KR102143744B1 - 수지막 형성용 복합 시트 - Google Patents

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KR102143744B1
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Abstract

점착 시트 위에 수지막 형성용 필름을 형성한 구성의 수지막 형성용 복합 시트에 있어서, 수지막 형성용 필름을 사용하여 수지막을 형성한 소자 (예를 들어 반도체 칩) 의 신뢰성을 향상시키고, 또한, 점착 시트로부터의 수지막 형성용 필름 부착 소자의 픽업 적성을 향상시키는 것. 본 발명의 수지막 형성용 복합 시트는, 기재 위에 점착제층을 갖는 점착 시트와, 그 점착제층 위에 형성된 열경화성의 수지막 형성용 필름을 가지며, 그 수지막 형성용 필름이 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분을 함유하고, 그 점착제층이 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물 또는 비에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어진다.

Description

수지막 형성용 복합 시트 {COMPOSITE SHEET FOR RESIN FILM FORMATION}
본 발명은, 칩에 접착 강도가 높은 수지막을 효율적으로 형성할 수 있고, 또한 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 가능한 수지막 형성용 복합 시트에 관한 것이다.
최근, 이른바 페이스 다운 (face down) 방식으로 불리는 실장법을 사용한 반도체 장치의 제조가 실시되고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩 (이하, 간단히 「칩」 이라고도 한다.) 이 사용되어, 그 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 칩의 회로면과는 반대측의 면 (칩 이면) 은 노출이 되는 경우가 있다.
이 노출이 된 칩 이면은, 유기막에 의해 보호되는 경우가 있다. 종래, 이 유기막으로 이루어지는 보호막을 갖는 칩은, 액상의 수지를 스핀 코트법에 의해 웨이퍼 이면에 도포하고, 건조시켜, 경화하여 웨이퍼와 함께 보호막을 절단하여 얻어진다. 그러나, 이와 같이 하여 형성되는 보호막의 두께 정밀도는 충분하지 않기 때문에, 제품의 수율이 저하되는 경우가 있었다.
상기 문제를 해결하기 위해, 기재 위에 점착제층을 갖는 다이싱 테이프의 점착제층 상에, 플립칩형 반도체 이면용 필름을 구비하는 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름이 개시되어 있다 (특허문헌 1). 이 플립칩형 반도체 이면용 필름은, 칩 이면의 보호막으로서의 기능을 갖는다. 그리고, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 있어서의 점착제층은 방사선 경화형이며, 방사선의 조사에 의해 플립칩형 반도체 이면용 필름에 대한 다이싱 테이프의 점착력이 저하된다.
특허문헌 1 의 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름에 의하면, 반도체 웨이퍼를 플립칩형 반도체 이면용 필름에 고정했을 때에는, 플립칩형 반도체 이면용 필름과 점착제층이 적당히 가착되어 있다. 그 때문에, 다이싱 시의 블레이드의 충격에서 기인한 플립칩형 반도체 이면용 필름과 점착제층간의 박리를 억제하여, 칩의 탈락이 방지되는 경향이 있다. 또, 기재 위에 점착제층이 형성되어 있기 때문에, 블레이드에 의한 기재에의 절삭량이 저감되는 것에서 기인하여, 기재의 절삭 찌꺼기가 생기는 것이 억제되는 경향이 있다.
한편, 본 출원인은, 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 동시에 겸비한 다이싱·다이본딩 시트로서, 아크릴 중합체, 반응성 이중 결합기 함유 에폭시 수지 및 열경화제를 포함하고, 필요에 따라 실리카 등의 필러를 포함하는 점접착제층을 갖는 점접착 시트를 개시하고 있다 (특허문헌 2). 특허문헌 2 의 점접착 시트를 사용함으로써 제조된 반도체 장치는, 그 신뢰성을 현저하게 향상시킬 수 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
(특허문헌 1) 일본 공개특허공보 2011-228450호
(특허문헌 2) 일본 공개특허공보 2008-133330호
상기와 같은 칩 이면을 보호하는 기능이나, 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 갖는 수지막을 형성하기 위한 시트 (수지막 형성용 복합 시트) 에 대해, 본 출원인은, 특허문헌 2 의 기술에 특허문헌 1 의 기술을 조합하는 것을 예의 검토한 결과, 다음과 같은 문제가 생겼다.
즉, 반도체 칩을 수지막 형성용 필름과 함께 다이싱 테이프 (점착 시트) 로부터 픽업할 때에, 다이싱 테이프의 점착제층과 수지막 형성용 필름의 접착이 과잉이 되어, 픽업할 수 없는 것이나, 픽업했을 때에 칩이 파손된다는 문제가 보여지는 경우가 있었다.
본 발명은, 점착 시트 상에 수지막 형성용 필름을 형성한 구성의 수지막 형성용 복합 시트에 있어서, 수지막 형성용 필름을 사용하여 수지막을 형성한 소자 (예를 들어 반도체 칩) 의 신뢰성을 향상시키고, 또한, 점착 시트로부터의 수지막 형성용 필름 부착 소자의 픽업 적성을 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 과제를 해결하는 본 발명은, 이하의 요지를 포함한다.
〔1〕기재 위에 점착제층을 갖는 점착 시트와, 그 점착제층 위에 형성된 열경화성의 수지막 형성용 필름을 갖는 수지막 형성용 복합 시트로서,
그 수지막 형성용 필름이, 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분을 함유하고,
그 점착제층이, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물 또는 비에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지는 수지막 형성용 복합 시트.
〔2〕점착제층이 비에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지고,
비에너지선 경화형 점착제 조성물이, 반응성 관능기를 갖는 중합체 및 가교제를 함유하고,
가교제가 갖는 가교성 관능기가, 반응성 관능기에 대해 1 당량 이상인〔1〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔3〕비에너지선 경화형 점착제 조성물이, 추가로 가소제를 함유하는〔2〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔4〕반응성 관능기를 갖는 중합체가, 유리 전이 온도가 -45 ∼ 0 ℃ 의 범위에 있는 아크릴 중합체인〔2〕또는〔3〕에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔5〕수지막 형성용 필름이, 추가로 반응성 이중 결합기를 갖는 화합물에 의해 표면이 수식된 충전재를 함유하는〔1〕∼〔4〕중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔6〕수지막 형성용 필름이, 반도체 칩을 다이 탑재부에 접착하기 위한 다이본딩용 접착 필름인〔1〕∼〔5〕중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
〔7〕수지막 형성용 필름이, 페이스 다운형 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름인〔1〕∼〔5〕중 어느 한 항에 기재된 수지막 형성용 복합 시트.
본 발명에 의하면, 수지막 형성용 복합 시트에 있어서, 수지막 형성용 필름을 사용하여 수지막을 형성한 소자의 신뢰성을 향상시킴과 함께, 점착 시트로부터의 수지막 형성용 필름 부착 소자의 픽업 적성이 우수하다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 구성에 관련된 수지막 형성용 복합 시트를 지그에 첩부한 상태를 나타내는 도면이다.
도 2 는, 본 발명의 제 2 구성에 관련된 수지막 형성용 복합 시트를 지그에 첩부한 상태를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 제 3 구성에 관련된 수지막 형성용 복합 시트를 지그에 첩부한 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 수지막 형성용 복합 시트에 대해 한층 더 구체적으로 설명한다. 도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 수지막 형성용 복합 시트 (10) 는, 기재 (1) 상에 점착제층 (2) 을 갖는 점착 시트 (3) 와, 그 점착제층 (2) 상에 형성된 열경화성의 수지막 형성용 필름 (4) 을 갖는다. 또, 도 1 ∼ 3 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 복합 시트 (10) 는 그 사용에 있어서 링 프레임 등의 지그 (7) 에 첩부되는 경우가 있다. 지그 (7) 와의 접착성을 향상시키기 위해서, 도 2 및 3 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 복합 시트 (10) 의 외주부에는, 고리형의 지그 접착층 (5) 을 형성해도 된다.
(점착 시트)
점착 시트 (3) 는, 기재 (1) 상에 점착제층 (2) 을 갖는다. 점착 시트의 주된 기능은, 워크 (예를 들어 반도체 웨이퍼 등) 가 다이싱을 거쳐 개편화된 칩을 유지하고, 또 경우에 따라서는 도 1 에 나타내는 바와 같이, 외주부의 점착제층에 의해 지그 (7) 에 첩부되어, 워크 및 칩, 그리고 수지막 형성용 복합 시트 자체의 고정을 실시하는 것이다.
(기재)
기재는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등이 사용된다. 또 이들의 가교 필름도 사용된다. 또한 이들의 적층 필름이어도 된다.
기재의 두께는 특별히 한정되지 않고, 바람직하게는 20 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 60 ∼ 100 ㎛ 이다. 기재의 두께를 상기 범위로 함으로써, 수지막 형성용 복합 시트가 충분한 가요성을 갖기 때문에, 워크 (예를 들어 반도체 웨이퍼 등) 에 대해 양호한 첩부성을 나타낸다.
또, 기재가 점착제층과 접하는 면에는, 점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물의 젖음성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리를 실시하거나 프라이머 등의 다른 층을 형성해도 된다.
(점착제층)
점착제층은, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물 또는 비에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어진다. 상기 점착제층에 의하면, 후술하는 수지막 형성용 필름 부착 칩이나 수지막 부착 칩의 픽업 적성이 우수하다.
또한, 본 발명에 있어서의 점착제층으로서는, 수지막 형성용 복합 시트의 제조 공정에 있어서, 에너지선 조사 공정 (예를 들어 자외선 조사 공정 등) 을 실시할 필요가 없기 때문에, 제조 공정을 간략화할 수 있는 관점, 및, 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름을 피착체에 첩부한 후에, 수지막 형성용 필름의 응집력을 올리기 위해서, 수지막 형성용 필름에 에너지선을 조사한 경우에 있어서도, 픽업이 곤란해지는 일이 없다는 관점에서, 비에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층이 바람직하다.
또, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물 또는 비에너지선 경화형 점착제 조성물에는, 미반응의 반응성 이중 결합기가 실질적으로 함유되어 있지 않거나, 함유되어 있어도 본 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 정도의 양이다. 구체적으로는, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물 또는 비에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층을 갖는 점착 시트의, 에너지선 조사의 전후에 있어서의 점착력의 변화율은 90 ∼ 100 ％ 의 범위에 있다. 그 점착력의 변화율은, 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다. 먼저, 점착 시트를 길이 200 mm, 폭 25 mm 로 재단하여, 점착력 측정용 시트를 준비한다. 이어서, 점착력 측정용 시트의 점착제층을 반도체 웨이퍼의 경면에 첩부하고, 반도체 웨이퍼와 점착력 측정용 시트로 이루어지는 적층체를 얻는다. 얻어진 적층체를 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 의 분위기하에 20 분간 방치한다. 방치 후의 적층체에 대해, JIS Z0237 ： 2000 에 준거하여, 180 °박리 시험 (점착력 측정용 시트를 벗겨지는 측의 부재로 한다.) 을 실시하고, 에너지선 조사 전의 점착력 (단위 ： mN/25 mm) 을 측정한다. 또, 방치 후의 적층체에 대해, 에너지선 조사 (220 mW/㎠, 160 mJ/㎠) 를 실시하고, 상기와 마찬가지로 하여 에너지선 조사 후의 점착력 (단위 ： mN/25 mm) 을 측정한다. 그리고, 측정된 에너지선 조사 전후의 점착력으로부터, 변화율을 산출한다.
본 발명에 있어서의 반응성 이중 결합기는, 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기이며, 구체적인 예로서는 비닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기 및 (메트)아크릴옥시기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 아크릴로일기를 들 수 있다. 본 발명에 있어서의 반응성 이중 결합기는, 라디칼 존재하에서 라디칼을 생성하여 중부가 반응을 용이하게 일으키기 때문에, 중합성을 가지지 않는 이중 결합을 의미하지 않는다. 예를 들어, 비에너지선 경화형 점착제 조성물을 구성하는 각 성분에는 방향 고리가 함유되어 있어도 되지만, 방향 고리의 불포화 구조는 본 발명에 있어서의 반응성 이중 결합기를 의미하지 않는다.
＜비에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지는 점착제층＞
비에너지선 경화형 점착제 조성물로서는 특별히 한정되지 않고, 적어도 중합체 성분 (A) (이하에 있어서 간단히 「성분 (A)」 라고 기재하는 경우가 있다. 다른 성분에 대해서도 동일.) 를 함유한다. 본 발명에 있어서는, 비에너지선 경화형 점착제 조성물에 충분한 점착성 및 조막성 (시트 형성성) 을 부여하기 위해서, 성분 (A) 로서 반응성 관능기를 갖는 중합체와, 가교제 (B) 를 함유하는 것이 바람직하고, 추가로 가소제 (C) 를 함유하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서의 반응성 관능기는, 후술하는 가교제 (B) 나 가교제 (K) 가 갖는 가교성 관능기와 반응하는 관능기이며, 구체적으로는, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기, 수산기 등을 들 수 있다.
이하에 있어서는, 중합체 성분 (A) 로서 아크릴 중합체 (A1) 을 함유하는 아크릴계 점착제 조성물을 예로서 구체적으로 설명한다.
(A1) 아크릴 중합체
아크릴 중합체 (A1) 은, 적어도 이것을 구성하는 모노머에, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 함유하는 중합체이며, 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 아크릴 중합체 (A1) 의 반응성 관능기는, 가교제 (B) 의 가교성 관능기와 반응하여 삼차원 망목 구조를 형성하여, 점착제층의 응집력을 높인다. 그 결과, 점착제층 상에 형성된 수지막 형성용 필름이나 그 수지막 형성용 필름을 경화하여 얻어지는 수지막 (이하, 간단히 「수지막」 이라고 기재하는 경우가 있다.) 을 점착제층으로부터 박리하는 것이 용이하게 된다.
아크릴 중합체 (A1) 의 반응성 관능기로서는, 가교제 (B) 로서 바람직하게 사용되는 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 선택적으로 반응시키기 쉬운 점에서, 수산기가 바람직하다. 반응성 관능기는, 아크릴 중합체 (A1) 을 구성하는 모노머로서, 후술하는 수산기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 카르복실기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 아미노기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 에폭시기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, (메트)아크릴산이나 이타콘산 등의 (메트)아크릴산에스테르 이외의 카르복실기를 갖는 모노머, 비닐 알코올이나 N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 (메트)아크릴산에스테르 이외의 수산기를 갖는 모노머 등의 반응성 관능기를 갖는 단량체를 사용함으로써, 아크릴 중합체 (A1) 에 도입할 수 있다.
이 경우, 아크릴 중합체 (A1) 은, 그 구성하는 전체 단량체 중, 반응성 관능기를 갖는 단량체를 1 ∼ 50 질량％ 함유하는 것이 바람직하고, 2 ∼ 15 질량％ 함유하는 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체 (A1) 에 있어서의 반응성 관능기를 갖는 단량체의 함유량이 50 질량％ 를 초과하면, 일반적으로 극성이 높은 반응성 관능기끼리의 상호 작용이 과대해져, 아크릴 중합체 (A1) 의 취급이 곤란해질 우려가 있다.
아크릴 중합체 (A1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하고, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량 (Mw), 수평균 분자량 (Mn) 및 분자량 분포 (Mw/Mn) 의 값은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피법 (GPC) 법 (폴리스티렌 표준) 에 의해 측정되는 경우의 값이다. 이와 같은 방법에 의한 측정은, 예를 들어, 토소사 제조의 고속 GPC 장치 「HLC-8120GPC」 에, 고속 칼럼 「TSK gurd column HXL-H」, 「TSK Gel GMHXL」, 「TSK Gel G2000 HXL」 (이상, 모두 토소사 제조) 을 이 순서로 연결한 것을 사용하고, 칼럼 온도 ： 40 ℃, 송액 속도 ： 1.0 ㎖/분의 조건에서, 검출기를 시차 굴절률계로서 실시된다.
또, 아크릴 중합체 (A1) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 -60 ∼ 0 ℃, 보다 바람직하게는 -45 ∼ 0 ℃, 더욱 바람직하게는 -35 ∼ -15 ℃ 의 범위에 있다. 아크릴 중합체 (A1) 의 유리 전이 온도를 상기 범위로 함으로써, 수지막 형성용 필름 부착 칩이나 수지막 부착 칩의 픽업 적성을 향상시킬 수 있다. 또한, 아크릴 중합체 (A1) 의 유리 전이 온도 (Tg) 가 -35 ∼ -15 ℃ 의 범위에 있으면, 비에너지선 경화성 점착제 조성물에 가소제 (C) 를 배합하지 않고, 또는 배합량이 적은 경우에도, 픽업 적성이 우수하다.
아크릴 중합체 (A1) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 아크릴 중합체 (A1) 을 구성하는 모노머의 조합에 의해 조정할 수 있다. 예를 들어, 유리 전이 온도를 높게 하는 방법으로서는, 아크릴 중합체 (A1) 을 구성하는 모노머로서, 후술하는 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 사용하는 경우에, 알킬기의 탄소수가 작은 (메트)아크릴산알킬에스테르를 선택하는 방법이나, 알킬기의 탄소수가 작은 (메트)아크릴산알킬에스테르의 함유 비율을 크게 하는 방법을 들 수 있다.
또한, 아크릴 중합체 (A1) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 아크릴 중합체 (A1) 을 구성하는 모노머의 단독 중합체의 유리 전이 온도에 기초하여, 이하의 계산식 (FOX 의 식) 으로 구해진다. 아크릴 중합체 (A1) 의 Tg 를 Tg copolymer, 아크릴 중합체 (A1) 을 구성하는 모노머 X 의 단독 중합체의 Tg 를 Tg x, 모노머 Y 의 단독 중합체의 Tg 를 Tg y, 모노머 X 의 몰분율을 Wx (mol％), 모노머 Y 의 몰분율을 Wy (mol％) 로 하여, FOX 의 식은 이하의 식 (1) 로 나타낸다.
100/Tg copolymer = Wx/Tg x ＋ Wy/Tg y···(1)
또한 FOX 의 식은, 아크릴 중합체 (A1) 이 3 개 이상의 모노머에 의한 공중합 조성이 되어도, 상기 식 (1) 과 동일한 가성성이 성립되는 것으로서 취급할 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르 모노머 혹은 그 유도체로서는, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 (메트)아크릴산알킬에스테르, 고리형 골격을 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 수산기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 에폭시기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 아미노기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 카르복실기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다.
알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산라우릴, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산옥타데실 등을 들 수 있다.
고리형 골격을 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산벤질에스테르, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이미드(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
수산기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
에폭시기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
아미노기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 모노에틸아미노(메트)아크릴레이트, 디에틸아미노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
카르복실기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 2-(메트)아크릴로일옥시에틸프탈레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.
또, 아크릴 중합체 (A1) 에는, (메트)아크릴산, 이타콘산 등의 (메트)아크릴산에스테르 이외의 카르복실기를 갖는 모노머, 비닐알코올, N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 (메트)아크릴산에스테르 이외의 수산기를 갖는 모노머, (메트)아크릴로니트릴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
아크릴 중합체 (A1) 은, 상기의 모노머를 사용하여, 유화 중합법 등의 종래 공지된 방법에 따라 제조할 수 있다.
(B) 가교제
본 발명에 있어서는, 점착제층에 응집성을 부여하기 위해, 비에너지선 경화형 점착제 조성물에 가교제 (B) 를 첨가하는 것이 바람직하다. 가교제로서는, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 에폭시 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있고, 반응성의 높이에서 유기 다가 이소시아네이트 화합물이 바람직하다.
유기 다가 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들의 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 3 량체, 이소시아누레이트체, 어덕트체 (에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물, 예를 들어 트리메틸올프로판어덕트자일릴렌디이소시아네이트 등) 나, 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄프레폴리머 등을 들 수 있다.
유기 다가 이소시아네이트 화합물의 더욱 구체적인 예로서는, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 트리메틸올프로판어덕트톨릴렌디이소시아네이트 및 리신이소시아네이트를 들 수 있다.
유기 다가 에폭시 화합물의 구체적인 예로서는, 1,3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등을 들 수 있다.
유기 다가 이민 화합물의 구체적인 예로서는, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트 및 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.
금속 킬레이트계 가교제의 구체적인 예로서는, 트리-n-부톡시에틸아세토아세테이트지르코늄, 디-n-부톡시비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, n-부톡시트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 테트라키스(n-프로필아세토아세테이트)지르코늄, 테트라키스(아세틸아세토아세테이트)지르코늄, 테트라키스(에틸아세토아세테이트)지르코늄 등의 지르코늄 킬레이트계 가교제 ； 디이소프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)티타늄, 디이소프로폭시·비스(아세틸아세테이트)티타늄, 디이소프로폭시·비스(아세틸아세톤)티타늄 등의 티타늄킬레이트계 가교제 ； 디이소프로폭시에틸아세토아세테이트알루미늄, 디이소프로폭시아세틸아세토네이트알루미늄, 이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트)알루미늄, 이소프로폭시비스(아세틸아세토네이트)알루미늄, 트리스(에틸아세토아세테이트)알루미늄, 트리스(아세틸아세토네이트)알루미늄, 모노아세틸아세토네이트·비스(에틸아세토아세테이트)알루미늄 등의 알루미늄 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다.
이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
상기와 같은 가교제 (B) 가 갖는 가교성 관능기 (예를 들어 이소시아네이트기) 는, 아크릴 중합체 (A1) 의 반응성 관능기 (예를 들어 수산기) 와 반응한다. 가교성 관능기는, 반응성 관능기에 대해, 바람직하게는 1 당량 이상, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 당량이다. 본 발명의 수지막 형성용 복합 시트에 있어서, 아크릴 중합체 (A1) 의 반응성 관능기수에 대한 가교제의 가교성 관능기수를 상기 범위로 함으로써, 점착제층의 응집성의 저하를 억제할 수 있다. 또, 비에너지선 경화형 점착제 조성물이 후술하는 가소제 (C) 를 함유하는 경우에는, 점착제층에 형성되는 삼차원 망목 구조 중에 가소제 (C) 를 균일하게 유지한 채로, 수지막 형성용 필름이나 수지막과 점착제층의 계면에 가소제 (C) 가 스며나와, 접착성이 과도하게 저하되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 다이싱 적성과 픽업 적성이 우수한 수지막 형성용 복합 시트를 얻을 수 있다.
가교제 (B) 는, 아크릴 중합체 (A1) 100 질량부에 대해, 바람직하게는 5 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 10 ∼ 50 질량부, 특히 바람직하게는 15 ∼ 50 질량부의 비율로 사용된다. 가교제의 배합량을 상기 범위로 함으로써, 아크릴 중합체의 반응성 관능기수에 대한 가교제의 가교성 관능기수의 조정이 용이해진다.
(C) 가소제
가소제 (C) 로서는, 1,2-시클로헥실디카르복실산에스테르, 프탈산에스테르, 아디프산에스테르, 트리멜리트산에스테르, 피로멜리트산에스테르, 벤조산에스테르, 인산에스테르, 시트르산에스테르, 세바스산에스테르, 아젤라산에스테르, 말레산에스테르 등을 들 수 있다. 이와 같은 가소제 (C) 를 사용함으로써, 두께 40 ∼ 150 ㎛ 의 박형 웨이퍼의 다이싱 적성이나 수지막 형성용 필름 부착 칩 또는 수지막 부착 칩의 픽업 적성이 양호해진다.
이들 중에서도, 방향 고리 또는 시클로알킬 고리에 2 개 이상의 카르복실기를 부가한 다가 카르복실산의 일부 또는 전부가 알코올과 에스테르화한 유기산 에스테르 화합물이, 픽업 적성을 향상시키는 효과가 높아 바람직하다. 그 중에서도, 1, 2-시클로헥실디카르복실산에스테르, 프탈산에스테르, 피로멜리트산에스테르, 트리멜리트산에스테르가 보다 바람직하고, 이들을 구체적으로 나타내면, 하기 식 (I) ∼ (IV) 에 나타내는 다가 카르복실산에 있어서의 카르복실기의 일부 또는 전부가 알코올과 에스테르화한 유기산 에스테르 화합물이다. 다가 카르복실산의 카르복실기와 에스테르를 형성하는 알코올로서는, 에탄올, 2-에틸헥산올, 시클로헥산올, 1-헥산올, 1-펜탄올, 1-노난올, 이소노난올, 1-부탄올, 2-벤질-1-부탄올, 이소데칸올, 1-옥탄올 등을 들 수 있다. 1 분자에 이들의 2 종 이상과의 에스테르가 존재하고 있어도 된다.
[화학식 1]
Figure 112016010201263-pat00001
[화학식 2]
Figure 112016010201263-pat00002
[화학식 3]
Figure 112016010201263-pat00003
[화학식 4]
Figure 112016010201263-pat00004
가소제 (C) 의 함유량은, 아크릴 중합체 (A1) 100 질량부에 대해, 바람직하게는 5 ∼ 70 질량부, 보다 바람직하게는 10 ∼ 60 질량부, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 50 질량부이다. 가소제 (C) 의 함유량이 이와 같은 범위에 있음으로써, 박형 웨이퍼의 다이싱 적성과 수지막 형성용 필름 부착 칩 또는 수지막 부착 칩의 픽업 적성을 한층 더 향상할 수 있다.
또, 비에너지선 경화형 점착제 조성물에는, 다른 성분으로서 염료, 안료, 열화 방지제, 대전 방지제, 난연제, 실리콘 화합물, 연쇄 이동제 등을 첨가해도 된다.
＜에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물로 이루어지는 점착제층＞
에너지선 경화형 점착제 조성물은, 적어도 중합체 성분 (A) 및 에너지선 경화성 화합물 (D) 를 함유하거나, (A) 성분 및 (D) 성분의 성질을 겸비하는 에너지선 경화형 중합체 (AD) 를 함유한다. 또, 중합체 성분 (A) 및 에너지선 경화성 화합물 (D) 와 에너지선 경화형 중합체 (AD) 를 병용할 수도 있다.
중합체 성분 (A) 로서는, 상기 비에너지선 경화형 점착제 조성물에 있어서 예시한 것을 사용할 수 있다.
에너지선 경화성 화합물 (D) 는, 반응성 이중 결합기를 함유하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하여, 점착제 조성물의 점착성을 저하시키는 기능을 갖는다.
에너지선 경화형 중합체 (AD) 는, 중합체로서의 기능과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다.
또, 에너지선 경화형 점착제 조성물은, 필요에 따라, 각종 물성을 개량하기 위한 다른 성분을 함유해도 된다. 다른 성분으로서는, 상기 비에너지선 경화형 점착제 조성물에 있어서 예시한 것 외에, 광 중합 개시제 (E) 를 들 수 있다.
이하에 있어서는, 상기 비에너지선 경화형 점착제 조성물과 마찬가지로, 중합체 성분 (A) 로서 아크릴 중합체 (A1) 을 함유하는 아크릴계 점착제 조성물을 예로서 구체적으로 설명한다.
(D) 에너지선 경화성 화합물
에너지선 경화성 화합물 (D) 는, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 화합물이다. 이 에너지선 경화성 화합물의 예로서는, 반응성 이중 결합기를 갖는 저분자량 화합물 (단관능, 다관능의 모노머 및 올리고머) 을 들 수 있고, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 등의 아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 화합물이 사용된다. 이와 같은 화합물은, 통상적으로는, 분자량이 100 ∼ 30000, 바람직하게는 300 ∼ 10000 정도이다.
일반적으로는 성분 (A) (후술하는 에너지선 경화형 중합체 (AD) 를 포함한다) 100 질량부에 대해, 반응성 이중 결합기를 갖는 저분자량 화합물은 바람직하게는 0 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 1 ∼ 100 질량부, 더욱 바람직하게는, 1 ∼ 30 질량부 정도의 비율로 사용된다.
(AD) 에너지선 경화형 중합체
상기 성분 (A) 및 (D) 의 성질을 겸비하는 에너지선 경화형 중합체 (AD) 는, 중합체의 주사슬, 측사슬 또는 말단에, 반응성 이중 결합기가 결합되어 이루어진다.
에너지선 경화형 중합체의 주사슬, 측사슬 또는 말단에 결합하는 반응성 이중 결합기는, 상기에 있어서 예시한 바와 같다. 반응성 이중 결합기는, 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기를 개재하여 에너지선 경화형 중합체의 주사슬, 측사슬 또는 말단에 결합하고 있어도 된다.
반응성 이중 결합기가 결합된 에너지선 경화형 중합체 (AD) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하고, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다. 또, 에너지선 경화형 중합체 (AD) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 -45 ∼ 0 ℃, 보다 바람직하게는 -35 ∼ -15 ℃ 의 범위에 있다. 또한, 수산기 등의 반응성 관능기를 갖는 아크릴 중합체 (A1) 과, 후술하는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻은 에너지선 경화형 중합체 (AD) 의 경우에는, Tg 는 중합성기 함유 화합물과 반응시키기 전의 아크릴 중합체 (A1) 의 Tg 이다.
에너지선 경화형 중합체 (AD) 는, 예를 들어, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기, 수산기 등의 반응성 관능기를 함유하는 아크릴 중합체 (A1) 과, 그 반응성 관능기와 반응하는 치환기와 반응성 이중 결합기를 1 분자마다 1 ∼ 5 개를 갖는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다. 아크릴 중합체 (A1) 은, 반응성 관능기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체로 이루어지는 중합체인 것이 바람직하다. 그 중합성기 함유 화합물로서는, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산 등을 들 수 있다.
에너지선 경화형 중합체 (AD) 를, 반응성 관능기를 함유하는 아크릴 중합체 (A1) 과, 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻은 경우, 에너지선 경화형 중합체 (AD) 는, 가교되어 있어도 된다. 가교제를 첨가하는 경우에는, 가교제의 가교성 관능기와 반응성 관능기가 반응함으로써, 에너지선 경화형 중합체 (AD) 가 가교되어 점착제층의 응집력을 조정하는 것이 가능해진다.
가교제로서는, 상기의 비에너지선 경화형 점착제 조성물에 있어서 예시한 것을 들 수 있다.
가교제는, 아크릴 중합체 (A1) 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 ∼ 20 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 15 질량부, 특히 바람직하게는 0.5 ∼ 12 질량부의 비율로 사용된다.
상기와 같은 아크릴 중합체 (A1) 및 에너지선 경화성 화합물 (D) 를 함유하는 아크릴계 점착제 조성물이나 에너지선 경화형 중합체 (AD) 를 함유하는 아크릴계 점착제 조성물은, 에너지선 조사에 의해 경화된다. 에너지선으로서는, 구체적으로는, 자외선, 전자선 등이 사용된다.
(E) 광 중합 개시제
에너지선 경화성 화합물 (D) 나, 에너지선 경화형 중합체 (AD) 에 광 중합 개시제 (E) 를 조합함으로써, 중합 경화 시간을 짧게 하고, 그리고 광선 조사량을 적게 할 수 있다.
이와 같은 광 중합 개시제로서는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오크산톤, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, 1,2-디페닐메탄, 2-하이드록시-2-메틸-1-［4-(1-메틸비닐)페닐］프로파논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 및 β-크롤안트라퀴논 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제는 1 종류 단독으로, 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
광 중합 개시제의 배합 비율은, 에너지선 경화성 화합물 (D) 나 에너지선 경화형 중합체 (AD) 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 10 질량부 함유되는 것이 바람직하고, 1 ∼ 5 질량부 함유되는 것이 보다 바람직하다.
광 중합 개시제의 배합 비율이 0.1 질량부 미만이면 광 중합의 부족으로 만족스러운 경화성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 10 질량부를 초과하면 광 중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되어, 문제의 원인이 되는 경우가 있다.
에너지선 경화형 점착제 조성물은 상기의 성분을 함유하여 이루어지는 것이 바람직하고, 점착제층은, 이와 같은 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물로 이루어진다. 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물로 이루어지는 점착제층은, 후술하는 수지막 형성용 복합 시트의 제조 방법에 있어서 설명하는 에너지선 조사에 의해, 아크릴 중합체 (A1) 및 에너지선 경화성 화합물 (D) 를 함유하는 아크릴계 점착제 조성물이나 에너지선 경화형 중합체 (AD) 를 함유하는 아크릴계 점착제 조성물로 이루어지는 피막을 경화하여 얻어지는 것이다.
점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로 1 ∼ 100 ㎛, 바람직하게는 1 ∼ 60 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ∼ 30 ㎛ 이다.
(수지막 형성용 필름)
수지막 형성용 필름에 적어도 요구되는 기능은, (1) 시트 형상 유지성, (2) 초기 접착성 및 (3) 경화성이다.
수지막 형성용 필름에는, 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분의 첨가에 의해 (1) 시트 형상 유지성 및 (3) 경화성을 부여할 수 있다. 또, 바인더 성분은 반응성 이중 결합기 외에, 후술하는 에폭시기를 함유하기 때문에, 그 에폭시기끼리나 반응성 이중 결합기끼리가 부가 중합함으로써, 삼차원 망목 구조가 형성됨으로써 수지막 형성용 필름의 경화가 실현된다. 그 결과, 수지막 형성용 필름은, 반응성 이중 결합기를 갖지 않는 바인더 성분으로 이루어지는 수지막 형성용 필름보다 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 게다가 또, 수지막 형성용 필름에 후술하는 반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재 (H) 를 첨가하는 경우에는, 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분은 반응성 이중 결합기를 갖지 않는 바인더 성분과 비교해서, 그 충전재 (H) 와의 상용성이 높다.
반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분으로서는, 중합체 성분 (F) 및 열경화성 성분 (G) 를 들 수 있다. 반응성 이중 결합기는, 중합체 성분 (F) 및 열경화성 성분 (G) 가 적어도 일방에 함유되어 있으면 된다.
또한, 수지막 형성용 필름을 경화까지의 동안, 워크에 가착시켜 두기 위한 기능인 (2) 초기 접착성은, 감압 접착성이어도 되고, 열에 의해 연화되어 접착하는 성질이어도 된다. (2) 초기 접착성은, 통상적으로 바인더 성분의 제특성이나, 후술하는 충전재 (H) 의 배합량의 조정 등에 의해 제어된다.
(F) 중합체 성분
중합체 성분 (F) 는, 수지막 형성용 필름에 시트 형상 유지성을 부여하는 것을 주목적으로 하여 첨가된다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 중합체 성분 (F) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 통상적으로 20,000 이상이며, 20,000 ∼ 3,000,000 인 것이 바람직하다.
중합체 성분 (F) 로서는, 아크릴 중합체, 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리카보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 등을 사용할 수 있다. 또, 이들의 2 종 이상이 결합한 것, 예를 들어, 수산기를 갖는 아크릴 중합체인 아크릴폴리올에, 분자 말단에 이소시아네이트기를 갖는 우레탄 프레폴리머를 반응시킴으로써 얻어지는 아크릴우레탄 수지 등이어도 된다. 또한, 2 종 이상이 결합한 중합체를 포함하여, 이들의 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(F1) 아크릴 중합체
중합체 성분 (F) 로서는, 아크릴 중합체 (F1) 이 바람직하게 사용된다. 아크릴 중합체 (F1) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 -60 ∼ 50 ℃, 보다 바람직하게는 -50 ∼ 40 ℃, 더욱 바람직하게는 -40 ∼ 30 ℃ 의 범위에 있다. 아크릴 중합체 (F1) 의 유리 전이 온도가 높으면 수지막 형성용 필름의 접착성이 저하되고, 워크에 전사할 수 없게 되는 경우가 있다.
아크릴 중합체 (F1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 100,000 ∼ 1,500,000 인 것이 바람직하다. 아크릴 중합체 (F1) 의 중량 평균 분자량이 높으면 수지막 형성용 필름의 접착성이 저하되고, 워크에 전사할 수 없게 되는 경우가 있다.
아크릴 중합체 (F1) 은, 적어도 구성하는 단량체에, (메트)아크릴산에스테르 모노머 혹은 그 유도체를 포함한다. (메트)아크릴산에스테르 모노머 혹은 그 유도체로서는, 아크릴 중합체 (A1) 에 있어서 예시한 것을 들 수 있다. 또한, 아크릴 중합체 (F1) 을 구성하는 단량체로서, 카르복실기를 갖는 단량체를 사용해도 되지만, 후술하는 열경화성 성분 (G) 로서, 에폭시계 열경화성 성분을 사용하는 경우에는, 카르복실기와 에폭시계 열경화성 성분 중의 에폭시기가 반응해 버리기 때문에, 카르복실기를 갖는 단량체의 사용량은 적은 것이 바람직하다.
아크릴 중합체 (F1) 이 반응성 이중 결합기를 갖는 경우에는, 반응성 이중 결합기는 아크릴 중합체 (F1) 의 골격이 되는 연속 구조의 단위 중에 부가되거나, 말단에 부가된다.
반응성 이중 결합기를 갖는 아크릴 중합체 (F1) 은, 예를 들어, 반응성 관능기를 갖는 아크릴 중합체와, 그 반응성 관능기와 반응하는 치환기와 반응성 이중 결합기를 1 분자마다 1 ∼ 5 개 갖는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다.
아크릴 중합체 (F1) 이 갖는 반응성 이중 결합기로서는, 바람직하게는 비닐기, 알릴기 및 (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있다.
아크릴 중합체 (F1) 이 갖는 반응성 관능기는, 성분 (A) 에 있어서의 반응성 관능기와 동의이며, 반응성 관능기를 갖는 아크릴 중합체는, 성분 (A) 에 있어서 기재한 방법으로 얻을 수 있다. 중합성기 함유 화합물로서는, 성분 (AD) 에 있어서 예시한 것과 동일하다.
수지막 형성용 필름이 후술하는 가교제 (K) 를 함유하는 경우에는, 아크릴 중합체 (F1) 은 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다.
그 중에서도, 반응성 관능기로서 수산기를 갖는 아크릴 중합체 (F1) 은, 그 제조가 용이하고, 가교제 (K) 를 사용하여 가교 구조를 도입하는 것이 용이해지기 때문에 바람직하다. 또, 수산기를 갖는 아크릴 중합체 (F1) 은, 후술하는 열경화성 성분 (G) 와의 상용성이 우수하다.
아크릴 중합체 (F1) 을 구성하는 모노머로서, 반응성 관능기를 갖는 단량체를 사용함으로써 아크릴 중합체 (F1) 에 반응성 관능기를 도입하는 경우, 반응성 관능기를 갖는 단량체의, 아크릴 중합체 (F1) 을 구성하는 모노머 전체 질량 중의 비율은 1 ∼ 20 질량％ 정도가 바람직하고, 3 ∼ 15 질량％ 인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체 (F1) 에 있어서의, 반응성 관능기를 갖는 단량체에서 유래하는 구성 단위를 상기 범위로 함으로써, 반응성 관능기와 가교제 (K) 의 가교성 관능기가 반응하여 삼차원 망목 구조를 형성하고, 아크릴 중합체 (F1) 의 가교 밀도를 높일 수 있다. 그 결과, 수지막 형성용 필름은, 전단 강도가 우수하다. 또, 수지막 형성용 필름의 흡수성이 저하되기 때문에, 패키지 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻을 수 있다.
(F2) 비아크릴계 수지
또, 중합체 성분 (F) 로서, 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리카보네이트, 폴리에테르, 폴리우레탄, 폴리실록산, 고무계 중합체 또는 이들의 2 종 이상이 결합한 것에서 선택되는 비아크릴계 수지 (F2) 의 1 종 단독 또는 2 종 이상의 조합을 사용해도 된다. 이와 같은 수지로서는, 중량 평균 분자량이 20,000 ∼ 100,000 인 것이 바람직하고, 20,000 ∼ 80,000 인 것이 더욱 바람직하다.
비아크릴계 수지 (F2) 의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -30 ∼ 150 ℃, 더욱 바람직하게는 -20 ∼ 120 ℃ 의 범위에 있다.
비아크릴계 수지 (F2) 를, 상기 서술한 아크릴 중합체 (F1) 과 병용한 경우에는, 워크에 수지막 형성용 필름을 전사할 때에, 점착 시트와 수지막 형성용 필름의 층간 박리를 한층 더 용이하게 실시할 수 있고, 또 전사면에 수지막 형성용 필름이 추종하여 보이드 등의 발생을 보다 억제할 수 있다.
비아크릴계 수지 (F2) 를, 상기 서술한 아크릴 중합체 (F1) 과 병용하는 경우에는, 비아크릴계 수지 (F2) 의 함유량은, 비아크릴계 수지 (F2) 와 아크릴 중합체 (F1) 의 질량비 (F2 ： F1) 에 있어서, 통상적으로 1 ： 99 ∼ 60 ： 40, 바람직하게는 1 ： 99 ∼ 30 ： 70 의 범위에 있다. 비아크릴계 수지 (F2) 의 함유량이 이 범위에 있음으로써, 상기의 효과를 얻을 수 있다.
중합체 성분 (F) 로서, 측사슬에 에폭시기를 갖는 아크릴 중합체 (F1) 이나, 페녹시 수지를 사용한 경우에는, 중합체 성분 (F) 가 갖는 에폭시기가 열경화에 관여하는 경우가 있지만, 본 발명에서는 이와 같은 중합체 또는 수지도, 열경화 성분 (G) 가 아니고, 중합체 성분 (F) 로서 취급한다.
(G) 열경화성 성분
열경화성 성분 (G) 는, 수지막 형성용 필름에 열경화성을 부여하는 것을 주목적으로 하여 첨가된다.
열경화성 성분 (G) 는, 에폭시기를 갖는 화합물 (이하, 간단히 「에폭시 화합물」 이라고 기재하는 경우가 있다.) 을 함유하고, 에폭시 화합물과 열경화제를 조합한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
열경화성 성분 (G) 는, 중합체 성분 (F) 와 조합하여 사용하기 때문에, 수지막 형성용 필름을 형성하기 위한 도공용 조성물의 점도를 억제하고, 취급성을 향상시키는 등의 관점에서, 통상적으로 그 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 10,000 이하이며, 100 ∼ 10,000 인 것이 바람직하다.
에폭시 화합물로서는, 반응성 이중 결합기를 갖는 에폭시 화합물 (G1) 및 반응성 이중 결합기를 가지지 않는 에폭시 화합물 (G1') 이 있고, 열경화제로서는, 반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제 (G2) 및 반응성 이중 결합기를 가지지 않는 열경화제 (G2') 가 있다. 본 발명에 있어서의 열경화성 성분 (G) 가 반응성 이중 결합기를 갖는 경우에는, 반응성 이중 결합기를 갖는 에폭시 화합물 (G1) 및 반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제 (G2) 가 적어도 일방을 필수 성분으로서 함유한다.
(G1) 반응성 이중 결합기를 갖는 에폭시 화합물
반응성 이중 결합기를 갖는 에폭시 화합물 (G1) 로서는, 수지막 형성용 필름의 열경화 후의 강도나 내열성이 향상되기 때문에, 방향 고리를 갖는 것이 바람직하다. 에폭시 화합물 (G1) 이 갖는 반응성 이중 결합기로서는, 바람직하게는 비닐기, 알릴기 및 (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 (메트)아크릴로일기, 더욱 바람직하게는 아크릴로일기를 들 수 있다.
이와 같은 반응성 이중 결합기를 갖는 에폭시 화합물 (G1) 로서는, 예를 들어, 다관능의 에폭시 화합물의 에폭시기의 일부가 반응성 이중 결합기를 함유하는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이와 같은 화합물은, 예를 들어, 에폭시기에 아크릴산을 부가 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 혹은, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에, 반응성 이중 결합기를 함유하는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다.
여기서, 반응성 이중 결합기를 갖는 에폭시 화합물 (G1) 로서는, 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (2) 로 나타내는 화합물, 혹은 후술하는 반응성 이중 결합기를 가지지 않는 에폭시 화합물 (G1') 의 일부의 에폭시기에 아크릴산을 부가 반응시켜 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112016010201263-pat00005
〔R 은, H- 또는 CH3-, n 은, 0 ∼ 10 의 정수이다.〕
[화학식 6]
Figure 112016010201263-pat00006
X 은,
Figure 112016010201263-pat00007
또는
Figure 112016010201263-pat00008
이다.〕
또한, 반응성 이중 결합기를 가지지 않는 에폭시 화합물 (G1') 과 아크릴산의 반응에 의해 얻어지는 반응성 이중 결합기를 갖는 에폭시 화합물 (G1) 은, 미반응물이나 에폭시기가 완전히 소비된 화합물과의 혼합물로 되어 있는 경우가 있지만, 본 발명에 있어서는, 상기 화합물이 실질적으로 함유되어 있는 것이면 된다.
(G1') 반응성 이중 결합기를 가지지 않는 에폭시 화합물
반응성 이중 결합기를 가지지 않는 에폭시 화합물 (G1') 로서는, 종래 공지된 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 에폭시 화합물로서는, 구체적으로는, 다관능계 에폭시 수지나, 비페닐 화합물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르나 그 수소 첨가물, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 등, 분자 중에 2 관능 이상 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
에폭시 화합물 (G1) 및 (G1') 의 수평균 분자량은, 특별히 제한되지 않지만, 수지막 형성용 필름의 경화성이나 경화 후의 강도나 내열성의 관점에서는 바람직하게는 300 ∼ 30000, 더욱 바람직하게는 400 ∼ 10000, 특히 바람직하게는 500 ∼ 10000 이다. 또, 그 에폭시 화합물의 전체량［(G1) ＋ (G1')］ 중의 반응성 이중 결합기의 함유량은, 그 에폭시 화합물 전체량 중의 에폭시기 100 몰에 대해 0.1 ∼ 1000 몰, 바람직하게는 1 ∼ 500 몰, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 400 몰인 것이 바람직하다. 에폭시 화합물의 전체량 중의 반응성 이중 결합기의 함유량이 1000 몰을 초과하면 열경화성이 불충분해질 우려가 있다.
열경화제는, 에폭시 화합물 (G1) 및 (G1') 에 대한 경화제로서 기능한다.
(G2) 반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제
반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제 (G2) 는, 중합성의 탄소-탄소 이중 결합기를 갖는 열경화제이다. 열경화제 (G2) 가 갖는 반응성 이중 결합기로서는, 바람직하게는 비닐기, 알릴기 및 (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 메타크릴로일기를 들 수 있다.
또, 열경화제 (G2) 는, 상기의 반응성 이중 결합기에 더하여, 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 함유한다. 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기로서는 바람직하게는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산무수물 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 더욱 바람직하게는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 특히 바람직하게는 페놀성 수산기를 들 수 있다.
반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제 (G2) 로서는, 예를 들어 페놀 수지의 수산기의 일부를, 반응성 이중 결합기를 함유하는 기로 치환하여 이루어지는 화합물 혹은, 페놀 수지의 방향 고리에, 반응성 이중 결합기를 함유하는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다. 여기서, 페놀 수지로서는, 하기 식 (화학식 7) 에 나타내는 노볼락형 페놀 수지, (화학식 8) 로 나타내는 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, (화학식 9) 로 나타내는 다관능계 페놀 수지 등을 들 수 있고, 특히 노볼락형 페놀 수지가 바람직하다. 따라서, 반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제 (G2) 로서는, 노볼락형 페놀 수지의 수산기의 일부를, 반응성 이중 결합기를 함유하는 기로 치환하여 이루어지는 화합물 혹은, 노볼락형 페놀 수지의 방향 고리에, 반응성 이중 결합기를 함유하는 기가 직접 결합한 화합물이 바람직하다.
[화학식 7]
Figure 112016010201263-pat00009
[화학식 8]
Figure 112016010201263-pat00010
[화학식 9]
Figure 112016010201263-pat00011
반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제 (G2) 의 특히 바람직한 예로서는, 하기 식 (a) 와 같은 페놀성 수산기를 함유하는 반복 단위의 일부에 반응성 이중 결합기가 도입된 구조이며, 하기 식 (b) 또는 (c) 와 같은 반응성 이중 결합기를 함유하는 기를 갖는 반복 단위를 함유하는 화합물을 들 수 있다. 특히 바람직한 반응성 이중 결합기를 갖는 열경화제 (G2) 는, 하기 식 (a) 의 반복 단위와, 하기 식 (b) 또는 (c) 의 반복 단위를 함유한다.
[화학식 10]
Figure 112016010201263-pat00012
(식 중 n 은 0 또는 1 이다)
[화학식 11]
Figure 112016010201263-pat00013
(식 중 n 은 0 또는 1 이며, R1 은 수산기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 5 의 탄화수소기이며, X 는 -O-, -NR2- (R2 는 수소 또는 메틸) 이거나, 또는 R1X 는 단결합이며, A 는(메트)아크릴로일기)
반복 단위 (a) 에 함유되는 페놀성 수산기는, 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기이며, 수지막 형성용 필름의 열경화 시에 에폭시 화합물의 에폭시기와 반응 경화하는 경화제로서의 기능을 갖는다. 반복 단위 (b) 및 (c) 에 함유되는 반응성 이중 결합기는, 아크릴 중합체 (F1) 과 열경화성 성분 (G) 의 상용성을 향상시킴과 함께, 반응성 이중 결합기끼리가 부가 중합함으로써, 수지막 형성용 필름 중에 삼차원 망목 구조가 형성된다. 이 결과, 수지막 형성용 필름의 경화물 (수지막) 이 보다 강인한 성질이 되고, 이로써 반도체 장치의 신뢰성이 향상된다. 또, 반복 단위 (b) 및 (c) 에 함유되는 반응성 이중 결합기는, 수지막 형성용 필름을 에너지선 경화할 때에 중합 경화되고, 수지막 형성용 필름과 점착 시트의 접착력을 저하시키는 작용도 갖는다.
이 열경화제 (G2) 에 있어서의 상기 (a) 식으로 나타내는 반복 단위의 비율은, 바람직하게는 5 ∼ 95 몰％, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 90 몰％, 특히 바람직하게는 40 ∼ 80 몰％ 이며, 상기 (b) 또는 (c) 식으로 나타내는 반복 단위의 비율은, 합계로, 바람직하게는 5 ∼ 95 몰％, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 80 몰％, 특히 바람직하게는 20 ∼ 60 몰％ 이다.
(G2') 반응성 이중 결합기를 가지지 않는 열경화제
반응성 이중 결합기를 가지지 않는 열경화제 (G2') 로서는, 1 분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2 개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 그 관능기로서는 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기 및 산무수물 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기, 산무수물 등을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는 페놀성 수산기, 아미노기를 들 수 있다.
아미노기를 갖는 열경화제 (아민계 열경화제) 의 구체적인 예로서는, DICY (디시안디아미드) 를 들 수 있다.
페놀성 수산기를 갖는 열경화제 (페놀계 열경화제) 의 구체적인 예로서는, 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 아르알킬페놀 수지를 들 수 있다.
이들은, 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기한 열경화제 (G2) 및 (G2') 의 수평균 분자량은 바람직하게는 40 ∼ 30000, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 10000, 특히 바람직하게는 80 ∼ 10000 이다.
수지막 형성용 필름에 있어서의 열경화제［(G2) 및 (G2')］의 함유량은, 에폭시 화합물［(G1) 및 (G1')］100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 500 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 200 질량부인 것이 보다 바람직하다. 열경화제의 함유량이 적으면 경화 부족으로 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또, 열경화제［(G2) 및 (G2')］의 함유량은, 중합체 성분 (F) 100 질량부에 대해 1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하고, 2 ∼ 40 질량부인 것이 보다 바람직하다. 열경화제의 함유량이 적으면 경화 부족으로 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
열경화성 성분 (G) (에폭시 화합물과 열경화제의 합계［(G1) ＋ (G1') ＋ (G2) ＋ (G2')］) 는, 수지막 형성용 필름의 전체 질량 중, 바람직하게는 50 질량％ 미만, 보다 바람직하게는 1 ∼ 30 질량％, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 25 질량％ 의 비율로 함유된다. 또, 수지막 형성용 필름에는, 중합체 성분 (F) 100 질량부에 대해, 열경화성 성분 (G) 가, 바람직하게는 1 질량부 이상 105 질량부 미만, 보다 바람직하게는 1 질량부 이상 100 질량부 미만, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 60 질량부, 특히 바람직하게는 3 ∼ 40 질량부의 범위로 함유된다. 특히, 열경화성 성분 (G) 의 함유량을 적게 한 경우, 예를 들어, 중합체 성분 (F) 100 질량부에 대해, 3 ∼ 40 질량부의 범위로 함유되는 정도로 한 경우에는, 다음과 같은 효과가 얻어진다. 수지막 형성용 필름을, 반도체 칩을 다이 탑재부에 접착하기 위한 다이본딩용 접착 필름으로서 사용하는 경우에, 수지막 형성용 필름을 반도체 칩에 고착시키고, 수지막 형성용 필름을 개재하여 다이 탑재부에 칩을 가접착한 후, 수지막 형성용 필름을 열경화시키기 전에, 수지막 형성용 필름이 고온이 되어도, 열경화 공정 중에, 수지막 형성용 필름 중에 보이드가 발생할 가능성을 저감할 수 있다. 열경화성 성분 (G) 의 함유량이 너무 많으면 충분한 접착성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
(G3) 경화 촉진제
경화 촉진제 (G3) 은, 수지막 형성용 필름의 경화 속도를 조정하기 위해서 사용해도 된다. 경화 촉진제 (G3) 은, 특히, 열경화성 성분 (G) 로서 에폭시계 열경화성 성분을 사용할 때에 바람직하게 사용된다.
바람직한 경화 촉진제로서는, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3 급 아민류 ； 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류 ； 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류 ； 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
경화 촉진제 (G3) 을 사용하는 경우, 경화 촉진제 (G3) 은, 열경화성 성분 (G) 의 합계［(G1) ＋ (G1') ＋ (G2) ＋ (G2')］ 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 2.5 질량부의 양으로 함유된다. 경화 촉진제 (G3) 을 상기 범위의 양으로 함유함으로써, 수지막 형성용 필름을, 반도체 칩을 다이 탑재부에 접착하기 위한 다이본딩용 접착 필름으로서 사용하는 경우에, 고온도 고습도하에 노출되어도 우수한 접착 특성을 가지며, 엄격한 리플로우 조건에 노출된 경우여도 높은 패키지 신뢰성을 달성할 수 있다. 또, 경화 촉진제 (G3) 을 상기 범위의 양으로 함유함으로써, 수지막 형성용 필름을 페이스 다운형 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서 사용하는 경우에, 칩의 이면 보호 기능이 우수하다. 경화 촉진제 (G3) 의 함유량이 적으면 경화 부족으로 충분한 접착 특성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
수지막 형성용 필름에는, 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분 외, 이하의 성분을 함유시켜도 된다.
(H) 충전재
수지막 형성용 필름은, 충전재 (H) 를 함유하고 있어도 된다. 충전재 (H) 를 수지막 형성용 필름에 배합함으로써, 수지막 형성용 필름을 경화하여 얻어지는 수지막에 있어서의 열팽창 계수를 조정하는 것이 가능해지고, 워크에 대해 수지막의 열팽창 계수를 최적화함으로써 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 수지막의 흡습성을 저감시키는 것도 가능해진다.
또, 본 발명에 있어서의 수지막 형성용 필름을 경화하여 얻어지는 수지막을, 워크 또는 워크를 개편화한 칩의 보호막으로서 기능시키는 경우에는, 보호막에 레이저 마킹을 실시함으로써, 레이저 광에 의해 삭제된 부분에 충전재 (H) 가 노출되어, 반사광이 확산되기 때문에 백색에 가까운 색을 띤다. 그 때문에, 수지막 형성용 필름이 후술하는 착색제 (I) 를 함유하면, 레이저 마킹 부분과 다른 부분에 콘트라스트차가 얻어지고, 인자가 명료해진다는 효과가 있다.
바람직한 충전재 (H) 로서는, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 산화티탄, 산화철, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비즈, 단결정 섬유 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리카 필러 및 알루미나 필러가 바람직하다. 충전재 (H) 는 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 서술한 효과를 보다 확실하게 얻기 위한, 충전재 (H) 의 함유량의 범위로서는, 수지막 형성용 필름의 전체 질량 중, 바람직하게는 1 ∼ 80 질량％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 75 질량％ 이다. 또한, 수지막 형성용 필름을 페이스 다운형 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름으로서 사용하는 경우에는, 칩의 이면 보호 기능을 향상시키는 관점에서, 충전재 (H) 의 함유량은 수지막 형성용 필름의 전체 질량 중, 특히 바람직하게는 40 ∼ 70 질량％ 이다.
또, 본 발명에 있어서의 충전재 (H) 는, 반응성 이중 결합기를 갖는 화합물에 의해 그 표면이 수식되어 있는 것이 바람직하다. 이하에 있어서, 반응성 이중 결합기를 갖는 화합물에 의해 그 표면이 수식된 충전재를, 「반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재」 라고 기재한다.
충전재 (H) 가 갖는 반응성 이중 결합기는, 비닐기, 알릴기, 또는 (메트)아크릴로일기인 것이 바람직하다.
반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재에 사용하는 미처리의 충전재로서는, 상기 충전재 (H) 외에, 규산칼슘, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 산화티탄, 탤크, 마이카 또는 클레이 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 실리카가 바람직하다. 실리카가 가지는 실란올기는, 후술하는 실란 커플링제와의 결합에 유효하게 작용한다.
반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재는, 예를 들어, 미처리의 충전재의 표면을, 반응성 이중 결합기를 갖는 커플링제에 의해 표면 처리함으로써 얻어진다.
상기 반응성 이중 결합기를 갖는 커플링제는, 특별히 한정되지 않는다. 그 커플링제로서 예를 들어, 비닐기를 갖는 커플링제, 스티릴기를 갖는 커플링제, (메트)아크릴옥시기를 갖는 커플링제가 바람직하게 사용된다. 상기 커플링제는, 실란 커플링제인 것이 바람직하다.
상기 커플링제의 구체예로서 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란 및 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들의 시판품으로서 예를 들어, KBM-1003, KBE-1003, KBM-1403, KBM-502 및 KBM-503, KBE-502, KBE-503, KBM-5103 (이상 모두 신에츠 화학 공업사 제조) 을 들 수 있다.
상기 커플링제에 의해 상기 충전재를 표면 처리하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 이 방법으로서 예를 들어, 헨셸 믹서 또는 V 형 믹서 등의 고속 교반 가능한 믹서 중에 미처리의 충전재를 첨가하고, 교반하면서, 커플링제를, 직접 또는, 알코올 수용액, 유기 용매 혹은 수용액에 용해·분산하여 첨가하는 건식법을 들 수 있다. 또한, 미처리의 충전재의 슬러리 중에 커플링제를 첨가하는 슬러리법, 미처리의 충전재를 건조시킨 후, 커플링제를 스프레이 부여하는 스프레이법 등의 직접 처리법, 또는 상기 조성물의 조제 시에, 미처리의 충전재와 아크릴계 폴리머를 혼합하고, 그 혼합 시에 커플링제를 직접 첨가하는 인테그럴 블렌드법 등을 들 수 있다.
상기 미처리의 충전재 100 질량부를 표면 처리하는 커플링제의 양의 바람직한 하한은 0.1 질량부, 바람직한 상한은 15 질량부이다. 커플링제의 양이 0.1 질량부 미만이면, 상기 커플링제에 의해 미처리의 충전재가 충분히 표면 처리되지 않아 효과를 발휘하지 않을 가능성이 있다.
또, 반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재는, 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분과의 친화성이 우수하여, 수지막 형성용 필름 중에 균일하게 분산 시킬 수 있다.
반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재는, 수지막 형성용 필름의 전체 질량 중, 바람직하게는 50 질량％ 미만, 보다 바람직하게는 1 ∼ 30 질량％, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 25 질량％ 의 비율로 함유된다. 또, 바인더 성분 100 질량부에 대해, 반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재는, 바람직하게는 5 질량부 이상 100 질량부 미만, 보다 바람직하게는 8 ∼ 60 질량부, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 40 질량부의 범위로 함유된다. 반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재의 양이 너무 많으면, 워크에 대한 첩부성이나 기판에 대한 접착성이 나빠지는 경우가 있다. 반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재의 양이 너무 적으면, 그 충전재 첨가의 효과가 충분히 발휘되지 않는 경우가 있다.
이와 같은 범위에서, 수지막 형성용 필름이 반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재를 함유하면, 수지막 형성용 필름은, 미경화 혹은 반경화 상태에서도, 와이어 본딩 시의 진동에 견딜 정도의 탄성률을 나타낸다. 이 때문에, 와이어 본딩 시에 칩이 진동, 변위되는 일도 없어, 와이어 본딩을 안정적으로 실시할 수 있다는 효과가 높아진다.
충전재 (H) 의 평균 입경은 바람직하게는 0.01 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 0.2 ㎛ 의 범위 내에 있다. 충전재의 평균 입경이 상기의 범위 내에 있는 경우, 워크와의 첩부성을 저해하지 않아 접착성을 발휘할 수 있다. 또, 특히 반도체 칩을 다이 탑재부에 접착하기 위한 다이본딩용 접착 필름으로서 사용하는 경우에, 패키지 신뢰성 향상 효과가 현저하게 얻어진다. 상기 평균 입경이 너무 크면, 시트의 면상태가 악화되어 수지막 형성용 필름의 면내 두께가 흩어진다는 문제가 발생할 가능성이 있다.
또한, 상기 「평균 입경」 이란, 동적 광 산란법을 사용한 입도 분포계 (닛키소사 제조, 장치명 ； Nanotrac150) 에 의해 구해진다.
충전재의 평균 입경을 상기 범위로 함으로써, 패키지 신뢰성 향상 효과가 현저하게 얻어지는 것은, 이하의 이유에 의한 것이라고 추측된다.
충전재의 평균 입경이 크면, 충전재끼리의 사이를 메우고 있는 충전재 이외의 성분으로부터 형성되는 구조도 큰 것이 된다. 충전재 이외의 성분은 충전재보다 응집성이 낮다. 충전재 이외의 성분으로 형성되는 구조가 큰 것이면, 충전재 이외의 성분에 파단이 생겼을 경우에, 파단이 광범위하게 확산될 우려가 있다. 한편, 충전재가 미세하면, 충전재 이외의 성분으로 형성되는 구조도 미세한 것이 된다. 그러면, 충전재 이외의 성분에 파단이 생겨도, 그 미세한 구조에 수용된 충전재가 파단의 진행을 방해한다. 그 결과, 파단이 광범위하게 퍼지지 않는 경향이 있다. 또한, 본 발명에서는, 충전재가 갖는 메타크릴옥시기 등의 반응성 이중 결합기와 충전재 이외의 성분 (예를 들어 바인더 성분) 에 함유되는 반응성 이중 결합기가 결합을 발생할 수 있다. 충전재가 미세하면 충전재와 충전재 이외의 성분의 접촉 면적이 커진다. 그 결과, 충전재와 바인더 성분의 결합이 증가하는 경향이 있다.
(I) 착색제
수지막 형성용 필름에는, 착색제 (I) 를 배합할 수 있다. 착색제를 배합함으로써, 반도체 장치를 기기에 삽입했을 때에, 주위의 장치로부터 발생하는 적외선 등에 의한 반도체 장치의 오작동을 방지할 수 있다. 또, 레이저 마킹 등의 수단에 의해 수지막에 각인을 실시했을 경우에, 문자, 기호 등의 마크가 인식되기 쉬워진다는 효과가 있다. 즉, 수지막이 형성된 반도체 장치나 반도체 칩에서는, 수지막의 표면에 품번 등이 통상적으로 레이저 마킹법 (레이저 광에 의해 보호막 표면을 삭제하여 인자를 실시하는 방법) 에 의해 인자되지만, 수지막이 착색제 (I) 를 함유함으로써, 수지막의 레이저 광에 의해 삭제된 부분과 그렇지 않은 부분의 콘트라스트차가 충분히 얻어지고, 시인성이 향상된다.
착색제로서는, 유기 또는 무기의 안료 및 염료가 사용된다. 이들 중에서도 전자파나 적외선 차폐성의 점에서 흑색 안료가 바람직하다. 흑색 안료로서는, 카본 블랙, 이산화망간, 아닐린 블랙, 활성탄 등이 사용되지만, 이들로 한정되는 일은 없다. 반도체 장치의 신뢰성을 높이는 관점에서는, 카본 블랙이 특히 바람직하다. 착색제 (I) 는 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
착색제 (I) 의 배합량은, 수지막 형성용 필름의 전체 질량 중, 바람직하게는 0.1 ∼ 35 질량％, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 25 질량％, 특히 바람직하게는 1 ∼ 15 질량％ 이다.
(J) 커플링제
무기물과 반응하는 관능기 및 유기 관능기와 반응하는 관능기를 갖는 커플링제 (J) 를, 수지막 형성용 필름의 워크에 대한 첩부성 및 접착성, 수지막 형성용 필름의 응집성을 향상시키기 위해서 사용해도 된다. 또, 커플링제 (J) 를 사용함으로써, 수지막의 내열성을 저해하는 일 없이, 그 내수성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 커플링제로서는, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실란 커플링제가 바람직하다.
실란 커플링제로서는, 그 유기 관능기와 반응하는 관능기가, 중합체 성분 (F), 열경화성 성분 (G) 등이 갖는 관능기와 반응하는 기인 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다.
이와 같은 실란 커플링제로서는, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란,γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란 등의 알콕시기를 2 개 또는 3 개 갖는 저분자 실란 커플링제, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. 또, 상기의 알콕시기를 2 개 또는 3 개 갖는 저분자 실란 커플링제나 알콕시기를 4 개 갖는 저분자 실란 커플링제 등을 알콕시기의 가수분해 및 탈수 축합에 의해 축합한 생성물인 올리고머 타입의 것을 들 수 있다. 특히, 상기의 저분자 실란 커플링제 중, 알콕시기를 2 개 또는 3 개 갖는 저분자 실란 커플링제와, 알콕시기를 4 개 갖는 저분자 실란 커플링제가 탈수 축합에 의해 축합한 생성물인 올리고머가, 알콕시기의 반응성이 풍부하고, 또한 유기 관능기의 충분한 수를 가지고 있으므로 바람직하고, 예를 들어, 3-(2,3-에폭시프로폭시)프로필메톡시실록산과 디메톡시실록산의 공중합체인 올리고머를 들 수 있다.
이들은 1 종 단독으로, 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
실란 커플링제는, 바인더 성분 100 질량부에 대해, 통상적으로 0.1 ∼ 20 질량부, 바람직하게는 0.2 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.3 ∼ 5 질량부의 비율로 함유된다. 실란 커플링제의 함유량이 0.1 질량부 미만이면 상기의 효과가 얻어지지 않을 가능성이 있고, 20 질량부를 초과하면 아웃 가스의 원인이 될 가능성이 있다.
(K) 가교제
수지막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절하기 위해서, 가교제 (K) 를 첨가할 수도 있다. 또한, 가교제를 배합하는 경우에는, 상기 아크릴 중합체 (F1) 에는, 반응성 관능기가 함유된다.
가교제 (K) 로서는 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있고, 상기 점착제층에 있어서의 가교제 (B) 로서 예시한 것과 동일한 것을 예시할 수 있다.
이소시아네이트계의 가교제를 사용하는 경우, 반응성 관능기로서 수산기를 갖는 아크릴 중합체 (F1) 을 사용하는 것이 바람직하다. 가교제가 이소시아네이트기를 가지며, 아크릴 중합체 (F1) 이 수산기를 가지면, 가교제와 아크릴 중합체 (F1) 의 반응이 일어나, 수지막 형성용 필름에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.
가교제 (K) 를 사용하는 경우, 가교제 (K) 는 아크릴 중합체 (F1) 100 질량부에 대해 통상적으로 0.01 ∼ 20 질량부, 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 5 질량부의 비율로 사용된다.
(L) 광 중합 개시제
수지막 형성용 필름에는, 광 중합 개시제 (L) 이 배합되어도 된다. 광 중합 개시제를 함유함으로써, 예를 들어 본 발명의 수지막 형성용 복합 시트를, 다이싱·다이본딩 시트로서 사용한 경우에, 웨이퍼에 첩부 후, 다이싱 공정 전에 자외선을 조사함으로써 바인더 성분이 갖는 반응성 이중 결합기, 경우에 따라 충전재에 함유되는 반응성 이중 결합기를 반응시켜, 예비 경화시킬 수 있다. 예비 경화를 실시함으로써, 경화 전에는 수지막 형성용 필름이 비교적 연화되어 있으므로 웨이퍼에 대한 첩부성이 좋고, 또한 다이싱 시에는 적당한 경도를 가지며 다이싱 브레이드에 대한 수지막 형성용 필름의 부착 그 밖의 문제를 방지할 수 있다. 또, 점착 시트와 수지막 형성용 필름의 계면의 박리성의 컨트롤 등도 가능해진다. 또한, 예비 경화 상태에서는 미경화 상태보다 경도가 높아지기 때문에, 와이어 본딩 시의 안정성이 향상된다.
광 중합 개시제 (L) 로서 구체적으로는, 상기 광 중합 개시제 (E) 와 동일한 것을 예시할 수 있다.
광 중합 개시제 (L) 을 사용하는 경우, 그 배합 비율은, 상기한 충전재 표면의 반응성 이중 결합기 및 바인더 성분이 갖는 반응성 이중 결합기의 합계량에 기초하여, 적절히 설정하면 된다. 전혀 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 반응성 이중 결합기를 갖는 중합체 성분, 반응성 이중 결합기를 갖는 열경화성 성분 및 상기 충전재의 합계 100 질량부에 대해, 광 중합 개시제 (L) 은 통상적으로는 0.1 ∼ 10 질량부, 바람직하게는 1 ∼ 5 질량부이다. 광 중합 개시제 (L) 의 함유량이 상기 범위보다 밑돌면 광 중합의 부족으로 만족스러운 반응이 얻어지지 않는 경우가 있고, 상기 범위보다 상회하면 광 중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되고, 수지막 형성용 필름의 경화성이 불충분해지는 경우가 있다.
(M) 범용 첨가제
수지막 형성용 필름에는, 상기 외에, 필요에 따라 각종 첨가제가 배합되어도 된다. 각종 첨가제로서는, 레벨링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제나 박리제 등을 들 수 있다.
수지막 형성용 필름은, 예를 들어 상기 각 성분을 적절한 비율로 혼합하여 얻어지는 조성물 (수지막 형성용 조성물) 을 사용하여 얻어진다. 수지막 형성용 조성물은 미리 용매로 희석해 두어도 되고, 또 혼합 시에 용매에 첨가해도 된다. 또, 수지막 형성용 조성물의 사용 시에, 용매로 희석해도 된다.
이러한 용매로서는, 아세트산에틸, 아세트산메틸, 디에틸에테르, 디메틸에테르, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세토니트릴, 헥산, 시클로헥산, 톨루엔, 헵탄 등을 들 수 있다.
수지막 형성용 필름은, 초기 접착성 (예를 들어 감압 접착성이나 열접착성) 과 경화성을 갖는다. 수지막 형성용 필름이 감압 접착성을 갖는 경우에는, 미경화 상태에서는 워크에 가압하여 첩부할 수 있다. 또, 수지막 형성용 필름이 열접착성을 갖는 경우에는, 워크에 가압할 때에, 수지막 형성용 필름을 가열하여 첩부할 수 있다. 본 발명에 있어서의 열접착성이란, 상온에서는 감압 접착성이 없지만, 열에 의해 연화되어 워크에 접착 가능해지는 것을 말한다.
수지막 형성용 필름은, 경화를 거쳐 최종적으로는 내충격성이 높은 수지막을 부여할 수 있고, 엄격한 고온도 고습도 조건하에 있어서의 접착 강도나 보호 기능이 우수하다. 또한, 수지막 형성용 필름은 단층 구조여도 되고, 또 다층 구조여도 된다.
또, 반응성 이중 결합기를 표면에 갖는 충전재가 배합된 수지막 형성용 필름은, 충전재의 분산성이 우수하고, 충전재가 균일하게 분산되어 있기 때문에, 다이본딩용 접착 필름으로서 사용하는 경우에, 칩을 접합하고, 와이어 본딩을 실시하는 고온에서도 수지막 형성용 필름의 변형이 적어, 와이어 본딩을 안정적으로 실시할 수 있다. 그리고, 열 경화를 거쳐 최종적으로는 내충격성이 높은 수지막을 부여할 수 있고, 전단 강도도 우수하고, 엄격한 고온도 고습도 조건하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.
수지막 형성용 필름의 두께는, 바람직하게는 1 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 2 ∼ 90 ㎛, 특히 바람직하게는 3 ∼ 80 ㎛ 이다. 수지막 형성용 필름의 두께를 상기 범위로 함으로써, 수지막 형성용 필름이 신뢰성이 높은 접착제 또는 보호막으로서 기능한다.
［수지막 형성용 복합 시트］
상기와 같은 각 층으로 이루어지는, 본 발명의 수지막 형성용 복합 시트의 구성을 도 1 ∼ 3 에 나타낸다. 도 1 ∼ 3 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 복합 시트 (10) 는, 기재 (1) 상에 점착제층 (2) 을 갖는 점착 시트 (3) 와, 점착 시트 (3) 상에 형성된 열경화성의 수지막 형성용 필름 (4) 을 갖는다. 수지막 형성용 필름 (4) 은, 점착제층 (2) 상에 박리 가능하게 형성되고, 워크와 대략 동형상 또는 워크의 형상을 그대로 포함할 수 있는 형상이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 1 및 2 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 복합 시트에 있어서의 수지막 형성용 필름은, 워크와 대략 동형상 또는 워크의 형상을 그대로 포함할 수 있는 형상으로 조정되어, 수지막 형성용 필름보다 큰 사이즈의 점착 시트 상에 적층되는, 사전 성형 구성을 취할 수 있다. 또, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 필름은 점착 시트와 동형상으로 해도 된다.
수지막 형성용 복합 시트의 형상은, 매엽의 것에 한정되지 않고, 길이가 긴 띠형상의 것이어도 되고, 이것을 권수해도 된다.
수지막 형성용 복합 시트는, 워크에 첩부되고, 경우에 따라서는, 수지막 형성용 복합 시트 상에서 워크에 다이싱 등의 필요한 가공이 실시된다. 그 후, 수지막 형성용 필름을 워크에 고착 잔존시켜 점착 시트를 박리한다. 즉, 수지막 형성용 필름을, 점착 시트로부터 워크에 전사하는 공정을 포함하는 프로세스에 사용된다.
수지막 형성용 복합 시트 상에서 워크에 다이싱 공정을 실시하는 경우에는, 수지막 형성용 복합 시트가, 다이싱 공정에 있어서 워크를 지지하기 위한 다이싱 시트로서 기능하고, 점착 시트와 수지막 형성용 필름 사이의 접착성이 유지되고, 다이싱 공정에 있어서 수지막 형성용 필름 부착 칩이 점착 시트로부터 박리되는 것을 억제한다는 효과가 얻어진다. 수지막 형성용 복합 시트가, 다이싱 공정에 있어서 워크를 지지하기 위한 다이싱 시트로서 기능하는 경우, 다이싱 공정에 있어서 수지막 형성용 필름 부착 웨이퍼에 별도 다이싱 시트를 첩합하여 다이싱을 할 필요가 없어져, 반도체 장치의 제조 공정을 간략화할 수 있다.
수지막 형성용 필름이 사전 성형 구성을 취하는 경우에 있어서는, 수지막 형성용 복합 시트를 다음의 제 1 또는 제 2 구성으로 해도 된다. 이하, 수지막 형성용 복합 시트 (10) 의 각 구성에 대해 도 1 및 도 2 를 사용하여 설명한다.
제 1 구성은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 필름 (4) 의 편면에, 기재 (1) 상에 점착제층 (2) 이 형성된 점착 시트 (3) 가 박리 가능하게 형성된 구성이다. 제 1 구성을 채용하는 경우에는, 수지막 형성용 복합 시트 (10) 는, 그 외주부에 있어서 점착 시트 (3) 의 점착제층 (2) 에 의해 지그 (7) 에 첩부된다.
제 2 구성은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 복합 시트 (10) 의 점착제층 (2) 상에, 수지막 형성용 필름 (4) 과 겹치지 않는 영역에 지그 접착층 (5) 을 형성한 구성이다. 지그 접착층으로서는, 점착제층 단체로 이루어지는 점착 부재, 기재와 점착제층으로 구성되는 점착 부재나, 심재를 갖는 양면 점착 부재를 채용할 수 있다.
지그 접착층은, 고리형 (링상) 이며, 공동부 (내부 개구) 를 가지며, 링 프레임 등의 지그에 고정 가능한 크기를 갖는다. 구체적으로는, 링 프레임의 내경은, 지그 접착층의 외경보다 작다. 또, 링 프레임의 내경은, 지그 접착층의 내경보다 다소 크다. 또한, 링 프레임은, 통상적으로 금속 또는 플라스틱의 성형체이다.
점착제층 단체로 이루어지는 점착 부재를 지그 접착층으로 하는 경우, 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 아크릴 점착제, 고무계 점착제, 또는 실리콘 점착제로 이루어지는 것이 바람직하다. 이들 중에서, 링 프레임으로부터의 재박리성을 고려하면 아크릴 점착제가 바람직하다. 또, 상기 점착제는, 단독으로 사용하거나, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.
점착제층의 두께는, 바람직하게는 2 ∼ 20 ㎛, 보다 바람직하게는 3 ∼ 15 ㎛, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 10 ㎛ 이다. 점착제층의 두께가 2 ㎛ 미만일 때는, 충분한 접착성이 발현되지 않는 경우가 있다. 점착제층의 두께가 20 ㎛ 를 초과할 때는, 링 프레임으로부터 박리할 때에, 링 프레임에 점착제의 잔류물이 남아, 링 프레임을 오염하는 경우가 있다.
기재와 점착제층으로 구성되는 점착 부재를 지그 접착층으로 하는 경우에는, 점착 부재를 구성하는 점착제층에 링 프레임을 첩착(貼着)한다.
점착제층을 형성하는 점착제로서는, 상기의 점착제층 단체로 이루어지는 점착 부재에 있어서의 점착제층을 형성하는 점착제와 동일하다. 또, 점착제층의 두께도 동일하다.
지그 접착층을 구성하는 기재로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름 등의 폴리올레핀 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 엑스펀드성을 고려하면 폴리에틸렌 필름 및 폴리염화비닐 필름이 바람직하고, 폴리염화비닐 필름이 보다 바람직하다.
기재의 두께는, 바람직하게는 15 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 30 ∼ 150 ㎛, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 100 ㎛ 이다. 기재의 두께가 15 ㎛ 미만일 때는, 수지막 형성용 복합 시트와 지그 접착층을 첩합했을 때에 변형되어 형상을 유지할 수 없는 경우가 있다. 기재의 두께가 200 ㎛ 를 초과할 때는, 수지막 형성용 복합 시트를 보관이나 수송을 위해서 롤상으로 하면, 단차에 의한 감은 자국이 생기는 경우가 있다.
본 발명의 수지막 형성용 복합 시트에 있어서, 지그 접착층의 내경은, 수지막 형성용 필름 첩부되는 워크의 직경보다 0 ∼ 10 mm 큰 것이 바람직하다. 즉, 지그 접착층의 내경은 워크의 직경과 동일하거나, 또는, 지그 접착층의 내경이 워크의 직경보다 0 mm 를 초과하고 10 mm 이하의 길이만큼 큰 것이 바람직하다. 또, 지그 접착층의 내경과 워크의 직경의 차가 0 ∼ 5 mm 인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 수지막 형성용 복합 시트를 사용한 반도체 장치의 제조 공정에서는, 다이싱 브레이드에 의해, 워크를 다이싱 (절단 분리) 하여 칩을 얻는 경우가 있다. 이 때, 다이싱 브레이드에 의해, 워크 주위의 수지막 형성용 필름, 점착제층이나 지그 접착층까지 절단되어 절삭이 들어가는 경우가 있다. 지그 접착층의 내경과 워크의 직경의 차를 상기 범위로 함으로써, 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름이나 점착제층 중, 다이싱 시에 절삭이 들어간 부분이 잘 말리지 않는다. 또, 절삭이 들어간 부분이 잘 찢어지지 않아, 소편이 되어 비산되는 경우도 억제된다. 따라서, 워크를 다이싱하여 얻어지는 칩의 상면에 수지막 형성용 필름이나 점착제층이 부착되지 않아, 칩은 잘 오염되지 않는다. 또한, 지그 접착층의 내경과 워크의 직경의 차가 상기 범위로 억제되어 있으면, 수지막 형성용 필름의 택이 적은 경우여도, 상기와 같이 칩의 오염을 방지할 수 있다.
한편, 지그 접착층의 내경과 워크의 직경의 차가 10 mm 를 초과하면, 칩은 오염되기 쉬워진다. 상기 차가 0 mm 미만이면, 지그 접착층에 워크가 첩착되는 경우가 있고, 또, 상기 차가 1 mm 미만이면, 지그 접착층에 워크가 첩착되지 않도록 첩착 장치의 정밀도가 필요해지는 경우가 있다. 따라서, 지그 접착층의 내경은, 첩부되는 워크의 직경보다 1 ∼ 10 mm 큰 것이 보다 바람직하다.
상기 워크의 직경은, 100 ∼ 450 mm 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 직경이 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm, 400 mm, 450 mm 의 웨이퍼가 사용된다.
또, 심재를 갖는 양면 점착 부재를 지그 접착층으로 하는 경우에는, 양면 점착 부재는, 심재와 그 일방의 면에 형성되는 적층용 점착제층과, 그 타방의 면에 형성되는 고정용 점착제층으로 이루어진다. 적층용 점착제층은, 수지막 형성용 복합 시트의 점착제층과 적층되고, 고정용 점착제층은, 다이싱 공정에 있어서 링 프레임에 첩부된다.
양면 점착 부재의 심재로서는, 상기 점착 부재의 기재와 동일한 것을 들 수 있다. 이들 중에서, 엑스펀드성을 고려하면 폴리올레핀 필름 및 가소화된 폴리염화비닐 필름이 바람직하다.
심재의 두께는, 통상적으로 15 ∼ 200 ㎛, 바람직하게는 30 ∼ 150 ㎛, 보다 바람직하게는 40 ∼ 100 ㎛ 이다. 심재의 두께가 15 ㎛ 미만에서는, 상기 양면 점착 부재를 수지막 형성용 복합 시트에 첩합했을 때에 형상을 유지할 수 없는 경우가 있다. 심재의 두께가 200 ㎛ 를 초과하면, 보관이나 수송을 위해서 수지막 형성용 복합 시트를 롤상으로 하면, 단차에 의한 감은 자국이 생기는 경우가 있다.
양면 점착 부재의 적층용 점착제층 및 고정용 점착제층은, 동일한 점착제로 이루어지는 층이거나 상이한 점착제로 이루어지는 층이어도 된다. 고정용 점착제층과 링 프레임의 접착력이, 수지막 형성용 복합 시트의 점착제층과 적층용 점착제층의 접착력보다 작아지도록 적절히 선택된다. 이와 같은 점착제로서는, 예를 들어 아크릴 점착제, 고무계 점착제, 실리콘 점착제를 들 수 있다. 이들 중에서, 링 프레임으로부터의 재박리성을 고려하면 아크릴 점착제가 바람직하다. 고정용 점착제층을 형성하는 점착제는, 단독으로 사용하거나, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 적층용 점착제층에 대해서도 동일하다.
적층용 점착제층 및 고정용 점착제층의 두께는, 상기 점착 부재의 점착제층의 두께와 동일하다.
수지막 형성용 복합 시트를, 이들의 제 1 및 제 2 구성으로 함으로써, 수지막 형성용 필름을 둘러싸는 영역에 있어서, 점착제층 또는 지그 접착층의 충분한 접착성에 의해, 수지막 형성용 복합 시트를 링 프레임 등의 지그에 접착할 수 있다.
수지막 형성용 필름이 사전 성형 구성을 취하지 않는 경우, 즉, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 필름 (4) 과 점착 시트 (3) 를 동형상으로 한 경우에 있어서, 수지막 형성용 필름 (4) 의 표면의 외주부에는, 지그 접착층 (5) 이 형성되어 있어도 된다. 지그 접착층으로서는, 상기 서술한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 또한, 지그 접착층으로서 심재를 갖는 양면 점착 부재를 사용하는 경우에는, 적층용 점착제층은 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름과 적층된다.
수지막 형성용 필름의 점착 시트에 첩부되는 면과는 반대면에는, 커버 필름을 가착해 두어도 된다. 커버 필름은, 점착제층이나 지그 접착층을 덮고 있어도 된다. 커버 필름으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등이 사용된다. 또 이들의 가교 필름도 사용된다. 또한 이들의 적층 필름이어도 된다.
커버 필름의 수지막 형성용 필름에 접하는 면의 표면 장력은, 바람직하게는 40 mN/m 이하, 더욱 바람직하게는 37 mN/m 이하, 특히 바람직하게는 35 mN/m 이하이다. 하한치는 통상적으로 25 mN/m 정도이다. 이와 같은 표면 장력이 비교적 낮은 커버 필름은, 재질을 적절히 선택하여 얻는 것이 가능하고, 또 커버 필름의 표면에 박리제를 도포하여 박리 처리를 실시함으로써 얻을 수도 있다.
박리 처리에 사용되는 박리제로서는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 사용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.
상기의 박리제를 사용하여 커버 필름의 기체가 되는 필름 등의 표면을 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀션화하여, 그라비아 코터, 메이어 바 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터 등에 의해 도포하고, 박리제가 도포된 커버 필름을 상온하 또는 가열하에 제공하거나, 또는 전자선에 의해 경화시켜 박리제층을 형성시키면 된다.
또, 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열 용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등에 의해 필름의 적층을 실시함으로써 커버 필름의 표면 장력을 조정해도 된다. 즉, 적어도 일방의 면의 표면 장력이, 상기 서술한 커버 필름의 수지막 형성용 필름과 접하는 면의 것으로서 바람직한 범위 내에 있는 필름을, 당해 면이 수지막 형성용 필름과 접하는 면이 되도록, 다른 필름과 적층한 적층체를 제조하여, 커버 필름으로 해도 된다.
커버 필름의 막두께는, 통상적으로는 5 ∼ 300 ㎛, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 특히 바람직하게는 20 ∼ 150 ㎛ 정도이다.
이와 같은 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름은, 워크를 개편화하여 얻어지는 칩을 다이 탑재부에 접착하기 위한 다이본딩용 접착 필름이나, 페이스 다운형 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막으로서의 기능을 갖는다.
［수지막 형성용 복합 시트의 제조 방법］
수지막 형성용 복합 시트의 제조 방법에 대해, 도 1 에 나타내는 수지막 형성용 복합 시트를 예로 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 수지막 형성용 복합 시트는, 이와 같은 제조 방법에 의해 얻어지는 것으로 한정되지 않는다.
먼저, 기재의 표면에 점착제층을 형성하여, 점착 시트를 얻는다. 기재의 표면에 점착제층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다.
예를 들어, 점착제층을 비에너지선 경화형 점착제 조성물로 형성하는 경우에는, 박리 시트 (제 1 박리 시트) 상에 소정의 막두께가 되도록, 비에너지선 경화형 점착제 조성물을 도포하여 건조시켜, 점착제층을 형성한다. 이어서, 점착제층을 기재의 표면에 전사함으로써, 점착 시트를 얻을 수 있다.
또, 점착제층을 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물로 형성하는 경우에는, 제 1 박리 시트에 에너지선 경화형 점착제 조성물을 도포하여 건조시켜, 제 1 피막을 형성한다. 이어서, 제 1 피막을 기재의 표면에 전사하고, 에너지선 조사에 의해 경화함으로써, 점착 시트를 얻을 수 있다. 또한, 에너지선 조사를 박리 시트 상의 제 1 피막에 실시하여, 점착제층을 형성하고, 그 점착제층을 기재의 표면에 전사하여 점착 시트를 얻을 수도 있다.
에너지선으로서는, 자외선을 들 수 있고, 파장 200 ∼ 380 nm 정도의 자외선을 포함하는 근자외선을 이용하면 된다. 자외선량 (광량) 으로서는, 통상적으로 50 ∼ 500 mJ/㎠ 정도이며, 100 ∼ 450 mJ/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 mJ/㎠ 가 보다 바람직하다. 또, 자외선 조도는, 통상적으로 50 ∼ 500 mW/㎠ 정도이며, 100 ∼ 450 mW/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 mW/㎠ 가 보다 바람직하다. 자외선원으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, 발광 다이오드 등이 사용된다. 이하에 있어서, 조사하는 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 동일하게 이와 같은 범위에서 적절한 조건을 선택하여 실시하면 된다.
박리 시트로서는, 상기 서술한 기재로서 예시한 필름을 사용할 수 있다.
또, 다른 박리 시트 (제 2 박리 시트) 상에 수지막 형성용 조성물을 도포하여 수지막 형성용 필름을 형성한다. 이어서, 다른 박리 시트 (제 3 박리 시트) 를 수지막 형성용 필름 위에 적층하고, 제 2 박리 시트/수지막 형성용 필름/제 3 박리 시트의 적층체를 얻는다.
이어서, 수지막 형성용 필름에 첩부되는 워크와 대략 동형상 혹은 워크의 형상을 그대로 포함할 수 있는 형상으로, 수지막 형성용 필름을 절삭하여, 잔여의 부분을 제거한다. 제 2 박리 시트/수지막 형성용 필름/제 3 박리 시트의 적층체가 길이가 긴 띠형상체인 경우에는, 제 3 박리 시트를 절삭하지 않고 둠으로써, 길이가 긴 제 3 박리 시트에 연속적으로 유지된 복수의 제 2 박리 시트/수지막 형성용 필름/제 3 박리 시트의 적층체를 얻을 수 있다.
그리고, 상기에서 얻어진 점착 시트의 점착제층 상에, 제 2 박리 시트/수지막 형성용 필름/제 3 박리 시트의 적층체로부터 제 2 박리 시트를 박리하면서, 수지막 형성용 필름을 적층하고, 기재/점착제층/수지막 형성용 필름/제 3 박리 시트로 이루어지는 적층체를 얻는다. 그 후, 제 3 박리 시트를 제거함으로써, 본 발명의 도 1 의 양태에 관련된 수지막 형성용 복합 시트를 얻는다.
［반도체 장치의 제조 방법］
다음으로 본 발명에 관련된 수지막 형성용 복합 시트의 이용 방법에 대해, 그 시트를 반도체 장치의 제조 방법에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.
본 발명에 관련된 수지막 형성용 복합 시트를 사용한 반도체 장치의 제 1 제조 방법은, 그 시트의 수지막 형성용 필름을 워크에 첩착하고, 그 워크를 다이싱하여 칩으로 하고, 그 칩의 어느 면에 그 수지막 형성용 필름을 고착 잔존시켜 점착 시트로부터 박리하고, 그 칩을 다이 패드부 또는 다른 칩 등의 다이 탑재부에 그 수지막 형성용 필름을 개재하여 재치하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
워크는, 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또 갈륨·비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼나, 유리 기판, 세라믹 기판, FPC 등의 유기 재료 기판, 또는 정밀 부품 등의 금속 재료 등 여러 가지의 물품을 들 수 있다. 이하에 있어서는, 워크로서 반도체 웨이퍼를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.
웨이퍼 표면에의 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래부터 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러가지 방법에 의해 실시할 수 있다. 이어서, 웨이퍼의 회로면의 반대면 (이면) 을 연삭한다. 연삭법은 특별히 한정은 되지 않고, 그라인더 등을 사용한 공지된 수단으로 연삭해도 된다. 이면 연삭 시에는, 표면의 회로를 보호하기 위해서 회로면에, 표면 보호 시트로 불리는 점착 시트를 첩부한다. 이면 연삭은, 웨이퍼의 회로면측 (즉 표면 보호 시트측) 을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더에 의해 연삭한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상적으로는 50 ∼ 500 ㎛ 정도이다.
그 후, 필요에 따라, 이면 연삭 시에 생긴 파쇄층을 제거한다. 파쇄층의 제거는, 케미컬 에칭이나, 플라즈마 에칭 등에 의해 실시된다.
회로 형성 및 이면 연삭에 이어, 웨이퍼의 이면에 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름을 첩부한다. 첩부 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 이면측을 본 발명에 관련된 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름 위에 재치하고, 가볍게 가압하여, 반도체 웨이퍼를 고정한다. 또한, 수지막 형성용 복합 시트의 외주부에 있어서, 수지막 형성용 복합 시트는 링 프레임 등의 지그에 고정된다.
수지막 형성용 필름이 실온에서는 택성을 가지지 않는 경우에는 적절히 가온해도 된다 (한정하는 것은 아니지만, 40 ∼ 80 ℃ 가 바람직하다).
이어서, 수지막 형성용 필름에 점착 시트측으로부터 에너지선을 조사하고, 바인더 성분이 갖는 반응성 이중 결합기를 반응, 경화하여, 수지막 형성용 필름의 응집력을 올리고, 수지막 형성용 필름과 점착 시트 사이의 접착력을 저하시켜도 된다. 조사되는 에너지선으로서는, 자외선 (UV) 또는 전자선 (EB) 을 들 수 있고, 바람직하게는 자외선이 사용된다.
그 후, 다이싱소를 사용한 브레이드 다이싱법이나 레이저 광을 사용한 레이저 다이싱법 등에 의해, 반도체 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩을 얻는다. 다이싱소를 사용한 경우의 절단 깊이는, 반도체 웨이퍼의 두께와 수지막 형성용 필름의 두께의 합계 및 다이싱소의 마모분을 가미한 깊이로 하고, 수지막 형성용 필름도 칩과 동사이즈로 절단한다.
또한, 에너지선 조사는, 반도체 웨이퍼의 첩부 후, 반도체 칩의 박리 (픽업) 전의 어느 단계에서 실시해도 되고, 예를 들어 다이싱의 후에 실시해도 되고, 또 하기의 엑스펀드 공정 후에 실시해도 된다. 또한 에너지선 조사를 복수회로 나누어 실시해도 된다.
이어서 필요에 따라, 수지막 형성용 복합 시트의 엑스펀드를 실시하면, 반도체 칩 간격이 확장되어, 반도체 칩의 픽업을 한층 더 용이하게 실시할 수 있게 된다. 이 때, 수지막 형성용 필름과 점착 시트의 사이에 어긋남이 발생하게 되어, 수지막 형성용 필름과 점착 시트 사이의 접착력이 감소되어, 반도체 칩의 픽업 적성이 향상된다. 이와 같이 하여 반도체 칩의 픽업을 실시하면, 절단된 수지막 형성용 필름을 반도체 칩 이면에 고착 잔존시켜 점착 시트로부터 박리할 수 있다.
이어서 수지막 형성용 필름을 개재하여 반도체 칩을, 리드 프레임의 다이 패드부 또는 다른 반도체 칩 (하단 칩) 등의 다이 탑재부에 재치한다. 다이 탑재부는, 반도체 칩을 재치하기 전에 가열하거나 재치 직후에 가열해도 되고, 또, 칩의 재치 직후에 가열해도 된다. 가열 온도는, 통상적으로는 80 ∼ 200 ℃, 바람직하게는 100 ∼ 180 ℃ 이며, 가열 시간은, 통상적으로는 0.1 초 ∼ 5 분, 바람직하게는 0.5 초 ∼ 3 분이며, 재치할 때의 압력은, 통상적으로 1 kPa ∼ 200 MPa 이다.
반도체 칩을 칩 탑재부에 재치한 후, 필요에 따라 추가로 가열을 실시해도 된다. 이 때의 가열 조건은, 상기 가열 온도의 범위로서, 가열 시간은 통상적으로 1 ∼ 180 분, 바람직하게는 10 ∼ 120 분이다.
그 후, 칩이 가착된 상태에서 순차 칩을 적층하고, 와이어 본딩 후에, 패키지 제조에 있어서 통상적으로 실시되는 수지 봉지에서의 가열을 이용하여 수지막 형성용 필름을 본 경화해도 된다. 이와 같은 공정을 거침으로써, 수지막 형성용 필름을 일괄하여 경화할 수 있어 반도체 장치의 제조 효율이 향상된다. 또, 와이어 본딩 시에는, 수지막 형성용 필름은 어느 정도의 경도를 갖기 때문에, 와이어 본딩이 안정적으로 실시된다. 또한 수지막 형성용 필름은 다이 본드 조건하에서는 연화되어 있기 때문에, 다이 탑재부의 요철에도 충분히 매립되어, 보이드의 발생을 방지할 수 있어 패키지 신뢰성이 높아진다.
또, 제 2 반도체 장치의 제조 방법으로서는, 먼저, 반도체 웨이퍼의 표면에, 개편화하는 반도체 칩의 형상의 외곽에 맞추어 홈을 형성하고, 반도체 웨이퍼의 표면에 표면 보호 시트를 첩부하고, 이어서 이면측으로부터 홈에 도달할 때까지 이면 연삭 (박화 처리) 을 실시함으로써 반도체 웨이퍼를 반도체 칩에 개편화하는, 이른바 선다이싱법에 의해 얻어진 복수의 칩 군을 준비한다.
이어서, 제 1 제조 방법과 마찬가지로, 링 프레임에 수지막 형성용 복합 시트를 고정함과 함께, 칩 군의 이면측을 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름 위에 재치하고, 가볍게 가압하여, 칩 군을 고정한다. 그 후, 수지막 형성용 필름만을 칩 사이즈로 다이싱한다. 수지막 형성용 필름만을 다이싱하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 레이저 다이싱법을 채용할 수 있다.
그 후, 필요에 따라 실시되는 수지막 형성용 복합 시트의 엑스펀드 공정이나, 반도체 칩에 수지막 형성용 필름을 고착 잔존시켜 점착 시트로부터 박리하고, 반도체 칩을 다이 탑재부에 수지막 형성용 필름을 개재하여 접착하는 공정은, 제 1 제조 방법에 있어서 설명한 바와 같다.
또, 제 3 반도체 장치의 제조 방법으로서는, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름을 첩부하고, 그 후, 이면에 수지막을 갖는 반도체 칩을 얻는 것이 바람직하다. 그 수지막은, 반도체 칩의 보호막이다. 또, 제 3 반도체 장치의 제조 방법은, 바람직하게는, 이하의 공정 (1) ∼ (3) 을 추가로 포함하고, 공정 (1) ∼ (3) 을 임의의 순서로 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.
공정 (1) ： 수지막 형성용 필름 또는 수지막과, 점착 시트를 박리,
공정 (2) ： 수지막 형성용 필름을 경화하여 수지막을 얻는다,
공정 (3) ： 반도체 웨이퍼와 수지막 형성용 필름 또는 수지막을 다이싱.
먼저, 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름을 첩부한다. 그 후, 공정 (1) ∼ (3) 을 임의의 순서로 실시한다. 이 프로세스의 상세한 것에 대해서는, 일본 공개특허공보 2002-280329호에 상세히 서술되어 있다. 일례로서 공정 (1), (2), (3) 의 순서로 실시하는 경우에 대해 설명한다.
먼저, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름을 첩부한다. 이어서 수지막 형성용 필름으로부터 점착 시트를 박리하고, 반도체 웨이퍼와 수지막 형성용 필름의 적층체를 얻는다.
이어서 수지막 형성용 필름을 열경화하고, 웨이퍼의 전체면에 수지막을 형성한다. 이 결과, 웨이퍼 이면에 경화 수지로 이루어지는 수지막이 형성되고, 웨이퍼 단독의 경우와 비교해서 강도가 향상되므로, 얇아진 웨이퍼 취급 시의 파손을 저감할 수 있다. 또, 웨이퍼나 칩의 이면에 직접 수지막용의 도포액을 도포·피막화하는 코팅법과 비교해서, 수지막의 두께의 균일성이 우수하다.
그 후, 반도체 웨이퍼와 수지막의 적층체를, 웨이퍼 표면에 형성된 회로마다 다이싱한다. 다이싱은, 웨이퍼와 수지막을 함께 절단하도록 실시된다. 웨이퍼의 다이싱은, 다이싱 시트를 사용한 통상적인 방법에 의해 실시된다. 이 결과, 이면에 수지막을 갖는 반도체 칩이 얻어진다.
마지막으로, 다이싱된 칩을 콜릿 등의 범용 수단에 의해 픽업함으로써, 이면에 수지막을 갖는 반도체 칩이 얻어진다. 그리고, 반도체 칩을 페이스 다운 방식으로 소정의 다이 탑재부 상에 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 두께의 균일성이 높은 수지막을, 칩 이면에 간편하게 형성할 수 있고, 다이싱 공정이나 패키징 후의 크랙이 발생하기 어려워진다. 또한, 수지막 형성용 필름이나 수지막에 레이저 마킹 공정을 실시할 수도 있다. 레이저 마킹 공정은, 수지막 형성용 필름을 경화하여 수지막을 얻는 공정 (2) 의 전후 어디에 실시해도 되고, 레이저 광의 조사에 의해 수지막 형성용 필름이나 수지막의 표면을 삭제함으로써, 수지막 형성용 필름이나 수지막의 표면에 품번 등을 마킹할 수 있다.
또, 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름을 첩부한 후, 공정 (3) 을 공정 (1) 의 전에 실시하는 경우, 수지막 형성용 복합 시트가 다이싱 시트로서의 역할을 완수할 수 있다. 요컨대, 다이싱 공정의 한중간에 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 시트로서 사용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1, 2 에 대해서는, 이하에 기재된 ＜신뢰성 평가 (1)＞, ＜박리력 측정＞ 및 ＜픽업 적성 평가 (1)＞ 을 실시했다. 또, 실시예 6 ∼ 8 및 비교예 3 에 대해서는, 이하에 기재된 ＜신뢰성 평가 (2)＞ 및 ＜픽업 적성 평가 (2)＞ 를 실시했다.
＜신뢰성 평가 (1)＞
(반도체 칩의 제조)
드라이 폴리시 마무리 실리콘 웨이퍼 (150 mm 직경, 두께 75 ㎛) 의 연마면에, 수지막 형성용 복합 시트의 첩부를 테이프 마운터 (린텍사 제조 Adwill RAD2500) 에 의해 실시하고, 웨이퍼 다이싱용 링 프레임에 고정했다. 이어서, 다이싱 장치 (주식회사 디스코 제조 DFD651) 를 사용하여, 커트 속도 ： 50 mm/초, 회전수 ： 30000 rpm 의 조건으로 8 mm × 8 mm 의 칩 사이즈로 다이싱했다. 다이싱 시의 절삭량은, 점착 시트를 20 ㎛ 절삭하도록 했다.
(반도체 패키지의 제조)
기판으로서, 동박 피복 적층판 (미츠비시 가스 화학 주식회사 제조 CCL-HL830, 동박의 두께 ： 18 ㎛) 의 동박에 회로 패턴이 형성되고, 패턴 위에 솔더 레지스트 (태양 잉크 제조 PSR-4000 AUS303) 를 가지고 있는 기판 (주식회사 치노 기술연구소 제조 LN001E-001 PCB(Au) AUS303) 을 사용했다. 상기에서 얻은 수지막 형성용 복합 시트 상의 칩을 수지막 형성용 필름과 함께 점착 시트로부터 들어올리고, 기판 상에, 수지막 형성용 필름을 개재하여 120 ℃, 250 gf, 0.5 초간의 조건으로 압착했다. 이어서, 다른 칩을 수지막 형성용 필름과 함께 점착 시트로부터 들어올리고, 기판 상의 칩에, 수지막 형성용 필름을 개재하여 동일한 조건으로 압착하여, 칩을 2 단 적층한 기판을 얻었다.
그 후, 상기의 기판을, 몰드 수지 (쿄세라 케미컬 주식회사 제조 KE-1100AS3) 로, 175 ℃, 7 MPa, 2 분간의 조건으로 총 두께 400 ㎛ 가 되도록 봉지 장치 (어픽 야마다 주식회사 제조 MPC-06M TriAl Press) 를 사용하여 봉지했다. 이어서, 175 ℃ 에서 5 시간의 조건으로 몰드 수지를 경화시켰다.
그리고, 봉지된 기판을 다이싱 테이프 (린텍사 제조 Adwill D-510T) 에 첩부하고, 다이싱 장치 (주식회사 디스코 제조 DFD651) 를 사용하여 15 mm × 15 mm 사이즈로 다이싱함으로써 신뢰성 평가용의 반도체 패키지를 얻었다.
(평가 ： 내 IR 리플로우성)
얻어진 반도체 패키지를 85 ℃, 상대 습도 60 ％ 조건하에 168 시간 방치하고, 흡습시킨 후, 프레히트 조건을 160 ℃ 로 하고, 최고 온도 260 ℃, 가열 시간 1 분간의 IR 리플로우 (리플로우로 ： 사가미 이공 제조 WL-15-20DNX 형) 를 3 회 실시했다.
그 후, 접합부의 들뜸·박리의 유무, 패키지 크랙 발생의 유무를 주사형 초음파 탐상 장치 (히타치 건기 파인텍 주식회사 제조 Hye-Focus) 및 단면 연마기 (리파인테크사 제조 리파인·폴리샤 HV) 에 의해 단면을 깎아내고, 디지털 현미경 (키엔스사 제조 VHX-1000) 을 사용하여 단면 관찰에 의해 평가했다.
기판과 반도체 칩의 접합부 또는 반도체 칩과 반도체 칩의 접합물에 길이 0.5 mm 이상의 박리를 관찰한 경우를 박리되어 있다고 판단하고, 패키지를 25 개 시험에 투입하여 박리가 발생하지 않은 개수를 세었다.
＜신뢰성 평가 (2)＞
(반도체 칩의 제조)
＃2000 연마한 실리콘 웨이퍼 (150 mm 직경, 두께 280 ㎛) 의 연마면에, 수지막 형성용 복합 시트의 첩부를 테이프 마운터 (린텍사 제조 Adwill RAD-3600F/12) 에 의해 70 ℃ 로 가열하면서 실시했다.
이어서, 130 ℃ 의 환경하에 2 시간 투입하고, 수지막 형성용 필름의 경화를 실시하고, 다이싱 장치 (주식회사 디스코 제조 DFD651) 를 사용하여 3 mm × 3 mm사이즈로 다이싱함으로써 신뢰성 평가용의 수지막 부착 반도체 칩을 얻었다.
(평가 ： 내습열 신뢰성)
반도체 칩의 실장 프로세스를 상정한 프레컨디션의 조건으로서, 수지막 부착 반도체 칩을 125 ℃, 20 시간의 베이킹을 실시하고, 85 ℃, 85 ％RH 의 조건하에서 168 시간 흡습시켰다. 이것을 꺼낸 직후에 프레히트 160 ℃, 피크 온도 260 ℃ 조건의 IR 리플로우로에 3 회 통과시켰다. 이들의 프레컨디션 후에 수지막 부착 반도체 칩 25 개를 냉열 충격 장치 (ESPEC (주) 제조 TSE-11-A) 내에 설치하고, -40 ℃ (유지 시간 ： 10 분) 와 125 ℃ (유지 시간 ： 10 분) 의 사이클을 1000 회 반복했다.
그 후, 냉열 충격 장치로부터 꺼낸 수지막 부착 반도체 칩에 대해, 칩과 수지막의 접합부에서의 들뜸·박리, 크랙의 유무를, 주사형 초음파 탐상 장치 (히타치 건기 파인텍 (주) 제조 Hye-Focus) 및 단면 관찰에 의해 평가했다. 25 칩 투입하고, 들뜸·박리 또는 크랙이 발생하지 않은 칩의 개수를 세었다.
＜박리력 측정＞
수지막 형성용 복합 시트를, 100 mm × 25 mm 로 커트하고, 수지막 형성용 복합 시트의 수지막 형성용 필름과 PVC 판을 첩합했다.
이어서, 실시예 4, 5, 비교예 2 에 대해서는, 수지막 형성용 복합 시트의 기재측으로부터 자외선을 조사했다. 자외선 조사의 광량은 220 mJ/㎠, 조도는 160 mW/㎠ 로 했다. 또한, 이 자외선 조사는, 실시예 4, 5 에 관해서는, 수지막 형성용 필름에 자외선을 조사하고, 응집력을 향상시키는 것을 상정한 순서이며, 비교예 2 는, 에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지는 점착 시트의 일반적인 용법, 즉 에너지선 조사에 의해 점착제층의 점착성을 저감시키는 방법을 상정한 순서이다. 또, 실시예 4, 5 에 대해서는, 수지막 형성용 복합 시트에 자외선을 조사하지 않는 경우에 대해서도 측정을 실시했다.
그 후, 인장 시험기 ((주) 시마즈 제작소 제조 만능 인장 시험기 인스트론) 를 사용하여, 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 환경하, 박리 각도 180 °, 박리 속도 300 mm/분으로 점착 시트와 수지막 형성용 필름의 계면을 박리하는데 필요로 하는 힘을 측정하여, 박리력으로 했다.
＜픽업 적성 평가 (1)＞
드라이 폴리시 마무리 실리콘 웨이퍼 (150 mm 직경, 두께 40 ㎛) 의 연마면에, 수지막 형성용 복합 시트의 첩부를 테이프 마운터 (린텍사 제조 Adwill RAD2500) 에 의해 실시하고, 웨이퍼 다이싱용 링 프레임에 고정했다. 이어서, 실시예 4, 5, 비교예 2 에 대해서는, 수지막 형성용 복합 시트의 기재측으로부터 자외선을 조사했다. 자외선 조사의 광량은 220 mJ/㎠, 조도는 160 mW/㎠ 로 했다. 또한, 이 자외선 조사는, 실시예 4, 5 에 관해서는, 수지막 형성용 필름에 자외선을 조사하여, 응집력을 향상시키는 것을 상정한 순서이며, 비교예 2 는, 에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지는 점착 시트의 일반적인 용법, 즉 에너지선 조사에 의해 점착제층의 점착성을 저감시키는 방법을 상정한 순서이다. 또, 실시예 4, 5 에 대해서는, 수지막 형성용 복합 시트에 자외선을 조사하지 않는 경우에 대해서도 평가를 실시했다.
이어서, 다이싱 장치 (주식회사 디스코 제조 DFD651) 를 사용하여, 커트 속도 20 mm/초, 회전수 50000 rpm, 점착 시트의 기재에 대한 절삭량 20 ㎛ 의 조건으로, 웨이퍼를 10 mm × 10 mm 로 다이싱하여, 칩을 얻었다. 또한, 다이싱 시에 있어서의 칩 튐의 유무를 육안으로 확인했다.
그 후, 다이본더 (캐논마시나리 제조 BESTEM-D02) 를 사용하여, 하기 조건으로, 슬라이더 스피드 20 mm/초, 30 mm/초, 60 mm/초, 90 mm/초로 칩의 픽업을 실시하고, 기판에 칩을 재치했다. 각 슬라이더 스피드에 있어서의 픽업 성공률 (％) 을 하기 식으로 산출했다.
픽업 성공률 (％) = (픽업 가능했던 칩 수)/(픽업하고자 한 칩 수) × 100
또한, 픽업 가능했던 칩 수는, 픽업 불량 (칩이 들어올려지지 않고 장치가 정지, 또는 칩이 파손) 이 발생하지 않고 기판에 재치할 수 있었던 칩의 수로 했다.
(픽업 조건)
콜릿 ： 보이드레스 타입
콜릿 사이즈 ： 11 mm × 11 mm
픽업 방식 ： 슬라이더식 (니들레스 타입)
슬라이더 폭 ： 11 mm
엑스펀드 ： 3 mm
＜픽업 적성 평가 (2)＞
드라이 폴리시 마무리 실리콘 웨이퍼 (150 ㎛ 직경, 두께 350 ㎛) 의 연마면에, 수지막 형성용 복합 시트의 첩부를 테이프 마운터 (린텍사 제조 Adwill RAD2500) 에 의해 70 ℃ 로 가열하면서 실시했다. 또, 수지막 형성용 복합 시트를 웨이퍼 다이싱용 링 프레임에 고정했다. 또한, 비교예 3 의 수지막 형성용 복합 시트에 대해서는, 실리콘 웨이퍼에 첩부 후, 수지막 형성용 복합 시트의 기재측으로부터 자외선을 조사했다. 자외선 조사의 광량은 220 mJ/㎠, 조도는 160 mW/㎠ 로 했다. 이 자외선 조사는, 에너지선 경화형 점착제 조성물로 이루어지는 점착 시트의 일반적인 용법, 즉 에너지선 조사에 의해 점착제층의 점착성을 저감시키는 방법을 상정한 순서이다.
이어서, 다이싱 장치 (주식회사 디스코 제조 DFD651) 를 사용하여, 커트 속도 20 mm/초, 회전수 50000 rpm, 점착 시트의 기재에 대한 절삭량 20 ㎛ 의 조건으로, 웨이퍼를 10 mm × 10 mm 로 다이싱하여, 칩을 얻었다. 또한, 다이싱 시에 있어서의 칩 튐의 유무를 육안으로 확인했다.
그 후, 다이본더 (캐논마시나리 제조 BESTEM-D02) 를 사용하여, 하기 조건으로, 슬라이더 스피드 90 mm/초로 칩의 픽업을 실시하고, 기판에 칩을 재치했다. 이 때의 픽업 성공률 (％) 을 하기 식으로 산출했다.
픽업 성공률 (％) = (픽업 가능했던 칩 수)/(픽업하고자 한 칩 수) × 100
또한, 픽업 가능했던 칩 수는, 픽업 불량 (칩이 들어올려지지 않고 장치가 정지, 또는 칩이 파손) 이 발생하지 않고 기판에 재치할 수 있었던 칩의 수로 했다.
(픽업 조건)
콜릿 ： 보이드레스 타입
콜릿 사이즈 ： 11 mm × 11 mm
픽업 방식 ： 슬라이더식 (니들레스 타입)
슬라이더 폭 ： 11 mm
엑스펀드 ： 3 mm
(실시예 및 비교예)
［점착제 조성물의 제조예］
점착제층을 구성하는 점착제 조성물의 각 성분은, 하기 및 표 1 과 같다. 하기의 성분 및 표 1 의 배합량에 따라, 각 성분을 배합하여 점착제 조성물을 조정했다. 표 1 중, 각 성분의 수치는 고형분 환산의 질량부를 나타내고, 본 발명에 있어서 고형분이란 용매 이외의 전체 성분을 말한다. 또한, 표 2 및 표 3 에, 아크릴 중합체 (A1) 또는 에너지선 경화형 중합체 (AD) 의 반응성 관능기수에 대한 가교제 (B) 의 가교성 관능기수를 「가교제 당량」 으로서 기재했다.
(A) 중합체 성분 ：
(A1-1) 부틸아크릴레이트 95 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 5 질량부로 이루어지는 아크릴 중합체 (Mw ： 50 만, Tg ： -58 ℃)
(A1-2) 2-에틸헥실아크릴레이트 60 질량부, 메틸메타크릴레이트 30 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 10 질량부로 이루어지는 아크릴 중합체 (Mw ： 70 만, Tg ： -31 ℃)
(AD) 2-에틸헥실아크릴레이트 40 질량부, 비닐아세테이트 40 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 20 질량부로 이루어지는 아크릴 중합체와, 그 아크릴 중합체 100 g 당 5.3 g (아크릴 중합체의 2-하이드록시에틸아크릴레이트 단위 100 몰당 80 몰) 의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜 얻어지는 에너지선 경화형 중합체 (Mw ： 50 만, Tg ： -27 ℃)
(B) 가교제 ： 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 (닛폰 폴리우레탄 공업 주식회사 제조 콜로네이트 L)
(C) 가소제 ： 1,2-시클로헥실카르복실산디이소노닐에스테르 (BASF 재팬 주식회사 제조 DINCH)
(E) 광 중합 개시제 ： 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (치바·스페셜티·케미컬즈 주식회사 제조 이르가큐어 184)
박리 시트로서, 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (린텍 주식회사 제조 SP-PET381031, 두께 38 ㎛) 을 준비했다. 이어서, 표 1 에 기재된 배합량으로 조정한 점착제 조성물의 아세트산에틸 용액 (고형분 농도 30 질량％) 을, 박리 시트의 실리콘 이형 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분간 건조시켜, 두께 10 ㎛ 의 점착제층을 형성했다.
또한, 실시예 5, 8, 비교예 1 에 있어서는, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 아세트산에틸 용액 (고형분 농도 30 질량％) 을, 박리 시트 상에 도포하여 건조 후, 에너지선으로서 자외선 조사 (220 mW/㎠, 160 mJ/㎠) 를 실시하고, 에너지선 경화형 점착제 조성물을 경화하여 두께 10 ㎛ 의 점착제층을 형성했다.
또, 비교예 2, 3 에 있어서는, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 아세트산에틸 용액 (고형분 농도 30 질량％) 을, 박리 시트 상에 도포하여 건조시킨 것을 점착제층으로 했다. 그 두께는 10 ㎛ 였다.
기재로서, 편면에 전자선을 조사한 에틸렌·메타크릴산 공중합체 필름 (두께 80 ㎛) 을 사용하고, 점착제층을 기재의 전자선 조사면 상에 전사하여, 점착제층이 박리 시트와 기재에 협지된 적층체를 얻었다.
［수지막 형성용 조성물의 제조예］
수지막 형성용 필름을 구성하는 수지막 형성용 조성물의 각 성분은, 하기 및 표 1 과 같다. 하기의 성분 및 표 1 의 배합량에 따라, 각 성분을 배합하여 수지막 형성용 조성물을 조정했다.
(F) 중합체 성분 ：
(F1-1) 메틸아크릴레이트 95 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 5 질량부로 이루어지는 아크릴 중합체 (Mw ： 50 만, Mw/Mn = 2.9, 도요켐사 제조)
(F1-2) 부틸아크릴레이트 1 질량부, 메틸메타크릴레이트 79 질량부, 글리시딜메타크릴레이트 5 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 15 질량부로 이루어지는 아크릴 중합체 (Mw ： 40 만, Tg ： 7 ℃)
(G) 열경화성 성분 ：
(G1) 아크릴로일기 부가 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 화약 주식회사 제조 CNA-147)
(G1'-1) 페놀 노볼락형 에폭시 수지 (닛폰 화약 주식회사 제조 EOCN-104S)
(G1'-2) 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (에폭시 당량 180 ∼ 200 g/eq)
(G1'-3) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크 화학 공업 (주) 제조 에피쿠론 HP-7200HH)
(G2'-1) 아르알킬페놀 수지 (미츠이 화학 주식회사 제조 미렉스 XLC-4L)
(G2'-2) 디시안디아미드 (아사히 덴카 제조 아데카하드너 3636AS)
(G3) 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성 공업사 제조 큐아졸 2PHZ)
(H-1) 충전재 ： 메타크릴옥시기 수식의 실리카 필러 (평균 입경 0.05 ㎛, 아드마텍스사 제조 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 처리품)
(H-2) 충전재 ： 미처리의 실리카 필러 (용융 석영 필러, 평균 입경 8 ㎛)
(I) 착색제 ： 카본 블랙 (미츠비시 화학사 제조 MA650, 평균 입경 28 nm)
(J) 커플링제 ： 실란 커플링제 (미츠비시 화학 주식회사 제조 MKC 실리케이트 MSEP2)
(K) 가교제 ： 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 (닛폰 폴리우레탄 공업 주식회사 제조 콜로네이트 L)
(L) 광 중합 개시제 ： 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (치바·스페셜티·케미컬즈 주식회사 제조 이르가큐어 184)
박리 시트로서, 실리콘 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (린텍 주식회사 제조 SP-PET381031, 두께 38 ㎛) 을 준비했다.
이어서, 표 1 에 기재된 배합량으로 조정한 수지막 형성용 조성물의 메틸에틸케톤 용액 (고형분 농도 20 질량％) 을, 박리 시트의 실리콘 이형 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 100 ℃ 에서 1 분간 건조시켜, 두께 20 ㎛ 의 수지막 형성용 필름을 형성했다.
그리고, 다른 박리 시트를 수지막 형성용 필름 위에 적층하고, 수지막 형성용 필름이 박리 시트에 협지된 적층체를 얻었다.
이어서, 상기의 적층체를 직경 165 mm 의 원형으로 빼기 가공하면서, 일방의 박리 시트 및 원형의 수지막 형성용 필름의 주변부 (잔여의 부분) 를 제거했다. 또한, 타방의 박리 시트는 완전히 절단되지 않도록 빼기 가공을 실시했다. 이로써, 박리 시트 (타방의 박리 시트) 상에, 원형상의 수지막 형성용 필름이 적층된 적층체를 얻었다.
그리고, 점착제층이 박리 시트와 기재에 협지된 적층체에 있어서의 박리 시트를 벗기면서, 수지막 형성용 필름과 점착제층을 적층하고, 박리 시트/수지막 형성용 필름/점착제층/기재의 적층체를 얻었다.
마지막으로, 상기의 적층체를 직경 207 mm 로, 수지막 형성용 필름과 동심원상으로 빼기 가공하고, 박리 시트를 제거하여, 도 1 의 양태의 수지막 형성용 복합 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
Figure 112016010201263-pat00014
Figure 112016010201263-pat00015
또한, 표 2 의 신뢰성 평가 (1) 에 있어서 「픽업 불량」 이란, 신뢰성 평가용의 반도체 패키지를 점착 시트로부터 픽업할 수 없어, 평가할 수 없었던 것을 나타낸다.
Figure 112016010201263-pat00016
또한, 표 3 의 신뢰성 평가 (2) 에 있어서 「픽업 불량」 이란, 신뢰성 평가용의 수지막 부착 반도체 칩을 점착 시트로부터 픽업할 수 없어, 평가할 수 없었던 것을 나타낸다.

Claims (3)

  1. 기재 위에 점착제층을 갖는 점착 시트와, 그 점착제층 위에 형성된 열경화성의 수지막 형성용 필름을 갖는 수지막 형성용 복합 시트로서,
    그 수지막 형성용 필름이, 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분을 함유하고,
    그 점착제층이, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물로 이루어지고,
    수지막 형성용 필름이, 반도체 칩을 다이 탑재부에 접착하기 위한 다이본딩용 접착 필름인 수지막 형성용 복합 시트.
  2. 기재 위에 점착제층을 갖는 점착 시트와, 그 점착제층 위에 형성된 열경화성의 수지막 형성용 필름을 갖는 수지막 형성용 복합 시트로서,
    그 수지막 형성용 필름이, 반응성 이중 결합기를 갖는 바인더 성분을 함유하고,
    그 점착제층이, 에너지선 경화형 점착제 조성물의 경화물로 이루어지고,
    수지막 형성용 필름이, 페이스 다운형 반도체 칩의 이면을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름인 수지막 형성용 복합 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    수지막 형성용 필름이, 추가로 반응성 이중 결합기를 갖는 화합물에 의해 표면이 수식된 충전재를 함유하는 수지막 형성용 복합 시트.


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