチルヘキシル(以下、「2EHA」ともいう。)86.4部、アクリル酸−2−ヒドロキシエチル(以下、「HEA」ともいう。)13.6部、過酸化ベンゾイル0.2部、及び、トルエン65部を入れ、窒素気流中で61℃にて6時間重合処理をし、アクリル系ポリマーAを得た。
アクリル系ポリマーA’100部に対し、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン(株)製)8部、及び、光重合開始剤(商品名「イルガキュア651」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)5部を加えて、粘着剤溶液を調製した以外は、チップ保持用テープAと同様にして、チップ保持用テープBを作製した。
アクリル系ポリマーA’100部に対し、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン(株)製)2部、及び、光重合開始剤(商品名「イルガキュア184」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)5部を加えて、粘着剤溶液を調製した以外は、チップ保持用テープAと同様にして、チップ保持用テープCを作製した。
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸ブチル50.0部、アクリル酸エチル50.0部、HEA16.0部、過酸化ベンゾイル0.2部、及び、トルエン65部を入れ、窒素気流中で61℃にて6時間重合処理をし、アクリル系ポリマーBを得た。
粘着剤組成物溶液Aを、PET剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、120℃で2分間加熱乾燥して、厚さ10μmの粘着剤層を形成し、もう一枚のPET剥離ライナーのシリコーン処理面を貼り合わせて、PET剥離ライナーで挟まれた粘着剤層Xを作製した。その後、この粘着剤層Xに、日東精機製の紫外線照射装置(商品名UM−810)にて照度20mW/cm2で積算光量が400mJ/cm2となるように、紫外線を照射した。
粘着剤組成物溶液Bを、PET剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、120℃で2分間加熱乾燥して、厚さ10μmの粘着剤層を形成し、もう一枚のPET剥離ライナーのシリコーン処理面を貼り合わせて、PET剥離ライナーで挟まれた粘着剤層X’を作製した。
まず、シリコンミラーウェハを、トルエンを含ませたウェスにて拭いた後、メタノールを含ませたウェスで拭き、さらにトルエンを含ませたウェスで拭いた。次に、チップ保持用テープA〜Fのチップ貼付領域部分、及び、フレーム貼付領域部分を、それぞれ20mmテープ幅の短冊状に切断した後、剥離ライナーを剥がし、上記シリコンミラーウェハに貼り合わせた。その後、室温雰囲気下で30分静置した。
粘着剤層のヤング率を測定するため、チップ保持用テープA〜Dの実施例中の各粘着剤組成物溶液を、PET剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、120℃で2分間加熱乾燥して、厚さ10μmの粘着剤層を形成し、もう一枚のPET剥離ライナーのシリコーン処理面を貼り合わせて、PET剥離ライナーで挟まれた粘着剤層(実施例1〜6の粘着剤層に相当)を作製した。次いで、フレーム貼付領域でのヤング率と、チップ貼付領域でのヤング率とを測定した。フレーム貼付領域でのヤング率は、PET剥離ライナーで挟まれた粘着剤層を、それぞれ長さ100mm、幅50mmの短冊状に切断した後、片方のPET剥離ライナーを剥がし、粘着剤層のみを筒状に丸めた後、測定した。一方、チップ貼付領域でのヤング率は、PET剥離ライナーで挟まれた粘着剤層を作製した後、日東精機製の紫外線照射装置(商品名UM−810)にて照度20mW/cm2で積算光量が400mJ/cm2となるように紫外線を照射し、その後はフレーム貼付領域でのヤング率と同様に測定した。測定は、引張試験機にて行い、測定時温度23±3℃、測定時湿度55±10%Rh、引張り速度50mm/分の条件下にて行った。結果を表1に示す。
チップ保持用テープA〜Fの基材面側にPET(ポリエチレンテレフタラート)フィルムを裏打ちした後、フレーム貼付領域部分を10mm幅に切断したサンプルをSUS304BA板に貼り付け、50mm/分にて水平方向に引っ張った。このときの最大応力をせん断接着力として測定した。なお、SUS304BA板への貼り付け部分は、10mm×10mmである。結果を表1に示す。
以下の(a)〜(c)の手順により測定した。
(a)チップ保持用テープA〜Fのフレーム貼付領域部分を20mm幅に切断し、SUS304BA板に2kgのローラーを1往復させて圧着した。
(b)チップ保持用テープA〜Fが貼り付けられたSUS304BA板を、チップ保持用テープA〜Fが下面となるように水平に保持した状態で、チップ保持用テープA〜Fの一端に2gのおもりを90°方向(鉛直方向)に取り付けた。
(c)測定開始時からの剥離長さを2時間おきに5点測定した。
(d)5点の測定値から直線近似をし、その直線の傾きを剥離速度とした。なお、直線近似には、最小二乗法を採用した。結果を表1に示す。
<ダイボンドフィルムに対する剥離力の測定>
チップ保持用テープAのチップ貼付領域にダイボンドフィルムA〜Dをそれぞれ貼り合わせた。次に、ダイボンドフィルム側の剥離ライナーを剥がし、ダイボンドフィルムに厚さ50μmのPETフィルムを10μm厚の粘着剤を介して裏打ちした。これを20mm幅にカットし、チップ保持用テープAと裏打ちされたダイボンドフィルムとを引っ張って剥離力を測定した。測定は、測定時温度23±3℃、測定時湿度55±10%Rh、剥離角度180°、剥離速度300mm/分の条件下にて行った。結果を表2に示す。
まず、ダイシングフィルム(チップ保持用テープAをダイシングフィルムとして用いたもの。)にそれぞれダイボンドフィルムA〜Dを積層したダイシング・ダイボンドフィルムA〜Dを作製した。次に、厚さ50μmに研削したシリコンミラーウェハを、ダイシング・ダイボンドフィルムA〜Dにマウントし、ブレードダイシング加工により10mm角のチップにダイシングした。得られたチップをダイボンドフィルムから剥離することにより、ダイボンドフィルム付チップA〜Dを作製した。
チップ保持用テープAの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップA〜Dを、ダイボンドフィルム側を貼り付ける向きでチップ保持用テープAのチップ貼付領域に貼り付け、室温にて30分放置した。貼付条件は、貼付時温度23℃、貼付時圧力0.2MPa、加圧時間0.1秒とした。
チップ保持用テープAの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップA〜Dを、ダイボンドフィルム側を貼り付ける向きでチップ保持用テープAのチップ貼付領域に載せて貼り付け、0℃にて24時間冷却した。その後、0℃環境下にて、マウントフレームをひっくり返して軽く叩き、落下したチップの数により評価を行った。評価は、ダイボンドフィルム付チップA〜Dをそれぞれ5つ用い、1つも脱落しなかった場合には○、1〜4つが脱落した場合には△、5つすべてが脱落した場合には×とした。結果を表2に示す。
チップ保持用テープAの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップA〜Dを、ダイボンドフィルム側を貼り付ける向きでチップ保持用テープAのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて30分放置した。作製したサンプルを用い、チップ保持用テープAから、ダイボンドフィルム付チップA〜Dのピックアップを行った。ピックアップ性評価は、サンプル作製直後のものと、室温にて1ヶ月放置した後のサンプルとを用いて行った。なお、ピックアップ条件は、以下のようにした。
ダイボンダー装置:株式会社新川社製 SPA−300
マウントフレーム:ディスコ社製 2−8−1
ウェハータイプ:Mirror Wafer(no pattern)
チップサイズ:10mmx10mm
チップ厚さ:50μm
ニードル数:9本
ニードル突き上げ速度:5mm/秒
コレット保持時間:1000m秒
エキスパンド:引き落とし量3mm
ニードル突き上げ高さ:300μm
実施例6のチップ保持用テープAをチップ保持用テープBに変更した以外は、上記実施例6と同様の試験を行った。結果を表3に示す。
実施例6のチップ保持用テープAをチップ保持用テープCに変更した以外は、上記実施例6と同様の試験を行った。結果を表4に示す。
実施例6のチップ保持用テープAをチップ保持用テープEに変更したこと以外は、上記実施例6と同様の試験を行った。結果を表5に示す。
実施例6のチップ保持用テープAをチップ保持用テープFに変更したこと以外は、上記実施例6と同様の試験を行った。結果を表6に示す。
<シリコンチップに対する剥離力の測定>
シリコンミラーウェハを#2000でバックグラインドし、厚さ500μmに研削した後、研削面を、トルエンを含ませたウェスにて拭いた後、メタノールを含ませたウェスで拭き、さらにトルエンを含ませたウェスで拭いた。次に、チップ保持用テープA〜Fのチップ貼付領域部分を、それぞれ20mmテープ幅の短冊状に切断した後、剥離ライナーを剥がし、上記ウェハの研削面に貼り合わせた。その後、室温雰囲気下で30分静置し、JIS Z0237に準じて、チップ保持用テープAの引き剥がし粘着力を測定した。引き剥がし条件は、粘着剤層の表面とシリコンミラーウェハの表面とのなす角θを180°、引張り速度300mm/分、室温(23℃)とした。結果を表7に示す。
シリコンミラーウェハを#2000でバックグラインドし、厚さ100μmに研削した後、ダイシングフィルム(チップ保持用テープAをダイシングフィルムとして用いたもの。)にマウントし、ブレードダイシング加工により、10mm角のチップにダイシングした。得られたチップをダイボンドフィルムから剥離することにより、シリコンチップAを得た。
チップ保持用テープAの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したシリコンチップAを、チップ保持用テープAのチップ貼付領域に貼り付け、室温にて30分放置した。貼付条件は、貼付時温度23℃、貼付時圧力0.2MPa、加圧時間0.1秒とした。
チップ保持用テープAの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したシリコンチップAを、チップ保持用テープAのチップ貼付領域に載せて貼り付け、0℃にて24時間冷却した。その後、0℃環境下にて、マウントフレームをひっくり返して軽く叩き、落下したチップの数により評価を行った。評価は、シリコンチップAを5つ用い、1つも脱落しなかった場合には○、1〜4つが脱落した場合には△、5つすべてが脱落した場合には×とした。結果を表7に示す。
チップ保持用テープAの剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したシリコンチップAを、チップ保持用テープAのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて30分放置した。作製したサンプルを用い、チップ保持用テープAから、シリコンチップAのピックアップを行った。ピックアップ性評価は、サンプル作製直後のものと、室温にて1ヶ月放置した後のサンプルとを用いて行った。なお、ピックアップ条件は、以下のようにした。
ダイボンダー装置:株式会社新川社製 SPA−300
マウントフレーム:ディスコ社製 2−8−1
ウェハータイプ:Mirror Wafer(no pattern)
チップサイズ:10mmx10mm
チップ厚さ:100μm
ニードル数:9本
ニードル突き上げ速度:5mm/秒
コレット保持時間:1000m秒
エキスパンド:引き落とし量3mm
ニードル突き上げ高さ:300μm
実施例11のチップ保持用テープAをチップ保持用テープBに変更した以外は、上記実施例11と同様の試験を行った。結果を表8に示す。
実施例11のチップ保持用テープAをチップ保持用テープCに変更した以外は、上記実施例11と同様の試験を行った。結果を表9に示す。
実施例11のチップ保持用テープAをチップ保持用テープEに変更した以外は、上記実施例11と同様の試験を行った。結果を表10に示す。
実施例11のチップ保持用テープAをチップ保持用テープFに変更した以外は、上記実施例11と同様の試験を行った。結果を表11に示す。
<ダイボンドフィルムに対する剥離力の測定>
チップ保持用テープD(紫外線照射が行われていない)のチップ貼付領域にダイボンドフィルムA〜Dをそれぞれ貼り合わせた。次に、チップ保持用テープDに基材側から、照度20mW/cm2で積算光量が400mJ/cm2となるように紫外線を照射した。その後、ダイボンドフィルム側の剥離ライナーを剥がし、ダイボンドフィルムに厚さ50μmのPETフィルムを10μm厚の粘着剤を介して裏打ちした。これを20mm幅にカットし、チップ保持用テープと裏打ちされたダイボンドフィルムとを300mm/分の速さで上下に引っ張って剥離力を測定した。結果を表7に示す。
チップ保持用テープD(紫外線照射が行われていない)の剥離ライナーを剥がし、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて固定した。次いで、ダイボンドフィルム付チップA〜Dを、チップ保持用テープDのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて30分放置した。その後、日東精機製の紫外線照射装置(商品名UM−810)にて照度20mW/cm2で積算光量が400mJ/cm2となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射した。このようにして作製したサンプルについて、実施例1と同様のチップ脱落(室温貼付)評価を行った。結果を表12に示す。
チップ保持用テープD(紫外線照射が行われていない)の剥離ライナーを剥がし、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて固定した。次いで、ダイボンドフィルム付チップA〜Dを、チップ保持用テープDのチップ貼付領域に載せて貼り付け、0℃にて24時間冷却した。その後、日東精機製の紫外線照射装置(商品名UM−810)にて照度20mW/cm2で積算光量が400mJ/cm2となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射した。このようにして作製したサンプルについて、実施例1と同様のチップ脱落(0℃保持)評価を行った。結果を表12に示す。
チップ保持用テープD(紫外線照射が行われていない)の剥離ライナーを剥がし、マウントフレームに貼り付けて固定した。その後、作製したダイボンドフィルム付チップA〜Dを、チップ保持用テープDのチップ貼付領域に載せて貼り付け、室温にて30分放置した。作製したサンプルを用い、チップ保持用テープDから、ダイボンドフィルム付チップA〜Dのピックアップを行った。ピックアップ性評価は、日東精機製の紫外線照射装置(商品名UM−810)にて照度20mW/cm2で積算光量が400mJ/cm2となるようにポリオレフィンフィルム側から紫外線を照射した後に行った。また、ピックアップ性評価は、サンプル作製直後のものと、室温にて1ヶ月放置した後のサンプルとを用いて行った。また、なお、ピックアップ条件は、実施例1と同様とした。結果を表12に示す。
表2〜12の結果から分かる通り、実施例6〜15のように、フレーム貼付領域での180度引き剥がし粘着力が、チップ状ワーク貼付領域での180度引き剥がし粘着力よりも5倍以上の大きさを有しているチップ保持用テープを用いれば、チップ脱落が起こらずに保持することができ、且つ、良好なピックアップ性を有していた。一方、比較例1のように、ダイボンドフィルム付チップに、フレーム貼付領域での180度引き剥がし粘着力と、チップ状ワーク貼付領域での180度引き剥がし粘着力が同じ大きさのチップ保持用テープを貼り付けた後に、チップ状ワーク貼付領域での180度引き剥がし粘着力がフレーム貼付領域での180度引き剥がし粘着力の1/5以下の大きさとなるようにした場合、ピックアップ性に劣る結果となった。
12、62、72、82 基材
14、64 粘着剤層
16、66、76、86 フレーム貼付領域
18、68、78、88 チップ状ワーク貼付領域(チップ貼付領域)
20 印刷層
30 ダイシング・ダイボンドフィルム
32 ダイシングフィルム
34 ダイボンドフィルム
36 基材
38 粘着剤層
40 半導体ウェハ
42 半導体チップ
44 被着体
46 ボンディングワイヤー
48 封止樹脂
50 半導体装置
64a、74、85 強粘着剤層
64b、75、84 弱粘着剤層
Claims (13)
- 基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、前記粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、前記フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、
前記粘着剤層において、前記フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する180度引き剥がし粘着力が、測定温度23±3℃、引張り速度300mm/分の条件下において、前記チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する180度引き剥がし粘着力の5倍以上であることを特徴とするチップ保持用テープ。 - 前記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のシリコンミラーウェハに対する180度引き剥がし粘着力が、測定温度23±3℃、引張り速度300mm/分の条件下において、0.01〜0.1N/20mmテープ幅であることを特徴とする請求項1に記載のチップ保持用テープ。
- 前記チップ状ワーク貼付領域での粘着剤層のヤング率が3MPa以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のチップ保持用テープ。
- 前記チップ保持用テープは、基材と、前記基材上に形成された放射線硬化型粘着剤層とを有しており、
前記チップ状ワーク貼付領域は、放射線照射による硬化により、粘着力が低下されて形成されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載のチップ保持用テープ。 - 前記粘着剤層は、表面に前記フレーム貼付領域を有する強粘着剤層と、表面に前記チップ状ワーク貼付領域を有する弱粘着剤層とが、基材上に両者が積層されていない形態で形成されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載のチップ保持用テープ。
- 前記粘着剤層は、強粘着剤層と、前記強粘着剤層面の外周部を露出する態様で前記強粘着剤層上に積層された弱粘着剤層とを有し、
前記強粘着剤層の露出している部位は、前記フレーム貼付領域に相当し、
前記弱粘着剤層は、その表面が前記チップ状ワーク貼付領域に相当することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載のチップ保持用テープ。 - 前記粘着剤層は、弱粘着剤層と、前記弱粘着剤層面の中央部を露出する態様で前記弱粘着剤層上に積層された強粘着剤層とを有し、
前記強粘着剤層は、その表面が前記フレーム貼付領域に相当し、
前記弱粘着剤層の露出している部位は、前記チップ状ワーク貼付領域に相当することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載のチップ保持用テープ。 - ダイシングにより形成されたチップ状ワークの保持方法であって、
請求項1〜7のいずれか1に記載のチップ保持用テープのフレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付ける工程と、
チップ保持用テープのチップ状ワーク貼付領域に、ダイシングにより形成されたチップ状ワークを貼り付ける工程と
を具備することを特徴とするチップ状ワークの保持方法。 - 請求項1〜8のいずれか1に記載のチップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
ワークをダイシングする工程と、
ダイシングにより形成されたチップ状ワークを前記チップ保持用テープの前記チップ状ワーク貼付領域に貼り付ける工程と、
前記チップ保持用テープに貼り付けられた前記チップ状ワークを剥離する剥離工程と、
剥離した前記チップ状ワークを被着体に固定する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記剥離工程は、前記チップ状ワーク貼付領域の粘着力を低下させることなく、前記チップ状ワークを剥離する工程であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項4に記載のチップ保持用テープの製造方法であって、
放射線硬化型粘着剤層を形成する粘着剤層形成工程と、
前記放射線硬化型粘着剤層の一部に放射線を照射して硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する放射線照射工程とを具備することを特徴とするチップ保持用テープの製造方法。 - さらに、基材上に積層された放射線硬化型粘着剤層のフレーム貼付領域に対応する部位に、放射線遮光機能を有する放射線遮光層を形成する放射線遮光層形成工程を具備しており、
前記放射線照射工程は、前記基材面側から放射線を照射してチップ状ワーク貼付領域に対応する部位の放射線硬化型粘着剤層を硬化させ、硬化により粘着力が低下したチップ状ワーク貼付領域と、硬化せず、粘着力が低下していないフレーム貼付領域とを形成する工程であることを特徴とする請求項11に記載のチップ保持用テープの製造方法。 - 前記放射線遮光層形成工程は、前記放射線遮光層を、印刷法を利用して形成する工程であることを特徴とする請求項12に記載のチップ保持用テープの製造方法。
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